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1、CVD概述CVD法的主要特点CVD法制备薄膜的过程常见的CVD反应方式CVD反应物质源CVD装置的组成CVD装置的选择影响CVD沉积层质量的因素CVD的种类CVD的应用CVD概述l与电镀相比，可以制成金属及非金属的各种各样材料的薄膜l可以制成预定的多种成分的合金膜l可以制成超硬，耐磨损，耐腐蚀的优质薄膜l速度快l附着性好l在高温下沉积膜可以得到致密性和延展性方面优良的沉积膜l射线损伤低l装置简单，生产率高l容易防止污染环境+反应气体的热解+反应气体向表面基材扩散+反应气体吸附于基材的表面+在基材表面上发生化学反应+在基材表面上产生的气体副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽掉，在基材表面沉积出固体
2、反应产物薄膜+热分解反应+金属还原反应+化学输送反应+氧化或加水分解反应+等离子体激发反应等反应+金属有机物化学气相沉积+CVD方法制备薄膜时基材的3个温度区域生长温度区/反应系薄膜应用实例低温生长室温200紫外线激发CVD、臭氧氧化法钝化膜约400等离子体激发CVD约500中温生长约800钝化膜电极材料多晶硅高温生长约1200外延生长主要考虑的因素有：反应室的形状和结构（主要是为了制备均匀薄膜）一般采用水平型、垂直型和圆筒型。加热方法和加热温度加热方式有：电加热、高频诱导加热、红外辐射加热、激光加热等。气体供应方式基材材质和形状气密性和真空度 原料气体种类和产量+沉积温度一般来说，温度越高，
3、CVD化学反应速率越快，气体分子或原子在基材表面吸附和扩散作用越强，沉积速率也越快，此沉积层致密型好，结晶完美，但过高的沉积温度也会造成晶粒粗大的现象。+反应气体分压反应气体配比直接影响沉积层形核、生长、沉积速率、组织结构和成分等。+沉积室压力沉积室的压力会影响沉积室内热量、质量及动量的传输，从而影响沉积速率沉积层质量和沉积层厚度的均匀性。等离子化学沉积等离子化学沉积(PCVD)CVD金属有机化学沉积金属有机化学沉积（MOCVD）可以在较低温度下反应生成无定形薄膜i，典型的基材温度是300适用范围广，几乎可以生长所有化合物及合金半导体；可以生长超薄外延层，获得很陡的界面过渡，生长各种异质结构：外延层均匀性好，基材温度低，生长易于控制，适宜 于大规模生产。+随着CVD和PVD技术的迅速发展，目前把两者技术结合而发展了一种新的气相沉积技术等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD)。特点：具有沉积温度低（小于600）、应用范围广、设备简单、基材变形小、挠度性能好、沉积层均匀、可以渗透等特点。既克服了CVD技术沉积温度高、对基材材料要求严的缺点，又避免PVD技术附着力较差、设备复杂等不利条件，是一种具有很大发展前景和实际应用价值的新型高效气相沉积技术。
化学气相沉积技术
