LANGMUIR 探针实验

上传人:小*** 文档编号:59474682 上传时间:2022-03-03 格式:DOC 页数:10 大小:252KB
收藏 版权申诉 举报 下载
LANGMUIR 探针实验_第1页
第1页 / 共10页
LANGMUIR 探针实验_第2页
第2页 / 共10页
LANGMUIR 探针实验_第3页
第3页 / 共10页
资源描述:

《LANGMUIR 探针实验》由会员分享,可在线阅读,更多相关《LANGMUIR 探针实验(10页珍藏版)》请在装配图网上搜索。

1、LANGMUIR 探针实验本文档由【中文word文档库】提供,转载分发敬请保留本信息;中文word文档库免费提供海量范文、教育、学习、政策、报告和经济类word文档。ji 。 因此,金属丝刚插入等离子体内的极短时间内,金属丝表面会出现净的负电荷。该负电荷产生的电场排斥电子而吸引正离子。过程平衡时,金属丝的电位为 vf 。 设等离子体空间电位为vsp , 则在 vsp-vf 作用下, je= ji 。 vf 即为悬浮地插入的金属丝的悬浮电位。 显然, vfvsp ,亦即在金属丝与等离子体之间形成了一个电位差为vsp-vf 的鞘层。向金属丝飞来的正离子不受鞘层电场的影响;而电子在穿越鞘层时,受到拒

2、斥场的作用,只有动能能克服这个势垒的那部分电子才能到达金属丝表面。根据玻尔兹曼分布函数,可知能穿过这个势垒的电子浓度为: 其中 ne0 为等离子体区域内的电子浓度。平衡时,je=ji ,即: 因 neo=ni ( 设等离子体离子为单电荷离子) ,粒子平均热运动速度为 =8kT/(m)1/2,故(6) 式可改写为: 以氩等离子体为例,设kTe=2ev,kTi=0.043ev,mi/me=1840x40, 则 vsp-vf=15v 左右。 正离子穿越鞘层获得动能(Ei): 二. Langmuir单探针的工作原理 如果我们在插入等离子体中的金属丝的末端连接上简单的电路(如图2所示)便构成了 Lang

3、muir单探针。调节电位器可使探针(即金属丝)的电位由-45V变到+45V。假设在调节探针电位的过程中,等离子体的状态保持稳定。对应探针电位由负变到正的每一个电位值,记录下电流表所指示的相应的每一个流过探针的电流值。据此即可得探针I-V特性曲线(如图3所示)。 现在我们来分析一下Langmuir单探针的I-V特性曲线的成因。 为了表述方便起见,我们采用圆盘型的平面探针,并画出了平面探针的鞘层表面(如图4所示)。 图2 Langmuir 单探针电路 由第一节所述的余弦定律可知:单位时间内落在单位鞘层表面积内的电子数与离子数可分别用(1)、(2)两式表示。至于落到鞘层表面的粒子能否落到探针表面,则

4、取决于粒子的种类(正离子还是电子)与鞘层电场的性质(大小与方向)。 图3 单探针的I-V特性曲线 图4 下面将单探针I-V特性曲线分为A、B、C三个区域进行分析: A区:饱和离子电流区。在该区,探针电位(Vp)远远小于等离子体空间电位(Vsp),即VpVsp。此时,全部电子都受鞘层拒斥场的作用不能到达探针表面,只有正离子能被探针收集,这些正离子也就是到达鞘层表面的那些正离子,其数值由(2)式确定。显然,该数值由等离子体的性质(ni与)决定,而与鞘层电场大小无关。由(4)式决定的离子电流密度也就是探针所能收集到的最大离子电流密度,称为饱和离子电流密度,将其乘以探针暴露在等离子体里的总面积,即为探

5、针饱和离子电流。 C区:饱和电子电流区。与A区的情形类似,在该区,VpVsp,此时全部正离子都受鞘层拒斥场的作用不能到达探针表面,只有电子能被探针收集。这些电子也就是到达鞘层表面的那些电子,其数值由(1)式决定。同样,该数值由等离子体的性质(neo,)决定,而与鞘层电场的大小无关。由(3)式决定的电子电流密度(ne取neo的值)也就是探针所能收集到的最大电子电流密度,称为饱和电子电流密度。将其乘以探针总面积即为探针饱和电子电流。 图5 电子能量分布函数 B区:过渡区。该区的情形稍为复杂一点。在该区,Vp= Vsp时,探针电流到达电子饱和电流;而当Vp Vsp 之后,Vp继续增大时,鞘层表面积随

6、Vp而增大(图12)。因此落到整个鞘层表面的电子数继续增加。既然落到鞘层表面的电子都能落到探针上,故探针电流Ip 也继续增加,使得拐点变得难以确定。这就是用单探针不能准确测定等离子体空间电位Vsp 的主要原因。人们发现,发射探针法(包括可直接指示等离子体空间电位的差分发射探针)与激光诱导荧光(LIF)法等可以较准确地测定Vsp。3、 参考电位 本文以实验室地作为参考电位(零电位),这与实际测量相符,十分方便;但是有关表达式稍显复杂。有的文献以等离子体空间电位作为参考电位, 可使有关表达式大为简化;只是处理测量量时要细心一点,注意把参考电位转换后,再用他们的公式。 六、对实验报告的要求:1、 在

7、搞懂Langmuir 单探针工作原理的基础上,用自己的话(不要照抄讲义)加以阐明。2、 对用逐点测量法测量到的I-V特性数据进行处理,将结果写入实验报告。3、 改变放电电流的大小,用计算机扫描法测量等离子体电子密度与电子温度相应的值,作图说明变化规律。4、 通过查参考资料,弄清曲线最小二乘拟合原理。推导出直线最小二乘拟合的表达式。5、 画出计算机采集、显示、处理单探针I-V特性曲线的程序流程图。参考文献:1、 钱振型主编,固体电子学中的等离子体技术,科学出版社。2、 甄汉生主编,等离子体加工技术,清华大学出版社。3、 Wang En-Yao et al, Rev. Sci. Instrum., 56(4),519,April 1985.本文档由【中文word文档库】提供,转载分发敬请保留本信息;中文word文档库免费提供海量范文、教育、学习、政策、报告和经济类word文档。a href=9

展开阅读全文
温馨提示:
1: 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
2: 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
3.本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 装配图网版权所有   联系电话:18123376007

备案号:ICP2024067431-1 川公网安备51140202000466号


本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知装配图网,我们立即给予删除!