太阳能电池的原理及制作

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1、96岭- 7 G I- 出-0- D W-O、-CD b-0-6 出太阳能电池的原理及制作太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能 源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中；大阳能光 电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，是其中最受瞩 目的项目之一。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光 电材料吸收光能后发生光电于转换反应，根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：1、硅太阳能电池；2 以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池；3、功能高分子材料制备的 大阳能电池； 4、纳米晶太阳能电池等。一、硅太阳能电池 1硅太阳能

2、电池工作原理与结构 太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应，一般的半导体主要结构如下：出图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼、磷等，当掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，它的形成可以参 照下图： -中-D-中(D-+：-(p- O- -土-IIII1 + - o -+-吒图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有3个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P(positive)型半导体。同样，掺入磷原子以后，因

3、为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N（negative）型半导体。黄色的为磷原子核，红色的为多余的电子。如下图。07令-all一 D. -一 - S - W -; -9 - 0 W-& -N型半导体中含有较多的空穴，而P型半导体中含有较多的电子，这样，当P型和N型半导体结合在一起时，就会在接触面形成电势差，这就是PN结。当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导 体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层），界面的P型 一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多 空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个

4、由N指向P的“内电场”，从而阻止 扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是PN结。当晶片受光后，PN结中，N型半导体的空穴往P型区移动，而P型区中的电子往N型区移动,从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差，这就形成了电源。（如下图所示）N-typti sHicon 世 *P-type siElcon (B 寸Front electrode 卜)SunllpKBack electrode +由于半导体不是电的良导体，电子在通过P n结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就 非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用

5、金属网格覆盖p n 结（如图 梳状电极），以增加入射光的面积。另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它涂上了一层反 射系数非常小的保护膜（如图），将反射损失减小到 5甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟 有限，于是人们又将很多电池（通常是 36个）并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。2硅太阳能电池的生产流程通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350450um的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。志用堆电池板多帕陡鼎片上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法， 包括低压化学气相沉积（LPCV

6、D）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE） 和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。化学气相沉积主要是以SiH Cl、SiHCl、SiCl或SiH ,为反应气体，在一定的保护气氛下反应生成22344硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用 Si、 SiO、 SiN 等。但研究发现，在非硅衬底上很难形23 4成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD 在衬底上沉积一层较薄的非 晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再 结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的太阳能电池转 换效率明显提高。