成都关于成立微米级薄膜沉积设备公司可行性报告

《成都关于成立微米级薄膜沉积设备公司可行性报告》由会员分享，可在线阅读，更多相关《成都关于成立微米级薄膜沉积设备公司可行性报告（130页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、泓域咨询/成都关于成立微米级薄膜沉积设备公司可行性报告成都关于成立微米级薄膜沉积设备公司可行性报告xxx（集团）有限公司报告说明xxx（集团）有限公司主要由xxx投资管理公司和xxx有限公司共同出资成立。其中：xxx投资管理公司出资450.00万元，占xxx（集团）有限公司30%股份；xxx有限公司出资1050万元，占xxx（集团）有限公司70%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资25198.94万元，其中：建设投资20171.00万元，占项目总投资的80.05%；建设期利息483.97万元，占项目总投资的1.92%；流动资金4543.97万元，占项目总投资的18.03%。项目正常运营每年营业收

2、入49500.00万元，综合总成本费用40890.37万元，净利润6291.48万元，财务内部收益率18.65%，财务净现值3233.79万元，全部投资回收期6.18年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。中国大陆正处于新一代智能手机、物联网、人工智能、5G通信等行业快速崛起的进程中，已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。集成电路为半导体工业的核心，经过多年的改革开放，中国集成电路市场获得了长足的发展，我国对集成电路的需求也在不断提升。据中国半导体行业协会统计，2020年中国集成电路产业销售额为8,848亿元人民币，较2019年增长17%，在2020年受疫情

3、影响的情况下，中国集成电路产业销售额仍稳步提升。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 筹建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 项目投资背景分析16一、 半导体薄膜沉积设备的发展情况16二、 半导体设备行业22三、 形成引领高质量发展的动力源25第三章 公司组建方案

4、28一、 公司经营宗旨28二、 公司的目标、主要职责28三、 公司组建方式29四、 公司管理体制29五、 部门职责及权限30六、 核心人员介绍34七、 财务会计制度35第四章 行业、市场分析39一、 光伏设备行业39二、 行业发展面临的机遇与挑战41三、 太阳能电池片行业44第五章 法人治理结构50一、 股东权利及义务50二、 董事54三、 高级管理人员59四、 监事61第六章 发展规划分析64一、 公司发展规划64二、 保障措施65第七章 项目风险评估68一、 项目风险分析68二、 项目风险对策70第八章 项目环境影响分析73一、 环境保护综述73二、 建设期大气环境影响分析73三、 建设期

5、水环境影响分析75四、 建设期固体废弃物环境影响分析75五、 建设期声环境影响分析75六、 环境影响综合评价76第九章 选址方案分析77一、 项目选址原则77二、 建设区基本情况77三、 积极融入更好服务新发展格局79四、 加快推动成渝地区双城经济圈建设82五、 项目选址综合评价85第十章 进度计划86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十一章 经济效益及财务分析88一、 经济评价财务测算88营业收入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表89固定资产折旧费估算表90无形资产和其他资产摊销估算表91利润及利润分配表93二、 项目盈利能力分析93

6、项目投资现金流量表95三、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97第十二章 投资方案分析99一、 投资估算的依据和说明99二、 建设投资估算100建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表104固定资产投资估算表106四、 流动资金106流动资金估算表107五、 项目总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表109第十三章 总结分析111第十四章 补充表格113主要经济指标一览表113建设投资估算表114建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119

7、营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表120固定资产折旧费估算表121无形资产和其他资产摊销估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还本付息计划表125建筑工程投资一览表126项目实施进度计划一览表127主要设备购置一览表128能耗分析一览表128第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xxx（集团）有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本1500万元三、 注册地址成都xxx四、 主要经营范围经营范围：从事微米级薄膜沉积设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产

8、业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xxx（集团）有限公司主要由xxx投资管理公司和xxx有限公司发起成立。（一）xxx投资管理公司基本情况1、公司简介展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中

9、赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10905.248724.198178.93负债总额3937.043149.632952.78股东权益合计6968.205574.565226.15公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入30052.3724041.9022539.28营业利润6228.524982.824671.39利润总额5886.284709.0244

10、14.71净利润4414.713443.473178.59归属于母公司所有者的净利润4414.713443.473178.59（二）xxx有限公司基本情况1、公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行

11、动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10905.248724.198178.93负债总额3937.043149.632952.78股东权益合计6968.205574.565226.15公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入30052.3724041.9022539.28营业利润6228.52

12、4982.824671.39利润总额5886.284709.024414.71净利润4414.713443.473178.59归属于母公司所有者的净利润4414.713443.473178.59六、 项目概况（一）投资路径xxx（集团）有限公司主要从事关于成立微米级薄膜沉积设备公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由从需求端分析，根据SEMI统计数据，2013-2020年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到27.59%，2020年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到187.2亿美元，发展势头良好。“十三五”时期，面对大变局大变革大事件的深刻影响，实现了

13、从区域中心城市到国家中心城市、进而冲刺世界城市的历史性跃升。坚持以创新发展培育新动能，城市竞争优势实现战略性重塑，以科技创新为重点的各类创新深度推进，以产业生态圈创新生态链为引领的经济组织形态逐步形成，现代化开放型产业体系加快构建，新经济赋能城市转型发展的引力场作用持续彰显，高新技术产业营业收入突破万亿元，新经济活力指数、新职业人群规模位居全国第三，成为“最适宜新经济发展的城市”之一。坚持以协调发展构筑新空间，城市发展格局实现根本性转变，坚定推动“东进、南拓、西控、北改、中优”差异化协同发展，高起点规划建设成都东部新区，城市空间格局实现从“两山夹一城”到“一山连两翼”的千年之变，成德眉资同城化

14、发展走深走实，成都平原经济区加快成势。坚持以绿色发展开辟新路径，城市生态品质实现突破性提高，全面塑造“青山绿道蓝网”城市空间形态，积极推动生态价值创造性转化，累计建成天府绿道4238公里，森林覆盖率达40.2%。坚持以开放发展厚植新优势，城市枢纽能级实现跨越式跃升，亚蓉欧立体大通道体系基本形成，“一市两场”航空枢纽格局加快构建，中欧班列（成都）开行数量位居全国第一，自贸试验区改革试验纵深推进，外国获批在蓉设立领事机构数量增至20家，蝉联“中国国际化营商环境建设标杆城市”。坚持以共享发展开创新局面，城市宜居环境实现全方位改善，民生和社会事业全面进步，社会保障体系更加完善，世界文化名城、国际消费中

15、心城市建设取得明显成效，居民人均可支配收入年均增长8.9%，高标准全面建成小康社会取得决定性成就，完成对口帮扶任务，乡村振兴成效明显，稳居“中国最具幸福感城市”榜首。坚持以党建引领激发新活力，党的全面领导显著加强，全面从严治党纵深推进，社区治理效能显著提高，城市安全韧性实现系统性增强，取得抗击新冠肺炎疫情斗争重大战略成果。（三）项目选址项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约55.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xx套微米级薄膜沉积设备的生产能力。（五）建设规模项目建筑

16、面积61339.67，其中：生产工程43613.21，仓储工程7268.87，行政办公及生活服务设施5525.14，公共工程4932.45。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资25198.94万元，其中：建设投资20171.00万元，占项目总投资的80.05%；建设期利息483.97万元，占项目总投资的1.92%；流动资金4543.97万元，占项目总投资的18.03%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：49500.00万元。2、综合总成本费用（TC）：40890.37万元。3、净利润（NP）：6291.48万元。4、全部投资回收期（Pt）：6.18年。5、财务内部收益率

17、：18.65%。6、财务净现值：3233.79万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划24个月。（九）项目综合评价项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。第二章 项目投资背景分析一、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元

18、。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后

19、，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要

20、影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程28nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确

21、的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM

22、存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积

23、金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一

24、方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化

25、，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来

26、越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设

27、备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。二、 半导体设备行业1、半导体设备发展基本情况及特点半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺

28、设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此

29、，半导体制造过程可以理解为循环进行“加减法”。薄膜沉积作为“加法工艺”，与光刻和“减法工艺”刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。2、全球半导体设备行业发展情况2013年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据SEMI统计，全球半导体设备销售额从2013年的约318亿美元增长至2020年的712亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标

30、准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据VLSIResearch数据，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。3、中国半导体设备行业发展概况（1）中国大陆成为全球第一大半导体设备需求市场从需求端分析，根据SEMI统计数据，2013-2020年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到27.59%，2020年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到187.

31、2亿美元，发展势头良好。（2）顶尖设备仍依赖进口2020年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%，其中集成电路设备自给率仅有5%左右，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。（3）半导体设备发展趋势向好集成电路尺寸

32、及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。除此之外，功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将持续保持增长势头，市场前景良好。2021年7月，SEMI发布半导体制造设备年中总预测，预测原始设备制造商全球半导体制造设备销

33、售额相比2020年的711亿美元，2021年增长34%至953亿美元，2022年将创下超过1,000亿美元的新高。三、 形成引领高质量发展的动力源坚持创新驱动发展战略，把科技自立自强作为促进发展大局的根本支撑，聚焦科学新发现、技术新发明、产业新方向，抢占创新制高点，优化创新生态，形成人才优势，提升策源能力，为构建现代产业体系提供科技支撑。（一）高水平建设西部（成都）科学城紧扣科技前沿、国家战略和城市发展，着力增强创新策源能力，打好关键核心技术攻坚战，建设引领高质量发展的创新极核。以成都科学城为核心争创综合性国家科学中心，加快建设天府实验室并力争纳入国家实验室体系。建设国家川藏铁路技术创新中心及

34、成果转化基地、国际深地科学研究中心等重大创新平台，聚集全球知名大学、科研机构和创新型企业。联合中科院、国内外知名高校在新一代信息技术、智能制造、生物医药等领域打造新型研发机构。超前布局量子互联网、太赫兹通信、合成生物等前沿技术，实现原创性成果和颠覆性技术重大突破。（二）构建以企业为主体的技术创新体系强化企业创新主体地位，推动创新要素向企业聚集，着力打造创新型企业集群。将研发投入纳入国有企业负责人经营业绩考核，推动国有企业研发投入稳步增长。支持科技型企业设置特殊股权结构，探索“同股不同权”治理。组建成都科技创新投资集团。鼓励科技型领军企业联合行业上下游组建创新联合体，支持科技型中小企业联合高校、

35、科研院所、行业专业培训机构共建产学研联合实验室、概念验证中心。大力引导天使投资、风险投资和战略投资在蓉集聚，孵化培育科技型企业。搭建一体化综合科技创新服务平台，支持创新产品市场验证、技术迭代、应用推广、首购首用。（三）大力提升高知识高技能人口比例构建与城市发展战略和高质量发展要求相匹配的人力资源协同体系，大力集聚高知识高技能人口。健全支持高知识高技能人口就业、创业、创新、户籍、居住保障等政策体系，构建有机会、有温度、有保障的人才成长环境。弘扬科学精神和工匠精神。实施“蓉漂计划”“产业生态圈人才计划”“成都城市猎头行动计划”，依托西部（成都）科学城招引全球高端人才，加快聚集国际一流的战略科技人才

36、、科技领军人才、青年科技人才、基础研究人才和高水平创新创业团队。鼓励在蓉大学生留蓉发展。深入推进产业工人队伍建设改革，打造高素质产业工人队伍。建好蓉漂人才发展学院，加强与科研院校联合培养高层次应用型、技能型人才。搭建“共享人才”平台，引导新职业人群灵活就业，提升人力资源配置效率、使用效益。（四）推动科技创新和协同创新示范区建设构建创新合作网络，促进政产学研用紧密结合，建设区域协同创新共同体，加快科技资源互联互通和开放共享。促进企业、高校院所、创业资本、应用场景高效集成，支持有条件的高校、科研机构和企业共建联合实验室或新型研究机构。培育以研发设计、成果转移转化、检验检测、数据服务、科技金融等为重

37、点的高技术服务业，打造高技术服务业集聚区。深化成德绵国家科技成果转移转化示范区建设，推动成德眉资落实新一轮全面创新改革试验部署。建设天府国际技术转移中心，引育高水平科技经纪组织，构建辐射全国、链接全球的技术交易和成果转化服务体系。深化科技体制改革，实行重大科技项目“揭榜挂帅”和科研经费“包干与负面清单”等制度。第三章 公司组建方案一、 公司经营宗旨公司通过整合资源，实现产品化、智能化和平台化。二、 公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运

38、营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国家和地方产业政策、微米级薄膜沉积设备行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促

39、进企业可持续发展。4、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设，统一管理公司的名称、商标、商誉等无形资产，搞好公司企业文化建设。5、在保证股东企业合法权益和自身发展需要的前提下，公司可依照公司法等有关规定，集中资产收益，用于再投入和结构调整。三、 公司组建方式xxx（集团）有限公司主要由xxx投资管理公司和xxx有限公司共同出资成立。其中：xxx投资管理公司出资450.00万元，占xxx（集团）有限公司30%股份；xxx有限公司出资1050万元，占xxx（集团）有限公司70%股份。四、 公司管理体制xxx（集团）有限公司实行董事会领导下的总经理负责制，各部门按其规定的职能范围，履行各自的管理服

40、务职能，而且直接对总经理负责；公司建立完善的营销、供应、生产和品质管理体系，确立各部门相应的经济责任目标，加强产品质量和定额目标管理，确保公司生产经营正常、有效、稳定、安全、持续运行，有力促进企业的高效、健康、快速发展。总经理的主要职责如下：1、全面领导企业的日常工作；对企业的产品质量负责；向本公司职工传达满足顾客和法律法规要求的重要性；2、制定并正式批准颁布本公司的质量方针和质量目标，采取有效措施，保证各级人员理解质量方针并坚持贯彻执行；3、负责策划、建立本公司的质量管理体系，批准发布本公司的质量手册；4、明确所有与质量有关的职能部门和人员的职责权限和相互关系；5、确保质量管理体系运行所必要

41、的资源配备；6、任命管理者代表，并为其有效开展工作提供支持；7、定期组织并主持对质量管理体系的管理评审，以确保其持续的适宜性、充分性和有效性。五、 部门职责及权限（一）综合管理部1、协助管理者代表组织建立文件化质量体系，并使其有效运行和持续改进。2、协助管理者代表，组织内部质量管理体系审核。3、负责本公司文件（包括记录）的管理和控制。4、负责本公司员工培训的管理，制订并实施员工培训计划。5、参与识别并确定为实现产品符合性所需的工作环境，并对工作环境中与产品符合性有关的条件加以管理。（二）财务部1、参与制定本公司财务制度及相应的实施细则。2、参与本公司的工程项目可信性研究和项目评估中的财务分析工

42、作。3、负责董事会及总经理所需的财务数据资料的整理编报。4、负责对财务工作有关的外部及政府部门，如税务局、财政局、银行、会计事务所等联络、沟通工作。5、负责资金管理、调度。编制月、季、年度财务情况说明分析，向公司领导报告公司经营情况。6、负责销售统计、复核工作，每月负责编制销售应收款报表，并督促销售部及时催交楼款。负责销售楼款的收款工作，并及时送交银行。7、负责每月转账凭证的编制，汇总所有的记账凭证。8、负责公司总长及所有明细分类账的记账、结账、核对，每月5日前完成会计报表的编制，并及时清理应收、应付款项。9、协助出纳做好楼款的收款工作，并配合销售部门做好销售分析工作。10、负责公司全年的会计

43、报表、帐薄装订及会计资料保管工作。11、负责银行财务管理，负责支票等有关结算凭证的购买、领用及保管，办理银行收付业务。12、负责先进管理，审核收付原始凭证。13、负责编制银行收付凭证、现金收付凭证，登记银行存款及现金日记账，月末与银行对账单和对银行存款余额，并编制余额调节表。14、负责公司员工工资的发放工作，现金收付工作。（三）投资发展部1、调查、搜集、整理有关市场信息，并提出投资建议。2、拟定公司年度投资计划及中长期投资计划。3、负责投资项目的储备、筛选、投资项目的可行性研究工作。4、负责经董事会批准的投资项目的筹建工作。5、按照国家产业政策，负责公司产业结构、投资结构的调整。6、及时完成领

44、导交办的其他事项。（四）销售部1、协助总经理制定和分解年度销售目标和销售成本控制指标，并负责具体落实。2、依据公司年度销售指标，明确营销策略，制定营销计划和拓展销售网络，并对任务进行分解，策划组织实施销售工作，确保实现预期目标。3、负责收集市场信息，分析市场动向、销售动态、市场竞争发展状况等，并定期将信息报送商务发展部。4、负责按产品销售合同规定收款和催收，并将相关收款情况报送商务发展部。5、定期不定期走访客户，整理和归纳客户资料，掌握客户情况，进行有效的客户管理。6、制定并组织填写各类销售统计报表，并将相关数据及时报送商务发展部总经理。7、负责市场物资信息的收集和调查预测，建立起牢固可靠的物

45、资供应网络，不断开辟和优化物资供应渠道。8、负责收集产品供应商信息，并对供应商进行质量、技术和供就能力进行评估，根据公司需求计划，编制与之相配套的采购计划，并进行采购谈判和产品采购，保证产品供应及时，确保产品价格合理、质量符合要求。9、建立发运流程，设计最佳运输路线、运输工具，选择合格的运输商，严格按公司下达的发运成本预算进行有效管理，定期分析费用开支，查找超支、节支原因并实施控制。10、负责对部门员工进行业务素质、产品知识培训和考核等工作，不断培养、挖掘、引进销售人才，建设高素质的销售队伍。六、 核心人员介绍1、宋xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任

46、，2017年8月至今任公司监事。2、谭xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。3、潘xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。4、宋xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx

47、股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。5、万xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。6、魏xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。7、许xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限

48、责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、邓xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。七、 财务会计制度（一）财务会计制度1、公司依照法律、行政法规和国家有关部门的规定，制定公司的财务会计制度。2、公司年度财务会计报告、半年度财务会计报告和季度财务会计报告按照有关法律、行政法规及

49、部门规章的规定进行编制。3、公司除法定的会计账簿外，将不另立会计账簿。公司的资产，不以任何个人名义开立账户存储。4、公司分配当年税后利润时，提取利润的10%列入公司法定公积金。公司法定公积金累计额为公司注册资本的50%以上的，可以不再提取。公司的法定公积金不足以弥补以前年度亏损的，在依照前款规定提取法定公积金之前，应当先用当年利润弥补亏损。公司从税后利润中提取法定公积金后，经股东大会决议，还可以从税后利润中提取任意公积金。公司弥补亏损和提取公积金后所余税后利润，按照股东持有的股份比例分配，但本章程规定不按持股比例分配的除外。股东大会违反前款规定，在公司弥补亏损和提取法定公积金之前向股东分配利润

50、的，股东必须将违反规定分配的利润退还公司。公司持有的本公司股份不参与分配利润。5、公司的公积金用于弥补公司的亏损、扩大公司生产经营或者转为增加公司资本。但是，资本公积金将不用于弥补公司的亏损。法定公积金转为资本时，所留存的该项公积金将不少于转增前公司注册资本的25%。6、公司股东大会对利润分配方案作出决议后，公司董事会须在股东大会召开后2个月内完成股利（或股份）的派发事项。7、公司可以采取现金方式分配股利。公司将实行持续、稳定的利润分配办法，并遵守下列规定：（1）公司的利润分配应重视对投资者的合理投资回报；在有条件的情况下，公司可以进行中期现金分红；（2）原则上公司最近三年以现金方式累计分配的

51、利润不少于最近3年实现的年均可分配利润的30%；但具体的年度利润分配方案仍需由董事会根据公司经营状况拟订合适的现金分配比例，报公司股东大会审议；（3）存在股东违规占用公司资金情况的，公司应当扣减该股东所分配的现金红利，以偿还其占用的资金。（二）内部审计1、公司实行内部审计制度，配备专职审计人员，对公司财务收支和经济活动进行内部审计监督。2、公司内部审计制度和审计人员的职责，应当经董事会批准后实施。审计负责人向董事会负责并报告工作。第三节会计师事务所的聘任3、公司聘用会计师事务所必须由股东大会决定，董事会不得在股东大会决定前委任会计师事务所。4、公司保证向聘用的会计师事务所提供真实、完整的会计凭

52、证、会计账簿、财务会计报告及其他会计资料，不得拒绝、隐匿、谎报。5、会计师事务所的审计费用由股东大会决定。6、公司解聘或者不再续聘会计师事务所时，提前30天事先通知会计师事务所，公司股东大会就解聘会计师事务所进行表决时，允许会计师事务所陈述意见。会计师事务所提出辞聘的，应当向股东大会说明公司有无不当情形。第四章 行业、市场分析一、 光伏设备行业1、光伏设备行业发展情况按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备，其中硅片设备主要包括多晶铸锭炉、单晶炉、切片机、切断机、硅片检测分选设备等；电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散炉、刻蚀设备、镀膜设备、激光开槽设备、丝网印刷机等

53、；组件设备主要包括划片机、自动串焊机、自动叠层设备、层压机、自动包装机等。我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合，以提高设备产能、自动化程度及转换效率为目标，同时适应大硅片生产，已具备了成套工艺设备的供应能力，基本实现设备国产替代，并在国际竞争中处于优势地位。自2010年以来，中国一直是全球最大的光伏设备市场。2018年，我国光伏设备产业规模达到了220亿元。2019年达到了250亿元，同比增长13.6%。2020年，虽然存在新冠疫情等客观不利因素，但我国主要光伏企业均发布了产能扩张计划，相关设备厂商订单不断增加，光伏设备产业规模超过280亿元，仍保持增长。在光伏行业“降本增效”的发

54、展趋势推动下，新产品、新技术层出不穷，相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求，在国内巨大市场需求拉动下，光伏设备厂商收入快速增长。2、光伏薄膜沉积设备应用情况光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节，根据电池不同工艺和所需的薄膜性质，所采用的薄膜沉积设备会有所不同。2018年-2020年，我国新建产线已基本全部为PERC产线，针对目前已经大规模生产的PERC电池生产技术，生产设备基本实现国产化，其中薄膜沉积设备主要用于PERC电池的钝化和减反膜的制备。对于新型高效电池来说，目前产业化前景最为明确的TOPCon电池和HJT电池对于薄膜沉积的需求更高。TOPCon电池生产线可以由PE

55、RC电池生产线升级改造实现，除原薄膜沉积需求外，还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求。HJT电池整体结构变化较大，其制造环节只需4大类设备，分别是制绒清洗设备（投资占比10%）、非晶硅沉积设备（投资占比50%）、透明导电薄膜设备（投资占比25%）和印刷设备（投资占比15%），其中非晶硅沉积设备、透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。3、光伏薄膜设备发展趋势（1）技术创新催生更多设备需求现阶段，下游光伏行业发展已经由过去的粗放式、外延式发展向精细化、内涵式发展转变，高效率、低成本的产品受到行业的青睐，产品升级需求进一步提高。光伏企业从传统重视规模效益、依赖补贴，逐步转向对高效率、高性能、高品质

56、的光伏产品的追求。在市场化愈发重要的背景下，各种技术的创新，将会催生出更多的设备需求。（2）设备研制与新型工艺更紧密地结合设备研制与新型工艺技术开发相结合成为趋势。以提高转换效率为目的采用新型工艺的电池片生产将采取设计、制造、工艺开发、设备开发与改进联合进行的方式，上下游紧密合作，既缩短设备的开发周期，同时促进先进工艺的应用，也能降低设备采购成本，进一步提高国内光伏企业的市场竞争力。（3）薄膜沉积在新一代光伏设备中投资比重增加由于TOPCon电池生产线可以由现有PECR电池生产线升级改造完成，而且目前TOPCon电池生产线单位投资规模和运营成本明显低于HJT电池生产线，因此TOPCon电池生产

57、线在N型电池线建设中进展显著。根据上市公司披露的项目投资明细，TOPCon（含未披露具体技术类型的N型电池）产线每GW平均投资规模高于PERC产线。二、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业发展面临的机遇（1）清洁能源发展以及光伏产业降本提效带动行业持续发展过去对传统能源如煤炭、石油、天然气等化石能源的过度依赖已导致严重的生态环境问题，使得国际社会对保障能源安全、保护生态环境、应对气候变化等问题日益重视。而太阳能作为最重要的可再生能源之一，具有资源普遍可及、便于应用、成本低等优势，是替代化石能源的主力能源之一，已经成为世界范围内应对气候变化的共同选择。近年来，全球多个国家陆续出台了一系列鼓励和扶持

58、太阳能光伏产业发展的政策，为各国光伏产业的健康、持续发展创造了良好的政策环境。中国在2020年9月提出了“二氧化碳排放力争于2030年前达到峰值，努力争取2060年前实现碳中和”的目标；2021年3月12日发布的国民经济第十四个五年规划和2035年远景目标纲要指出，推进能源革命，建设清洁低碳、安全高效的能源体系，提高能源供给保障能力，加快发展非化石能源，坚持集中式和分布式并举，大力提升风电、光伏发电规模。通过数十年的持续研发，光伏产业主要原材料的价格已经大幅下降，技术不断迭代升级，光电转换效率稳步提升，与之相对的，光伏领域的专用设备行业技术也将大幅提升。随着行业技术的持续进步与生产成本的不断下

59、降，光伏发电的综合成本有望维持降低趋势。这将有助于光伏发电的大规模普及应用，进而使得高性能光伏专用设备的市场规模呈现持续扩张态势。（2）半导体产能转移以及国产替代背景使得国内设备厂商面临发展机遇中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，随着国际产能不断向中国转移，半导体企业纷纷在中国投资建厂，国内半导体产业的规模不断扩大，设备需求将不断增长。持续的产能转移不仅带动了国内半导体整体产业规模和技术水平的提高，为半导体专用设备制造业提供了巨大的市场空间，也促进了国内半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。在半导体领域，

60、元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构，部分核心工艺通过传统方式难以实现，ALD设备在该类应用中已通过国外大型集成电路晶圆制造厂商的量产验证。与此同时，从中美贸易战开始，限制了通过国际采购获得先进设备渠道。在此背景下，我国半导体设备提升国产化率的任务迫在眉睫，随着国内核心晶圆厂商规模扩大和工艺提升，国内设备厂商面临发展机遇。2、行业发展面临的挑战（1）高端技术和人才缺乏光伏、半导体等专用设备属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求。由于中国研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。随着市场的日臻成熟与下游需求的推动，专

61、业人才缺乏的矛盾将会更加突出。（2）国产核心零部件配套能力薄弱国产高端专用设备总体起步较晚，对零部件市场拉动时间较短，高端专用设备零部件配套能力较弱，影响专用设备的优化周期和制造成本。三、 太阳能电池片行业1、太阳能电池片行业基本情况太阳能电池片技术的发展对光伏设备技术提升和应用拓展有重要推动作用。从太阳能电池片的生产技术来看，近几年可分为三个阶段：第一个阶段是2015年以前，光伏电池市场主要采取多晶Al-BSF技术，单晶PERC电池处于技术验证阶段，以试验产能为主，增长迅速但总量较小，随着单晶PERC电池成功量产，其商业化的可行性得到确认；第二阶段是2015-2017年，单晶PERC电池投资

62、吸引力凸显，国内厂商开始加码PERC电池生产，但从整个光伏电池市场来看，主要还是采取多晶Al-BSF技术，Al-BSF技术电池因性能稳定，生产成本较低，此阶段仍占据着市场主要份额；第三阶段是2018年至今，PERC电池产能实现爆发式增长，根据中国光伏行业协会的统计数据，继2019年后，2020年新建量产产线仍以PERC电池产线为主，PERC电池片市场占比进一步提升至86.4%。太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、背接触（IBC）及钙钛矿等。P型电池以P型硅片为原材料，技术路线包括传统的铝背场技术以及目前主流的PERC技术；N型电池以

63、N型硅片为原材料，技术路线包括TOPCon、HJT等，近年来已有厂商陆续开始布局，属于下一代高效电池技术路线的潜在方向，而IBC和钙钛矿为未来技术，尚处于实验和验证阶段。（1）Al-BSF技术Al-BSF电池是指在晶硅太阳能电池P-N结制备完成后，通过在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，从而形成铝背场。其既可以减少少数载流子在背面复合的概率，同时也可以作为背面的金属电极，因此能够提升太阳能电池的转换效率。（2）PERC技术PERC技术采用的是在现有Al-BSF工艺上增加背面介质钝化层然后用激光在背表面进行打孔或开槽露出硅基体。背面介质钝化层通过背面钝化工艺是在硅片背面沉积Al2O3和SiNX，Al2O3由于具备较高的负电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，SiNX主要作用是保护背部钝化膜，并保证电