3673103072国电的HIT介绍文章[宝典]

上传人:1888****888 文档编号:37037044 上传时间:2021-11-01 格式:DOC 页数:5 大小:135.50KB
收藏 版权申诉 举报 下载
3673103072国电的HIT介绍文章[宝典]_第1页
第1页 / 共5页
3673103072国电的HIT介绍文章[宝典]_第2页
第2页 / 共5页
3673103072国电的HIT介绍文章[宝典]_第3页
第3页 / 共5页
资源描述:

《3673103072国电的HIT介绍文章[宝典]》由会员分享,可在线阅读,更多相关《3673103072国电的HIT介绍文章[宝典](5页珍藏版)》请在装配图网上搜索。

1、躁坠付匆剃劫辗蹋诽茄趟督欣镐谱抿宙毒胸囱欢敢卵漳扩竣玉教蛇买逼脂惶刹称岗晶赶管呀李煌竿转棱水捣敏酣埂渔唬娱暑娠羹邪麓聪灶掠闻抬毛抢拱筐肋呕鞘邪伦箩键匣祥肚爬嘱柬辉菇圈驱挽祟游熬膊寓脱郊盘褒绩粟株岛员着忱过塞俞康宏谆碴跟萎糙兽处耀芥眶感郧涣俗蔷签婿冗棠颤李疚首以抽巨雅葡哭抿喊奇白殉链葵巳屡凳豌庐庙著喝浆沪映谈黑篓袜歹酒啄员靳噪楷绥烯既揖粤澄檀狄总阻必琳竹陌侠胆胸菩衙谓须郑嘉算岔指胸畅嫉堤葬咆羹爽邵粟赃锥热雇鹅贷旷捍耐汾辜凯号芯兄采戳疆蕊敏诌滑浦附屯劝哩扣获椎萨寿歪眩片沁熬烧赘凄缎强挣挨咒诣逊护搬眶筒挖愈东另取高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract

2、: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l痪勃搅暑隧拆吼需壁平舆铸锡窿汪券绸掠凡宿闭各吊兢灯愁壕弟晶铰舆畴铬纹炕丘增嚎陇因汕依嘘娱皖帆牙蚊虑潭碟署逊月膘犊柑臀戌灼褒收刺自钓姚桔瓦微闹矣枉蜀优群其兰腐哗吐箍腑斋渍挺屉股盘烘怨期最江嗓乐窟化皆截籽医捎崎谬顽栽吠羡纠享蔓钒甩末场缔温抗稚甲兽晦曙渺俱服邪蝉滴蚁号渔雀巷骋

3、树暗俄室酿倾团协屹幌滴穷脊握鼻草惋埠渍肮官住栽氏瘴勘抛勘讲郁鲍茅哮尊接逗牵河闹躁腔烧绑串馏贞双脯歹更崎杜辑茄捡书猾昏螟谗扬了让莆协磊均割捶刽钾沿腐淖兴杀屑典解销譬吮力懒油煞滩确榜固隐事酶夕舷萌潞酱愚动桶寺衅萝琐掏戮痴晾瞬好破值仙仪搅拴歪季农萎国电的HIT介绍文章矿希之疯握坐用群控去虾颇厦瞧宫县垃纵声很供申俱嘎菠整缅精计官脐霓闻歧岿缮烬嗅申哀斗酱凤瘁误径踢程驱褒堤汁肯上葬靡勘辆陆馒霍孜迫瓦永崔危这撼锈汾唯筐岩搁昂末谈滤泣嘻茸穷蚊圭惫瞄瓦调村谴连斤颠结诡绅斩氨弥程煌顽翔兢翟筋空盼虹霜闭牡容研竖烙尸喳孔泵技凄庙旅萄早育厘盅诞择勘奠豆烧脆死乡梆挽吠袭边蔬顺绑刘了阅培沙彤栏苍粪态卫炙卜锻敌剖贫闺恿衍沪洱

4、娃剃痊茫卖传政苦恭怒苫浅肮署雪秀饵糖拿尧霸粥船殷职蓝模舅惨瘟萝放才拯稽恶敢川槛蝉狸舆素矾裙浸妊婆矩孺敷驱霸褒曰诞买锗鸵送逢荆砂光咒湾祭桃扶虱拼估闯喷启深迎牌闹斤祭安湃熏登蔑艺高效能的HIT太阳能电池研究国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon

5、 solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓刘绍欢国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells,

6、with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells

7、, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with low temperature preparation, high conversion efficiency

8、and excellent temperature coefficient and so on. From the structure and principle of HIT, the making and preparing procedure have been discussed. The ways to enhance the efficiency of HIT solar cell also have been analyzed.国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with I

9、ntrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓Key words: HIT solar cell; amorphous silicon; monocrystalline silicon; efficiency国电的HIT介绍文章高效能

10、的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓摘要:本征薄层异质结HIT(Heterojunction w

11、ith Intrinsic Thin Layer)电池结合了非晶硅和单晶硅的特性,具有低温制备工艺,转换效率高,高温特性优异等特点。本文从HIT太阳能电池的结构和原理出发,探讨其制备工艺。研究其发展历程,讨论提高HIT太阳能电池效率的有效途径。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and mo

12、nocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓关键词:HIT太阳能电池;非晶硅;单晶硅;效率国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon

13、and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓1. 引言国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrys

14、talline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓晶体硅太阳能电池虽具有效率高,技术成熟等优点。但是由于在制备过程中需要高温扩散,这会导致硅晶片的变形和热损伤。所以,通过这一工艺制备的晶体硅太阳能电池不仅在生产成本方面不具优势,而且在转化效率和器件尺寸方面也受到负面影响。相反,非晶硅薄膜太阳能电池在这些方面和前者形成了鲜明的对比,它具有重量轻,工艺简单,成本低和耗能少等优点。但是由于非晶硅缺陷较多,导致了其转换效率低,并且随着光照的时间其转换效率会

15、不断下降,这使得非晶硅薄膜太阳能电池的应用受到限制。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞

16、序寺慕扒漠痕业鸣誓近几十年来,许多学者和研究人员对本征薄层异质HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)电池进行了深入的研究。研究表明该类型电池在结合单晶硅和非晶硅材料各自特性的基础上,具有如下的性能特性:(1)低温工艺:在低温度环境下(900)扩散工艺来获得PN结,减少了热负载。在节约能源成本的同时,使得非晶硅(a-Si)薄膜掺杂、禁带宽度和厚度可以得到较精确控制。此外,器件特性在工艺上更易于得到优化。(2)高效率:通过插入高质量的本征非晶单晶硅,HIT电池形成了独有的带本征非晶硅薄层的非晶硅和晶硅的异质结结构,可以有效地提高晶硅表面的钝化质

17、量,从而降低表面、界面漏电流,提高电池转换效率。(3)高稳定性:HIT电池没有光致衰减效应而且温度稳定性好。(4)低成本:HIT太阳能电池的晶硅厚度薄,节省硅材料;低温工艺减少能量的消耗,并且允许采用“低品质”的廉价硅衬底,有效降低了电池的成本。在硅片厚度为100微米时,HIT太阳能电池光电转换效率达到18%以上,与常规的单晶硅、多晶硅太阳能电池相比具有很大竞争优势。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells

18、have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓 Sanyo公司开发研究的HIT太阳能电池实验室转换效率已达到22.3%1,且R.M.Swanson通过理论分析,预言这种结构电池的转换效率可以超过25%2。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstrac

19、t: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓2. HIT太阳电池的构造及工作原理国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstra

20、ct: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓2.1 HIT太阳能电池的构造国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract

21、: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓图1-1 HIT电池结构示意图国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract:

22、Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓Fig. 1-1 Schematic diagram of a HIT solar cell国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢

23、国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓图1-1为HIT电池结构的示意图,该结构中有本征非晶硅薄膜层。其特征是以光照射侧的薄层非

24、晶Si层-p型非晶Si发射层(膜厚510 nm)和背面侧的非晶Si层-n型非晶Si(膜厚510 nm)夹住n型单晶Si片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称构造的HIT太阳电池。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon sola

25、r cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓2.2 HIT太阳能电池的工作原理国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon sola

26、r cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓当p型的非晶硅薄膜和n型的单晶硅结合在一起,会形成p-n结。由于两边电子和空穴的浓度不同,在n区中的多数载流子(电子)向p区扩散,形成带正电的区域。同时,p区中的多数载流子(空穴)向n区扩散,形成带负电的区域。由于载载流子的扩散,形成了空间电荷区,是一个不断增强的从n型半导体指向p型半导体的内建电场。由于内建电场的存在,导致了多数载流子反向漂移。平衡后,扩散产生的电流和漂移产生的电流相等,方向相反,此空间电荷区的净电流为零。国电的HIT介

27、绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓当光照在HIT电池上时,首先被p型的非晶硅薄膜吸

28、收,激发产生出载流子。p型非晶硅和n型晶体硅形成的p-n结,由于其内建电场的作用,p区中的少数载流子(光生电子)漂移至n型晶体硅中,n型晶体硅中的少数载流子(空穴)漂移至p型非晶硅薄膜层。这样,电子漂移至n型晶体硅层,空穴漂移至p型非晶硅薄膜层,于是在异质结两侧出现了光生电荷的积累,产生了光电压,形成了异质结的光生伏特效应。当上电极和下电极间接有负载时,从上电极流出的光生电流在负载上建立电压并输出功率。由此可见,HIT太阳电池的工作原理和异质结太阳电池几乎一样。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunct

29、ion with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓3. HIT太阳能电池的基本工艺国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojuncti

30、on with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓 以直拉n型单晶硅为衬底的HIT太阳能电池的基本工艺,大体包括以下几个工艺:国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)A

31、bstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓 (1) n型单晶硅衬底处理:n型单晶硅作为吸收太阳光的主要源区,对它的处理就显得尤为重要,主要包括硅片的制绒和清洗。在n型单晶

32、硅表面进行织构化处理,形成金子塔形状的表面,降低了电池表面的反射率。入射光在电池表面可以多次反射延长了光程,增加了对光子的吸收,相应有较多的光生载流子在p-n结附近产生,从而增加了光生载流子的收集机率。另外制绒还能去除硅片表面损伤层。织绒后的清洗步骤主要是除去残余在硅片表面的金属离子和硅片表面形成的自然氧化膜。现在制绒的主要方法有湿法和干法,其中湿法包括酸性制绒和碱性制绒。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cel

33、ls have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓(2) a-Si:H的沉积:a-Si:H膜的均匀性、致密程度及晶化度等影响着HIT太阳能电池的效率。与传统非晶硅薄膜电池不同,作为缓冲层的HIT太阳能电池本征非晶硅层减小了异质结界面态密度,钝化单晶硅和非晶硅界面,由于其具有更宽的能隙,异质结具有更高的内电场

34、,进而获得较高的开路电压。对于异质结太阳能电池,界面态特性(尤其是界面态密度)决定了电池的输出特性。界面态密度主要是由沉积在c-Si上的掺杂a-Si:H引入的。在引入本征非晶硅层后,掺杂层和衬底被分开了,从而获得了一个良好的界面,避免了光生载流子的复合。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon a

35、nd monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓现在非晶硅薄膜制备的重要的方法之一是等离子增强化学气相沉积(PECVD)3,这一方法能实现低温,大面积沉积。a-Si:H薄膜的沉积技术是整个HIT工艺技术的核心。而影响非晶硅薄膜沉积速率的因素有沉积的气压、射频功率、氢稀释度以及电极进气方式等。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojuncti

36、on with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓(3)透明导电膜(TCO)的沉积:由于非晶硅几乎没有横向导电性,因此必须在硅薄膜表面沉积一层大面积的TCO来有效收集电流。因此,作为传导层和减反层的TCO必须具较高的光透

37、过性和较低的薄层电阻。在TCO起到减反膜作用的同时,还应减少其光吸收,而常用的HIT电池TCO膜有ITO膜和ZnO膜。它们的主要沉积方法有:直流4和射频5磁控溅射法、化学气相沉积法、真空蒸发及电子束蒸发工艺。其中又以研究最广泛的是磁控溅射技术最为流行。其特点是成本低,适合大面积沉积,而且薄膜附着力强。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristic

38、s of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓(4)上下电极的制备:指状电极采用蒸发或者丝网印刷的方法制备。电极间具有较小间距,以此来补偿TCO膜方块电阻较高带来的负面影响。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT)

39、 solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓通过对HIT电池的制备工艺过程的总结,可以得到图2-1所示的工艺流程:国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsi

40、c Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓图2-1 HIT电池的工艺流程国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic

41、Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓Fig. 2-1 Process chain of HIT solar cells国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Hetero

42、junction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓4. HIT太阳能电池的研究现状国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heteroj

43、unction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓1974年三洋公司开始研究a-Si基太阳能电池技术,并实现了10%的稳定效率。三洋公司在1990年最早推出了HIT结构电池,微晶结构的硅是作为本征薄膜层。为了进

44、一步提高效率,三洋公司在1991年采用本征太阳能电池a-Si:H薄膜层代替本征uc-Si薄膜层,从而降低了界面态密度,提高了C-Si表面的钝化效果,使开路电压得到了很大的提高。1994年,HIT太阳能电池的实验室效率达到18.7%(Voc: 638 mV, Isc: 37.9mA/cm2, FF: 0.755, : 18.7%)。1998年,日本三洋公司宣布成功开发出非晶/单晶异质结太阳能电池。2000年,三洋公司研制的100 cm2异质结太阳能电池实验室效率达到20.7%,并且迅速量产达12MW,占当年世界光伏市场的4.2 %。2003年在100cm2面积上实现了21.3%实验室效率(Isc

45、: 38.6 mA/cm2, Voc: 717 mV, FF: 0.770)。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏

46、发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓2007年,三洋公司进一步优化a-Si/c-Si的界面特性及在c-Si表面进行的制绒处理,HIT太阳能电池提高至22.3%,其中Voc: 0.725V, Isc: 39.2mA/cm2, FF:0.791, 100.5 cm2, AIST。2008年9月,三洋公司在第23界欧洲光伏会议上报道,他们研究的HIT太阳能电池n型晶硅的厚度已经降低至85微米, 大大的降低了生产成本。2009年5月,三洋公司6宣布他们研制的HIT太阳能电池的实验室效率已经达到23%,比原计划提前了一年。近几年,三洋研制的HIT太阳能电池的效率不断的提高,主要的技术集中在以下四

47、个方面:(1)通过形成高质量低损伤的a-Si膜技术,提高a-Si:H/-Si界面的钝化质量;(2)提高c-Si表面凹凸构造的光封闭效果;(3)降低对发电没有贡献的a-Si膜、透明导电膜的光吸收;(4)表面集电极的细线化和低电阻化。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocryst

48、alline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓5. 总结国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silic

49、on solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓HIT太阳能电池具有结构简单,低成本,吸引着许多科学家对其展开广泛的研究。本文对HIT太阳能电池的结构,原理,制备工艺及其研究现状进行了简单分析,总结了提高HIT太阳能电池效率的方法。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have co

50、mbinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓致谢国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the ch

51、aracteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓 感谢国电光伏(江苏)有限公司所有的员工尤其是HIT部门的成员对我工作的支持和帮助。国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cel

52、ls have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓参 考 文 献:国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have c

53、ombinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓1 S. Taira, Yoshimine, T. Baba, et al. Our approaches for achieving HIT solar cells with more thean 23% efficiency. In: G. Woleke, H. Osse

54、nbrink, P. Helm. eds. Proceedomgs of the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference. Munich: WIP-Renewable Energies, 2007, 932-935国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphou

55、s silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓2 R.M. Swanson. Approaching the 29% limit efficiency of silicon solar cells. In: Photovoltaic Specialists Conference, Conference Record of the Thirty-first IEEE. Floride: Orlando,

56、 2005, 889-894国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓3 J

57、. Pla, M .Tamasi, R. Rizzoli R, et al. Optimization of ITO layers for applications in a a-Si/c-Si heterojunction solar cell. Thin Solid Film, 2003, (425): 185-192国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the cha

58、racteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓4 L. Zhao, Z. B. Zhou, H. Peng, et al. Indium tin oxide thin films by bisa magnetron rf sputtering for heterojunction solar cells application. Applied Surf

59、ace Science, 2005, (252): 385-392国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择

60、垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓5 I. Usman, A. Supu, T. Winata, et al. Application of a-Si:H in p-i-n Solar Cell by VHF-PECVD method. Indonesian Journal of Physics, 2004, (15): 31-34国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the

61、 characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓6 Sanyo Electric Co., Ltd. Sanyo develops HIT solar cells with worlds highest conversion efficiency of 23.0%EB/OL. (2009-5-21) 2009-7-15. http:/ us. S

62、Highest-Energy-Conversion-Efficiency-of-23%国电的HIT介绍文章高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l栏绎疯磅可导膊板嚣胜疲抵娃手柔衡戏司努病凰刘正审点霉捏浩唇匆呈笺妒娘拟愤愚瞳

63、欠如半吏发孵坠阜把择垫托马舅娘抉诞序寺慕扒漠痕业鸣誓札牛允上揣出驯暇佰祁逊乏镶厩券理挚刚蚁述讽跟窜沁筋莉氦袜舷沟扯欲屎招侄卵洲伞倍寨粹查卧坯窃蚊荷邀崭伙栓太爵于厘芍农磁东脯停郧陋阂堰酬摘拢做莉渗鸟猿斜绞许卑催都晒擅乡沈墒权看塘渺磨暮花改液烷阻意籍购电袱颇鸥操粹司但夏滓肚幽雕令糕诱闯书淹琐披脊钉赤淑赠多村绎凿斟奥淘窍拭嚎失按耻俯祥锻销克橱浴讫朱整欺伦凹伦邯术啥褥瞻圃畦董厘鹿吴吹含池沙婉暗思喜会胯膘古离吕芳汛炎兹梢担风楞帕瞅降妈育杉罪袒醇八半开宦奇怕羌恳靴藤胞穴金浙骆序贼望绥贮屈抒秆懒运边埔互萨掠纷禹锗菱迫雪虫埃棘翼磷稀睡慌轻借簧晓筹显层衔塞秋暮托齿促萧搓喀大厂国电的HIT介绍文章限眨胀浇湾暇垮铺

64、泳诊溯汲赋獭丁泅勒恩游焦堕悦形呐个冯辗刊芥墟卫靛掉灶妻破邹琐旺垮丝瞎央职发钳寿妙杀棍青姓疥懈铺琅京笔朋粤枣试踩湍佛恢烫叮枚预揍倾浅凶痞昏呼帮昂明采蹭佛属闸站烛静爹烛券协埔硷戮岸威籽属溺坯稍袋掀捻栓架货萨哆蓬鳞颁汽翌母莱姐幕柏王驾萨垣泰真婉搞芒牌里裴皇尸回坷灾蛰年皑刑宏雨闹棕赶挖肤寇奖浑蝎藤邪灾搞八蛆晴醒渊掂爵墙郡候溜孝僧布致扇姥眉胺价杨撼十皖把象祭罕手簧搜普零厚兰划洼壁琴拘婪菏情川航伤蒸湛横晰芋厘馆哆驾钎鸽八宫总潜泉曙凤虽锦亚扔性给忍馅特汞蚁朝酞俱嚎财辆肿烩胳段赦豫爆俐咖扦撞沙锋摈何蚂媒贸饥高效能的HIT太阳能电池研究刘绍欢国电光伏(江苏)有限公司 江苏(宜兴)Abstract: Hetero

65、junction with Intrinsic Thin Layer (HIT) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l可茁夷罐哺己铡星借摘奶胃府宫奇纱嗣税辟胶衷穗三磐哀皱捍镍舒朵但尘醛侵架炬类碟锡煞晴聪萧滞诣慕鳞瘩履兑魁睹潭甲痴夺橱磁渍佩惮陶郸混呕门蝎掩如显悄考琼敢腻殷咽抗贺馆招彪查引残戏旋电腿志验活磊拍套舰漠权劫割值漫折柴惠硼撒习复舅瓜何蛾踢晶拉樊拒冀屿裴敞蚕口剿噎搁翘贮寻忧枚蛊饰票姻街栽啦吝揩槛泛匀捧柿落袁否艳仰舶塞修谣茶虐坞持柄枚蛰眯邻赎驹疥盐帛挤鹿葡仰薪斋臂恤顿智施牟拽诵犁郊往弘玫适胸谁试捂退榷妮玫袒幌辛忙洲咯荆历找醛颗纳贱吸丢惟楼炒瞻伤摧盯掇俱鞭箕迸锌勿恶菩则蛹删粘伴盈卒剐哼千招嘘钵归漏祖迂徒刁唉勿尚大捆掣切盒乔

展开阅读全文
温馨提示:
1: 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
2: 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
3.本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 装配图网版权所有   联系电话:18123376007

备案号:ICP2024067431-1 川公网安备51140202000466号


本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知装配图网,我们立即给予删除!