BUCK电路学习笔记

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1、Buck电路学习笔记Buck电路基本框图：图1.1Buck电路的控制方式：（1）：脉冲调制型：保持开关周期T不变，调节开关导通时刻tn，（PWM:PulseWidthModulation）最常用，最容易实现on（2）：频率调制（调频型）：保持开关导通时间t不变，改变开关周期T.（3）：混合调制：同时改变t和T,使得占空比t/T发生改变。Buck电路基本工作方式OnOnMOS管Q和直流输入电压Vdc串联，通过Q的硬开通和硬关断，在VD处形成方波电压。采用恒频控制方式，占空比可调,Q导通时间为T。ONA:Q导通时，VD点电压也应为直流输入电压Vdc（设Q导通，压降为0），电流流经串接电感L,流出输

2、出端。此时电感储能，并向电容C充电。等效模型如下图：LlLToGNU图1.2B:Q关断时，电感L产生反电动势，使得VD点电压，迅速下降到0,便变为负值直至二极管D（因其续流作用而被称为“续流二极管”）被导通，并钳位于-0.8V。通过二极管续流，释放能量，电容C向负载供电。等效模型如下图：图1.3Buck电路波形分析:图1.4Buck电路工作波形图图1.4（a）为MOSFET的PWM驱动波形PWM,占空比可调。当Q导通时，VD点电压也应为直流输入电压Vdc（设Q导通，压降为0）,当Q关断时，电感L产生反电动势，使得VD点电压，迅速下降到0,便变为负值直至二极管D被导通，并钳位于-0.8V。此时假

3、设二极管的导通压降为0V,则VD的波形如图（b）所示。当Q导通时，VD点电压直流输入电压Vdc，由于VO电压低于Vdc,电感L承受的电压为（Vdc-VO）,因为Vdc,VO电压均为恒定值，所以电感两端的电压保持恒定，因此流经电感的电流线性上升其斜率为AI/At二（Vdc-Vo）/L,L为电感量，此时电感内部的电流变化如图1.4（e）所示的上升斜坡，而MOSFET内部的电流如图1.4（c）所示。当Q关断时，VD点电压，迅速下降到0V（假设二极管的导通压降为0V），而电感的电流不能突变，电感产生反电动势以维持原来建立的电流，若未接续流二极管D,则VD点电压会变得很负以保持电感上的电流方向不变，但是

4、此时续流二极管导通，使得电感前端的电压比地电位低于一个二极管的导通压降。此时电感上的极性反相，使得流经续流二极管D和电感L的电流线性下降，直到MOSFET关断结束时，回到电流初始值la。因为VD点电压被钳位于1V（二极管的导通压降近似为1V）,VO电压均为恒定值不变，所以电感L承受的电压为（VO+1）V，续流二极管D和电感L的电流下降斜率为AI/At=（Vo+1）/L（Vo+1）/L,续流二极管的电流变化如图1.4（d）,电感的电流如图1.4（e）。根据基尔霍夫电流电流定律KCL可知：电感的电流等于MOSFET的电流，续流二极管D的电流之和，即IL=IQ+ID。根据图1.4（c）、（d）、（e

5、）便可以看出。Buck电路的三种工作模式：（1）连续工作模式（2）临界工作模式（3）不连续工作模式判别条件为：电流连续的条件为：eap1mep1其中m二E/E,p二T/t,ap二t1/t二（）（】）MTtBUCK电路PSIM开环仿真：（1）PWM波形的产生方式：PWM波产生方式采用直流电源作为调制波VmodulationVcarrierPWM波产生控制框图单极性调制的方式产生pwm波的波形图生成PWM波的原理：电压比较器的同相输入端（“+”端）为一个基准电压，反相输入端为一个周期为T的锯齿波，当同相输入端电压锯齿波的电压，输出端为高电平，电压幅值取决于电压比较器的供电电压，当同相输入端电压锯齿

6、波的电压，输出端为低电平。在做闭环反馈时，只需要通过反馈环节不断的修改基准电压便可以产生可调的PWM波。在进行PWM时，常用的方法有单极性调制和双极性调制两种方法。其中调制波最常用的是正弦交流和直流电压源。IOV?_AAAC21212Buck电路主电路（连续工作模式）VD3I?Ou：IL心二VPjWf连续工作模式工作波形输入输出关系如图看见，输出电压大约为输入的一般，但是输出电压在启动时有较大的超调，且纹波较大。我们采用增大输出滤波电容的方式抑制输出纹波，当输出电容改为220uF时，输出波形如下图：纹波明显有所减小。过冲依然存在。我们尝试着加大电感来抑制过冲。如下图我们把电感改为1000uH时

7、，并没有有效的抑制过冲，并且调节时间被加大了，所以我觉得更为理想的方法应该是采用闭环控制。修改电感为1000uH。_2V50IIOOCulIL门.：Y-VlUQUPciwwr220udulat1cmprBuck电路闭环仿真图输出电压作为反馈和给定电压作对比，对偏差进行PI控制，为了防止积分饱和，对积分输出限幅，作为调制信号输入比较器，从而达到调节PWM占空比的作用。时间，超调量等相关参数可以根据实际所需调节比例和微分参数。BUCK电路设计参数计算(1)开关管的选取：以MOSFET为例进行参数的计算主要参数：(1)最大漏极源极电压(Drain-SourceVoltage)(2) 连续漏极电流(C

8、ontinuousDrainCurrent)(3) 导通内阻R(StaticDrain-SourceOn-StateResistance)DS(ON)尽可能小，减少损耗。(1) 最大漏极源极电压由BUCK电路的直流输入电压决定的；(2) 连续漏极电流由MOSFET的工作峰值电流决定BUCK电路工作于连续工作模式下，其负载电流I必须大于等于I峰峰值的ONQ一半，可知其峰值电流等于I+1AI;而AI=理*T,T=-Vo*T又因为ON2AtONONVdcAIAt=(VdC-VO)L所以MOSFET的工作峰值电流为I+1AI=I+】*(Vdc一Vo)*Vo*TON2ON2LVdC导通内阻R是取决于选取

9、的MOSFET本身，与BUCK电路无关。DS(ON)(2)：续流二极管的选取主要参数：(1)反向重复峰值电压Vrrm(Repetitivepeakreversevoltage)；(2) 最大整流电流(平均值)(Maximumaverageforwardrectifiedcurrent)(3) 反向恢复时间Trr(ReverseRecoveryTime)(1) 反向重复峰值电压Vrrm由BUCK电路的直流输入电压Vdc决定的；(2) 最大整流电流(平均值)I。由续流二极管的工作峰值电流决定，续流二极管的峰值电流和MOSFET的工作峰值电流一致，计算方法一致I+1AI=I+1*（Vdc-Vo）*V

10、o*TON2ON2LVdc（3）反向恢复时间Trr由续流二极管的工作频率f决定；（3）输出电容的选取主要参数:（1）耐压值；（2）容值。（1）耐压值由BUCK电路的（Vdc-Vo）决定的；（2）容值根据设计要求的纹波电压Vrr来确定BUCK电路实物设计中的输出电容，并非理想电容。它可以等效为一个寄生电阻R，一个电感L和一个理想电容C串联而成的。如下图。R称为等效串联OOOO电阻（ESR）,L称为等效串联电感（ESL）,因此输出电压的纹波由理想电容C，OO等效串联电阻R（ESR）,等效串联电感（ESL）L三者一起决定的。OOGND对于低频电流，等效串联电感（ESL）可以忽略不计，输出纹波主要有理想电容C，等效串联电阻R（ESR）决定。OO对于一般的电解电容而言其R*C值近似为一常数值，约为50*10-60F。OO因此要计算输出电容co，就要根据BUCK电路要求纹波电压Vrr计算出等效串联电阻RO。_Vrr0比,AI的算法与前面相似。50*16f然后根据ORO，就可以计算出输出电容的容值。