第11章电子技术学习教案

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1、会计学1第第11章电子章电子(dinz)技术技术第一页，共17页。研究对象：逻辑门电路的组成以及一些特殊门电路。关注焦点：TTL与非门的工作原理。第一节 半导体二极管和三极管的开关特性理想开关元件的特点接通状态时电阻为零； 断开状态时，阻抗为无穷大；断开和导通之间的切换(qi hun)时间瞬间完成。半导体器件虽与理想开关元件特性有差异，但在速度不高的场合仍作为开关元件使用。1. 晶体二极管的开关特性(1)晶体二极管开关的静态特性曲线第1页/共17页第二页，共17页。 I(mA) 20 10-40 -20 0 0.4 0.8 U(V) -10 -20 (nA)(a) 硅二极管的伏安特性曲线 I(

2、mA) 20 10-60 -30 0 0 . 2 0 . 4 U(V) -10 -20 (A) (b) 锗二极管的伏安特性曲线 iD UR Uon uD (c) 二极管线性化特性曲线 iD uD 0(d) 理想二极管开关特性第2页/共17页第三页，共17页。(2)二极管的瞬态开关(kigun)特性 iD IF 0 t(c)理想二极管开关特性 uD 0 t UR(b) ui UF 0 t UR(a) iD IF 0 t -IR tr ts tf trr二极管瞬态开关特性 uD 0 t2 t t1 (b) ui UF 0 t1 t2 t UR(a)第3页/共17页第四页，共17页。(3)产生(ch

3、nshng)反向恢复过程的原因 nP区多余少子 N区多余少子(电子)浓度分布 (空穴)浓度分布 x ( 距离)二极管多余的少数载流子浓度分布自建场 耗尽区 P区 N区UF+ U/RU/R -当二极管加正向偏置电压时，外加电场与自建电场方向相反，使PN结的耗尽层变窄，如图所示。实际上，由P区扩散到N区的空穴，不会全部与电子复合 而 立 即 消 失 ， 而 在 一 定(ydng)路程内，边扩散，边复合逐渐减少。这样，就在N区内产生一定(ydng)数量的空穴积累，靠近耗尽层边缘的浓度最大，随着距离的增加空穴浓度按指数规律衰减，形成一梯度分布。同理，N区的电子扩散到P区后，也将在P区出现一定(ydng

4、)的电子积累，这些扩散到对方区域并积累的少数载流子称为多余少子，把PN结两侧出现的少数载流子积累现象称为存储效应。 当输入电压(diny)ui突然由UF变为UR时，由于正向导通时二极管存储的电荷不可能立即消失，这些存储电荷的存在，使PN结仍然维持正向偏置 。第4页/共17页第五页，共17页。在外加反向电压UR的作用下，P区的电子被拉回N区，N区的空穴被拉回P区，使得这些存储电荷形成漂移电流，使存储电荷不断减少，从ui负跳变开始至反向电流ID降到0.9IR所需的时间称为存储时间ts。这段时间内，PN结处于(chy)正向偏置，反向电流IR近似不变 。经过ts时间后，P区和N区存储电荷已显著减少，反

5、向电流一方面使存储电荷继续消失，同时使耗尽层逐渐加宽，PN结由正向偏置转为反向偏置，二极管逐渐转为截止状态(zhungti)。向电流由IR逐渐减小至反向饱和电流值。这段时间称为下降时间tf。 2. 晶体三极管的开关(kigun)特性(1)晶体三极管的稳态开关(kigun)特性 Ucc uo Rc 10 Rb uo 截 饱ui T 5 止 放 和 区 大 区 区 ui 0.5 1 1.5 (a) 单管共射电路 (b)单管共射电路传输特性三极管开关的稳态开关特性如图所示。输出电压uo是随着输入电压ui的改变而分别工作在截止区、放大区和饱和区。第5页/共17页第六页，共17页。(2)晶体三极管的瞬态

6、开关特性三极管的瞬态开关特性与二极管的瞬态开关特性类似，即在饱和和截止状态之间转换所具有的过渡特性。若三极管是一个无惰性的理想开关，则输出电压波形(b xn)与输入电压的波形(b xn)同步，只是幅度增大、相位相反。但实际的是三极管是有惰性开关，即截止与饱和状态的转换不能瞬间完成。具体波形(b xn)如右图所示。 ui U(a) t-U ic td tr ts tf(b) 0 t uo ton toff(c) 0 t开启时间ton是由延迟时间td和上升时间tr组成。它反映了三极管从截止(jizh)转向饱和所需的时间。关闭时间toff则是由存储时间ts和下降时间tf组成，它反映了三极管由饱和转向

7、截止(jizh)所需的时间。第6页/共17页第七页，共17页。延迟时间(delay time)td产生 当输入电压ui由U跳变到U，随即出现基极电流Ib，但三极管不能立即导通，因为要使发射结由反偏转为正偏、阻挡层由宽变窄、使发射结电压由U上升到门限电压Uon，这时发射区向基区发射电子，注入基区电子在基区内形成电子浓度梯度分布。扩散到集电结边缘的电子被集电区吸收，形成集电极电流ic。由此可知，ic的出现比ui上跳时刻要延迟一个时间td。这就是(jish)td产生的原因。 上升时间tr的产生 发射结开始导通后，发射极不断向基区注入电子，但集电极电流不能立刻(lk)上升到最大值。这是因为集电极电流的

8、形成，要求电子在基区中有一逐步积累的过程，需要一定的时间，不会随ib跃变而跃变。 存储时间ts的产生 当输入信号(xnho)ui由U下跳到U时，基极电流ib为U/Rb，这使基区存储的电子在反向电流作用下逐渐消散。随着多余电荷的消失，三极管由饱和退到临界饱和所需要的时间就是存储时间ts。 下降时间tf的产生 当基区超量电荷消散完后，三极管脱离饱和，集电结开始由正向偏置转向反向偏置，在反向驱动电流U/Rb继续驱动下，基区存储电荷开始消散，电子浓度梯度下降。从而使集电极电流ic随之减小，并最后降至0。因此，下降时间tf就是三极管从饱和经过放大区转到截止区的时间。 第7页/共17页第八页，共17页。(

9、3)提高三极管开关速度的途径提高三极管的开关速度，可以选择内部结构不同的高频管外，在设计外电路时可以设法(shf)减小ton和toff，最有效的方法是采用如图所示的加速电容方法来提高三极管的开关特性。 Ucc Cj Rc uoui T Rb第8页/共17页第九页，共17页。3. 二极管、三极管组成(z chn)的基本逻辑门电路(1)二极管“与”门和“或”门电路 +Ucc(5V) R IR DA A F DB B DC C&AB FCA DAB DB FC A DC F R IR B C1(2)三极管“非”门电路与复合(fh)门电路 Ucc Rc FA T A F Rb1 +Ucc(5V) R1

10、 Rc F D1 D4 D5 AA D2 b T B FB P D3 R2 CC&第9页/共17页第十页，共17页。第二节第二节 TTL”与非与非“门门TTL门电路结构简单、稳定可靠、工作速度门电路结构简单、稳定可靠、工作速度(sd)范围宽等优点，它的生产历史最长、品种繁多，所以它被广泛应用的数字电路之一。范围宽等优点，它的生产历史最长、品种繁多，所以它被广泛应用的数字电路之一。 +Ucc(5V) R2 750 R5 100 R1 3k T3 T4 R4 3k F A T2 B T1C T5 R3 360 输入级 倒相放大器 输出级 b1ABC b1eA eB eC1. 电路结构下面分析TTL

11、门电路。在分析时我们假定三极管深饱和输出(shch)电压为0.1V，三极管结压降为0.7V；输入高电平为3.6V，输入低电平为0.3V，然后估算电路各点的电位。第10页/共17页第十一页，共17页。2. 传输(chun sh)特性关门电平uoff，当uiuon输出为低电平。噪声容限：低电平噪声容限：UNL=Uoff-UIL高电平噪声容限： UNH=UIH-Uonuo(V) A B3.62.7 C UNL UNH D E Uo f f UT Uo n ui(V) 0.35 0.8 1.4 1.8 2.7 00.6V 0.61.3V3. 主要参数输出高电平。输出端空载时的输出电平。典型值3.5V，

12、标准电平2.4V输出低电平。输入全高时输出电平。标准值为0.4V输入端短路电流。一端接地，其余端开路，流过这个输入端电流，主要是衡量对前级负载(fzi)电流扇出系数。输出端最多可与几个同类门连接。开门电平。使与非门开通时的最小输入(shr)电平关门电平。使与非门关断所需的最大输入(shr)电平。平均延迟时间。第11页/共17页第十二页，共17页。4. TTL门电路改进浅饱和(boh)TTL电路 +Ucc(5V) R2 750 R5 100 R1 3k T3 T4 R4 3k F A T2 B T1C T5 R3 360R3 R6 T6肖特基TTL电路肖特基二极管的特点是：正向电压降小，导电机制

13、(jzh)是多数载流子，几乎没有电荷存储效应，开关速度比一般PN结二极管高一万倍 c cb b e e +Ucc(5V) R2 750 R5 100 R1 3k T3 T4 R4 3k F A T2 B T1C T5 R3 360第12页/共17页第十三页，共17页。5. 集电极开路TTL门（OC门）直接将逻辑门输出连接起来，有时候可以电路(dinl)大大简化。但直接将门电路(dinl)连接起来会产生很大电流。 +Ucc +Ucc门1输出高电平 门2输出低电平 R5 R5 T3 T3 T4 T4 R4 R4 T5 T5OC门就是(jish)用RL换与非门中的T3、T4即可。 +Ucc(5V)

14、+Ucc R2 RLR1 F T2 T1 T5 R3 第13页/共17页第十四页，共17页。6. 三态TTL门电路（TSL门）三态是指输出(shch)除高电平和低电平外，还有高阻输出(shch)状态。 +Ucc(5V) R2 R5 R1 UC2 T3 T4 F A T2 B T1E T5 D R3 R4三态门真值表三态门真值表使能端使能端数据输入端数据输入端输出端输出端EA BF10 00 11 01 111100 x x高阻高阻第14页/共17页第十五页，共17页。第四节第四节 正逻辑与负逻辑正逻辑与负逻辑1. 正、负逻辑的基本概念正、负逻辑的基本概念电路结构确定以后，输入与输出的电平关系唯

15、一确定，电路所要实现电路结构确定以后，输入与输出的电平关系唯一确定，电路所要实现(shxin)的逻辑功能取决于对电路高、低电平的赋值。的逻辑功能取决于对电路高、低电平的赋值。正逻辑：高电平表示逻辑正逻辑：高电平表示逻辑“1”，低电平表示逻辑，低电平表示逻辑“0”负逻辑：高电平表示逻辑负逻辑：高电平表示逻辑“0”，低电平表示逻辑，低电平表示逻辑“1” U3.42.40.4 t(a) 正逻辑 U3.42.40.4 t(b) 负逻辑H=1H=0L=0L=12. 正、负逻辑(lu j)的变换规则 +Ucc(5V) R DA A P DB B DC C正逻辑表示真值表正逻辑表示真值表A B CP0 0

16、00 0 10 1 00 1 11 0 01 0 11 1 01 1 100000001负逻辑表示真值表负逻辑表示真值表A B CP1 1 11 1 01 0 11 0 00 1 10 1 00 0 10 0 011111110第15页/共17页第十六页，共17页。转换规则：正逻辑(lu j)“与”门等同于负逻辑(lu j)“或”门；正逻辑(lu j)“或”门等同于负逻辑(lu j)“与”门；正逻辑(lu j)“与非”门等同于负逻辑(lu j)“或非”门；正逻辑(lu j)“或非”门等同于负逻辑(lu j)“与非”门；正逻辑(lu j)“异或”门等同于负逻辑(lu j)“同或”门；正逻辑(lu j)“同或”门等同于负逻辑(lu j)“异或”门。 电路名称正逻辑符号负逻辑符号跟随器 跟随器 负跟随器“非”门 “非”门 负“非”门“与”门 “与”门 负“与”门“或”门 “或”门 负“或”门“与非”门 “与非”门 负“与非”门“或非”门 “或非”门 负“或非”门1&1&11&1&1第16页/共17页第十七页，共17页。