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1、光电子技术学课件之十四光电子技术学课件之十四：第五章光电成像系统第五章光电成像系统（1）1 固体摄像器件固体摄像器件 制作者：制作者：赣南师范学院物理与电子信息学院：赣南师范学院物理与电子信息学院：王形华王形华 10 光电成像概述光电成像概述一、光电成像系统的分类：一、光电成像系统的分类：按照光电成像系统对应的光波长范围，光按照光电成像系统对应的光波长范围，光电成像系统可以分为：电成像系统可以分为：可见光、紫外光、红外可见光、紫外光、红外光、光、X光光光电成像系统。光电成像系统。2二、光电成像系统要研究的问题二、光电成像系统要研究的问题 光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过光电成像涉及到一系列
2、复杂的信号传递过程。有四个方面的问题需要研究：程。有四个方面的问题需要研究：能能量量方方面面物物体体、光光学学系系统统和和接接收收器器的的光光度度学学、辐辐射射度度学学性性质质，解解决决能能否否探探测测到到目目标标的的问问题题 成成像像特特性性能能分分辨辨的的光光信信号号在在空空间间和和时时间间方方面面的的细细致致程程度度，对对多多光光谱谱成成像像还还包包括括它它的的光谱分辨率光谱分辨率 3噪噪声声方方面面决决定定接接收收到到的的信信号号不不稳稳定定的的程程度度或可靠性或可靠性信信息息传传递递速速率率方方面面 成成像像特特性性、噪噪声声信信息息传递问题，决定能被传递的信息量大小传递问题，决定能
3、被传递的信息量大小4三、光电成像系统基本组成的框图三、光电成像系统基本组成的框图 其中光电成（摄）像器件是光电成像系其中光电成（摄）像器件是光电成像系统的核心。统的核心。51 固体摄像器件固体摄像器件 固体摄像器件的功能：固体摄像器件的功能：把入射到传感器光把入射到传感器光敏面上按空间分布的光强信息（可见光、敏面上按空间分布的光强信息（可见光、红外辐射等），转换为按时序串行输出的红外辐射等），转换为按时序串行输出的电信号电信号 视频信号。其视频信号能再现视频信号。其视频信号能再现入射的光辐射图像。入射的光辐射图像。6固体摄像器件主要有三大类：固体摄像器件主要有三大类：电电荷荷耦耦合合器器件件（
4、Charge Coupled Device，即即CCD）互互补补金金属属氧氧化化物物半半导导体体图图像像传传感感器器（即即CMOS）电荷注入器件（电荷注入器件（Charge Injenction Device，即即CID）目前，前两种用得较多，我们这里只分析目前，前两种用得较多，我们这里只分析CCD一种。一种。7一、电荷耦合摄像器件一、电荷耦合摄像器件 电电荷荷耦耦合合器器件件（CCD）特特点点以以电荷作为信号。电荷作为信号。CCD的的基基本本功功能能电电荷荷存存储储和和电荷转移。电荷转移。CCD工作过程工作过程信号电荷的产信号电荷的产生、存储、传输和检测的过程。生、存储、传输和检测的过程。8
5、（1）、）、CCD的基本结构包括：的基本结构包括：转移电极转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。信号输出结构、信号检测结构。构成构成CCD的基本单元是的基本单元是MOS电容。电容。1、电荷耦合器件的基本原理、电荷耦合器件的基本原理 9 一系列彼此非常接近的一系列彼此非常接近的MOS电容电容用同一半导体用同一半导体衬底制成，衬底可以是衬底制成，衬底可以是P型或型或N型材料，上面生长型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极（栅极）。而且距离极小的
6、金属化电极（栅极）。10（2 2）、电荷存储）、电荷存储 以衬底为以衬底为P型硅构成的型硅构成的MOS电容为为例。电容为为例。当在金属电极加上一个正阶梯电压时，在当在金属电极加上一个正阶梯电压时，在Si-SiO2界界面处的电势发生变化，附近的面处的电势发生变化，附近的P型硅中的多数载流子型硅中的多数载流子-空空穴被排斥，形成耗尽层。如果栅极电压超过穴被排斥，形成耗尽层。如果栅极电压超过MOS晶体管晶体管的开启电压，则在的开启电压，则在Si-SiO2界界面处形成深度尽状态，电子面处形成深度尽状态，电子在那里势能较低在那里势能较低-形成了一个形成了一个势阱。如有信号电子，将聚势阱。如有信号电子，将
7、聚集在表面，实现电荷的存储。集在表面，实现电荷的存储。此时耗尽层变薄。势阱的深此时耗尽层变薄。势阱的深浅决定存储电荷能力的大小。浅决定存储电荷能力的大小。11（3）、电荷转移）、电荷转移 CCD的转移电极相数有二相、三相、四相等。对的转移电极相数有二相、三相、四相等。对于单层金属化电极结构，为了保证电荷的定向转移，于单层金属化电极结构，为了保证电荷的定向转移，至少需要三相。这里以三相表面沟道至少需要三相。这里以三相表面沟道CCD为例。为例。表面沟道器件，即表面沟道器件，即 SCCD（Surface Channel CCD）转移沟道在界面的转移沟道在界面的CCD器件。器件。12表面沟道器件的特点
8、：表面沟道器件的特点：工艺简单，动态范围大，但信号工艺简单，动态范围大，但信号电荷的转移受表面态的影响，转移速电荷的转移受表面态的影响，转移速度和转移效率底，工作频率一般在度和转移效率底，工作频率一般在10MHz以下。以下。13 体内沟道（或埋沟道体内沟道（或埋沟道CCD）：）：BCCD（Bulk or Buried Channel CCD）用离子注入方法改变转移沟道的结构，从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部，形成体内的转移沟道，避免了表面态的影响，使得该种器件的转移效率高达99.999以上，工作频率可高达100MHz，且能做成大规模器件。14（4）、光信号的注入）、光信号的注入 CCD的
9、电荷注入方式有电信号注入和光信号注入的电荷注入方式有电信号注入和光信号注入两种，在光纤系统中，两种，在光纤系统中，CCD接收的信号是由光纤传来接收的信号是由光纤传来的光信号，即采用光注入的光信号，即采用光注入CCD。当光照到当光照到CCD时，在栅极附近的耗尽区吸收光子时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子产生电子-空穴对，在栅极电压的作用下，多数载流空穴对，在栅极电压的作用下，多数载流子（空穴）流入衬底，少数载流子（电子）被收集在子（空穴）流入衬底，少数载流子（电子）被收集在势阱中，存储起来。这样能量高于半导体禁带的光子，势阱中，存储起来。这样能量高于半导体禁带的光子，可以用来建立正比于光强的
10、存储电荷。可以用来建立正比于光强的存储电荷。光注入的方式常见的有：光注入的方式常见的有：正面照射和背面照射方式。正面照射和背面照射方式。15（5）、电荷检测）、电荷检测（输出）（输出）CCD输出结构是将输出结构是将CCD传输和处理的信号传输和处理的信号电荷变换为电流或电压输出。电荷变换为电流或电压输出。电荷输出结构有多种形式，如电流输出结电荷输出结构有多种形式，如电流输出结构、浮置扩散输出结构、浮置栅输出结构等。构、浮置扩散输出结构、浮置栅输出结构等。浮置栅输出结构应用最广。浮置栅输出结构应用最广。16 OG：输出栅，：输出栅，FD：浮置扩散区，：浮置扩散区，R:复位栅，复位栅，RD:复位漏复
11、位漏,T:输出场效应管。输出场效应管。浮置栅是指在浮置栅是指在P型硅衬底表面用型硅衬底表面用V族杂质扩散形成小族杂质扩散形成小块的块的n+区域，当扩散区不被偏置，其处于浮置状态。区域，当扩散区不被偏置，其处于浮置状态。17 电荷包的输出过程：电荷包的输出过程：VOG为一定值的正电为一定值的正电压，在压，在OG电极下形成耗尽层，使电极下形成耗尽层，使3与与FD之间之间建立导电沟道。在建立导电沟道。在3高电位期间，电荷包存储高电位期间，电荷包存储在在3电极下面。随复位栅电极下面。随复位栅R加正复位脉冲加正复位脉冲R，使，使FD 区与区与RD区沟通。因区沟通。因V RD为正十几伏的为正十几伏的直流偏
12、置电压直流偏置电压，则，则FD区的电荷被区的电荷被RD区抽走。区抽走。复位正脉冲过去后，复位正脉冲过去后，FD 区与区与RD区呈夹断状区呈夹断状态，态，FD 区具有一定的区具有一定的浮置浮置。之后。之后3转变为低转变为低电位，电位，3电极下面的电荷包通过电极下面的电荷包通过OG下的沟道下的沟道转移到转移到FD 区。区。18 对对CCD的输出信号进行处理时，较多地采的输出信号进行处理时，较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。及抑制噪声。浮置浮置 栅栅CCD放大输出信号的特点是：放大输出信号的特点是：信号信号电压是在浮置电平基础上的负电
13、压；每个电荷电压是在浮置电平基础上的负电压；每个电荷包的输出占有一定的时间长度包的输出占有一定的时间长度T；在输出信号中；在输出信号中叠加有复位期间的高电平脉冲。叠加有复位期间的高电平脉冲。192、电荷耦合摄像器件的工作原理、电荷耦合摄像器件的工作原理 CCD的电荷存储、转移的概念+半导体的光电性质CCD摄像器件 按结构可分为线阵按结构可分为线阵CCD和面阵和面阵CCD 按光谱可分为可见光CCD、红外CCD、X光CCD和紫外CCD 可见光CCD又可分为黑白CCD、彩色CCD和微光CCD20（1）线阵）线阵CCD 线线阵阵CCD可可分分为为双双沟沟道道传传输输与与单单沟沟道道传传输输两种结构。下图两种结构。下图(a)为单沟道，为单沟道，(b)为双沟道。为双沟道。2122二、电荷耦合摄像器件的特性参数二、电荷耦合摄像器件的特性参数 232425262728
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