巴中薄膜沉积设备项目可行性研究报告模板参考

《巴中薄膜沉积设备项目可行性研究报告模板参考》由会员分享，可在线阅读，更多相关《巴中薄膜沉积设备项目可行性研究报告模板参考（127页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、泓域咨询/巴中薄膜沉积设备项目可行性研究报告报告说明集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。根据谨慎财务估算，项目总投资8867.04万元，其中：建设投资6441.42万元，占项目总投资的72.64%；建设期利息184.39万元，占项

2、目总投资的2.08%；流动资金2241.23万元，占项目总投资的25.28%。项目正常运营每年营业收入19300.00万元，综合总成本费用15728.91万元，净利润2609.81万元，财务内部收益率21.22%，财务净现值3225.62万元，全部投资回收期6.06年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本报

3、告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 市场预测8一、 行业发展面临的机遇与挑战8二、 薄膜沉积技术概况10第二章 项目绪论14一、 项目名称及项目单位14二、 项目建设地点14三、 可行性研究范围14四、 编制依据和技术原则14五、 建设背景、规模16六、 项目建设进度17七、 环境影响17八、 建设投资估算18九、 项目主要技术经济指标18主要经济指标一览表19十、 主要结论及建议20第三章 项目建设背景、必要性22一、 光伏设备行业22二、 半导体设备行业24三、 半导体薄膜沉积设备的发展情况28四

4、、 积极融入新发展格局和成渝地区双城经济圈建设34五、 壮大立市主导产业36六、 项目实施的必要性37第四章 建筑物技术方案38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案39三、 建筑工程建设指标40建筑工程投资一览表40第五章 选址可行性分析42一、 项目选址原则42二、 建设区基本情况42三、 强化产业协作配套44四、 项目选址综合评价45第六章 建设规模与产品方案46一、 建设规模及主要建设内容46二、 产品规划方案及生产纲领46产品规划方案一览表47第七章 SWOT分析48一、 优势分析（S）48二、 劣势分析（W）50三、 机会分析（O）50四、 威胁分析（T）51第八章 发展规划

5、分析57一、 公司发展规划57二、 保障措施58第九章 法人治理结构61一、 股东权利及义务61二、 董事63三、 高级管理人员67四、 监事69第十章 原辅材料分析72一、 项目建设期原辅材料供应情况72二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理72第十一章 环境影响分析73一、 编制依据73二、 环境影响合理性分析73三、 建设期大气环境影响分析73四、 建设期水环境影响分析74五、 建设期固体废弃物环境影响分析74六、 建设期声环境影响分析75七、 建设期生态环境影响分析75八、 清洁生产76九、 环境管理分析78十、 环境影响结论81十一、 环境影响建议82第十二章 投资方案83一、 投资

6、估算的依据和说明83二、 建设投资估算84建设投资估算表88三、 建设期利息88建设期利息估算表88固定资产投资估算表90四、 流动资金90流动资金估算表91五、 项目总投资92总投资及构成一览表92六、 资金筹措与投资计划93项目投资计划与资金筹措一览表93第十三章 项目经济效益95一、 经济评价财务测算95营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总成本费用估算表96固定资产折旧费估算表97无形资产和其他资产摊销估算表98利润及利润分配表100二、 项目盈利能力分析100项目投资现金流量表102三、 偿债能力分析103借款还本付息计划表104第十四章 招标及投资方案106一、 项目招标依据

7、106二、 项目招标范围106三、 招标要求107四、 招标组织方式109五、 招标信息发布112第十五章 总结说明113第十六章 附表附录115主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还本付息计划表126第一章 市场预测一、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业发展面临的机遇（1）清洁能源发展以及光伏产业降本提效带动行业持续发展过去对传统能源如煤炭、石油、

8、天然气等化石能源的过度依赖已导致严重的生态环境问题，使得国际社会对保障能源安全、保护生态环境、应对气候变化等问题日益重视。而太阳能作为最重要的可再生能源之一，具有资源普遍可及、便于应用、成本低等优势，是替代化石能源的主力能源之一，已经成为世界范围内应对气候变化的共同选择。近年来，全球多个国家陆续出台了一系列鼓励和扶持太阳能光伏产业发展的政策，为各国光伏产业的健康、持续发展创造了良好的政策环境。中国在2020年9月提出了“二氧化碳排放力争于2030年前达到峰值，努力争取2060年前实现碳中和”的目标；2021年3月12日发布的国民经济第十四个五年规划和2035年远景目标纲要指出，推进能源革命，建

9、设清洁低碳、安全高效的能源体系，提高能源供给保障能力，加快发展非化石能源，坚持集中式和分布式并举，大力提升风电、光伏发电规模。通过数十年的持续研发，光伏产业主要原材料的价格已经大幅下降，技术不断迭代升级，光电转换效率稳步提升，与之相对的，光伏领域的专用设备行业技术也将大幅提升。随着行业技术的持续进步与生产成本的不断下降，光伏发电的综合成本有望维持降低趋势。这将有助于光伏发电的大规模普及应用，进而使得高性能光伏专用设备的市场规模呈现持续扩张态势。（2）半导体产能转移以及国产替代背景使得国内设备厂商面临发展机遇中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，随着国际产能不断向中国转移，半导体企业纷纷在

10、中国投资建厂，国内半导体产业的规模不断扩大，设备需求将不断增长。持续的产能转移不仅带动了国内半导体整体产业规模和技术水平的提高，为半导体专用设备制造业提供了巨大的市场空间，也促进了国内半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。在半导体领域，元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构，部分核心工艺通过传统方式难以实现，ALD设备在该类应用中已通过国外大型集成电路晶圆制造厂商的量产验证。与此同时，从中美贸易战开始，限制了通过国际采购获得先进设备渠道。在此背景下，我国半导体设备提升国产化率的任务迫在眉睫，随着国内核心晶圆厂商规模扩

11、大和工艺提升，国内设备厂商面临发展机遇。2、行业发展面临的挑战（1）高端技术和人才缺乏光伏、半导体等专用设备属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求。由于中国研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。随着市场的日臻成熟与下游需求的推动，专业人才缺乏的矛盾将会更加突出。（2）国产核心零部件配套能力薄弱国产高端专用设备总体起步较晚，对零部件市场拉动时间较短，高端专用设备零部件配套能力较弱，影响专用设备的优化周期和制造成本。二、 薄膜沉积技术概况1、基本情况薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层

12、，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。2、薄膜沉积设备技术基本情况及对比薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。（1）PVD物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。（2）CVD化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应

13、器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。（3）薄膜沉积设备技术之间对比PVD为物理过程，CVD为化学过程，两种具有显著的区别。ALD也是采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与CVD存在显著区别，在CVD工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于ALD技术，PVD技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的

14、膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比PVD略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。3、ALD、PVD、CVD技术应用差异PVD、CVD、ALD技术各有自己的技术特点和技术难点，经过多年的发展，亦分别发展出诸多应用领域。原子层沉积可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的方法。从原理上说，ALD是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的CVD不同，在传统CVD工艺过程中，化学气体不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度与温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在ALD

15、工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。ALD与CVD技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：在PERC电池背钝化Al2O3的沉积工艺中，ALD技术与PECVD技术存在互相替代的关系在2016年之前，PECVD在PERC电池背面钝化的应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用PECVD镀SiNX，因此电池厂商选择PERC电池背面沉积Al2O3的方法时，PECVD技术被优先用于Al2O3的沉积。而当时的ALD技术在国外主要应用于半导体领域，大多属于单片式反应器类型，这种反应器虽

16、然镀膜精度高，但产能较低。近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着90nm以下制程的产线数量增多，尤其是28nm及以下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于ALD独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构3D立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD技术愈发体现出举足轻重、不可替

17、代的作用。第二章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：巴中薄膜沉积设备项目项目单位：xx（集团）有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约25.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要；2、建设项目经济评价方法与参数

18、及使用手册（第三版）；3、工业可行性研究编制手册；4、现代财务会计；5、工业投资项目评价与决策；6、国家及地方有关政策、法规、规划；7、项目建设地总体规划及控制性详规；8、项目建设单位提供的有关材料及相关数据；9、国家公布的相关设备及施工标准。（二）技术原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消

19、防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的

20、经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。五、 建设背景、规模（一）项目背景近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着90nm以下制程的产线数量增多，尤其是28nm及以下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于ALD独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，因此

21、能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构3D立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD技术愈发体现出举足轻重、不可替代的作用。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积16667.00（折合约25.00亩），预计场区规划总建筑面积25729.05。其中：生产工程17243.01，仓储工程3751.57，行政办公及生活服务设施3050.84，公共工程1683.63。项目建成后，形成年产xxx套薄膜沉积设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx（集团）有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施

22、工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响该项目投入运营后产生废气、废水、噪声和固体废物等污染物，对周围环境空气的影响较小。各类污染物均得到了有效的处理和处置。该项目的生产工艺、产品、污染物产生、治理及排放情况符合国家关于清洁生产的要求，所采取的污染防治措施从经济及技术上可行。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资8867.04万元，其中：建设投资6441.42万元，占项目总投资的72.64%；建设期利息184.39万元，占项目总投资的2.08%；流动资金2241.23万元，占项目总投资的25.28%

23、。（二）建设投资构成本期项目建设投资6441.42万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用5540.87万元，工程建设其他费用726.90万元，预备费173.65万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入19300.00万元，综合总成本费用15728.91万元，纳税总额1722.47万元，净利润2609.81万元，财务内部收益率21.22%，财务净现值3225.62万元，全部投资回收期6.06年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积16667.00约25.00亩1.1总建筑面积25729.

24、051.2基底面积10166.871.3投资强度万元/亩251.672总投资万元8867.042.1建设投资万元6441.422.1.1工程费用万元5540.872.1.2其他费用万元726.902.1.3预备费万元173.652.2建设期利息万元184.392.3流动资金万元2241.233资金筹措万元8867.043.1自筹资金万元5104.183.2银行贷款万元3762.864营业收入万元19300.00正常运营年份5总成本费用万元15728.916利润总额万元3479.757净利润万元2609.818所得税万元869.949增值税万元761.1910税金及附加万元91.3411纳税总额

25、万元1722.4712工业增加值万元5915.8513盈亏平衡点万元7439.26产值14回收期年6.0615内部收益率21.22%所得税后16财务净现值万元3225.62所得税后十、 主要结论及建议经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目的实施不但是可行而且是十分必要的。第三章 项目建设背景、必要性一、 光伏设备行业1、光伏设备行业发展情况按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备，其中

26、硅片设备主要包括多晶铸锭炉、单晶炉、切片机、切断机、硅片检测分选设备等；电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散炉、刻蚀设备、镀膜设备、激光开槽设备、丝网印刷机等；组件设备主要包括划片机、自动串焊机、自动叠层设备、层压机、自动包装机等。我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合，以提高设备产能、自动化程度及转换效率为目标，同时适应大硅片生产，已具备了成套工艺设备的供应能力，基本实现设备国产替代，并在国际竞争中处于优势地位。自2010年以来，中国一直是全球最大的光伏设备市场。2018年，我国光伏设备产业规模达到了220亿元。2019年达到了250亿元，同比增长13.6%。2020年，虽然存在新

27、冠疫情等客观不利因素，但我国主要光伏企业均发布了产能扩张计划，相关设备厂商订单不断增加，光伏设备产业规模超过280亿元，仍保持增长。在光伏行业“降本增效”的发展趋势推动下，新产品、新技术层出不穷，相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求，在国内巨大市场需求拉动下，光伏设备厂商收入快速增长。2、光伏薄膜沉积设备应用情况光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节，根据电池不同工艺和所需的薄膜性质，所采用的薄膜沉积设备会有所不同。2018年-2020年，我国新建产线已基本全部为PERC产线，针对目前已经大规模生产的PERC电池生产技术，生产设备基本实现国产化，其中薄膜沉积设备主要用于PER

28、C电池的钝化和减反膜的制备。对于新型高效电池来说，目前产业化前景最为明确的TOPCon电池和HJT电池对于薄膜沉积的需求更高。TOPCon电池生产线可以由PERC电池生产线升级改造实现，除原薄膜沉积需求外，还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求。HJT电池整体结构变化较大，其制造环节只需4大类设备，分别是制绒清洗设备（投资占比10%）、非晶硅沉积设备（投资占比50%）、透明导电薄膜设备（投资占比25%）和印刷设备（投资占比15%），其中非晶硅沉积设备、透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。3、光伏薄膜设备发展趋势（1）技术创新催生更多设备需求现阶段，下游光伏行业发展已经由过去的粗放式、外延式发

29、展向精细化、内涵式发展转变，高效率、低成本的产品受到行业的青睐，产品升级需求进一步提高。光伏企业从传统重视规模效益、依赖补贴，逐步转向对高效率、高性能、高品质的光伏产品的追求。在市场化愈发重要的背景下，各种技术的创新，将会催生出更多的设备需求。（2）设备研制与新型工艺更紧密地结合设备研制与新型工艺技术开发相结合成为趋势。以提高转换效率为目的采用新型工艺的电池片生产将采取设计、制造、工艺开发、设备开发与改进联合进行的方式，上下游紧密合作，既缩短设备的开发周期，同时促进先进工艺的应用，也能降低设备采购成本，进一步提高国内光伏企业的市场竞争力。（3）薄膜沉积在新一代光伏设备中投资比重增加由于TOPC

30、on电池生产线可以由现有PECR电池生产线升级改造完成，而且目前TOPCon电池生产线单位投资规模和运营成本明显低于HJT电池生产线，因此TOPCon电池生产线在N型电池线建设中进展显著。根据上市公司披露的项目投资明细，TOPCon（含未披露具体技术类型的N型电池）产线每GW平均投资规模高于PERC产线。二、 半导体设备行业1、半导体设备发展基本情况及特点半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。前道工艺主要包括七大步

31、骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行“加减法”。薄膜沉积作为“加法工艺”，与光刻和“减法工艺”刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、

32、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。2、全球半导体设备行业发展情况2013年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据SEMI统计，全球半导体设备销售额从2013年的约318亿美元增长至2020年的712亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据VLSIResearch数据，202

33、0年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。3、中国半导体设备行业发展概况（1）中国大陆成为全球第一大半导体设备需求市场从需求端分析，根据SEMI统计数据，2013-2020年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到27.59%，2020年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到187.2亿美元，发展势头良好。（2）顶尖设备仍依赖进口2020年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电

34、子专用设备工业协会数据统计，2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%，其中集成电路设备自给率仅有5%左右，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。（3）半导体设备发展趋势向好集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素

35、共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。除此之外，功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将持续保持增长势头，市场前景良好。2021年7月，SEMI发布半导体制造设备年中总预测，预测原始设备制造商全球半导体制造设备销售额相比2020年的711亿美元，2021年增长34%至953亿美元，2022年将创下超过1,000亿美元的新高。三、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）

36、薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由20

37、16年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、T

38、SV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程28nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即

39、采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推

40、进。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电

41、存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3

42、、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导

43、体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契

44、机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄

45、膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临

46、更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。四、 积极融入新发展格局和成渝地区双城经济圈建设以成渝地区双城经济圈建设为承载，聚焦外强功能、内优布局、拓展路径、强化支撑，促进产业、人口及各类生产要素合理流动、高效集聚，加快把国家战略势能转化为振兴发展实效。（一）提升区域发展战略位势立足巴中位于“一带一路”、成渝地区双城经济圈、关天经济区等国家重大战略重要节点的优势，积极融入国内大循环和国内国际双循环。强化区域协同功能，加快融入渝东北川东北一体化发展和万达开川渝统筹发展示范区建设，深化与成都、重庆“双核”的交

47、流合作，深入推进川东北经济区协同发展，打造区域重要增长极。强化绿色产品供给功能，顺应扩大内需和消费升级趋势，积极发展绿色、健康、安全消费的新模式新业态，促进线上线下消费融合发展，开拓内外消费市场，营造安全放心消费环境，打造区域性绿色消费中心。强化成渝地区北向门户枢纽功能，着力畅通立体综合交通走廊，统筹推进现代流通体系建设，积极构建开放平台，大力发展廊道经济，增强区域辐射和要素聚合能力，建设川陕渝区域中心城市。（二）深化拓展“六大突破”战略部署坚持把“六大突破”作为开启现代化建设新征程的重要举措，保持战略定力，接续推进乡村振兴、交通建设、县域经济、特色农业、全域旅游、城乡提升突破。乡村振兴重点突

48、出秦巴山区特色，围绕产业兴旺、生态宜居、乡风文明、治理有效、生活富裕总要求，全面推进“五个振兴”，持续巩固脱贫攻坚成果。交通建设重点突出互联互通，拓展通道、织密网络、构建枢纽，加快融入国家主干交通网络，提升交通区位优势。县域经济重点突出特色产业培育和县城城镇化建设，实施基础设施、服务配套、产业发展“补短板”行动，推进向城市经济升级，积极争创全省县域经济发展先进县。特色农业重点突出现代山地高效特色农业发展方向，加大园区标准化建设，强化科技支撑，建设国省级特色农产品优势区和优质农产品供给基地。全域旅游重点突出文旅深度融合和景区提档升级，优化旅游公共设施布局，提升和丰富产品供给，加快建成全域旅游示范

49、区。城乡提升重点突出城乡协调发展，注重规划建设品质，完善公共服务功能，健全基层治理体系，促进城乡要素双向流动、相融互补，推动城乡融合发展。（三）促进市域协调发展以市域一体化、协同化、差异化发展为导向，立足特色资源和发展基础，进一步释放发展动能。依托“一城两翼”主城区，做精城市经济，加快莲山湖新区开发建设，促进中心城区一体化发展，建设宜居宜业宜游城市。依托光雾山、诺水河等自然景区，做优生态旅游，高品质发展“生态+”“旅游+”经济，建设国际知名旅游目的地。依托川陕革命根据地核心区红色文化资源，做响红色文化，建设全国爱国主义教育、党性教育和红色文化传承示范基地。依托省级经济开发区和重点园区，做强工业

50、经济，大力发展新型工业，建设川东北重要的特色产业集聚区。依托特色农业园区和“巴山新居”，做靓美丽乡村，建设山区乡村振兴先行区。（四）建设以人为核心的现代城镇体系充分发挥中心城区的辐射作用、县城的支撑作用和重点镇的基础作用，加快推进具有秦巴山区特色的新型城镇化。围绕人口走势和产业趋势，合理确定城镇规模、人口密度、空间结构，优化城镇基础设施、公共服务区域布局、项目投资和资源配置。聚焦人民群众生产生活需求，推动城市扩容提质、有机更新，强化历史文化保护和特色风貌塑造，加强老旧小区改造和社区建设，增强城市防洪排涝、消防安全、防灾减灾能力，建设海绵城市、韧性城市。加快智慧城市建设，提高城市精细化、智能化、

51、现代化治理水平。加强城镇规划建设管理，做优做强重点镇、中心镇和特色镇。深化户籍制度改革，全面推行居住证制度，加快农业转移人口市民化。五、 壮大立市主导产业坚定不移、久久为功发展“三个四”重点产业，促进产业格局加快定型。深化特色农业突破，推动茶叶、核桃、道地药材、生态养殖四大特色农业规模化、品牌化发展，高标准建设现代农业园区，加快农业一二三产业融合发展，构建农业产业全产业链体系。扎实推进食品饮料、生物医药、新能源新材料、电子信息四大新型工业延链补链强链，做优园区、做大规模、做畅流通；推进石墨资源开发和石墨技术成果转化，培育石墨新材料产业集群；抢抓建设中国“气大庆”机遇，发展以天然气资源勘探开发和

52、综合利用为主的清洁能源产业；推进巴中经济开发区创建国家级经济技术开发区。加快发展旅游、康养、商贸物流、文化创意四大现代服务业，积极培育会展、金融、法律服务等专业化生产性服务业和家政、物业、健康、养老、育幼等多样化生活性服务业，推进服务业标准化建设，争创省级现代服务业集聚区。六、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第四章 建筑物技术方

53、案一、 项目工程设计总体要求（一）总图布置原则1、强调“以人为本”的设计思想，处理好人与建筑、人与环境、人与交通、人与空间以及人与人之间的关系。从总体上统筹考虑建筑、道路、绿化空间之间的和谐，创造一个宜于生产的环境空间。2、合理配置自然资源，优化用地结构，配套建设各项目设施。3、工程内容、建筑面积和建筑结构应适应工艺布置要求，满足生产使用功能要求。4、因地制宜，充分利用地形地质条件，合理改造利用地形，减少土石方工程量，重视保护生态环境，增强景观效果。5、工程方案在满足使用功能、确保质量的前提下，力求降低造价，节约建设资金。6、建筑风格与区域建筑风格吻合，与周边各建筑色彩协调一致。7、贯彻环保、

54、安全、卫生、绿化、消防、节能、节约用地的设计原则。（二）总体规划原则1、总平面布置的指导原则是合理布局，节约用地，适当预留发展余地。厂区布置工艺物料流向顺畅，道路、管网连接顺畅。建筑物布局按建筑设计防火规范进行，满足生产、交通、防火的各种要求。2、本项目总图布置按功能分区，分为生产区、动力区和办公生活区。既满足生产工艺要求，又能美化环境。3、按照厂区整体规划，厂区围墙采用铁艺围墙。全厂设计两个出入口，厂区道路为环形，主干道宽度为9m，次干道宽度为6m，联系各出入口形成顺畅的运输和消防通道。4、本项目在厂区内道路两旁，建（构）筑物周围充分进行绿化，并在厂区空地及入口处重点绿化，种植适宜生长的树木

55、和花卉，创造文明生产环境。二、 建设方案（一）结构方案1、设计采用的规范（1）由有关主导专业所提供的资料及要求；（2）国家及地方现行的有关建筑结构设计规范、规程及规定；（3）当地地形、地貌等自然条件。2、主要建筑物结构设计（1）车间与仓库：采用现浇钢筋混凝土结构，砖砌外墙作围护结构，基础采用浅基础及地梁拉接，并在适当位置设置伸缩缝。（2）综合楼、办公楼:采用现浇钢筋砼框架结构，（二）建筑立面设计为使建筑物整体风格具有时代特征，更加具有强烈的视觉效果，更加耐人寻味、引人入胜。建筑外形设计时尽可能简洁明了，重点把握个体与部分之间的比例美与逻辑美，并注意各线、面、形之间的相互关系，充分利用方向、形体

56、、质感、虚实等多方位的建筑处理手法。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积25729.05，其中：生产工程17243.01，仓储工程3751.57，行政办公及生活服务设施3050.84，公共工程1683.63。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程5388.4417243.012281.611.11#生产车间1616.535172.90684.481.22#生产车间1347.114310.75570.401.33#生产车间1293.234138.32547.591.44#生产车间1131.573621.03479.142仓储工程3050.063751.

57、57403.412.11#仓库915.021125.47121.022.22#仓库762.51937.89100.852.33#仓库732.01900.3896.822.44#仓库640.51787.8384.723办公生活配套541.893050.84479.663.1行政办公楼352.231983.05311.783.2宿舍及食堂189.661067.79167.884公共工程1220.021683.63161.31辅助用房等5绿化工程2111.7139.25绿化率12.67%6其他工程4388.4212.667合计16667.0025729.053377.90第五章 选址可行性分析一、

58、项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。二、 建设区基本情况巴中，四川省地级市，位于四川盆地东北部，地处大巴山系米仓山南麓，中国秦岭-淮河南北分界线南，东邻达州，南接南充，西抵广元，北接陕西汉中，属典型的盆周山区，地势北高南低，由北向南倾斜；属亚热带湿润季风气候，四季分明；区域面积1.23万平方公里，下辖2区、3县。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，巴中市常住人口为2712894人。巴中拥有红军烈士陵园、红军石刻标语群等革命遗迹，被称为“中国

59、革命的露天博物馆”，拥有1个世界地质公园，2个景区正在创建国家AAAAA级景区，共有19个国家AAAA级景区。巴中是全国第二大苏区，红色遗址遗迹数量众多，全市有不可移动革命文物382处，其中全国重点文物保护单位2处66点，省级革命文物保护单位20处，市级革命文物保护单位11处，县级革命文物保护单位110处，主要分布于巴州区和通江县境内。2018年，巴中市入围2018-2020年创建周期全国文明城市提名城市； 2018年全国社会治理创新示范市。2020年，巴中市地区生产总值766.99亿元，比上年增长2.5%。第一产业增加值161.81亿元，增长5.4%；第二产业增加值214.94亿元，增长0.

60、9%；第三产业增加值390.24亿元，增长2.7%。“十三五”时期，是决战脱贫攻坚、决胜全面小康取得决定性成就的五年。市域经济社会呈现持续健康发展良好态势。经济实力显著增强，地区生产总值连续跨越两个百亿台阶，预计二二年将接近八百亿元。城乡发展更加协调，中心城区品质提升，县域经济特色发展，乡村振兴加快推进。脱贫攻坚全面胜利，区域性整体贫困根本消除，累计减贫近五十万人，实现所有贫困县摘帽、贫困村退出，连续两年被省委、省政府表扬为脱贫攻坚先进市。基础建设历史巨变，“6631”现代综合交通体系加快形成，“航空梦”“动车梦”和县县通高速梦想变为现实，大中型水利工程齐头并进，能源信息设施不断完善。产业结构

61、优化升级，四大特色农业、四大新型工业、四大现代服务业集聚壮大，第三产业占比超过百分之五十。生态建设扎实推进，环境保护不断加强，生态质量稳步提升，获评国家森林城市、中国气候养生之都。改革开放持续深化，农业农村、国资国企、政务服务等重点领域改革成果丰硕，融入成渝地区双城经济圈建设开局良好，对外开放合作和招商引资取得新的成效，入列“中国营商环境质量十佳城市”。展望二三五年，巴中将与全国全省同步基本实现社会主义现代化。经济实力大幅提升，城乡居民人均可支配收入达到全国全省平均水平。基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，建成现代产业体系。基本实现治理体系和治理能力现代化，法治巴中、法治政府、法治

62、社会基本建成，人民平等参与、平等发展权利得到充分保障。文化强市、教育强市、人才强市、科技强市、质量强市基本建成，市民素质和文明程度明显提高，创新能力和文化软实力显著增强。生态环境形成高质量常态，渠江上游重要生态屏障更加稳固，美丽巴中建设目标基本实现。改革开放形成新格局，开放型经济发展水平显著提高。社会事业健康发展，基本公共服务实现均等化，城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小。人民生活更加美好，群众获得感幸福感安全感更加充实、更有保障、更可持续，人的全面发展、人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。三、 强化产业协作配套深化成巴、渝巴协同发展，积极融入成渝地区产业分工体系，主动协作配套电子信息、汽车制造、先进材料、节能环保等产业发展，深度融入成渝地区产业链、供应链、价值链。抢抓国家生产力布局调整、功能疏解和产业外溢机遇，积极承接成渝地区、关天经济区、粤港澳大湾区、长三角、京津冀