2021电子技术基础期末试卷(A卷)

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1、电子技术基础期末试卷(A卷)内蒙古应用技术专修学院2014 2021 学年第 2 学期电子技术基础期末考试卷(A卷)班级姓名学号一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。)1、半导体二极管加正向电压时,有()A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态3、三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏4、三极管电流源电路的

2、特点是()A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源VCC应当()A、短路B、开路C、保留不变D、电流源6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入()A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为()A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、N

3、PN型硅三极管8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为()A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍9、电流源的特点是直流等效电阻( )A、大B、小C、恒定D、不定10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为()A、U0=0.45U2B、U0=1.2U2C、U0=0.9U2D、U =1.4U2二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。)1.P型半导体中,多数载流子是空穴()2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降()3.二极管正偏时,电阻较小,可等

4、效开关断开()4.稳压二极管工作在反向击穿区域()5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()图2 三、填空题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。) 1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 _ _V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。2、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。3、二极管的最主要特性是 。结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。4、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。5、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的

5、是 电容,影响高频信号放大的是 电容。6、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的增加,则I BQ ,I CQ ,U CEQ 。7、三极管的三个工作区域是 , , 。集成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路。8、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V , V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 管(材料), 型的三极管,该管的集电极是a 、b 、c 中的 。9、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB ,总的电压放大倍数为 。10.三极管有三个电极,即发射极、 和集电极。二、简答题(本大题共2小题,每小题15分,共计30分。) 1简述影响放大电路频率特性的主要因素。2简述负反馈对放大电路性能的影响。

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