半导体元件命名方法

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1、、国产半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示有效电极数目。2二极管、 3 三极管第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性。表示二极管时： AN 型锗材料、 BP 型锗材料、 CN 型硅材料、 DP 型硅材料。表示三极管时： APNP 型锗材料、 BNPN 型锗材料、 CPNP 型硅材料、 DNPN 型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示类型。P普通管、 V微波管、 W稳压管、 C参量管、 Z整流管、L整流堆、 S隧道管、 N阻尼管、 U光电器件、 K 开

2、关管、X低频小功率管、 G高频小功率管、 D低频大功率管、 A高频大功率管、 T半导体晶闸管（可控整流器）、 Y体效应器件、 B 雪崩管、 J阶跃恢复管、 CS场效应管、 BT 半导体特殊器件、 FH 复合管、 PIN PIN 型管、 JG激光器件。高频、低频（ f3MHz ）大功率管、小功率管（Pc1W第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如： 3DG6A 表示 NPN 型硅材料高频小功率三极管第一部第二部第四部第五部分：第三部分：分：分：分：类别主称材料与极序号规格号性数字含义字母2二极管A电压调整管和电压W基准管（稳压管）L整流堆BP 型锗材N料Z整流管U光电管CN

3、型硅材 K用数字表用字母示同表示产含义字母含义一类品规别产格、档品序次号小信号N 型锗材 P管（普料通管）阻尼管开关管料B或 C变容管混频检波V管DP 型硅材JD料S遂道管CM磁敏管E化合物材H料Y体效应管发光二极EF管激光管恒流管、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN军级、 JANTX 特军级、 JANTXV 超特军级、 JANS 宇航级、（无） 非军用品。第二部分：用数字表示pn 结数目。1二极管、 2三极管、 3三个 pn 结器件、 nn 个 pn 结器件。第三部分：

4、美国电子工业协会（EIA ）注册标志。N该器件已在美国电子工业协会注册登记第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字 该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、 D 同一型号器件的不同档别。例如： JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管JAN 军级、 2 三极管、 NEIA 注册标志、 3251EIA 登记顺序号、 A 2N3251 A 档。、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型0光电（即光敏）二极管三极管及

5、上述器件的组合管、 1二极管、 2三极或具有两个 pn 结的其他器件、 3具有四个有效电极或具有三个 pn 结的其他器件、 依此类推。第二部分：日本电子工业协会（JEIA ）注册标志S表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 APNP 型高频管、 BPNP 型低频管、 CNPN 型高频管、 D NPN 型低频管、 FP 控制极可控硅、 GN 控制极可控硅、 H N 基极单结晶体管、 JP 沟道场效应管、 K N 沟道场效应管、 M 双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数 从 “11”始，表示在日本电子工业协会开 JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、 D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。例如： 2SD820D 表示 NPN 硅低频大功率三极管例：2AP9 N 型锗材料普通二极管2CW56 N 型硅材料稳压二极管3AX31 PNP 型锗材料低频小功率三极管3DG8 NPN 型硅材料高频小功率三极管3DD15 NPN 型硅材料低频大功率三极管3DA87 NPN 型硅材料高频大功率三极管