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1、 O2HSiF4HFSiO 242 SiFH2HFSiF 624 O2HSiFH6HFSiO 2622 介 质 膜 的 种 类 及 制 备 方 法 有 多 种 ， 比 如 真空 加 热 沉 积 、 化 学 气 相 沉 积 、 丝 网 印 刷 、溅 射 、 电 子 束 蒸 发 、 离 心 甩 胶 甚 至 喷 镀等 等 。考 虑 到 介 质 膜 的 质 量 及 生 产 成 本 ， 最 常 用的 减 反 介 质 膜 是 氮 化 硅 和 二 氧 化 钛 ， 前者 主 要 采 用 化 学 气 相 沉 积 ， 而 后 者 主 要采 用 喷 镀 、 化 学 气 相 沉 积 和 丝 网 印 刷 。 等 离 子
2、 体 类 型 ： Direct等 离 子 体 和 Romote等离 子 体等 离 子 激 发 频 率 ： 低 频 、 射 频 、 微 波反 应 室 ： 管 式 与 平 板 式传 输 类 型 ： batch方 式 和 inline方 式 Direct： 等 离 子 体 产 生 于 两 平 行 电 极 之 间 ， 晶圆 被 固 定 在 一 个 电 极 上 ， 在 这 种 情 况 下 ， 晶圆 一 般 处 于 等 离 子 体 中 。 典 型 代 表 ：Centrotherm， 岛 津 。Romote：Roth&Rau 功 率 太 高 ， 离 子 的 能 量 较 高 会 对 硅 片 边 缘 造 成较
3、大 的 轰 击 损 伤 ， 导 致 边 缘 区 域 的 电 性 能 变差 从 而 使 电 池 的 性 能 下 降 。 因 此 ， 人 们 通 常倾 向 于 采 用 功 率 相 对 较 低 而 时 间 相 对 较 长 的刻 蚀 工 艺 。等 离 子 体 刻 蚀 过 程 中 ， 载 能 离 子 也 会 对 硅 片 边缘 附 近 的 正 反 表 面 区 域 造 成 影 响 。 刻 蚀 过 程越 长 ， 这 种 影 响 越 严 重 。 槽 号 1 2 3 4 5 6溶 液 DI 5%10% HF 5%10% HF DI DI DI时 间（ s） 90180 90180 90180 90180 90180 90180
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