二极管的伏安特性

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二极管的伏安特性二极管正、反向特性实验1正向特性(1)在实验线路板上安装如图所示电路。8VQVDIM400/2AP95Zvn, diAnnn. can(2)调节电位器，得到如图第一象限所示曲线。/mA 42反向特性(1)在实验线路板上安装如图所示电路。+10 VQ1 kQ_ VDZi IM400/2AP9（2）调节电位器，可改变二极管VD的反向电压和反向电流， 得到如上图第三象限所示曲线。上图曲线即为二极管的伏安特性曲线，它描述了二极管两端的电压 和流过二极管的电流的关系。结论：（1）正向特性：如上图第一象限的曲线。 起始阶段，正向电压较小，正向电流极小，称为死区，二极管 电阻很大，处于截止状态。 正向电压超过门坎电压或死区电压（硅管0.5V，锗管0.2V）， 电流随电压的上升急剧增大，二极管电阻得变很小，进入导通状态， 二极管导通后，正向电流与正向电压呈非线性关系，正向电流变化较 大时，二极管两端正向压降近于定值，硅管正向电压降约为0.7V， 锗管约为0.3V。（2）反向特性：如上图第三象限曲线图。 起始阶段，反向电流很小，不随反向电压变化，称为反向饱和 电流（锗管大于硅管的反向电流）。 当反向电压增加到某一数值（反向击穿电压）时，反向电流急 剧增大，称为反向击穿。