DZ223基于PLC滚塑机系统设计
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1特征 与 MCS-51 相容的产品。 片内有 4KB 编程闪烁存储器。 持久: 1000 次写入/ 擦除循环。 4.0 V 5.5 V 电压工作范围。 全静电工作: 0HZ33MHZ 3 级程序存储器加密。 128 * 8 位片内 RAM。 32 条可编程 I/O 口线。 二个 16 位定时器/计数器。 六个中断源。 空闲状态低功耗和掉电模式。 从掉电模式中断恢复。 看门狗定时器。 双重的数据指针。 断电标志。 快速编程时间。 灵活 ISP 编程 (字节和页模式)。描述AT89S51 是一种低功耗、高性能的含有 4KB 的闪烁存储器系统的 8 位 CMOS 单片机。设备兼容于 8051 系列单片机指令系统和引脚。片内的 FLASH 可允许存储器片内编程,也可使用通用非易失性存储器编程。AT89S51 将 CPU 和在线可编程 FLASH 集成在一个芯片上,形成了功能强大,使用灵活和具有较高性能价格比的微控制器。AT89S51 提供以下本质标准:4KB flash,128 位 RAM,32 条 I/O 口线,看门狗定时器,2 个数据指针,2 个 16 位定时器/计数器,1 个 5 矢量两极中断结构,内部芯片振荡器,时钟电路系统。另外,AT89S51 设计有动作到 0 频率的静态逻辑和提供两个微软可查询能力保存模式,当允许 RAM、定时器/计数器、串行口和中断继续发挥作用时,空闲模式停止 CPU 运作。当低能模式使 RAM 激活释放了振荡器,所有芯片停止运作,直至下一周期中断或硬件复位。2管脚结构3方块图引脚描述VCC 电源电压输入。GND 接地。Port0 P0 8 位开放双向 I/O 口。作为输入口,每个引脚可吸收 8 个 TTL 的输入。当对 P0 口置入 1,此引脚可作为高位输入。P 0 也可用外部程序存储器和数据存储器时的低 8 位地址/数据总线的复用线。此模式中,P0 口含有内部上拉电阻。P0 在 Flash 编程中,也接收代码字节数据。和编程校验时,输出代码字节数据。在编程校验时需要外接上拉电阻。PORT 1 P1 是一个内部含有上拉电阻的 8 位双向 I/O 口, 。P1 做输出缓冲器可驱动4 个 TTL 负载。当将引脚置 1,由片内上拉电阻将其抬到高电平,可做输入。作为输入口 P1 口的引脚可由外部负载拉到低电平,通过上拉电阻提供拉电流。P1 口也可在 Flash 编程和校验时,可输入低字节地址。PORT2 P2 是一个 具有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口。P2 口用做输出缓冲器时,可驱动 4 个 TTL 负载。当将引脚置 1 时,由内部上拉电阻将其提高到高电平,用做输出。若负载为低电平,则通过内部上拉电阻向外输出电流。访问外部 16 位.( MOVXDPTR)地址的存储器时,P2 口提供高 8 位( MOVXRI)地址。4用 8 位地址寻址外部存储器时,P2 口为 P2 特殊功能寄存器的内容。P2 在 Flash 编程和校验时,可输出高字节地址和某些控制信号。PORT3 P3 是一个具有内部上拉电阻的 8 位双向口。P3 口用做输出口时,输出缓冲器可吸收 4 个 TTL 的电流。用做输入口时,首先将引脚置 1,由内部上拉电阻抬为高电平。若外部的负载是低电平,则通过内部上拉电阻向外输出电流。 P3 口在 Flash 编程和校验时,可输入某些控制信号。P 3 口为 AT89S51 提供多种特别的功能,如表所列。引脚 符号说明P3.0 RXD 串行输入口P3.1 TXD 串行输出口P3.2 INT0 外部中断 0P3.3 INT1 外部中断 1P3.4 T0 定时器 0 外部输入P3.5 T1 定时器 1 外部输入P3.6 WR 外部数据存储器写选择P3.7 RD 外部存储器读选择RST 重新输入。 在震荡器稳定有效运行时下,维持两个机器周期的高电平,在此可复位引脚上。在看门狗定时器益出输出后,该引脚将输出长达 98 个震荡周期的高电平。ALE/PROG 地址锁存允许/编程脉冲信号端。在访问外部程序存储器或外部数据存储器时,ALE 提供一个地址锁存信号,将低 8 位地址锁存在片外地址锁存器中。Flash并行编程时,该引脚也是编程负脉冲的输入端。在正常操作状态下,该引脚端口输出恒定频率的脉冲。其频率为静震频率的 1/6,可用做外部顶事或其他触发信号。注意,然而,要丢失一个 ALE 脉冲,在每次访问外部数据存储器时。PSEN 外部程序存储器读选通信号,低电平有效。AT89C51 执行来自外部程序存储器的指令代码时,PSEN 每个周期两次有效。在访问外部存储器时,PSEN 无效。EA/ VPP 外部程序存储器访问允许。当 EA 接地时, CPU 只只执行片外程序存储器中的程序。当 EA 接 VCC 时,CPU 首先执行片内程序存储器中的程序 0000H0FFFH,然后自动转向执行片外程序存储器中的程序 1000HFFFFH。如果程序锁定位 LB1 被编程,那么 EA 值将在复位时间有片内锁存。在与 FLASH 并行编程时,该引脚可接入12V 的编程电压 VPP。XTAL1 是片内震荡器反向放大器和时钟发生器的输入端。XTAL2 是片内震荡器反向放大器的输入端。存储器5MCS-51 单片机含有两个独立的程序存储器和数据存储器空间。程序存储器和数据存储器空间地址可高达 64K。程序存储器 当 EA 接地时,单片机只执行片外程序存储器。当 EA 接 VCC 时,单片机首先执行片内程序 4KB0000H0FFFH,然后自动转到片外程序存储器 60KB1000HFFFFH。数据存储器AT89S51 提供 128 字节的片内 RAM。这 128 字节可直接寻址或间接寻址方式访问。堆栈操作属于间接寻址方式,因此栈区可设置在这 128 字节空间。看门狗定时器当 CPU 由于扰动而使程序陷入死循环或飞跑状态时,WDT 是一种使程序恢复正常运行的有效方法。WDT 包含一个 14 位计数器和看门狗定时器复位寄存器(WDTRST) 。用户只要按先写 01EH,紧接着写入 0E1H 的顺序,将代码 01EH 和 0E1H写入 WDTRST 寄存器(地址为 0A6H)WDT 的定时器便自动计数。在震荡器有效运行的情况下,计数器没个周期将加 1。在 WDT 启动后,每次想 WDTRST 内重装数据 01EH和 0E1H,WDT 的溢出方可停止 WDT 计数。WDT 溢出时,将在器件的 RST 引脚上输出一个正脉冲。WDT 的使用用户按次序向 WDTRST 寄存器写入数据 01EH 和 0E1H,WDT 便启动运行。WDT 中是 14 位计数器值达到 16383(3FFFH)时,便产生溢出,同时单片机复位。为避免WDT 不必要的溢出,在运行 WDT 期间,用户必须定时复位 WDT,时间间隔应小于16383 个机器周期,既向 WDTRSR 寄存器写入数据 01EH 和 0E1H。WDTRST 是只写寄存器,而 WDT 中的计数器即不可读也不可写。WDT 溢出时,不仅可使单片机复位,程序从 0000H 开始执行,而且在 RST 引脚上输出一个高电平脉冲,其宽度是 98 个震荡周期。WDT 一旦溢出,便停止计数。掉电和空闲模式下的 WDT掉电模式下的震荡器停止,意味着 WDT 也停止计数。用户在掉电模式下不需要操作WDT。掉电模式的退出有两种方法:硬件复位和外部中断。当用硬件复位退出掉电模式时,对 WDT 的操作与正常情况一样。中断方式退出掉电模式时,应使中断输入保持足够长时间的低电平,使震荡器达到稳定,当中断变为高电平后,该中断被执行,在中断服务程序中复位 WDTRST。在中断引脚保持低电平时,为防止 WDT 溢出复位,在系统进入掉电模式之前先 WDTRST 复位。在进入空闲模式之前,应先设置 SFR AUXR 中的 WDIDLE 位,以确认 WDT 是否继续计数。当 WDIDLE=0 时,空闲模式下的 WDT 保持继续计数。为防止复位单片机,用户可设计一定时器。该定时器使器件定时退出空闲模式,然后复位 WDTRST 寄存器,再重新进入空闲模式。
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