最新半导体物理第3次课ppt课件

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1、半导体物理第3次课外电场中的半导体表面 假定半导体处于如图所示的外场中，金属板与半导体之间加一电场，电力线由金属到半导体表面。没有外场时，半导体表面能带平直，表面不带电荷。加上外场时，由于感应，在半导体表面感生出负电荷，其总量等于金属板上的电荷，类似与平板电容器。P型半导体的情况 以上是对N型半导体的讨论情况，对P型半导体可以进行完全相似的讨论。只是电压的极性与讨论N型半导体 时相反。积累层：金属板接负，能带向上弯曲，空穴积累；耗尽层：金属板接正，能带向下弯曲，空穴耗尽；金属板上正电压足够大时，表面电子浓度大于空穴浓度，形成反型层。定量分析-N型半导体根据泊松定律（高斯定律），得电场与电荷密度

2、之间的关系式 由此可得另外,空间电荷区内x处的电子浓度为 d Vdxxr2201=-e er()一般来说，原子尺度内能带的变化不大，即U较小，所以上式可以展开，即 假定:原先半导体处于杂质饱和电离状态，即Nd=n0。加上外场后由于能带弯曲，电子浓度发生变化，但杂质离子的浓度无法改变，所以半导体内部出现净电荷 r()()()xe-ne n V xkTd=-20r与V的关系所以泊松方程变为 将此代入前面的方程，可以得到我们十分熟悉的通解，即Debye长度=屏蔽长度 对于半导体，载流子浓度比金属的小几个数量级，而介电常数较大,例如n=1016，e=11，因此一般情况下半导体的屏蔽长度要比金属的大得多

3、。d Vdxr2201=e e(e n V x)kT20若样品较厚,则x很大时V=0，而表面处V=Vs，所以半导体内部的电场强度为 空间电荷区内的电荷密度为 电子的势能为 电子的能带为 E xVLeE esdxLsxLdd()=-r()xe nkTV esxLd=-20U xeV esxLd()=-E xEU xEeV esxLd()()=+=-00金属-半导体接触当两种不同的物体相互电接触时，两者构成了一个系统。因此对于处于平衡态的系统来说，要求各自的化学势（费米能级）相同。由于费米能级代表电子的填充情况，所以费米能级的变化必定引起电子在两个物体之间的流动。或者说，由于原先两种物质内的传导电

4、子能量不同（即费米能级不同），因此，接触后电子从能量高的一方流到能量低的一方，流出的一方能量降低，最后两者的费米能级达到一致。半导体材料的功函数功函数从固体向真空发射电子需要提供的最小能量称为逸出功或功函数。数值上等于真空能级与费米能级之差。电子亲和势从导带底到真空能级的能量c=Ev-Ec称为电子亲和势。半导体的功函数 N型半导体的功函数本征电离区杂质弱电离区 对于饱和电离区EEkTNNWkTNNfcdcdc=+=-lnlncP型半导体的功函数对于P型半导 体 推 导完全相似.根据W的定义 不 难 发现，对 于同 一 种 材料，P型半导体的W比N型的大。金-半接触概况金属半导体接触后两者的费米

5、能级相同，接触电势差等于两者的功函数差。由于半导体内载流子浓度较小，所以屏蔽效果不好，因此半导体表面区域附近存在一个空间电荷区。由于空间电荷区的存在，在金属与半导体之间有一个自建电场。由于金属侧的空间电荷层实际上只有最外一层原子，所以接触电势差主要落在半导体一侧。半导体表面空间电荷区内各处电势不同，因此电子能级随空间位置变化，即能带弯曲。半导体功函数比金属的小的情况如果半导体的功函数比金属的小，即接触前半导体的费米能级比金属的高，则接触后电子从半导体流向金属。因此平衡后，金属表面带负电而半导体带正电，电场方向从半导体体内指向金属，因此由表面向体内电势升高，相应的表面电子能带较体内的高。对于N型

6、半导体表面电子浓度比体内的低，所以称为耗尽层，但对P型半导体来说，表面空穴浓度比体内高，所以称为积累层。WsWm进一步讨论当接触电势差很大时，如果耗尽程度很高，则表面层的导电类型可能反转，在表面与体内之间形成一个PN结。反之如果积累现象明显，则多数载流子浓度大大增加，表面形成简并半导体。对于本征半导体，金属-半导体接触均使得费米能级偏离本征费米能级，因此对于本征半导体，接触总是使得表面电导率增加。在半导体材料的表面可能有很高的载流子浓度！定量分析：空间电荷层的厚度如无特殊说明，均以N型半导体为例。假设电场透入半导体的深度为x0；假定半导体处于杂质饱和电离状态，即n0=Nd；当表面处于耗尽层状态

7、时，假定空间电荷层中的可动电荷（电子）全部被排走，则半导体内的空间正电荷主要由电离的施主离子组成，其密度等于施主密度为Nd。数学演算泊松方程 解为边界条件V(x0)=0和V(x0)=E(0)=0 最后，得因为x=0处的电势差=(Wm-Ws)/e，所以即利用Debye长度得电荷储存效应或电容效应 因为金-半接触存在空间电荷区，具有电荷储存能力，因此它具有电容效应。根据电容的定义，可得金-半接触的电容为因此总电容为或金属-半导体接触中的整流现象 整流:单向导电.对N型半导体,当金属的功函数比半导体的大时，金属与半导体触为整流接触，即电流在某一方向较易流动，而在相反方向则很难通过。由于空间电荷区内载

8、流子浓度较小，外加电压基本上降落在半导体的表面层上。正向偏置金属加正压，半导体加负压；半导体体内的费米能级相对金属中的向上移动eV，接触电势差减小相应的值。电子从半导体向金属的运动变得较为容易，而金属向半导体的势垒高度没有变化，故电子从金属流向半导体的流密度不变。有净电子流，方向从半导体到金属。因此电流方向为金属到半导体。热电子发射理论 从半导体到金属的电子流可以用热电子发射理论描述。假设电子流动方向为X方向，那么半导体到金属的电流密度可以表示为 为电子在X方向的能够越过势垒所需的最小动能。当外加电压为V，内建电场引起的电压为V0时，能够越过势垒的电子的最小动能应满足又因为代入上式就得到从半导

9、体流向金属的电流为 从金属到半导体的势垒高度不随外界偏压变化，因此从金属流向半导体的电流不随外加电压变化。当外加电压等于0时，Jsm=Jms，因此 所以流过金-半接触的总电流为其中Js称为反向饱和电流。反向偏置 金属加负压半导体加正压；外场方向与自建电场方向相同，所以耗尽层加宽。半导体体内的费米能级相对金属中的向下移动eV，接触电势差增加相应的值。电子从半导体向金属的运动变得十分困难，而金属向半导体的势垒高度没有变化，因此 。反向偏置电流公式能够越过势垒的电子的最小动能应满足从半导体流向金属的电流为总电流为 统一公式P-N结半导体材料的一部分含有施主杂质而成为N型半导体，另一部分则含有受主杂质

10、而形成P型半导体。这样半导体的某一部分成为从N型变成P型半导体的过渡区。这种过渡区称为PN结。PN结有突变结和缓变结之分。突变结的两边载流子类型改变很快；缓变结两边载流子类型有一个较宽的变化区域。单边结PN结两边载流子浓度相差很大。载流子浓度分布 缓变结缓变结 突变结突变结PN结的形成-以N型衬底为例合金法受主金属材料（如铝）在半导体材料上面熔化，部分扩散进入半导体，在界面附近形成浓度很高的P型层。热扩散法在半导体表面涂布含掺杂剂的胶（B），在高温下杂质通过热扩散进入半导体内部。扩散杂质浓度由表面向体内逐逐渐降低，在某处与体内载流子浓度相等。外延生长法通过外延时原位掺杂技术形成P型层。离子注入

11、法将要掺杂的原子电离，加速后注入到半导体材料体内，再经退火使受损晶格复原。PN结区能带弯曲 在PN结附近，载流子梯度很大。电子从N区向P区扩散，空穴则从p区向N区扩散。由于载流子的扩散，在N区产生正空间电荷，P区产生负空间电荷。这些空间电荷在结区附近形成自建电场，电场的方向从N区指向P区。载流子在此电场作用下进行漂移，方向与扩散流的相反。因此此内建电场阻止电子和空穴的进一步扩散。最后扩散与漂移达到平衡态。平衡后整个系统的费米能级相同，导致PN结区的能带发生弯曲。能带的弯曲引起电子和空穴的重新分布，并改变PN结区中的电势。结区附近的变化接触电势差多子过渡PN结时必须克服高度eVo的势垒；少子的过

12、渡在pN结自建电场作用下进行在热平衡态时，多子扩散电流密度JPp和JNp与少子漂移电流密度JNp和JPn完全抵消，通过PN结的总电流等于零。eV0=WP-WN=(X-Ec+EFP)-(X-Ec+EFN)=EFP-EFN假定半导体处于饱和电离区，则接触电势差考虑到 上式可写为 nN、pP分别表示N区的电子和P区的空穴浓度，即两边的多子浓度。推论:N区和P区杂质浓度越大，PN结接触电势差Vo越大。对非简并半导体Vo的最大值为V0max=Eg/e。结两边同种载流子浓度的变化 根椐V0表达式，还可以得到结两边少子的浓度之比为 nP、pN分别表示P区的电子和N区的空穴浓度。从能带弯曲图中可以看出，PN结

13、区内的载流子浓度是变化的。电子：从nP过渡到nN空穴：从pP过渡到pN空间电荷区长度P区XP，N区XN，总长度X0=|XN|+|XP|在-Xpx0区，负空间电荷由电离受主杂质浓度决定，这于区的泊松方程式为 在0 xXn区，负空间电荷由电离施主杂质浓度决定。因而这个区的泊松程式为 边界条件方程的解在P区（-xPx0）在N区（oxxN）在X=0处，电势和它的导数是连续的，因此 由上述条件即可得到电中性条件nNxN=pPxP，即在半导体PN结两边的空间电荷数相等。空间电荷区宽度推论：掺杂浓度高，载流子浓度大，屏蔽作用强，空间电荷区窄。如果两边掺杂浓度相差较大，空间电荷区主要落在轻掺一边。电势差空间电

14、荷区总长度空间电荷区的电学性能 由于能带弯曲，与半导体体内相比，费米能级离开导带或价带较远，因此PN结中载流子浓度相对半导体材料的其他部分小许多，所以结区电阻比半导体内大很多。由于存在空间电荷区，PN结表现出低电导率夹在高电导率之间的电容器的作用，单位面积的容量称为势垒容量，它由下式决定：PN结的整流现象结的整流现象 正向偏置：P区正、N区负势垒高度降低eV，同时耗尽层厚度减小。用V0-V代替V0即可得到加偏压后的空间电荷区宽度。从N区过渡到P区的电子数和从P区过渡到N区的空穴数比平衡时增加，但通过PN结的少子流则基本上不变。外电路上流过电流（正向电流）=等于多子电流和少子电流之差。方向从P区

15、指向N区，即J=J1-J2。近似结宽很窄，载流子通过空间电荷层时不进行复合，这表示耗尽层宽度x0比扩散长度LD小很多。两边半导体的杂质浓度很高，即pPnI和nNnI，因此，半导体体内的压降可以忽略。与外电场形成的欧姆电极远离PN结，少子到达电极之前全部被复合掉。忽略电极上的压降，外部的全部电势差降落在PN结。没有俘获中心和表面复合，过剩载流子的减少只与体内复合有关，而且认为是线性减少的。正向偏压时的能带图少子注入现象 在正向偏压的作用下，N区边界附近出现过剩少子Dp，形成空间电荷。少子的注入：利用正偏压在PN结实现少子浓度增加的现象。这样在N区结附近的空穴浓度为p=pN+Dp。然而，经过极短时

16、间，即在弛豫时间内，少子电荷与多子(电子)进行补偿。多子（电子）是从N区深处过来的Dn，由外电路源源不断地提供。因此，在N型半导体中仍保持电中性。但是在PN结界面的电子和空穴浓度分别提高了Dn和Dp。载流子注入不加偏压时因此,加偏压后N区X=XN处的过剩空穴浓度为 同样，P区x=-XP处过剩电子浓度为少子注入：利用正偏压在PN结实现少子浓度增加的现象称为少子的注入。流过PN结的电流利用可得假定：PN结区内没有载流子的产生、复合，因此流过XN和XP的空穴电流应该相等。同样，流过XN和XP的电子电流也应该相等。所以反向偏置 在反向偏压的作用下，N区边界附近少子减少Dp。少子的抽出：利用反偏压在PN

17、结实现少子浓度减少的现象。这样在N区结附近的空穴浓度为p=pN-Dp。然而，经过极短时间，即在弛豫时间内，多子(电子)浓度将减少Dn=Dp。多子被赶回到N区深处，最后进入外电路。因此，在N型半导体中仍保持电中性。但是在PN结界面的电子和空穴浓度分别减少了Dn和Dp。反向偏置时的能带图载流子的注入与抽出载流子的注入与抽出反向电流与正向偏置时相似的讨论，我们可以得到反向偏置时的电流为：同一公式理想PN结的I-V特性导通电压与金-半接触整流的异同相同点：1、PN结和金-半结都有整流效应；2、PN结和金-半结都有电容效应。不同点：PN结利用少子工作，而金-半结利用多子（电子）工作，因而器件速度较高。实

18、际PN结的I-V特性原因：1、结区内的产生与复合；2、大注入；3、串联电阻；4、表面、界面影响现象：1、正向电流较理论值大；2、电流大时，I-V关系满足 。3、正向电压很大时，I-V曲线趋向线性。4、反向电流随偏压略有增加。势垒区的产生电流在前面讨论中，没有考虑结区内的产生与复合。在反向偏置情况下，内建电场得到加强，热激发产生的电子空穴对被电场分离后来不及复合而分别进入N区和P区，形成额外的电流，即势垒区的产生电流。由于势垒区宽度随外加偏压增加，因此产生电流随偏压增加，所以总的反向电流随偏压增加而略有增加。势垒区的复合电流正向偏压下，注入到P区的电子和注入到N区的空穴在经过结区时有可能发生复合

19、而到达不了边界。因此除正向电流除扩散电流外，还有复合引起的正向电流。可以证明复合电流正比于总的正向电流因此总的正向电流=复合电流+扩散电流，即一般把上式写成复合为主：m=2；扩散为主：m=1；一般情况1m2。复合电流在偏压较小时比较明显。可以用来确定结区复合中心浓度。大注入情况在前面的讨论中，我们假定外加电压全部降落在结区内。但在大注入的情况下，N区边界的过剩空穴浓度很高，接近甚至超过多子的浓度。为保持电中性，N区边界的多子浓度也相应增加。由于边界处电子浓度高于体内，因此电子有向N区体内扩散的倾向，这样在N区边界的扩散区内产生一个内建电场。此内建电场阻止电子进一步扩散，最后达到平衡，使电子保持

20、在原来位置上。由于有内建电场，所以部分正向偏压降落在PN结外的扩散区。使得实际降落在PN区的电压降低。最后得大注入时的I-V特性串联电阻效应实际上结区外的电阻不能忽略，因此外加电压除降落在PN结区及边界处的扩散区外，还有一部分降落在体内及电极上。导致实际降落在PN结的电压降低。串联电阻效应在大电流下比较明显，使得I-V曲线偏离指数形式，甚至成为线性关系。PN结I-V特性小结正向偏置1、电压较小时，势垒区复合为主，m=2；2、正向电压较大时，扩散电流为主，m=1；3、正向电压继续增加，即大注入时，扩散区有压降，m=2；4、当正向电流足够大时，降落在体内及电极 上的电压不能忽略，I-V特性偏离指数

21、形式 而趋向线性。反向偏置 势垒区产生电流使得反向电流随偏压增加而增加。实际结的I-V特性结击穿当反向电压很大超过某一值时，反向电流突然迅速增加，这种现象称为结击穿。隧道击穿：当反向电压很大时，可以发生两边载流子能带重叠，载流子可以通过隧道效应到达对方。雪崩击穿载流子在外场的作用下加速获得能量，与晶格碰撞产生电子空穴对。新产生的载流子被加速继续与晶格原子碰撞，再产生新的电子空穴对，如此不断继续下去，最后使得反向电流变得很大，直至将PN结永久性破坏。热击穿如果反向偏压很大，流过PN结的电流将使材料温度升高，导致反向电流增加。如果温度很高，则会引起本征激发，导致反向电流急剧增加。雪崩击穿隧道击穿(

22、Zeener)PN结的电容1、势垒电容前面已经提到。主要是因为偏压变化导致空间电荷区宽度变化所致。2、扩散电容正向偏压时，在边界附近一个扩散长度内的区域中有非平衡载流子的积累。偏压的变化导致非平衡载流子浓度的变化。简并半导体的PN结：隧道二极管在简并半导体组成的PN结中，由于载流子浓度很高，PN结层厚度非常窄。因此，电子可以通过隧道效应穿过PN结势垒。伏安特性曲线与一般p-N结二极管特性有根本的区别。在反偏压下观察到反向电流急增，而在正偏压下则出现负微分电阻区。零偏压时的能带图和态密度正偏压时的能带图和态密度当偏压增加到，使得Ec和Ev一样高时，理论上隧道电流降到0，实际上降到一个最小值。原因：正常I-V曲线；杂质能级。反偏压时的能带图和态密度PN结的用途1、整流、检波单向导通3、测温度I-T关系4、稳压方向击穿4、振荡隧道二极管5、发光6、调谐电容-电压特性7、测光强、辐射8、信号放大，如构成三极管、FET9、钳位、保护I-V正向特性10、电路隔离PNNP,NPPN结构