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1、 R RT T 照片 照片 I 电流V 电压0正向反向 照片 照片 BZ IxvfBP型半导体薄片：长度为L，宽度为b，厚度为 d磁场方向 (z方向）与薄片垂直，电流方向为x方向Lbd fExyz 10 G1 G100 M10 M1 M100 K10 K1 K0.1 K1970 1980 1990 2000 2010 100 G10 GGiga100 M10 MMegaKilo1970 1980 1990 2000 2010 1874年 F.Braun金属半导体接触氧化铜、硒整流器、曝光计1879年Hall效应K.Beadeker半导体中有两种不同类型的电荷 1948年 Shockley ，B
2、ardeen, Brattain锗晶体管 (transistor)点接触式的硅检波器19401870 1930 1950硅晶体管 1955年德国西门子氢还原三氯硅烷法制得高纯硅1950年G.K.Teel直拉法较大的锗单晶1952年G.K.Teel直拉法第一根硅单晶1957年 第一颗砷化镓单晶诞生19601950 1952年H.Welker发现-族化合物 1958年W.C.Dash无位错硅单晶 1963年 用液相外延法生长砷化镓外延层，半导体激光器1963年砷化镓微波振荡效应19701960硅外延技术1965年J.B.Mullin发明氧化硼液封直拉法砷化镓单晶 Si单晶8英寸（200mm）已实现
3、大规模工业生产12英寸（300mm）2005年全球16个工厂18英寸2007年可投入生产27英寸研制正在积极筹划 *nhkm 目前硅基材料研究的主流：GeSi/Si应变层超晶格材料 新一代移动通信。硅基应变异质结构材料Si/GeSi MOSFET 的最高截止频率已达200GHz，噪音在10GHz下为0.9dB，其性能可与GaAs器件相媲美。 基于 低维新型半导体材料 人工构造（通过能带工程实施） 新一代量子器件的基础非线性光学效应量子尺寸效应量子干涉效应量子隧穿效应 高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子 器件和电路的理想材料 通信、汽车、航空、航天、石油开采及国防SiC、GaN 和金刚石薄膜等材料的特点 高热导率 高电子饱和漂移速度 大临界击穿电压宽带隙半导体材料
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