光电子技术复习学习教案

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1、会计学1光电子技术光电子技术(jsh)复习复习第一页，共84页。 在无辐射作用的情况下（暗室中），PN结硅光电二极管的正、反向(fn xin)特性与普通PN结二极管的特性一样，如图3-2所示。其电流方程为 1kTqUDeII（3-1）ID为U为负值（反向偏置时）且 时(室温下kT/q0.26mV，很容易满足这个条件)的电流(dinli)，称为反向电流(dinli)或暗电流(dinli)。 UqkT第1页/共83页第二页，共84页。当光辐射作用(zuyng)到如图3-1（b）所示的光电二极管上时， 光电二极管的全电流(dinli)方程为 )/exp(1 () )exp(1 (, ekTqUIdh

2、cqId式中为光电材料的光电转换效率(xio l)，为材料对光的吸收系数。 （3-2）第2页/共83页第三页，共84页。如何如何(rh)正确理解光电二极管的灵敏度：正确理解光电二极管的灵敏度： 1.光电二极管的灵敏度 定义光电二极管的电流(dinli)灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变化（例如通量变化d）引起电流(dinli)变化dI与辐射量变化之比。 )1 (ddSidehcqI（3-3） 第3页/共83页第四页，共84页。 显然，当某波长(bchng)的辐射作用于光电二极管时，其电流灵敏度为与材料有关的常数，表征光电二极管的光电转换特性的线性关系。必须指出，电流灵敏度与入射辐射波长(bchn

3、g)的关系是复杂的，定义光电二极管的电流灵敏度时通常定义其峰值响应波长(bchng)的电流灵敏度为光电二极管的电流灵敏度。在式（3-3）中，表面上看它与波长(bchng)成正比，但是，材料的吸收系数还隐含着与入射辐射波长(bchng)的关系。因此，常把光电二极管的电流灵敏度与波长(bchng)的关系曲线称为光谱响应。 第4页/共83页第五页，共84页。 光电二极管的噪声(zoshng)包含低频噪声(zoshng)Inf、散粒噪声(zoshng)Ins和热噪声(zoshng)InT等3种噪声(zoshng)。其中，散粒噪声(zoshng)是光电二极管的主要噪声(zoshng)，低频噪声(zosh

4、ng)和热噪声(zoshng)为其次要因素。 散粒噪声(zoshng)是由于电流在半导体内的散粒效应引起的，它与电流的关系 fqII 22ns(3-6) 光电二极管的电流应包括暗电流Id、信号电流Is和背景辐射引起的背景光电流Ib，因此散粒噪声应为 f)(2bSd2nsIIIqI(3-7)第5页/共83页第六页，共84页。 根据电流(dinli)方程，并考虑反向偏置情况，光电二极管电流(dinli)与入射辐射的关系 ，得到fqIfqIdbs22ns2hc)(2(3-8)再考虑(kol)负载电阻RL的热噪声 Ldbs22n42hc)(2RfKTfqIfqI(3-9) 目前，用来(yn li)制造

5、PN结型光电二极管的半导体材料主要有硅、锗、硒和砷化镓等，用不同材料制造的光电二极管具有不同的特性。 第6页/共83页第七页，共84页。 由于雪崩光电二极管中载流子的碰撞电离是不规则的，碰撞后的运动方向更是随机的，所以(suy)它的噪声比一般光电二极管要大些。在无倍增的情况下，其噪声电流主要为如式（3-6）所示的散粒噪声。当雪崩倍增M倍后，雪崩光电二极管的噪声电流的均方根值可近似由下式计算。 fqIMIn2n2（3-15） 式中指数n与雪崩光电二极管的材料有关。对于锗管，n=3；对于硅管为2.3n2.5。 显然，由于信号电流按M倍增加，而噪声电流按Mn/2倍增加。因此(ync)，随着M增加，噪

6、声电流比信号电流增加得更快。 第7页/共83页第八页，共84页。第8页/共83页第九页，共84页。第9页/共83页第十页，共84页。第10页/共83页第十一页，共84页。第11页/共83页第十二页，共84页。第12页/共83页第十三页，共84页。第13页/共83页第十四页，共84页。第14页/共83页第十五页，共84页。第15页/共83页第十六页，共84页。1. 热敏电阻(r mn din z)及其特点 凡吸收入射辐射后引起温升而使电阻改变，导致负载电阻两端电压的变化，并给出电信号的器件叫做热敏电阻。相对于一般的金属电阻，热敏电阻具备如下特点：热敏电阻的温度系数大，灵敏度高，热敏电阻的温度系数

7、常比一般金属电阻大10100倍。结构简单，体积小，可以测量近似几何点的温度。电阻率高，热惯性小，适宜做动态测量。阻值与温度的变化关系呈非线性。不足之处是稳定性和互换性较差。第16页/共83页第十七页，共84页。大部分半导体热敏电阻由各种氧化物按一定比例混合，经高温烧结而成。多数热敏电阻具有负的温度系数，即当温度升高时，其电阻值下降，同时灵敏度也下降。由于这个原因，限制了它在高温情况(qngkung)下的使用。 半导体材料对光的吸收除了直接产生光生载流子的本征吸收和杂质吸收外，还有不直接产生载流子的晶格吸收和自由电子吸收等，并且不同程度地转变为热能，引起晶格振动的加剧，器件温度的上升，即器件的电

8、阻值发生变化。 由于热敏电阻的晶格吸收，对任何能量的辐射都可以(ky)使晶格振动加剧，只是吸收不同波长的辐射，晶格振动加剧的程度不同而已，因此，热敏电阻无选择性地吸收各种波长的辐射，可以(ky)说它是一种无选择性的光敏电阻。 第17页/共83页第十八页，共84页。 一般金属的能带结构外层无禁带，自由电子密度很大，以致外界(wiji)光作用引起的自由电子密度相对变化较半导体而言可忽略不计。相反，吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子作定向运动。因此，当光作用于金属元件使其温度升高，其电阻值还略有增加，也即由金属材料组成的热敏电阻具有正温度系数，而由半导体材料组成的热敏电阻具有负温度特性。 图

9、5-1所示分别为半导体材料和金属材料（白金）的温度特性曲线。白金的电阻温度系数为正值，大约为0.37%左右；将金属氧化物（如铜的氧化物，锰-镍-钴的氧化物）的粉末用黏合剂黏合后，涂敷在瓷管或玻璃上烘干，即构成半导体材料的热敏电阻。半导体材料热敏电阻的温度系数为负值，大约为-3%-6%，约为白金的10倍以上。所以热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的金属。 第18页/共83页第十九页，共84页。较大的温升）粘合在导热能力高的绝缘衬底上，电阻体两端蒸发金属电极以便与外电路连接，再把衬底同一个热容(r rn)很大、导热性能良好的金属相连构成热敏电阻。 红外辐射通过探测窗口投射到热敏元件上，

10、引起元件的电阻变化。为了提高(t go)热敏元件接收辐射的能力，常将热敏元件的表面进行黑化处理。 由热敏材料制成的厚度为0.01mm左右的薄片电阻（因为(yn wi)在相同的入射辐射下得到第19页/共83页第二十页，共84页。热敏电阻探测器的主要参数有：（1）电阻-温度特性热敏电阻的阻温特性是指实际阻值与电阻体温度之间的依赖关系(gun x)，这是它的基本特性之一。电阻温度特性曲线如图5-1所示。热敏电阻器的实际阻值RT与其自身温度T的关系(gun x)有正温度系数与负温度系数两种，分别表示为： 正温度系数的热敏电阻 （5-16） 负温度系数的热敏电阻 （5-17）ATTeRR0TBTeRR式

11、中，RT为绝对温度T时的实际电阻值；分别为背景环境温度下的阻值，为与电阻的几何尺寸(ch cun)和材料物理特性有关的常数；A、B为材料常数。 第20页/共83页第二十一页，共84页。对于(duy)正温度系数的热敏电阻有 TATeRR29825对于负温度系数(xsh)的热敏电阻有 TBTeRR1298125式中，RT为环境温度为热力学温度T时测得的实际阻值。由式（5-16）和（5-17）可分别(fnbi)求出正、负温度系数的热敏电阻的温度系数aT 。 aT表示温度变化1时，热电阻实际阻值的相对变化为 )C/1 (1dTdRRaTT式中，aT和RT为对应于温度T（K）时的热电阻的温度系数和阻值。

12、 第21页/共83页第二十二页，共84页。对于(duy)正温度系数的热敏电阻温度系数为 aT = A （5-19） 对于(duy)负温度系数的热敏电阻温度系数为 21TBdTdRRaTTT（5-20） 可见，在工作温度范围内，正温度系数热敏电阻的aT在数值上等于常数A，负温度系数热敏电阻的aT随温度T的变化很大，并与材料(cilio)常数B成正比。因此，通常在给出热敏电阻温度系数的同时，必须指出测量时的湿度。 材料常数B是用来描述热敏电阻材料物理特性的一个参数，又称为热灵敏指标。在工作温度范围内，B值并不是一个严格的常数, 而是随温度的升高而略有增大，一般说来，B值大电阻率也高，对于负温度系数

13、的热敏电阻器，B值可按下式计算： 第22页/共83页第二十三页，共84页。211221lg303. 2RRTTTTB（5-21） 已知热敏电阻温度(wnd)系数aT后，当热敏电阻接收入射辐射后温度(wnd)变化T，则阻值变化量为 RT=RTaTT 式中，RT为温度T时的电阻值，上式只有在T不大的条件下才能(cinng)成立。 l（3）热敏电阻的输出特性 热敏电阻电路如图5-5所示，图中 ， 。若在热敏电阻上加上偏压Ubb之后，由于辐射的照射使热敏电阻值改变，因而负载电阻电压增量 1TTRR 21LLRR第23页/共83页第二十四页，共84页。 热释电器件是一种利用热释电效应制成的热探测器件。与

14、其它热探测器相比，热释电器件具有以下优点：具有较宽的频率响应，工作频率接近兆赫兹，远远超过其它热探测器的工作频率。一般(ybn)热探测器的时间常数典型值在10.01s范围内，而热释电器件的有效时间常数可低达10-4 310-5 s；热释电器件的探测率高，在热探测器中只有气动探测器的D*才比热释电器件稍高，且这一差距正在不断减小； 热释电器件可以有大面积均匀的敏感面，而且工作时可以不外加接偏置电压； 第24页/共83页第二十五页，共84页。 与5.2节讨论(toln)的热敏电阻相比，它受环境温度变化的影响更小； 热释电器件的强度和可靠性比其它多数热探测器都要好，且制造比较容易。 1. 热释电效应

15、 电介质内部没有自由载流子，没有导电能力。但是，它也是由带电的粒子（价电子和原子核）构成的，在外加电场的情况下，带电粒子也要受到电场力的作用，使其运动发生变化。例如，在如图5-12所示的电介质的上下两侧加上如图所示的电场后，电介质产生极化现象，从电场的加入到电极化状态的建立起来这段时间内电介质内部的电荷适应电场的运动相当于电荷沿电力线方向的运动，也是一种电流称为(chn wi)“位移电流”，该电流在电极化完成即告停止。 第25页/共83页第二十六页，共84页。位移电流位移电流Id-位移电流位移电流edtdqdtde0在充放电过程在充放电过程(guchng)中：中：SEqe0S777I00qS

16、dtdIed0第26页/共83页第二十七页，共84页。第27页/共83页第二十八页，共84页。第28页/共83页第二十九页，共84页。第29页/共83页第三十页，共84页。第30页/共83页第三十一页，共84页。第31页/共83页第三十二页，共84页。第32页/共83页第三十三页，共84页。第33页/共83页第三十四页，共84页。第34页/共83页第三十五页，共84页。第35页/共83页第三十六页，共84页。第36页/共83页第三十七页，共84页。第37页/共83页第三十八页，共84页。第38页/共83页第三十九页，共84页。第39页/共83页第四十页，共84页。第40页/共83页第四十一页，

17、共84页。第41页/共83页第四十二页，共84页。微小的外部能量微小的外部能量电场电场(din chng)、磁场、热能等就能实现各分子状态间、磁场、热能等就能实现各分子状态间的转变，从而引起液晶的光、电、磁的的转变，从而引起液晶的光、电、磁的物理性质发生变化。物理性质发生变化。液晶分子的形状呈棒状，宽液晶分子的形状呈棒状，宽约十分之几纳米，长为数纳约十分之几纳米，长为数纳米。米。 液晶材料用于显示是利用它在电液晶材料用于显示是利用它在电场作用下，光学性质发生变化从而场作用下，光学性质发生变化从而对外部入射光对外部入射光产生调制。产生调制。 第42页/共83页第四十三页，共84页。实用中是用实用

18、中是用3030多种单质液晶组成多种单质液晶组成(z chn)(z chn)混合液晶。混合液晶。向列相液晶向列相液晶(yjng)分子分子是液晶是液晶(yjng)显示的主显示的主要材料。要材料。第43页/共83页第四十四页，共84页。一、线偏振光在向列液晶一、线偏振光在向列液晶(yjng)中中的传播的传播关于关于(guny)(guny)液晶介电常数；定义：液晶介电常数；定义： /0 P P型液晶型液晶(yjng)(yjng)； 外电场作用时，分子长轴外电场作用时，分子长轴方向与外电场平行。方向与外电场平行。0 N N型液晶型液晶 ； 外电场作用时，分子长轴外电场作用时，分子长轴方向与外电场垂直。方

19、向与外电场垂直。液晶显示主要使用液晶显示主要使用P P型液晶。型液晶。 P P型液晶是正单轴晶体，分子长轴方向就是光轴。型液晶是正单轴晶体，分子长轴方向就是光轴。 oennnnn/第44页/共83页第四十五页，共84页。线偏振光正入射线偏振光正入射P P型液晶材料，如果其偏振型液晶材料，如果其偏振方向方向(fngxing)(fngxing)与光轴平行或垂直，则它与光轴平行或垂直，则它的偏振方向的偏振方向(fngxing)(fngxing)和传播方向和传播方向(fngxing)(fngxing)都不改变。都不改变。二、扭曲向列型液晶二、扭曲向列型液晶(yjng)(yjng)器件（器件（TN-LC

20、DTN-LCD）液晶液晶(yjng)盒盒 ：封装液晶封装液晶的间隙只的间隙只有几有几mm。定向层：定向层：使使液晶分子液晶分子从上到下扭曲从上到下扭曲9090。第45页/共83页第四十六页，共84页。TN-LCDTN-LCD的工作的工作(gngzu)(gngzu)原理原理采用光刻技采用光刻技术术(jsh)(jsh)，制作，制作ITOITO玻璃上的显玻璃上的显示电极示电极加电压到相应电极上，可加电压到相应电极上，可实现实现(shxin)所期望的显所期望的显示。示。在下偏振片后在下偏振片后再贴一块反光再贴一块反光片，就成为反片，就成为反射式液晶显示射式液晶显示器器第46页/共83页第四十七页，共8

21、4页。TN-LCDTN-LCD的电光的电光(dingung)(dingung)特性特性rmsU：电压：电压(diny)(diny)有效有效值值 rmsthUU%rmsthUU90T %电光电光(dingung)特性与显示特性与显示对比度相关对比度相关。TN-LCDTN-LCD的响应时间在的响应时间在80ms80ms左右。左右。三、超扭曲向列型液晶显示（三、超扭曲向列型液晶显示（STN-LCDSTN-LCD）在液晶显示电极上加信号，是用液晶显示电极上加信号，是用矩阵寻址法，即矩阵寻址法，即X-YX-Y寻址。寻址。第47页/共83页第四十八页，共84页。TN-LCDTN-LCD的液晶分子的扭曲的液

22、晶分子的扭曲角为角为9090，电光特性曲线，电光特性曲线不够不够(bgu)(bgu)陡峭。在用矩陡峭。在用矩阵寻址法驱动时，有明显阵寻址法驱动时，有明显的交叉效应。的交叉效应。 交叉效应随矩阵行、列数交叉效应随矩阵行、列数目的增大而加剧，使图像目的增大而加剧，使图像对比度降低对比度降低(jingd)(jingd)，质，质量变差。量变差。 STN-LCDSTN-LCD使液晶分子的扭曲角增加到使液晶分子的扭曲角增加到180180270270，大大提高了电光特性，大大提高了电光特性(txng)(txng)的陡度。的陡度。 STN-LCDSTN-LCD利用了超扭曲和双折射两个效应，利用了超扭曲和双折射

23、两个效应，是基于是基于光学干涉光学干涉的显示器件。的显示器件。 第48页/共83页第四十九页，共84页。对对STN-LCDSTN-LCD的有色的有色背景背景(bijng)(bijng)进进行补偿，实现黑白行补偿，实现黑白显示显示实现黑白显示实现黑白显示(xinsh)后，再加后，再加彩色滤色器，就可彩色滤色器，就可实现彩色显示实现彩色显示(xinsh)STN-LCDSTN-LCD的的电光电光(dingun(dingung)g)响应时响应时间大于间大于100 100 msms。第49页/共83页第五十页，共84页。有源矩阵有源矩阵(j zhn)(j zhn)液晶显示器件（液晶显示器件（AM-LCD

24、AM-LCD）在每一个像素上设计一个非线性的有源器件，使每在每一个像素上设计一个非线性的有源器件，使每个像素可以被独立驱动，克服交叉效应个像素可以被独立驱动，克服交叉效应(xioyng)，可以提高液晶的分辨率和实现多灰度级显示。，可以提高液晶的分辨率和实现多灰度级显示。TFT-LCDTFT-LCD就是目前性能就是目前性能(xngnng)(xngnng)较好的较好的AM-AM-LCDLCD器件。器件。l存储效应，得到对比度很高存储效应，得到对比度很高的显示质量。的显示质量。 l多灰度级显示多灰度级显示l彩色显示彩色显示第50页/共83页第五十一页，共84页。LCDLCD的特点的特点(tdin)(

25、tdin)和应和应用用器件厚度器件厚度(hud)仅数毫米，非常适于便仅数毫米，非常适于便携式装置的显示。携式装置的显示。工作电压仅几伏，用工作电压仅几伏，用CMOSCMOS电路电路(dinl)(dinl)可直接驱动。功耗很低。可直接驱动。功耗很低。采用彩色滤色器，易实现彩色显示。采用彩色滤色器，易实现彩色显示。LCDLCD已成为应用最广泛的平板显示器之一。已成为应用最广泛的平板显示器之一。应用于仪器仪表、手机等显示，还有应用于仪器仪表、手机等显示，还有 计算计算机显示器、液晶彩电、液晶投影机等，机显示器、液晶彩电、液晶投影机等， 市场十市场十分广阔。分广阔。第51页/共83页第五十二页，共84

26、页。二、有机二、有机(yuj)(yuj)电致发光器件电致发光器件OLEDOLED LED是无机电致发光是无机电致发光(f un)，OLED是有机是有机 荧光材料作为发光荧光材料作为发光(f un)物质，结构和发光物质，结构和发光(f un)机理上类同于无机机理上类同于无机LED器件。器件。 （Organic light emitting diodeOrganic light emitting diode）LEDLED显示器显示器v一、发光二极管大屏幕显示一、发光二极管大屏幕显示v超高亮度红、绿、兰超高亮度红、绿、兰LED组成平板阵列组成平板阵列，进行大屏幕显示，已是现代化社会的，进行大屏幕显示

27、，已是现代化社会的一道一道(ydo)风景。风景。第52页/共83页第五十三页，共84页。ETLETL：电子传输层：电子传输层 EMLEML：发光：发光(f (f un)un)层层 HTLHTL：空穴传输层：空穴传输层有机有机(yuj)材料材料OLEDOLED发光发光(f un)(f un)有五有五个步骤：个步骤：载流子电子和空穴分别从阴极、阳极注入载流子电子和空穴分别从阴极、阳极注入ETLETL、HTLHTL。载流子分别从载流子分别从ETLETL和和HTLHTL向向EMLEML迁移。迁移。载流子在载流子在EMLEML中复合并产生激发子（中复合并产生激发子（ExciplexExciplex）。）

28、。激子迁移激子迁移, , 传递能量给发光分子，使其传递能量给发光分子，使其 电子从基态跃迁到激发态。电子从基态跃迁到激发态。激发态电子跃迁回低能态，产生辐射。激发态电子跃迁回低能态，产生辐射。第53页/共83页第五十四页，共84页。OLEDOLED是一种高亮度、宽视角、全固化的主动是一种高亮度、宽视角、全固化的主动发光型显示器件。主要发光型显示器件。主要(zhyo)(zhyo)优点：优点： l发光发光(f un)(f un)亮度可达几百上万亮度可达几百上万cd/m2cd/m2，电视才，电视才100cd/m2 100cd/m2 。l低电压驱动低电压驱动(q dn)(q dn)：十几：十几V V几

29、几V V；功耗；功耗低。低。l有机材料有机材料易得，易得，制备工艺简单，易制成大面积显示器制备工艺简单，易制成大面积显示器件，件，可以做成可以做成能弯曲的柔软显示器。能弯曲的柔软显示器。 l很多有机物都可实现红、绿、蓝，很多有机物都可实现红、绿、蓝，易实现高分辨率的易实现高分辨率的彩色显示屏。彩色显示屏。l超轻、超薄超轻、超薄（厚度可低于（厚度可低于1mm1mm），），响应速度响应速度是液晶是液晶 的的10001000倍，实现精彩的视频播放倍，实现精彩的视频播放大面积大面积“薄膜电视薄膜电视”。OLEDOLED制造成本低，将会逐渐取代制造成本低，将会逐渐取代LCDLCD。第54页/共83页第五

30、十五页，共84页。AC-PDPAC-PDPDC-PDPDC-PDPAC-PDPAC-PDP是是PDPPDP技术技术(jsh)(jsh)的的主流主流 气体放电气体放电(fng din) (fng din) 等离子体等离子体 激发气体原子辐射紫外光激发气体原子辐射紫外光(UV) (UV) 激发相应荧光粉，产生红、绿、蓝激发相应荧光粉，产生红、绿、蓝可见光。可见光。v是利用是利用(lyng)气体放电而发光的气体放电而发光的平板显示屏平板显示屏 6.3等离子体显示器-PDP（Plasma Display Panel）第55页/共83页第五十六页，共84页。DMDDMD是带有集成微镜部件的微电子机械光是

31、带有集成微镜部件的微电子机械光调制器，由百万个方形微镜（如调制器，由百万个方形微镜（如161616m216m2）组成）组成(z chn)(z chn)二维阵列二维阵列。 一、一、DMDDMD的结构和工作的结构和工作(gngzu)(gngzu)原理原理数字微反射镜器件数字微反射镜器件(qjin)DMD(qjin)DMD是其核心是其核心装置。装置。 （Digital Micromirror DeviceDigital Micromirror Device）DLPDLP投影显示投影显示vDLPDLP（Digital Light ProcessingDigital Light Processing）

32、实现了最终的显示环节的完全数字化实现了最终的显示环节的完全数字化 第56页/共83页第五十七页，共84页。DMDDMD芯片芯片(xn pin)(xn pin)每个微镜对应一个像素，每个微镜对应一个像素，微镜反射照明微镜反射照明(zhomng)光，投射出去，在屏幕上光，投射出去，在屏幕上形成图像。形成图像。Mirror +10 Mirror +10 Mirror -10 Mirror -10 CMOSCMOS图像图像R R、G G、B B二进制数据控二进制数据控制制(kngzh)(kngzh)微铰链，微铰微铰链，微铰链控制链控制(kngzh)(kngzh)每个镜片每个镜片偏转，以通断一个像素的偏

33、转，以通断一个像素的光。光。 脉冲宽度调制（脉冲宽度调制（PWMPWM）技术允）技术允许许1010比特灰度等级再现。比特灰度等级再现。第57页/共83页第五十八页，共84页。为了实现为了实现(shxin)(shxin)彩色显示，彩色显示，DLPDLP投影机投影机有三片式、单片式、两片式等不同档次的有三片式、单片式、两片式等不同档次的产品。产品。三片式：即用三个三片式：即用三个DMDDMD装置。每个装置。每个DMDDMD分分别用别用R R、G G、B B数据数据(shj)(shj)控制。控制。 单片式：即用一个单片式：即用一个DMDDMD装置。投影装置。投影(tuyng)(tuyng)灯光先通过

34、一个色轮再投射到灯光先通过一个色轮再投射到DMDDMD上。上。DLPDLP工作在顺序颜色模式工作在顺序颜色模式 ，利用视觉暂，利用视觉暂留作用。留作用。 双片式：双片式：即用两个即用两个DMDDMD装置。装置。性价比较好。性价比较好。 第58页/共83页第五十九页，共84页。DLPDLP投影显示投影显示(xinsh)(xinsh)的技术优势的技术优势 完全的数字化显示完全的数字化显示(xinsh)(xinsh)，这是独有的特，这是独有的特色。色。 反射反射(fnsh)(fnsh)显示，光能利显示，光能利用率高。用率高。 优秀的图像质量。优秀的图像质量。DMDDMD填充因子大于填充因子大于90%

35、90%，称为，称为“无缝图像无缝图像”。 DLPDLP系统可靠性很高，寿命长系统可靠性很高，寿命长 。DLPDLP投影显示方兴未艾，已成为主流产品。投影显示方兴未艾，已成为主流产品。其核心技术已运用到全光通信其核心技术已运用到全光通信MEMSMEMS交叉交叉连接器中。连接器中。第59页/共83页第六十页，共84页。v可分为可分为(fn wi)(fn wi)两大类：两大类：v * *光电发射型摄像管光电发射型摄像管v 利用外光电效应利用外光电效应v * *视像管视像管 v 利用内光电效应利用内光电效应摄像管摄像管摄像管是能够输出摄像管是能够输出(shch)视频信号的真空视频信号的真空光电管光电管

36、第60页/共83页第六十一页，共84页。光电发射光电发射(fsh)型摄型摄像管像管视像管视像管 视像管基本结构视像管基本结构 ： 光电靶光电靶 完成完成(wn (wn chng)chng)光电转换、信号存储光电转换、信号存储 电子枪电子枪 完成完成(wn chng)(wn chng)信号扫描输信号扫描输出出第61页/共83页第六十二页，共84页。管子管子(gun zi)结构结构氧化铅氧化铅PIN靶靶PIN光电靶光电靶 ：反向偏置，扫描面形成：反向偏置，扫描面形成(xngchng)正电位图像正电位图像电子枪电子枪 ： 发射电子束，按电视制式扫描正电发射电子束，按电视制式扫描正电 位图像，输出视频

37、信号位图像，输出视频信号第62页/共83页第六十三页，共84页。像素：组成图像像素：组成图像的最小单元的最小单元(dnyun)。摄像。摄像管像素大小由电管像素大小由电子束截面积决定子束截面积决定。 在电子束扫描某一像素的瞬间，该像素在电子束扫描某一像素的瞬间，该像素与电源正极和阴极结成通路。这个像素的与电源正极和阴极结成通路。这个像素的光电流由光电流由PN，流过负载，流过负载RL,产生负极性产生负极性图像信号图像信号(xnho)输出。同时，扫描电子束输出。同时，扫描电子束使使P层电位降至阴极电位（图像擦除）。层电位降至阴极电位（图像擦除）。第63页/共83页第六十四页，共84页。电荷电荷(di

38、nh)耦合器件耦合器件vCCDCCD图像传感器主要特点图像传感器主要特点(tdin)(tdin)：v固体化摄像器件固体化摄像器件v很高的空间分辨率很高的空间分辨率v很高的光电灵敏度和大的动态很高的光电灵敏度和大的动态范围范围v光敏元间距位置精确光敏元间距位置精确, ,可获得很可获得很高的高的v 定位和测量精度定位和测量精度v信号与微机接口容易信号与微机接口容易CCD(Charge Coupled Devices)第64页/共83页第六十五页，共84页。电荷电荷(dinh)耦合摄像器件耦合摄像器件 电荷耦合器件（CCD）特点以电荷作为信号。 CCD的基本功能电荷存储(cn ch)和电荷转移。 C

39、CD工作过程信号电荷的产生、存储(cn ch)、传输和检测的过程。 第65页/共83页第六十六页，共84页。（1）、）、 CCD的基本结构包括：转移的基本结构包括：转移(zhuny)电极结构、转移电极结构、转移(zhuny)沟道结沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。构成检测结构。构成CCD的基本单元是的基本单元是MOS电容。电容。电荷电荷(dinh)耦合器件的基本原耦合器件的基本原理理 第66页/共83页第六十七页，共84页。 一系列彼此非常接近的一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是体衬底制成，衬底可以

40、是P型或型或N型材料，上面生型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘绝缘(juyun)而且距离极小的金属化电极（栅极而且距离极小的金属化电极（栅极）。）。第67页/共83页第六十八页，共84页。vCCDCCD图像传感器的不足：图像传感器的不足：v驱动驱动(q dn)(q dn)电路与信号处理电路难与电路与信号处理电路难与CCDCCD单片集单片集v 成，图像系统为多芯片系统；成，图像系统为多芯片系统；v电荷耦合方式对转移效率要求近乎苛刻；电荷耦合方式对转移效率要求近乎苛刻；v时钟脉冲复杂，需要相对高的工作电压；时钟脉冲复杂，需要相对高

41、的工作电压；v图像信息不能随机读取。图像信息不能随机读取。采用标准采用标准 CMOS CMOS工艺的固体工艺的固体(gt)(gt)摄像器摄像器件件CMOSCMOS图像图像(t xin)(t xin)传传感器感器 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）第68页/共83页第六十九页，共84页。第69页/共83页第七十页，共84页。一一.CMOS.CMOS图像图像(t xin)(t xin)传传感器结构感器结构总体总体(zngt)结构结构框图框图第70页/共83页第七十一页，共84页。像元结构像元结构(jigu) ：无源像素无源像素(xin (xi

42、n s)(PPS)s)(PPS)结构结构有源像素有源像素(xin (xin s)(APS)s)(APS)结构结构PPSPPS的致命弱点是读出噪声大的致命弱点是读出噪声大, ,主要是固定主要是固定(gdng)(gdng)图形噪图形噪声，一般有声，一般有250250个均方根电子个均方根电子。光电二极管型光电二极管型(PD-APS(PD-APS）：）：读出噪声读出噪声典型值为典型值为(75(75100)100)个均方根电子。适个均方根电子。适用于大多数中低性能成用于大多数中低性能成像。像。第71页/共83页第七十二页，共84页。光栅型（光栅型（PG-APSPG-APS）：读）：读出噪声小，目前出噪声

43、小，目前(mqin)(mqin)已达到已达到5 5个均方个均方根电子。用于高性能科根电子。用于高性能科学成像和低光照成像。学成像和低光照成像。二二.CMOS.CMOS摄像机的应用摄像机的应用(yngyng)(yngyng) 由于由于CMOSCMOS摄像机节能摄像机节能(ji nn)(ji nn)、高度、高度集成、成本低等独特优点，使集成、成本低等独特优点，使CMOSCMOS摄像机具有摄像机具有很多应用领域很多应用领域: :移动通信移动通信:与手机集成与手机集成,成为移动可视电话成为移动可视电话；视频通信视频通信: :视频聊天视频聊天、可视电话可视电话、视频会议；视频会议；第72页/共83页第七

44、十三页，共84页。保安监控保安监控: :大量大量(dling)(dling)安装的电子眼安装的电子眼, ,且且CMOSCMOS摄摄 像机可做到纽扣大小像机可做到纽扣大小, ,用于隐型摄像用于隐型摄像; ;作数码相机作数码相机(sh m xin j);用于游戏用于游戏(yux)市场市场;用在汽车上用在汽车上, ,如可设计成汽车自动防撞系统、如可设计成汽车自动防撞系统、 防出轨系统防出轨系统, ,大大提高汽车运行的安全性大大提高汽车运行的安全性; ;用于生物特征识别，如指纹识别仪等；用于生物特征识别，如指纹识别仪等；CMOSCMOS摄像机在医学领域有很好的发展空间，摄像机在医学领域有很好的发展空间

45、， 如可以在患者身体安装小如可以在患者身体安装小“硅眼硅眼”，应用药，应用药 丸式摄像机等；丸式摄像机等；第73页/共83页第七十四页，共84页。用于需要用于需要(xyo)高速更新的影像应用领域：高速更新的影像应用领域：航航 天、核试验、快速运动、瞬态过程等。天、核试验、快速运动、瞬态过程等。三三. .发展趋势发展趋势 早期早期CMOSCMOS比比CCDCCD成像质量差，响应速度成像质量差，响应速度 慢，人们主要采用慢，人们主要采用CCDCCD摄像机。近年来，采摄像机。近年来，采用有源像素结构等一系列技术措施用有源像素结构等一系列技术措施, ,使使 CMOSCMOS的成像质量与的成像质量与CC

46、DCCD相接近，而在功能、相接近，而在功能、功耗功耗(n ho)(n ho)、尺寸和价格等方面优于、尺寸和价格等方面优于CCDCCD。CMOSCMOS图像传感器必将成为图像传感器必将成为(chngwi)(chngwi)摄像器件的主摄像器件的主流流! !第74页/共83页第七十五页，共84页。第75页/共83页第七十六页，共84页。v无源无源(w yun)像素结构像素结构v无源像素单元具有结构简单、像素填充率高及量子效率无源像素单元具有结构简单、像素填充率高及量子效率比较高的优点。但是，由于传输线电容较大，比较高的优点。但是，由于传输线电容较大，CMOS无无源像素传感器的读出噪声较高，而且随着像

47、素数目增加，源像素传感器的读出噪声较高，而且随着像素数目增加，读出速率加快，读出噪声变得更大。读出速率加快，读出噪声变得更大。 第76页/共83页第七十七页，共84页。Y1 Y2信号输出Y移位寄存器X 移 位 寄 存 器X1X2RLEMOS开关光电二极管A/D数字信号输出第77页/共83页第七十八页，共84页。v有源像素有源像素(xin s)结构结构 v光电二极管型有源像素(xin s)（PDAPS） v大多数中低性能(xngnng)的应用 第78页/共83页第七十九页，共84页。v成像质量成像质量(zhling)较高较高 vCMOS有源像素传感器的功耗比较小。但与无源有源像素传感器的功耗比较

48、小。但与无源像素结构相比，有源像素结构的填充系数小，其设像素结构相比，有源像素结构的填充系数小，其设计填充系数典型值为计填充系数典型值为20%-30%。在。在CMOS上制作微上制作微透镜阵列，可以等效透镜阵列，可以等效(dn xio)提高填充系数。提高填充系数。 第79页/共83页第八十页，共84页。CMOS摄像器件的总体摄像器件的总体(zngt)结构结构第80页/共83页第八十一页，共84页。APS 在显微镜下的结构在显微镜下的结构APS 原理框图原理框图Photodiode Active-Pixel Architecture微透镜改善低光特微透镜改善低光特性性第81页/共83页第八十二页，

49、共84页。CMOS摄像器件摄像器件集成集成(j chn)能力强、体积小、工作电压单一、功能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本低耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本低需进一步提高器件的信噪比和灵敏度需进一步提高器件的信噪比和灵敏度Eric R. Fossum. CMOS Image Sensors: Electronic Camera-On-A-Chip. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRONIC DEVICES, 1997,44(10): 1689-1698第82页/共83页第八十三页，共84页。感谢您的观看感谢您的观看(gunkn)。第83页/共83页第八十四页，共84页。