物料优选原则(7类)

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1、电子器件选型指导书目录1101 电阻器 21102 电容器 41103 电感器 101104 晶体晶振 141105 二极管 171106 三极管 22可编程器件 251101 电阻器金属膜电阻器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注四川永星(893 厂)www.china-A金属膜电阻器K0Awww.koanet.co.jpA金属膜电阻器VISHAYA金属膜电阻器2.选型原则(1) 不论那种电阻器，都不能选用边缘极限规格；(2) 对于金膜电阻器，1W以下功率优选金属膜电阻，1W及1W以上功率优选金属氧化 膜电阻；(3) 金属膜电阻器就是在陶瓷骨架表面，经真空高温或烧渗工

2、艺蒸发沉积一层金属膜 或合金膜。由于其电阻体是金属或合金材料，又是在高真空条件下制备的，因而电阻器性能 优良。(4) 金属膜电阻器的优点是：精度高、稳定性好、噪声低、电压系数小、体积小、高 频特性好，且允许工作环境温度范围大(-55+125C)、温度系数低、耐热性好。常常用作 精密和高稳定性的电阻器。(5) 对于金属膜电阻器，优先选择1/4W及1/2W功率的金属膜电阻器，当对功率、安 装空间等无要求时，优选1/4W。(6) 对于金属膜电阻器，1W以下功率的优选1%精度。(7) 对于金属膜电阻器，1%精度的电阻器优选E96系列。(8) 对于金属膜电阻器，5%精度的电阻器优选E24系列。(9) 对

3、于金属膜电阻器，0.1%精度的高精度电阻器优选E192系列。(10) 对于金属膜电阻器，电阻工作的平均功率必须小于其额定功率值的60%。金属氧化膜电阻器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注四川永星（893 厂）www.china-A金属氧化膜电阻器已使用K0Awww.koanet.co.jpA金属氧化膜电阻器未使用VISHAYA金属氧化膜电阻器未使用2. 选型原则（1）金属氧化膜电阻器的电阻体是沉积在绝缘基体表面上的一层金属氧化物薄膜（在 玻璃、瓷器等材料上，通过高温以化学反应形式生成以二氧化锡为主体的金属氧化层）。由 于氧化膜膜层比较厚，因而金属氧化膜电阻器的优点是：

4、耐磨、耐腐蚀、化学性能稳定、寄 生电感量小。（2）对于金属氧化膜电阻器，实际功率等级有 1/6W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、5W 等。（3）对于金属氧化膜电阻器，1W及1W功率以上的为优选金属氧化膜电阻器。（4）对于金属氧化膜电阻器，1W以下功率的优选1%精度。（5）对于金属氧化膜电阻器，1W及1W以上功率的优选5%精度。（6）对于金属氧化膜电阻器，1%精度的电阻器优选E96系列。（7）对于金属氧化膜电阻器，5%精度的电阻器优选E24系列。（8）对于金属氧化膜电阻器，0.1%精度的高精度电阻器优选E192系列。（9）对于金属氧化膜电阻器，电阻工作的平均功率必须小于其额定功率值的50

5、%。（10）金属氧化膜电阻有标准体（即本体）和缩体型（小体积）之区分，注意区分。1102 电容器铝电解电容器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注南通江海电容器股份有限公司铝电解电容器Nichiconwww.nichicon.co.jp铝电解电容器Rubycon （红宝石）铝电解电容器NCC （黑金刚）www.chemi-con.co.jp铝电解电容器2. 选型原则（1）通常所说的铝电解电容器是在高纯铝箔经过电化学扩面刻蚀和阳极氧化形成电介 质绝缘层后，制成的液体电解质电容器，有极性、其绝缘介质厚度为几百埃（10-1米0 ）到几 千埃，是目前大量使用的电容器中电容量最大的

6、电容器。（2）铝电解电容器可用于对电容量变化、功率损耗、绝缘电阻要求不高的各种电子电 路，如滤波、旁路、耦合、储能、隔直等。（3）对于铝电解电容器，额定工作电压和标称容量优先标准系列值。（4）对于铝电解电容器，优选液体电解质结构类型。（5）在没有温度和工艺限制条件下，铝电容用在承受大上电冲击电流的低阻抗电路中， 成本和可靠性方面上要优于其它电容。（6）用于电源尤其是开关电源时，应采用低功率损耗的铝电解电容器。（7）在大于75C的高温场合或作为滤波应用时，应尽量少用小尺寸（或指小容量10uF） 的铝电解电容。（8）铝电解电容的可靠应用主要是关注温度，但对于一般的大容量铝电解电容，在大 多数应用场

7、合下，在10-20年的时间内都不会发生干涸失效。（9）对于铝电解电容器，避免反向电压，极性铝电容器耐反向电压的能力一般只有0.5-1.5V,最好没有反向电压，更不能反向使用。对有反向电压的电路应采用无极性的铝电 容器。（10）对于铝电解电容器，环境温度不能超过其工作上限温度。（11）铝电容的寿命与工作温度关系密切。一般无纹波电流情况下，温度每降低 10C， 寿命延长 1 倍。（12）对于铝电解电容器，把相同容量的铝电解电容器，在相同的环境下，按照额定承 受电压进行充电，放置一段时间后再检测电容器两端的电压下降程度，下降电压越少的漏电 流就越小。（13）对于铝电解电容器，电容器容量愈高，漏电流就

8、愈大。(14) 对于铝电解电容器，降低工作电压可降低漏电流。(15) 对于铝电解电容器，选用更高耐压的品种也会有助于减小漏电流。(16) 对于铝电解电容器，相同条件下优先选取高耐压品种的铝电解电容器，可降低内 阻、降低漏电流、降低损失角、增加寿命，好处多，但价格上会高一些。(17) 厂家手册标注Polymer铝电容不需要降额，在实际应用中推荐电压降额到额定耐压的 80以下使用。钽电解电容器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注宁夏星日www. nxre .com参考钽电容器AVXwww. avxcorp .comC钽电容器KEMETA钽电容器VISHAYA钽电容器2. 选

9、型原则(1) 钽电解电容优选CAK45、CA45系列；(2) 钽电解电容器是钽金属表面经过阳极氧化形成绝缘介质制成的电容器，是电解电 容器的一种， 有极性、可达到的最高额定工作电压低于铝电容器，但各种参数的稳定性、 可靠性、寿命都优于铝电容器，成本也高。(3) 钽电容器的用途与铝电容器一样， 但适用于要求更加严格的电路， 同时注意普 通的固体烧结型钽电容器比普通液体铝电容器要贵(一般贵约2-4倍)。(4) 对于钽电容器，优选固体烧结型。(5) 钽电容的容量随工作频率的变化而变化，工作频率升高，有效容值下降，标称容 量越大，下降比例越大。(6) 钽电容的漏电流和质量密切相关，如果某个批次发现钽电

10、容漏电流超标，该批电容应该拒收。（7）钽电容的长期可靠性很高，是越用越可靠，它也没有寿命老化的问题。（8）选取钽电容器时一定要注意降额使用，实际工作电压不应超过额定工作电压的 0.5 倍，当承受纹波电流或环境温度升高时，降额系数应更低。（9）对于钽电容，使用时，直流偏压与交流分压峰值之和不得超过电容器的额定电压 值。（10）对于钽电容，使用时，交流负峰值与直流偏压之和不超过电容器所允许的反向电 压值。（11）钽电解电容器要避免瞬间大冲击电流，瞬间冲击电流可导致固体钽电容器彻底损 坏。（12）对于钽电容器，在滤波场合，温度变化对钽电容的性能影响可以忽略。（13）钽电容的ESR相对要比铝电容要小，

11、但其优势是作为表贴元件，安装方便以及ESL 较小，这也使得其应用频率较铝电容要宽，在满足目标阻抗的条件下，最高可以达到10 到几十 MHz。（14）钽电容的边缘规格为35V。（15）慎用35V的钽电容，推荐16V、25V。禁用耐压在35V以上的钽电容。（16）Polymer钽电容的缺点在于对热冲击较为敏感，以及自愈性能不如MnO?钽电容。（17）Polymer钽电容不需要遵守MnO?钽电容电压50%降额规则，只需要降到额定耐 压的 80即可。陶瓷电容器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注国巨www.yageo. comA陶瓷电容器TDK优选陶瓷电容器MURATA优选陶瓷

12、电容器2. 选型原则(1) 瓷介电容耐压优选100V档；(2) 磁介电容电压选择：耐压值不小于工作电压的2 倍。(3) 玻璃釉(独石)电容优选 COGX7R 系列；(4) 玻璃釉(独石)电容耐压优选100V档；(5) 玻璃釉(独石)电容电压选择：耐压值不小于工作电压的2倍。(6) 对于瓷介电容器，优选介质种类为：NP0和X7R介质，尽量避免使用Y5V和Z5U 介质电容器。(7) 对于瓷介电容器，优选容差：NP0介质为5%(不含小于10pF的电容器)、X7R介 质为10% 。(8) 陶瓷电容器的特性差异大，确定选择的电容器特性符合电路需要。(9) 对于陶瓷电容器，尽量避免选用Y5V、X5R介质的

13、陶瓷电容器。在选用了 Y5V介质 陶瓷电容器时，已经确定其电容量的大幅度漂移特性不会影响线路功能。在选用了 X5R介 质陶瓷电容器时，应考虑到并可接受X5R电容的上限工作温度为85C。(10) 对于片状陶瓷电容器，优选介质种类为：NP0和X7R介质，尽量避免使用Y5V和 Z5U介质电容器。(11) 对于片状陶瓷电容器，优选额定工作电压：25V、100V。(12) 对于片状陶瓷电容器，优选容差：NP0介质为10%(不含小于10pF的电容器)； 小于10pF的NP0电容器的优选容差为0.25pF； X7R介质为10%。(13) 对于片状陶瓷电容器，优选尺寸：0603。(14) 慎选容值大的多层陶瓷

14、电容，可采用小容量电容并联的方式实现；ESR要求不高 的场合可选用大的钽电解电容代替。(15) 由于温度对Y5V介质陶瓷电容容值影响比较大，因此选择Y5V介质陶瓷电容时要 考虑容量相应选择大一些，如原本最低容量需要1 uF的，至少应选择10uF容量，保证最坏 情况下依然满足阻抗的要求。(16) 在对电容容值的精度要求较高的场合(如振荡电路或滤波电路中决定电路频率特 性的电容)，优选陶瓷电容、固态钽电容等温度特性较好的固态介质电容。17)选用安规瓷片电容时一定要求厂家提供安规证书，在更换该类电容厂家时一定要到整机安规认证机构进行备案。（18）多层陶瓷电容的额定电压要降额至50%使用，在特别重要的

15、场合要降额至30%使 用。（19）慎用1206和1210封装，最好禁用1206和 1210以上封装的陶瓷电容。涤纶电容器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注厦门法拉www.fara tro 涤纶电容器未使用深圳塑镕电容器有限公司www. sr-涤纶电容器未使用深圳市新生竹实业有限公司涤纶电容器未使用VISHAY涤纶电容器未使用EPCOSwww. epcos .com涤纶电容器未使用TAIYOwww.yuden.co.jp涤纶电容器未使用2. 选型原则（1）涤纶电容器是以涤纶（聚酯）薄膜作介质的电容器，是薄膜电容器的一种。（2）涤纶电容器的优点是介电常数较高、体积小、电容

16、量大、工作电压范围宽、能耐热130C左右、耐湿、成本低等。金属化涤纶电容器的容量更宽，耐压可达万伏左右。（3）涤纶电容器的缺点是稳定性不高。（4）涤纶电容器在精度、损耗角、绝缘电阻、温度特性、可靠性及适应环境等指标方 面都优于电解电容和瓷片电容。但是容量价格比及容量体积比都大于电解电容和瓷片电容。（5）涤纶电容器主要用于对稳定性和损耗要求不高的各种直流或中低频脉动电路中使用。适宜作为旁路、耦合、隔直等电路。常用的涤纶电容器的型号有CLll系列、CL21系列6）对于涤纶电容器，实际工作电压不能超过额定工作电压（额定直流或交流工作电压），一般实际工作电压为额定工作电压的0.6 倍。1103 电感器

17、常规电感器1.推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注COILCRAFTA各类电感器已使用TDK参考各类电感器、磁珠已使用MURATA参考各类电感器、磁珠已使用PULSE参考各类电感器、磁珠未使用TOKOwww.toko.co.jp参考各类电感器、磁珠未使用深圳海光www.china-transfor参考常规电感器（定制电感、未使用mer .com标准电感）2.选型原则（1）电感器从制作工艺上看可以分为线绕电感器和叠层电感器。（2）绕线电感器是在支架或芯体上缠绕导线制成的电感器，这是目前工艺最成熟，种 类最为繁多的电感类型。（3）线绕电感按有无铁芯可将线绕电感分为空心电感和带铁芯

18、（磁芯）电感。一般而 言，空心电感的电感值比铁芯（磁芯）电感值小。但是空心电感由于不使用磁芯，因此无磁 饱和现象。而铁芯（磁芯）电感的电感值可以做很大。（4）叠层电感是将铁氧体以多层生产技术制造成的无绕线的电感。一般叠层电感均制 作成贴片形式。（5）叠层陶瓷电感的通流能力差，应用时应关注电流降额。（6）叠层片式电感的端电极极易被氧化。电感的存储环境应该远离硫磺和氯气等腐蚀 性气体，并避免把电感存放于盐或酸性的环境中。（7）对于电感，建议在厂家提供的额定电流范围内工作，电流降额到80%。（8）小电流电感优选表面贴装的电感器，尤其是高频电感。（9）功率电感线包层间应有绝缘带防匝间短路。（10）电感

19、多用于电源滤波电路；磁珠多用于信号回路，用于抑制高频干扰。（11）电感器件选用时要注意标称电感量、直流阻抗、谐振频率和最大额定电流等几 个参数。（12）选用功率电感时需考虑散热设计。（13）用于电源电路的电感，需特别注意直流阻抗，会产生磁饱和，或导致电源电压 降低。（14）一般地，工字型线绕电感的焊端在器件的一侧，对于0201 封装线绕电感，由于 尺寸小，不利于生产和维修，禁用。（15）中低频率场合下，优选以铁氧体类磁性材料为磁心的叠层电感。其电感量大、 自谐振频率较低。（16）高集成度的电路设计时应优选磁路封闭的电感。（17）建议在厂家提供的额定有效值电流（Irms）范围内工作。（18）建议

20、在厂家提供的额定饱和电流（Isa t）下工作。19） 建议选择 Q 值较大的电感。差模电感器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注COILCRAFT差模电感器使用TDK差模电感器使用MURATA差模电感器使用PULSE差模电感器未使用TOKOwww.toko.co.jp差模电感器未使用深圳海光www.china-差模电感器未使用2. 选型原则（1）对于插装固定差模电感，标称电感：采用E6系列，即标称感值为1.0、1.5、2.2、10n3.3、4.7、6.8 或以上数值再乘以 。精度 20%为优选，精度要求高时可以选择10%。尽 量选择厂家标准产品。（2）对于插装固定差模电

21、感，优选结构类型：工字电感优选。对于功率型电感，虽然 PULSE、COILCRAFT和TDK有表面贴型产品，但考虑到成本相差较大，以插装为优选（注： 根据贵司的实际情况定）。（3）对于插装固定差模电感，优选磁芯：考虑到成本问题。（4）对于插装固定差模电感，电感器工作时自身最高温度不要超过额定温度。（5）对于固定表面贴差模电感，标称感值：选择标准值。采用E12系列。即感值是1.0、10n1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.2 或以上数值再乘以 n。（6）对于固定表面贴差模电感，优选厂家：绕线型 COILCRAFT、PULSE、TDK、TAIYOYU

22、DEN；叠层型：TAIYOYUDEN、TDK、MURATA。其中COILCRAFT、PULSE的绕线型电感可以完全兼容, 作为绕线型电感的优选器件（注：根据贵司的实际情况定）。（7）对于固定表面贴差模电感，优选类型：叠层型，在满足指标要求的前提下，选择 叠层型。（8）对于固定表面贴差模电感，外形尺寸（mm）： 0603、0805、1008，尽量往小型化发 展。（9）对于固定表面贴差模电感，功率型电感:优选插装,特殊情况下可以选择COILCRAFT、 PULSE 表面贴产品，但不作为优选系列（注：根据贵司的实际情况定）。（10）对于固定表面贴差模电感，电感器感值和精度等随频率而变化，精度要求高的

23、 电感器，要注意应用频率与标称电感测试频率的差别。（11）对于固定表面贴差模电感，电感额定电流要正确选用，以防电感饱和及线圈过 热。共模电感器1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别COILCRAFT优选共模电感器TDK优选共模电感器MURATA优选共模电感器PULSE优选共模电感器TOKOwww.toko.co.jp优选共模电感器深圳海光www.china-推荐共模电感器2. 选型原则(1) 共模电感是一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件，它由两个尺寸、匝数相同 的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上，形成一个四端器件，共模信号呈现出大电感 具有抑制作用，而差模信号呈现出很

24、小的漏电感几乎不起作用。(2) 对于共模电感，优选厂家：小电流，优选TDK、COILCRAFT、TAIYOYUDEN；大电流 高频(2400KHz)，优选TDK、COILCRAFT、TAIYOYUDEN；(注：根据贵司的实际情况定)。(3) 对于共模电感，优选封装：小电流，表面贴型；大电流，插装。(注：根据贵司 的实际情况定)。(4) 对于共模电感，优选尺寸：0805、1210(注：根据贵司的实际情况定)。( 5 )对于共模电感，绕组间电压不要超出额定电压。工作电流使电感器产生的温升不超过30C，电感量下降在应用允许范围内。(6) 选用共模电感时，注意加到绕组间的电压不能超出厂家规格书标注的额

25、定电压。(7) 通常下，注意选择所需滤波的频段，共模阻抗越大越好，在选择共模电感时，看 器件资料，主要根据阻抗频率曲线选择。选择时注意考虑差模阻抗对信号的影响，主要关 注差模阻抗，特别注意高速端口。1104 晶体晶振晶体1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注Epsonwww. epsonjp参考晶体使用HOSONICwww.hosonic.ne t参考晶体使用TAI TIEN .tw参考晶体未使用2. 选型原则(1) 石英晶体谐振器(简称晶体)，就是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器 件，基本结构就是在一片晶片的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引 线

26、接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体。其产品 一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑胶封装的。晶体是无源器件，需要外围电路 驱动其工作，产生时钟输出。(2) 在晶体选型时，需要关注：中心频率偏差、负载电容、等效电阻、温度频差、老 化率等几个主要指标。(3) 在晶体选型时，还要考虑外壳封装。(4) 禁用圆柱型封装的晶体。(5) 选用通用晶体器件时，选用HC-49SMD翼型或5X7陶瓷表贴封装。(6) 小公差晶体调整频差指标要求选用土lOppm,温度频差指标要求选用土10ppm/-20 70C。(7) 晶体是温度敏感元器件，负载电容稳定性对频率影响非常大。在选

27、型时需要考虑温度问题，晶体、晶振最高工作温度需降额值为Tmax-lOC，最低工作温度值为Tmin+lOC。(8) 晶体是温度敏感元器件，负载电容稳定性对频率影响非常大。安装时，要求晶体 和负载电容远离发热元器件。(9) 插装晶体垂直安装时，要求加绝缘垫片，防止外壳与PCB板线路短路。晶振1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注Epsonwww. epsonjp参考晶振使用HOSONICwww.hosonic.ne t参考晶振使用TAI TIEN .tw参考晶振未使用2. 选型原则（1）石英晶体振荡器（简称晶振）就是由晶体谐振器和外围振荡电路共同组成，它 们的组合电路称为晶体

28、振荡器。晶振是有源器件，加电就可以产生时钟输出。（2）在晶振选型时，需要关注：中心频率偏差、频率老化、短期稳定度、温度频率稳 定度、电源变化频率稳定度等几个最主要的指标。（3）在晶振选型时除了上述的指标外，还需要考虑：振荡器的类型、电源电压、输出 信号和电平、负载能力、占空比以及封装形式等参数，请根据实际情况选择。（4）在晶振选型时，高指标要求会增加成本，请综合考虑成本和指标，取得均衡。（5）在晶振选型时，由于封装等原因造成的独家供货器件，容易出现产能和质量风险， 应权衡应用需要，选取合适的晶振。（6）在压控晶振选型时，宽牵引范围与高稳定度相互制约，应权衡应用需要，选取合 适的指标。（7）晶体

29、晶振的频点优先选用标准频点，不要选用非标准的频点。（8）优选用防静电包装的晶振、晶体。（9）普通晶振的选用，建议使用后续两种工作温度等级，A：-40C85C； B： -20C 70C（0C70C）。选取的工作温度范围尽可能有一定的裕量，以5C10C为标准，但 选取的温度等级将会影响频率器件的价格，必要时需考虑相应的性价比。（10）普通晶体振荡器优选全尺寸插装和5X7 SMD封装。（11）在既能用晶体又能用晶振的电路中，优选使用晶振，避免出现晶体同芯片配合问 题引起电路不振荡。（12）小型、微小型、低激励、片式化、高基频、低jitter是晶振的发展方向。随设 备和工艺的进一步提高，频率稳定度日益

30、提高，功耗不断降低，电源从5V-3.3Vf2.5Vf 1.8V。（13）环境温度不能超过晶振规定的工作温度范围，否则会造成频率超出规格要求、停 振、跳频等现象。（14）根据频率温度稳定度要求，确定相应的晶体振荡器类型，温度范围越窄，频率温 度稳定度指标越好。15）可靠性要求不高并且成本或布板限制时可选择表贴晶振。16）在选型中，还要注意允许使用的功率（例如：是否是电池供电，如果是，需选用低功耗晶振）。（17）所选用的晶振，插装晶振推荐采用波峰焊或者手工焊接；一般精度插装晶振推荐采用波峰焊，高精度晶振（譬如，加强型二级时钟）推荐采用手工焊接。（18）所选用的晶振在使用时，要求晶振远离发热量大的元

31、器件。1105 二极管通用二极管1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别ONSEMIwww.onsemi. com优选二极管NXPwww. nxp .com优选二极管Fairchild优选二极管、TVSSEMTECH优选TVS、硅保护器件乐山无线推荐二极管2. 选型原则1）选择二极管时，主要关注最大正向电流、反向耐压、热阻、压降曲线、损耗等。(2) 二极管的种类众多，如稳压管、TVS、肖特基、发光二极管等，针对不同的应用,需要关注的参数也是不同的，例如有的关注正向压降，有的关注工作速度等，在选型时需要(3) 在高频或开关状态应用场合，可以选择肖特基二极管，其电容效应非常小，工作

32、 速度很快。(4) 当需要对器件进行快速过压保护时，可以选择瞬态抑制二极管(TVS)。(5) 选用TVS时，要考虑TVS的残压。(6) 根据防护要求，选用不同响应速度的TVS。(7) 要考虑防护TVS的过流能力和瞬时功率。(8) 选用TVS时，如果对数据速率有要求，还需考虑TVS的结电容大小。(9) 慎用使用玻璃封装(包括贴片、插装封装)的二极管。(10) 慎用MELF封装的二极管(圆柱状封装的二极管)。(11) 选择整流及开关二极管时应综合考虑 :正向额定电流、反向重复工作电压、正向 压降及开关过程中的损耗等参数。(12) 对于普通整流二极管，比如1N400X系列、1N54OOX系列，由于在

33、通用的电压范 围类，其正向压降基本相同(生产时使用了同样的管芯，只是测试时进行分档)，可以用以 高代低的原则进行选型。(13) 肖特基二极管以正向额定电流来进行分类，以反向重复工作电压来进行分档，其 功耗主要由正向压降来决定，选型时应充分考虑这些因素。(14) 肖特基二极管近年来的发展方向是向更小正向压降，大电流方向发展，其反向电 压目前基本都能做到200V以上，选型时应考虑这些因素。(15) 肖特基二极管是静电特别敏感器件，在选型时需特别考虑。(16) 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不 高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整

34、流二极管即可 例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。(17) 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率 较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择 快恢复二极管。(18) 表贴器件优选，推荐封装：SOT-23、SOD-123，功率器件可选插装器件。(19) 功率整流二极管比普通二极管结面积较大，能通过较大电流(可达上千安)，但工作频率不高，一般在几十千赫以下。功率整流二极管主要用于各种低频整流电路。(20) 按照实际应用的要求，可选择不同类型的功率二极管，如：肖特基功率二极管、 快速恢复功率二极管和工频功率二极管等

35、。发光二极管1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别亿光优选发光二极管佳光优选发光二极管A0Twww.a ot .com .tw推荐发光二极管光宝www.ltoT推荐发光二极管2. 选型原则(1) 对于插装LED器件，按照要求，选用管脚长度适中的器件，防止管脚过短或太长。(2) 选用合适的发光管形状(不同直径的圆形灯，方型灯，是否带有底座)。一般推 荐圆形的3mm，表贴的选用0603或2.0*1.25*l.lmm即0805的封装。(3) 发光二极管优选直径为5mm的插脚型号，贴片发光二极管优选选用有焊接框架的 型号；注意发光管中引脚外包裹的绝缘介质要厚，以免插入结构件时可能造成

36、的短路。(4) LED的两项重要指标是亮度和波长。应选用通用型亮度发光管。(5) 在选择亮度时，可以先在相应的数据手册中查找到亮度与驱动电流对应关系，再 结合实际驱动电流大小，选择适当标称亮度。(6) 选用发光管的颜色，应严格按照波长区分。一般的峰值波长为红色697nm；绿色 565nm ；黄色585nm。(7) LED的发展方向是超高亮度及低功耗，但普通高亮的器件仍有巨大的市场，考虑 到价格因素，在选用LED时应慎选超高亮器件。另外，由于技术的发展，新材料比如SIC、GaN 的应用，蓝光、白光LED近年来发展较快，但也是慎选器件。(8) 直流驱动最简单，为了控制电流，通常要串联一限流电阻；（

37、9）交流驱动时，电源的峰值电压不应超过器件的反向击穿电压，否则应接上起保护 作用的整流二极管。稳压二极管1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别ONSEMIwww.onsemi. com优选稳压二极管NXPwww. nxp .com优选稳压二极管Fairchild优选稳压二极管SEMTECH优选稳压二极管乐山无线推荐稳压二极管长电www.cj-推荐稳压二极管2. 选型原则（1）稳压二极管是能在齐纳击穿或雪崩击穿条件下正常工作的二极管。当通过器件的 电流在一定范围内变化时，其两端的电压变化很小，输出稳定的直流电压。稳压二极管通常 用于箝位、直接耦合等。（2）稳压二极管的选择首先应

38、考虑其击穿电压和耗散功率，而表现其性能优越与否的 主要参数是电压的温度系数和在其工作电流下的微分电阻，这两个参数在规定的条件下应尽 可能的小。（3）对器件没有特殊要求时，稳压二极管是以耗散功率来进行分类，以稳定电压值来 进行分档，选择时需注意。（4）在选择稳压二极管时，在可能的情况下，应选择小微分电阻的器件。（5）在选择稳压二极管时，在可能的情况下，选择较低温度系数的器件，但不主张选 用低温度系数稳压二极管。（6）在稳压二极管的设计应用时，应考虑电压的容差，即电压的变化范围应尽可能的大。（7）在稳压二极管工作时，为避免因电流太大过热而损坏稳压管，使用中应串接限流 电阻。（8）稳压二极管器件的功

39、率一般由管芯面积决定，因而封装大小基本决定了器件的耗 散功率。（9）在需要稳压的场合，可以选择稳压（齐纳）二极管，稳压二极管的正向曲线与普 通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低得多。（10）注意稳压二极管的作用稳压电源、过压保护。1106 三极管1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别NXPwww. nxp .com优选三极管Fairchild优选三极管0NSEMIwww.onsemi. com优选三极管乐山无线推荐三极管2. 选型原则(1) 在同等情况下，优选表贴的三极管(如果板上绝大多数已经是插装等情况除外)。(2) 三极管的类型选择：常用三极管的类型有NPN型与PNP型

40、两种。由于这两类三极管 工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。选用时，根据设计电路工作电 压的极性，选择三极管的类型。(3) 三极管的材料选择：三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是 起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.60.7V。(4) 三极管的主要参数选择：选用三极管主要关注三极管的四个极限参数：Icm(集电 极最大电流)、BVceo (集电极-发射极反向击穿电压)、Pcm (最大功耗)及fT (特征频率)。(5) 三极管的主要作用是放大，选用时,应在满足降额要求的前提下，考虑输出电流和 相应的耗散功率、击穿电压大小

41、、放大倍数等参数。同时，应尽量选用热阻小，允许结温高 的器件。(6) 针对大功率输出的应用，可以选择达林顿管。(7) 针对高频开关的应用，可以选择开关三极管，它是一种饱和与截止状态变换速度 较快的三极管，广泛应用于各种脉冲电路、开关电路及功率输出电路中。(8) 小功率三极管的选用：小功率三极管在电子电路中的应用最多，主要用作小信号 的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先明确电子电路的工作频率大概范围。(9) 大功率三极管的选用：对于大功率三极管，除高频发射电路设计之外，可不必考f BV虑三极管的特征频率 T 。对于三极管的集电极-发射极反向击穿电压 CEO 这个极限参数的考虑与小功率三极管是一

42、样的。对于集电极最大允许电流1 CM的选择主要也是根据三极管所带的负载情况而计算的。(10) 三极管同等参数下高频的优选，低频的归并。例如普通开关三极管归并到高频三极管。(11) 三极管应用时其结温一般需满足Tj0.6X (Tjmax 25C)+20C或TjmaxX80%。(12) 功率三极管在应用中应保证结温不超标，通常需要加装有足够大的散热器来保证(13) 在同等情况下，硅管与锗管相比，优选硅三极管。(14) 温度对晶体管的各个参数有影响。硅管比锗管受温度的影响要小得多。(15) 高温是对晶体管破坏性最强的应力，因此晶体管的功耗和结温须进行降额；电压击穿是导致晶体管失效的另一主要因素，所以

43、其电压须降额；建议降额系数0.50.8。(16) 直流、交流和瞬态电压或电流的最坏组合不得大于降额后的极限值(包括感性负载)。(17) 硅管和锗管之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.60.7V。MOSFET 场效应管1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别IRwww.IRF.com推荐MOSFET场效应管Fairchild优选MOSFET场效应管NXPwww. nxp .com优选MOSFET场效应管VISHAY推荐MOSFET场效应管2. 选型原则(l) MOSFET是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，

44、其输入阻抗高、噪 声低、热稳定性好、抗辐射能力强、寿命长，在大规模和超大规模集成电路中占有重要的地 位，是CMOS逻辑电路的基本单元。（2）应用中根据电流流向和电压方向首先确认适合选择N沟道MOSFET还是P沟道MOSFET。（3）漏源电压Vdss的选择：需根据实际的电压应力选择合适耐压值的MOS管，通常MOS 管承认书给出的Vdss电压是器件在最高结温时所能承受的最高电压。（4）漏源极电流Id的选择：实际选择时根据实际的电流大小选择足够电流容量的MOS 管，并留有一定的余量。（5）栅源电压Vgs的选择：尽量选择栅源电压较高的MOS管，以提高驱动受干扰时的可 靠性。（6）导通电阻的选择:原则上

45、尽量选择导通电阻的低的MOS管以减小其损耗，提高效率。（7）MOS管都是静电敏感器件，在选型时，尽可能选择抗ESD能力强的器件。（8）鉴于目前集成放大电路的发展，建议在单板设计中一般将MOSFET用作开关器件， 如果需要设计放大电路，可以选用运算放大器芯片，温漂和精度可以做得更好。（9）优先选用将管脚短路的包装方式。（10）在选择MOSFET时,首先根据器件在应用场合中出现的最大阻断电压和最大工作电 流选择MOSFET器件，主要考虑的参数是漏源、栅源击穿电压及开启电压；当应用在对饱和导 通压降很敏感的场合时，还需要考虑漏源通态电阻。（11）MOSFET器件在选型时要特别关注:漏源击穿电压V（B

46、R）DSS、最大额定栅源电压VGS； 当器件处于高频开关状态时，需要注意考虑门极电容的大小及驱动能力的大小。（12）所选MOS管的最大可允许结温Tjmax应该大于实际工作结温,允许最大结温降额到 80%。可编程器件1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注XilinxAFPGA/CPLD使用Alterawww.a lt ACPLD/FPGA使用Latticewww.la tti CGAL、CPLD、FPGA使用2. 选型原则(1) 对于可编程逻辑器件的选型，应结合设计中对逻辑容量、I/O数目、RAM数目及使 用方式、锁相环、速度要求、功耗、封装、PCB布板、工艺的要求等情况和

47、不同厂家器件技 术、质量等方面对比，综合分析进行选择。(2) 同等情况下，尽量优先采用表面贴装的可编程逻辑器件(3) 考虑器件应用的可靠性、编译实现、可能的扩展功能等多方面的原因，建议选型 时考虑资源占用率问题。(4) CPLD器件常用指标有额定工作电压、工作电流、功耗、频率、逻辑资源和I/O资 源等，要根据产品具体需要进行选型。(5) 大多FPGA集成多个模块，如SRAM、DCM、高速串行IO，甚至DSP等，选型时要以 “够用”为原则，避免选用集成很多模块的芯片。(6) FPGA器件常用指标有额定工作电压、工作电流、功耗、频率、逻辑资源和I/O 资源等，要根据产品具体需要进行选型。(7) F

48、PGA 优选顺序为 XILINX、ALTERA。(8) CPLD/EPLD 优选顺序 ALTERA 和 Xilinx。(9) 5V 的可编程逻辑器件工艺老、功耗大、现已是非主流器件，在行业内属于淘汰系列，在产品选型规划里需要考虑器件的行业发展趋势，以免后续出现问题。（10）新选的FPGA/CPLD器件以选用3.3V/2.5V/1.8V/1.5V器件为主。在内部资源及速 度相近的情况下，由于3.3V/2.5V/1.8V/1.5V器件采用比5V器件更先进的工艺，性能更好， 价格要比5V器件低较多，且支持3.3V I/O接口，新设计中建议选用3.3V/2.5V/1.8V/1.5V 器件取代5V器件。

49、（11）FPGA/CPLD的选型，不同厂家不同系列器件价格差别较大，应充分考虑器件结构 和价格。1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注TIWWW.TI.COMATTL逻辑门电路、CMOS逻辑门电路、其它各类门电路已使用NXPwww. nxp .comATTL逻辑门电路、CMOS逻辑门电路、其它各类门电路已使用Fairchildwww.f airchildseATTL逻辑门电路、CMOS逻辑门电路、其它各类门电路已使用ONSEMIwww.omsemi. comTTL逻辑门电路、CMOS逻辑门电路、其它各类门电路未使用2. 选型原则（1）逻辑驱动芯片主要是74系列的逻辑门电路

50、芯片，其中按电压等级可分为3.3V器件 和5V器件，按电平标准可分为TTL器件和CMOS器件。（2）常用器件类别（或逻辑电平）：TTL：Transistor-Transistor Logic CMOS：Complementary Metal Oxide SemicondutorLVTTL：Low Voltage TTLLVCMOS：Low Voltage CMOSECL：Emitter Coupled Logic，PECL：Pseudo/Positive Emitter Coupled LogicLVDS：Low Voltage Differential Signaling(3) 常用器件型号

51、类别：HC/HCT - High-Speed CMOS LogicAC/ACT - Advanced CMOS LogicABT - Advanced BiCMOS TechnologyLVT - Low-Voltage BiCMOS TechnologyLVC - Low Voltage CMOS TechnologyLV - Low-VoltageALVC - Advanced Low-Voltage CMOS TechnologyAHC/AHCT - Advanced High-Speed CMOSALVT - Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology

52、(4) 所选逻辑器件的静电防护等级ESD建议高于1000V (HBM)。(5) 所选逻辑器件的潮湿敏感等级MSL应小于5A级。(6) 所选逻辑器件的抗闩锁能力建议100mA以上。(7) 逻辑器件选型在性能方面主要考虑的：电压、速度、功耗、驱动能力以及与其它 器件的接口性能等几个主要方面。(8) 所选择的逻辑器件，接口电平必须符合要求。尽量选用相同接口电平特性的器件。(9) 推荐优选表贴器件，如果同一器件有表贴和插装两种封装，慎选插装器件。(10) 在满足使用要求条件下，尽量选用低速、低功耗、低驱动能力的器件。(11) 做板内驱动的器件，应尽可能选用低速、低功耗、低驱动能力的芯片，以减少信 号过

53、冲，改善信号质量，并且在设计时必须考虑信号匹配。(12 )注意逻辑器件的电平匹配问题，如不要用TTL器件驱动CMOS器件；对于驱动发光 管等需要驱动能力很强的场合要注意器件的驱动能力。(13) 针对不同电压电平之间的接口应用，优选双电源供电的接口器件，以避免不同公 司的产品差异造成的电平匹配问题。(14) 目前板上最常用的电压等级为3.3V和5V, MCU及DSP、FPGA等器件的接口电平一般为3.3V，因此配合的逻辑器件首选3.3 V的LVT和LVTH系列；除与背板等的接口类器件建议使用5V的器件外，其它场合不建议使用。（15 ）四位三态缓冲驱动器推荐使用125型号；3.3V系统推荐74AH

54、C125和74LVTH125型 号。（16）十六位总线器件推荐TSSOP 封装的 74ABT16244/16245和74LVTH16244/16245。（17）对于触发器，3.3V系统推荐74LVC74和74LVTH16374。（18）锁存器5V推荐AHC/AHCT373（板内）、BT373（板间）；3.3V推荐LVT16373、LVC373、 AHC373。（19）译码器不推荐二/四、四/十六译码器，仅推荐三/八译码器138。（20）如果板上有可编程器件的情况下，计数器、比较器、移位寄存器尽量利用可编程 逻辑器件实现。存储器SRAM1. 推荐厂家产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注I

55、DTASRAM、双口 RAM已使用ISSIwww.i ssi .comASRAM已使用MICRONwww. micron .comSRAM未使用2. 选型原则（1）SRAM （Static RAM）是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存 它内部存储的数据，因此SRAM具有较高的性能，速度也很快。但是SRAM的集成度较低，相同 容量的DRA M内存可以设计为较小的体积，但是SRA M却需要很大的体积，同时功耗大、价格高。（2）SRAM的选用一般要考虑供电电压，功耗和速度三个方面。（3）选择存储器时，容量应考虑留有一定余量。(4) 在选择SRAM时，尽量把速率归一到几个等级例如：15

56、nS、70nS。(5) SRAM在选型，快于15nS的应考虑使用同步SRAM。(6) 双口RAM不需保留太多型号，尽可能归一到少数的物料上。(7) 因业界使用较少，价格较高，尽量改用其他方案替代。(8) 选择厂家主流推荐的型号，因为工艺的更新换代，相对容易遇到停产的情况。(9) 双端口SRAM主要作为数据交换使用，合理高效的软件协议是保证正确进行消息交换的前提之一。DRAM1. 推荐厂家生产商名称生产商网址生产商等级采购器件类别备注MICRONwww. micron .com优选DRAM使用MICROCHIP优选DRAM未使用ISSIwww.i ssi .com推荐DRAM未使用2. 选型原则

57、(1) DRAM只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM必须每隔一段时间就刷新 一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。(2) 优选SDRAM、DDRDRAM。不选EDO DRAM、FPM DRAM、SGRAM和Rambus等老技术。由于 RDRA M的功耗大,价格高，除非特殊场合可选用,对早期CPU等核心芯片选择要考虑外围器件， 可以选用FCRAM器件。(3) 推荐选用技术可以平滑升级的器件，这里平滑升级指厂家在容量和速度正常升级, 如容量从128Mb升级到256Mb,速度从133MHz升级为166MHz,慎用新器件。(4) 选用3.3V或更低电压器件,不选用5V器件。(5) SDRAM器件的32Bit数据宽度建议选用容量64M和128M。(6) SDRAM器件的16Bit数据宽度建议选用容量128M和256M。（7）速度等级划分：100MHZ和133MHZ为一个等级，166MHZ为一个等级，因为100MHZ和133MHZ的价格基本无差别,而166MHZ比133MHZ贵20 %-30%。（8）器件数据宽度，根据需要可以组成不同的工作数据宽度和工作容量。（9）器件刷新周期和一次刷新的容量大小。（10）是否支持Burst方式，Burst的长度，在Burst方式下，是否支持连续地址操作和 交叉地址操作。（11）寄存器工作方式设置是否相同。（12）