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1、 铜铟镓硒（CIGS）薄膜 薄膜太阳能电池目前主要分为非晶硅薄膜太阳能电池、碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池、铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池三类。仅在数年以前，薄膜光伏 技术在光伏产业中还只能用“微不足道”来形容，但在今天，其生产份额不断扩张。 薄膜电池与传统硅晶电池的比较v传统硅晶电池：由硅晶体组成,电池主要部分易碎,易产生隐形裂纹,大多有一层钢化玻璃作为防护,造成重量大,携带不便,抗震能力差,造价高,效率或多或少降低v薄膜电池：克服了上述缺点，重量轻,厚度薄.可弯曲,易携带,克服了上述缺点,但并没有传统硅晶电池转化效率高. 铜铟镓硒（CIGS）薄膜v组成材料：Mo、ZnO、AI、ZnS
2、、MgO以及 Cu、In、Ga、Se等材料。 制备工艺 真空工艺非真空工艺 多源共蒸发法！溅射后硒化法！分子束外延法化学气相沉淀法电化学沉积法旋涂涂布法丝网印刷法喷墨打印法 共蒸发法实验设备示意图 多源共蒸发法共蒸发是典型的物理气相沉淀工艺（PVD）。根据薄膜沉积过程，共蒸发可分为一步法、两步法和三步法。 三步共蒸发法工艺源物质In-Ga-Se预置层表面富Cu的CIGS薄膜等化学计量比的CIGS 稍微贫铜的P型CIGS v基底温度较低的情况下（400C）蒸发In、Ga、Se形成一层In-Ga-Se预置层。控制原子比例In:Ga=0.7 : 0.3, In+Ga/Se=2:3v升高基底温度到57
3、0C，蒸发Se、Se.借助低熔点的Cu2-xSe,形成表面富Cu的CIGS薄膜。v少量的In,Ga,Se沉积以形成少量贫铜的CIGS薄膜。 溅射后硒化法v预置层硒化法Cu-In-Ga预置层的沉积预置层硒化热处理真空工艺非真空工艺H 2Se气氛Se气氛 预置层的硒化v硒主要通过扩散进入薄膜内部与金属预置层的Cu、In、Ga元素反应生成CuInxGa1-xSe2薄膜H2Se是 最 好 的 硒 源 ， 但 具有 毒 性 且 容 易 挥 发 ； 固态 Se作 为 硒 源 ， Se难 以 压制 ， 在 热 处 理 过 程 中 会 导致 In、 Ga等 元 素 的 损 失 。 真空硒化退火装置示意图 磁控溅射系统示意图磁控溅射制备预置层氩气Ar+靶材Cu、In、Ga基底辉光放电CIG预置层 铜铟镓硒（CIGS）薄膜产品与应用vCIGS太阳能电池的应用 市场应用前景v太阳能作为一种取之不尽用之不竭的清洁能源正在得到迅速的发展与应用。太阳能发电站、太阳能卫星供电、太阳能汽车充电等等。而作为太阳能能源转换媒介的太阳能电池扮演了重要的角色，其中作为第三代太阳能v电池：CIS系薄膜太阳能电v池，它具有优良的抗干扰、v耐辐射、使用寿命长转换v效率高等特点，注定了它v必然在未来的太阳能产业v链中大放异彩。
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