多晶硅生产企业安全技术指导书

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1、关于印发多晶硅生产企业安全技术指导书的通 知豫安监管201135号各省辖市安全生产监督管理局、各相关企业：现将多晶硅生产企业安全技术指导书印发给你们， 请遵照执行。附件：多晶硅生产企业安全技术指导书河南省安全生产监督管理局二0一年四月二十五日 附件：多晶硅生产企业安全技术指导书1、范围本指导书规定了多晶硅生产过程产生的各类危害因素应 采取的基本安全技术要求和措施，包括总图平面布局与通道、 防火防爆、防雷防静电、电气安全、生产装置安全、防尘防毒、 防噪声、防护用品、多晶硅作业安全和安全管理等方面内容。 适用于河南省境内用氯硅烷法生产多晶硅的生产企业。2、基本安全要求2.1基本规定2.1.1新建、

2、扩建、改建多晶硅生产企业（装置）应符合 本指导书的规定。暂不符合本指导书规定的现有多晶硅生产企 业，应采取综合预防、治理措施，达到本指导书要求。2.1.2新建、扩建、改建多晶硅生产企业的安全、卫生状 况，安全、卫生技术措施与管理措施应符合GB 12801-2008 生产过程安全卫生要求总则的规定；其安全设施设计专篇 应符合危险化学品建设项目安全设施设计专篇编制导则(试 行)；爆炸危险场所应当符合爆炸危险场所安全规定劳部 发199556号。多晶硅生产企业的新建、改建、扩建工程， 必须进行安全、环保和职业卫生评价，其安全、卫生、消防、 环保设施，应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入生产 和使用

3、。用于生产、储存危险化学品的多晶硅生产企业应进 行安全条件论证和委托有资质的机构进行安全评价；其建设项 目应委托具有化工设计乙级以上资质的设计单位设计;应委托 具有化工建设(安装)资格的单位负责施工。2.2总图功能分区与通道2.2.1多晶硅生产企业总图布置应符合建筑设计防火规 范(GB50016-2006)和石油化工企业设计防火规范(GB50160-2008)、化工企业总图运输设计规范 (GB50489-2009)的有关规定。2.2.2建筑物的耐火等级和防火间距符合建筑设计防火 规范(GB50016-2006)和石油化工企业设计防火规范 (GB50160-2008)的有关规定。2.2.3厂区消

4、防系统设计应符合建筑设计防火规范(GB50016-2006 )的有关规定。2.3.防火防爆分区与间距2.3.1同一防火分区内有不同性质生产时，其火灾分类， 应按火灾危险性较大的部分确定。多晶硅生产企业火灾危险性 分类和举例见附录A。2.3.2氯化氢与三氯氢硅合成装置、多晶硅还原装置、还 原尾气回收分离装置、四氯化硅氢化装置、电解水制氢装置、 氢气罐区、氯硅烷罐区等有爆炸危险厂房的泄爆面积应符合 GB50016-2006建筑设计防火规范(GB50016-2006)第 3.6节要求。2.3.3易燃易爆厂房内不应设置办公室、休息室。如必须 贴邻本厂房设置时，应采用一、二级耐火等级建筑，并应采用 耐火

5、极限不低于3h的非燃烧体防护墙隔开或设置直通室外或 疏散楼梯的安全出口。2.3.4若专用控制室、中控化验室必须与设有氯化氢与三 氯氢硅合成反应、四氯化硅氢化反应、多晶硅还原反应、电解 水反应等生产设备的房间布置在同一建筑物内时，应用非燃烧 体防火墙隔开和设置独立的安全出口潮向爆炸危险区域的应 采用防爆墙。防火墙的耐火等级应为一级。2.4贮存场所2.4.1构成重大危险源的氢气罐区和氯硅烷储罐区应严格 按照重大危险源的有关规定执行。2.4.2所有氯硅烷罐区都应按照该罐区单个最大容积储罐 配备备用储罐。2.4.3所有甲、乙类液体的轻便容器（如桶、瓶）存放在 室外时，应设置防晒棚或水喷淋（雾）设施。氯

6、硅烷贮罐区应 设防日晒设施或其他降温设施，甲、乙类液体贮罐阀门冬季应 有防冻措施。储存氯硅烷液体，应选用压力储罐。2.4.4厂区消防设施应按照建筑设计防火规范 （GB50016-2006）、建筑灭火器配备设计规范 （GB50140-2005）的相关要求配置。2.5消防、防雷、防静电2.5.1扑救四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、一氯三氢 硅、硅烷、等甲、乙、丙类液体应选用干粉灭火器。生产作业 场所应按GB50140-2005建筑灭火器配置设计规范的规 定根据火源及着火物质性质，配备适当种类、足够数量的消防 器材，并定期检查，保持有交攵状态。2.5.2生产作业场所的各类建、构筑物、露天装置、贮罐

7、应设置防雷设施。防雷措施及防雷装置应符合GB 50057-1994 （ 2002年版）建筑物防雷设计规范的要求。 防雷设施应由有资质的单位进行设计、安装和监测。2.5.3生产作业场所内可能产生静电危害的物体应采取工 业防静电接地措施，应符合GB 12158-2006防止静电事故 通用导则的要求。使用、贮存、输送、装卸、运输易燃易 爆物品（各类溶剂、氯硅烷、导热油、产生可燃性粉料等）的 生产装置（反应器、提纯塔、换热容器、贮罐、输送泵、装卸 设施和过滤器、易燃液体、气体管道阀门等）、装卸场所以及 产生静电积累易燃易爆的生产设施岗位都应有防静电接地措 施。各专设的防静电接地电阻值不应大于100Q。

8、2.5.4在输送和灌装过程时，应防止液体的飞散和飞溅， 以减少静电产生。从底部或上部入灌的注入管末端应设计成不 易使液体飞散的倒T形状或另加导流板；或在上部灌装时，使 液体沿侧壁缓慢下流。2.5.5易燃易爆液体应从槽车等大型容器底部注入，若不 得已在上部灌装时，应将注入管伸入容器内离其底部不大于 200mm处，在注入管未浸入液面前，其流速应限制在1m/s 以内。2.5.6装运危险化学品的汽车槽车装卸作业时应配带阻火 帽、静电接地链等设施，在装卸区应安装静电接地报警器，装 卸作业按照先接地再作业的原则进行。装卸工作完毕后，应静 置2min以上时间，才能拆除接地线。2.5.7氢气储罐区、氢气压缩机

9、房等重点防火防爆作业区 的入口处应设置人体静电消除装置（接地裸露金属体如栏杆、 金属支架等）。2.6电气安全2.6.1电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成 装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法 回收装置、四氯化硅氢化装置、氢气和氯硅烷罐区等爆炸性气 体环境电气装置应符合GB 50058-1992爆炸和火灾危险环 境电力装置设计规范第2章的要求，硅粉仓库等爆炸性粉尘 环境电气装置应符合GB 50058-1992爆炸和火灾危险环境 电力装置设计规范第3章的要求。2.6.2电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成 装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法

10、回收装置、四氯化硅氢化等生产装置中的DCS过程控制系统 应有ups备用电源，多晶硅还原炉冷却系统循环动力泵应有 其它备用电源或冷却水备用水箱。四氯化硅氢化、活性炭吸附 和多晶硅还原或其他工艺采用直接电加热方式，应采取电气防 爆措施，并符合GB 50058-1992爆炸和火灾危险环境电力 装置设计规范要求。2.6.3电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成 装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法 回收装置、四氯化硅氢化装置生产装置、氢气和氯硅烷罐区等 易燃易爆环境的电气设备和线路的安装和敷设应符合 GB50058-1992爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范、 GB50257-

11、1996爆炸和火灾危险环境电力装置竣工及验收规 范。2.6.4各种场所的电气设施防爆等级见附录。2.7生产装置安全2.7.1生产设备应具备基本安全功能符合GB5083-1999 生产设备安全卫生设计总则的通用安全要求。锅炉、压力容器、及其压力管道、电梯、电动葫芦、供垂 直运输物品的升降机、叉车等特种设备应当符合特种设备安 全监察条例要求。2.7.2建构筑物防腐应满足GB50046-95工业建筑防腐 蚀设计规范的要求。2.7.3生产工艺过程中接触氯硅烷介质的生产装置不宜采 用304不锈钢材料。2.7.4工业金属管道的材料、组成件的选用、布置应符合 GB 50316-2000工业金属管道设计规范的

12、要求。2.7.5工业管道的识别色、识别符号、安全标识应符合GB 7231-2003工业管道的基本识别色、识别符号和安全标识 要求。2.8相关安全装置2.8.1凡工艺上有放空的设备均应设放空装置，并定期检 查其有效性。用于易燃、易爆气体放空的安全阀及放空管，应 至少将其导出管高出建筑物屋脊1.0m以上，不应将导出管置 于下水道等限制性空间，以免引起爆炸。放空管应选用金属材 料，不应使用塑料管或橡皮管。其中释放压力大于等于 0.1MPa的放空管线应采用不锈钢材料。放空管上应设有阻火器，应静电接地。管口上应有挡雨、阻雪的伞盖。2.8.2易燃易爆液体严禁使用玻璃管液位计。2.8.3四氯化硅氢化反应器和

13、导热油电加热器温度控制装 置应有冗余设计，宜使用两套控制仪器，并定期校验。氢化反 应器及系统中的安全附件、安全保护装置、测量调控装置及有 关附属仪器应完整、齐全、有效。2.9安全标志2.9.1多晶硅企业生产作业场所应按GB 2894-1996 （安 全标志）的规定设置安全标志，或在建（构）筑物及设备上 按GB 2893-2001安全色规定涂安全色。2.9.2生产作业场所的紧急通道和出入口，应设置明显醒 目的标志。生产作业区入口及其他禁止明火和产生火花的场所 应有禁止烟火的安全标志。2.10职业危害控制2.10.1生产过程应严格控制粉尘、毒物的产生。存在严重 职业危害的作业岗位应按GBZ 158

14、-2003工作场所职业病危 害警示标识的规定设置醒目的警示标识和中文警示标志。2.10.2根据生产工艺和粉尘、毒物特性，采取防尘、防毒 通风措施控制其扩散，使作业场所有害物质及粉尘的浓度符合 GBZ 2-2002（工作场所有害因素职业接触限值）规定。多晶 硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度见附件B。2.10.3产生粉尘、可燃性气体烟雾的作业场所，应设排毒 或除尘净化的通风设施。通风设施应有防爆措施，风机与电机 应要求防爆隔爆等级。通风空气不应循环使用。2.10.4对于毒性危害严重的生产过程和设备，应设计可靠 的事故处理装置及应急防护措施。在有毒性危害的作业环境 中，应设置必要的洗眼器、

15、淋洗器等卫生防护设施，其服务半 径应小于15m。并根据作业特点和防护要求，确定配置事故 柜、急救箱或个人防护用品。2.10.5应从声源上控制生产过程和设备噪声，以低噪声的 工艺和设备代替高噪声的工艺和设备。2.10.6生产过程和设备的噪声应采取隔声、消声、隔振及 管理等综合措施，使操作人员每天连续8h接触的噪声不大于 85dB（A 作业场所噪声声级的卫生限值，应符合国家标准 GBZ 1-2002 （工业企业设计卫生标准）要求。2.10.7当室内作业地点气温等于或大于37C时应采取 局部降温和防暑措施，并应减少接触时间。在炎热季节对高温 作业的工人应供应含盐清凉饮料（含盐量为0.1%0.2% ）

16、。2.10.8当室内作业地点温度近十年最冷月平均温度等于 或小于8C的月份连续三个月以上的，应设置采暖设施，设置 采暖设施应符合GB50016-200（建筑设计防火规范）第10.2 节的要求。甲、乙类厂房和甲、乙类仓库内不应采用明火和电 热散热器采暖。2.11防护用品管理2.11.1对作业人员应采取个人防护措施，配备专用的劳动 防护用品。不同岗位作业人员配用劳动防护用品及劳动防护用 品质量性能应符合GB/T 11651-2008个体防护装备选用规 范的要求。易燃易爆场所作业人员应配用阻燃、防静电、防 酸碱的工作服、防毒口罩、工作手套等。2.11.2生产作业场所应配备呼吸防护器以及其他应急防 护

17、用品。呼吸防护器配备应符合GB/T 18664-2002呼吸防 护用品的选择、使用与维护的要求。2.12过程自动控制设计安全要求2.12.1系统DCS的操作站、控制器、通讯总线、I/O卡 件等应当考虑冗余要求。2.12.2提纯塔、三氯氢硅气化装置、还原尾气压缩机、氢 化反应器等重要设备应根据其内部物料的火灾危险性和操作 条件设置相应的仪表报警讯号，自动联锁保护系统或紧急停车 系统。2.12.3多晶硅生产装置中，采用DCS、PLC等执行监控 的生产装置仪表电源应采用ups备用电源，其后备电池供电 时间：15min-30min2.12.4氢气压缩机房、还原炉室、氯硅烷储罐区等区域内， 应设置可燃气

18、体检测报警仪。氯硅烷罐区的区域内，还应设置 有毒气体检测报警仪。2.12.5易燃易爆装置内的保护管与仪表、检测元件、电气设备、接线箱、拉线盒等的连接作业，应当符合 GB50257-1996爆炸和火灾危险环境电力装置竣工及验收规 范的有关要求。3、多晶硅生产作业安全3.1工艺控制及一般规定3.1.1企业应按照不同的多晶硅生产具体工艺及特点，根 据本指导书制定岗位操作规程。3.1.2多晶硅生产的工艺技术指标和中间控制指标应仔细 核对、严格控制，重要的控制指标应设管理控制点。更改指标 应有相应的安全保障，并经技术负责人批准。3.1.3加热设备、提纯设备、还原设备、氢化反应设备、 HCL与TCS合成设

19、备、制氢设备、干法回收设备、辅助设备 （过滤机、离心机、各类泵、空气压缩机、通风机、电动葫芦） 等生产设备的操作应按照安全操作规程进行。3.1.4系统开停车基本指导书3.1.4.1系统开车前应先检查并确认水、电、汽（气）必须符 合开车要求，设备及其安全附件完好，各种原料、材料、辅助 材料的供应必须齐备，合格，投料前必须进行分析验证。3.1.4.2检查阀门开闭状态及盲板抽加情况，保证装置流程 畅通,各种机电设备及电气仪表等均应处在完好状态。3.1.4.3保温、保压及洗净的设备要符合开车要求,必要时 应重新置换，清洗和分析，使之合格。3.1.4.4必要时停止一切检修作业，无关人员不准进入现场。3.

20、1.4.5各种条件具备后开车,开车过程中要加强有关岗位 之间的联络，严格按开车方案中的步骤进行，严格遵守升降温， 升降压和加减负荷的幅度（速率）要求。3.1.4.6开车过程中要严密注意工艺的变化和设备运行的 情况，加强与有关岗位和部门的联系,发现异常现象应及时处理, 情况紧急时应中止开车，严禁强行开车。3.1.4.7必须编制停车方案，正常停车必须按停车方案中的 步骤进行。用于紧急处理的自动停车联锁装置,不应用于正常 停车加强与有关岗位和部门的联系。3.1.4.8系统降压，降温必须按要求的幅度（速率）并按先高 压后低压的顺序进行。凡需保压、保温的设备容器等，停车后 要按时记录压力，温度的变化。3

21、.1.4.9大型传动设备的停车,必须先停主机，后停辅机.3.1.4.10设备（容器）卸压时，要注意易燃，易爆，易中毒等化 学危险物品的排放和散发都应进入尾气处理系统，防止造成事 故。3.1.4.11冬季停车后，要采取防冻防凝措施。3.1.5紧急处理。3.1.5.1工艺及机电设备等发生异常情况时，应迅速采取措 施，并通知有关岗位协调处理。如仍不可控，或发生爆炸、着火、大量泄漏等事故时，立即启动应急救救援预案。3.2三氯氢硅提纯3.2.1提纯塔开车。3.2.1.1应按照所开提纯塔的工艺操作规程（或作业本指 导书）的要求操作。3.2.1.2提纯塔进料前要确保所有相关设备、阀门、管道 均已打压检漏吹扫

22、合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常 投用。3.2.1.3该提纯塔以及相关所有设备管道用高纯氮气置换 合格（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45。0。3.2.1.4应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，注意 进料流量，升温升压速度，防止因为升压过快引起塔失去控制， 发生事故。在开塔过程中注意，冷热源的投入必须遵循先冷 后热的原则，先通冷却介质，再通加热介质，在通入热源之 间要先进料，应避免加热设备干烧的状况。3.2.2提纯塔运行控制3.2.2.1提纯塔运行中要严格按照工艺操作参数控制，不 应超过所有参数的控制范围。3.2.2.2提纯塔运行中如果出现泄漏时应立即采取停塔处 理措施，

23、停止加热，停止进出料，打开尾气阀门泄压，通入高 纯氮气，防止因为泄漏出现着火爆炸等次生事故。如果条件允 许，可使用带压堵漏工具对泄漏部位进行封堵，否则待压力降 低后将塔内物料倒出，高纯氮气置换，分析合格后再对泄漏部 位进行处理。3.2.2.3提纯塔运行中要精心观察各参数运行是否异常， 定期对循环水ph值及系统压力进行检测，以确保在换热器泄 漏时能够及时发现处理。3.2.3提纯塔停车3.2.3.1提纯塔停车时应遵循先热后冷的原则，当提 纯塔所有进出料停止，与其他系统断开后，先停止热源，保持 冷却水继续运转，待塔内温度降下来、塔压维持稳定后方可关 闭冷却循环水。停塔过程中应随时监视塔内压力和温度情

24、况。3.2.3.2提纯塔停塔后依据实际情况进行后续处理。如停 塔后不需检修且物料没有倒出，则要继续监视塔内各个参数， 保证塔内各参数正常，且保持微正压；如需要检修，则应把塔 内所有物料倒出，高纯氮气置换合格后进行检修。3.3还原尾气干法回收3.3.1还原尾气干法回收系统开车。3.3.1.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程 （或作业本指导书）的要求操作。干法回收系统进料前要确保 所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表 监控装置经校验合格并正常投用。3.3.1.2所有相关设备管道先使用高纯氮气置换（经检测 后氮中氧小于5000PPm ,露点小于-45。0,合格后再使用高 纯

25、氢气置换，氢气置换合格（氢中氮小于5000PPm，氢中氧 小于10PPm ）后才可以进料。3.3.1.3干法回收系统进料后，循环降温的过程中要加强 现场巡检，防止因为系统温度降低造成的泄漏。降温过程中严 格控制降温速度，防止低于设备承受温度而发生的设备损坏。3.3.2还原尾气干法回收系统运行控制。3.3.2.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程 （或作业本指导书）的要求操作。在干法回收系统运行期间， 操作者要精心调整，确保各个参数都保持在正常范围内。3.3.2.2正常运行时突然停水，停电，泵、压缩机、冷冻 系统会立刻跳停，鼓泡淋洗系统压力会迅速升高，应立即开启 鼓泡淋洗系统尾气阀门泄压，

26、停止向还原系统供料，操作人员 严密监控各个参数，一旦出现超压现象应及时泄压。3.3.2.3氢气或物料泄露，应立即将泄漏部位与其它部分 断开，利用尾气管道泄压，当系统压力低于氮气系统压力时， 向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中可燃物质含量，避免发 生着火爆炸等次生事故。3.3.2.4运行中要定时对各个部分气体以及物料进行检测 （成分、杂质），通过检测结果对控制参数进行适当的调整，以 优化系统的运行效果。3.3.3还原尾气干法回收系统停车3.3.3.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。3.3.3.2干法回收系统停车过程中，要注意各参数是否异 常，特别是鼓泡淋洗系

27、统和脱吸塔压力是否异常（不能超过系 统设定压力），随时做好泄压的准备。3.4四氯化硅氢化3.4.1硅粉与触媒加料。3.4.1.1应按照氢化系统和混料机的工艺操作规程（或作 业本指导书）的要求操作。3.4.1.2硅粉与触媒下料时应打开除尘装置，控制加料速 度，防止固体粉尘飞扬。操作者应佩戴相关劳动防护用品。3.4.1.3加料完成后关闭活化干燥器加料阀门，并加上盲 板（按AQ3027-2008要求），升压检漏合格后方可进行下一 道工序。3.4.2硅粉与触媒的活化干燥。3.4.2.1应按照氢化系统和氢气加压净化系统的操作规程 （或作业本指导书）的要求操作。3.4.2.2进氢气前要确保所有相关设备、阀

28、门、管道均已 打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投 用。3.4.2.3系统运行前要确保高纯氮气置换合格（经检测后 氮中氧小于5000PPm，露点小于-45。0。氢气置换合格（氢 中氮小于5000PPm，氢中氧小于10PPm ）3.4.2.4活化干燥过程中要严格按照触媒的升温曲线进行 升温，升温过程要严格监控系统各参数的变化情况，升温速度 不能过快，防止设备管道因为短时间内形变过大而造成的损 坏。所有电加热设备运行时必须确保有足量的气体流动，避免 因为局部过热造成设备、管道发生泄漏。3.4.2.5活化干燥过程中发生氢气泄漏着火时，要立即停 止所有运行设备，切断氢气来源，及时通入氮

29、气，利用各个尾 气点泄压。同时利用干粉灭火器、二氧化碳灭火器或氮气及时 扑救。3.4.3氢化反应过程运行控制。3.4.3.1应按照氢化系统的操作规程（或作业指导书）的 要求操作。3.4.3.2进氢气前要确保所有相关设备、阀门、管道均已 打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投 用。3.4.3.3运行前应确保氮气置换合格（经检测后氮中氧小于 5000PPm，露点小于-45。0，氢气置换合格（氢中氮小于 5000PPm，氢中氧小于10PPm ）。3.4.3.4混合气预热炉附近等氢化系统关键部位，应按照 氢气使用安全技术规程（GB4962-2008 ）安装氢气报警装 置，按照石油化工可燃

30、气体和有毒气体监测报警设计规范 （GB50493-2009 ）安装氯化氢报警装置。3.4.4停车氧化抽渣。3.4.4.1应按照氢化系统的操作规程（或作业指导书）的 要求操作。停车时要遵循先热后冷的原则，先停止所有的 加热设备，压缩机继续运转，当系统温度降至规定值之下，再 停止降温设备和压缩机。3.4.4.2停车后将系统内剩余物料倒出，压力卸为微正压， 开始氮气置换。氮气置换合格后（氮中氢小于5000PPm）， 将氢化系统与其他系统加盲板断开。3.5三氯氢硅还原。3.5.1三氯氢硅还原系统开车。3.5.1.1开车应按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指 导书）要求进行操作。3.5.1.2开车前

31、要确保所有相关设备、阀门、管道均已打 压检漏吹扫合格；氮气置换合格（检验以氮中氧5000ppm 视为合格）；氢气置换合格（检验以氢中氮1000ppm，氢中 氧10ppm视为合格），氢气置换合格后系统具备开炉条件。3.5.1.3还原炉装置区间、混合气体工艺管路室内输送区 间的屋顶必须装置可燃性气体实时监测装置，经校验能监测出 低浓度氢气（如氢气爆炸下限的1/10以下）等可燃性气体。3.5.1.4应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，硅芯 高压击穿时人员禁止触摸还原炉及与其相连的任何管路设施； 启炉成功后注意进料流量，升温升压速度的平稳控制，防止因为升压过快出现泄漏事故。3.5.1.5开车过程中，

32、现场巡检监护人员应携带移动式可 燃性气体报警仪、防毒面具、防爆对讲机等，一旦检测到有泄 漏状况，在采取自我防护措施的前提下，及时与中控室取得联 系，并服从指挥，按照应急预案进行处理。3.5.2三氯氢硅还原系统运行控制3.5.2.1运行应按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作 业指导书）要求进行操作。3.5.2.2建立巡检监测制度：及时巡检炉内情况，并监测 炉内压力，进出气温度压力变化；适时检查还原炉连接电缆、 接头等运行状况，防止过热烧红现象发生。发现异常，按应急 预案进行处理。3.5.2.3定时进行巡检，记录工艺运行参数，并比照前后 运行参数，防止系统出现异常。3.5.3三氯氢硅还原系统停车。

33、3.5.3.1按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指导 书）要求进行操作。3.5.3.2还原炉停混合气后，应先通氢气进行置换，硅棒 断电后，应待还原炉出气温度降低至100C以下再通入氮气进 行置换，使氮中氢在氢气爆炸下限1/10以下。3.6危险化学品运输、装卸作业3.6.1危险化学品运输3.6.1.1危险化学品运输应具有运输危险化学品货物经营 资质，应专车专用，应设有车辆消防安全设施，并有明显标志。 3. 6.1.2汽车运输、装卸危险货物作业应符合JT 617-2004（汽 车运输危险货物规则）、JT 618-2004 （汽车运输、装卸危险 货物作业规程）规定。汽车运输危险货物车辆标志应符合

34、GB 13392-2005（道路运输危险货物车辆标志）要求。3.6.2危险化学品装卸3.6.2.1应按照危险化学品装卸车的操作规程（或作业指 导书）的要求操作。3.6.2.2运输氯硅烷的槽车设计压力不得低于0.6Mpao3.6.2.3车辆进入装卸位置后，应先接好防静电导线，隔 离装卸车区域，禁止其他车辆进入装卸车区域。3.6.2.4氯硅烷装卸作业应使用承压能力不低于0.6Mpa 的耐压软管，连接形式必须采用法兰连接；3.6.2.5雷雨天不得进行氯硅烷装卸车作业，当物料装卸 区有动火作业时应停止装卸作业。3.6.2.6氯硅烷装卸车过程发生泄漏时应立即将泄漏部位 与其它系统断开，操作人员穿戴防护用

35、品将物料压入事故罐 内，然后根据泄漏部位的具体情况确定处置方法。3.7公用工程3.7.1氢气站的生产应严格遵守GB50177-2005氢气站 设计规范和GB4962-2008氢气使用安全技术规程的有关规定。3.7.2热能转换系统应按照设计要求向工艺系统提供加热 或冷却介质，生产操作时按照工艺技术规程、安全操作规程（或 作业指导书）执行。3.7.3循环冷却水的水质符合GB 50050-2007的规定， 水质稳定剂须经化验并确认符合要求才能投入生产使用；水质 稳定剂的存放地点符合安全要求。3.7.4生产装置各10kV配电站应为双回路供电，母联具 有备自投功能。当一路电源事故跳闸时，可自动切换至另一

36、电 源供电。其设计容量应满足单电源带全部负荷运行。3.7.5所有变配电站均为两台及以上配变变压器运行，互 为备用，其低压具有手动合环运行功能，变压器容量应满足单 台变压器同时带低压全部负荷运行。4、安全管理体系企业应以保证多晶硅生产过程安全、卫生为目标，建立全 员安全生产责任制和相应的安全标准化管理体系。附录入：多晶硅生产企业火灾危险性分类A.1火灾危险性分类多晶硅生产中危险化学品的火灾危险性按照GB50016-2008建筑设计防火规范的规定。A.1.1可燃危险化学品的火灾危险性分类表序号危险化学 品名称危险类别闪点C自燃点C爆炸极限(V/V)火灾危 险类别下限上限1超细硅 粉第41类易燃固4

37、本775160mg/m乙类2氢气第2.1类易燃气4本4004.174.1甲类3三氯氢 硅第4 3类_rT.y；遇湿易，物品然13.91756.970.0甲类4二氯二氢f第2.3 圭有毒气4本85*4.199.0甲类*在潮湿空气中，会发生局部放热反应，实际发生闪爆的环境温度往往大大低于该自燃点，这是造成目前发生最多的多 晶硅企业爆炸事故的原因。A.2防爆等级划分A.2.1爆炸性气体环境危险区域按照GB 50058-1992第 2章第2节的规定划分。A.2.2粉尘环境危险区域按照GB 50058-1992第3章第 2节的规定划分。A.3多晶硅生产装置火灾危险性分类A.3.1氢氧站生产装置、氯化氢合

38、成装置、三氯氢硅合成 装置、氯硅烷分离与提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气回 收与分离装置、氢气罐区、氯硅烷罐区的火灾类别为甲类易燃 易爆作业场所，属爆炸性气体环境；A. 3.2硅粉库生产装置火灾类别为乙类，属爆炸性粉尘环 境。附录8 :多晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度B. 1多晶硅生产场所空气中有毒物质及粉尘容许浓度序号危险化 学品名 称危险类别健康危害特 性毒性危害级别工作场接触限值mg/m3MACTWASTEL1硅粉第4.1类易燃固体矽肺1.532氢氟酸第8.1类酸中毒、灼伤n2性腐蚀品13硝酸第8.1类酸性腐蚀品中毒、灼伤1m4氢氧化 钾第8.2类碱 性腐蚀品灼伤1IV2

39、5氢氧化 钠第8.2类碱 性腐蚀品灼伤1IV0.5226压缩氩 气第2.2类 不燃气体窒息7压缩氮 气第2.2类 不燃气体窒息8氯气第2.3类有毒气体中毒、窒息n19氢气第2.1类易燃气体窒息10三氯氢 硅第4.3类遇湿易燃物中毒、灼伤 品m311与刍硅L 第2.3有毒气体中毒、灼伤m12四氯化 硅第8.1类酸性腐蚀品中毒、灼伤1m13氯化氢第2.2类中毒、灼伤m7.5不燃气体14盐酸第8.1类酸性腐蚀品中毒、灼伤1m7.5附录C多晶硅生产过程中的危险、有害因素（资料性）C.1危险因素C.1.1火灾火灾发生必须具备空气（氧气）、可燃物质、引燃（爆） 能量三个条件。当氢气或氢气与氯硅烷混合气或三

40、氯氢硅（二 氯二氢硅、一氯三氢硅）泄漏时，遇明火或静电等其他能量引 燃容易引起火灾；氢气或氢气与氯硅烷混合气或三氯氢硅（二 氯二氢硅、一氯三氢硅）容器管道破裂时遇明火或静电等其他 能量引燃容易发生火灾。C. 1.1.1可燃物质a）氢气、三氯氢硅、二氯二氢硅、一氯三氢硅、导热油。b）生产过程中在某些生产装置内形成的未彻底水解的浅 黄色干燥团状或块状物质，这些物质具有较强的燃烧性，往往 在脚踩的情况下即可发生燃烧。c）活性炭等、超细硅粉（包括还原过程中产生的超细无 定型硅）。D. 1.1.2引燃能量a）明火或高温物体表面:氢气电加热器、还原炉运行状态、 作业场所内部或外部带入的烟火、照明灯具灼热表

41、面，设备、 管道、电器表面的过高温度、气焊割明火、机动车排气管喷火、 烟囱飞火花等；b）摩擦冲击：机械轴承发热，钢铁工具、铁桶和容器与地 面相互碰撞或与地坪撞击，带钉鞋与地坪撞击等；c）电器火花：电路开启与切断、短路、过载，线路电位差 弓I起的熔融金属，保险丝熔断、外卜露的灼热丝等，击穿产生的 拉弧等；d）静电放电：氯硅烷设备、容器、管道静电积累或容器、 管道破裂，等；e）雷电；f）化学能：自燃（二氯二氢硅、一氯三氢硅），物质混合 剧烈放热反应（三氯氢硅、二氯二氢硅），一氯三氢硅水解放 热自燃等；g）日光聚焦。C.1.1.3增加燃烧危险的因素a）密闭空间富氧状态；b）火灾时继续通风；c）盛装易

42、燃易爆液体的压力容器、管道破裂与容器倾复后 的流淌和扩散；d）比空气重的氯硅烷蒸气积聚e）室内气温高。C.1.2爆炸a）密闭空间及通风不良处所，易燃气体及粉尘积聚达到 爆炸极限，遇到火源瞬间燃烧爆炸。b）氢气、氯硅烷或二者混合气大量泄漏，遇到火源瞬间 燃烧爆炸。c）二氯二氢硅泄漏后，遇空气中的水分，即会发生局部 放热反应而发生爆炸。d）还原炉开炉误操作，导致在有氢气或氢气与氯硅烷化 合物与空气共存时，通电形成爆炸。e）氯化氢合成点火误操作，形成氢气与氯气混合后光照反 应，导致爆炸等。f）容器或管道因超压或超温发生的爆炸。C.1.3中毒生产性物质：氯气、氯化氢、氯硅烷、氢氟酸等生产性有 毒物质，

43、通过呼吸道、消化道及皮肤侵入人体或眼睛。有的可 刺激粘膜（上呼吸道）或视网膜，有的可引起过敏反应或皮炎， 有的造成急、慢性中毒C.1.4灼伤三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅等介质遇水反应，均放 出有毒的腐蚀性气体-氯化氢。盐酸、氢氟酸、硝酸、氢氧化 钠、氢氧化钾等更是直接腐蚀介质，人体在生产活动中因物料 迸溅、泄漏、意外接触等原因，有被这些腐蚀性介质灼伤的可台匕 能匕。C.1.5窒，息多晶硅生产过程中涉及惰性气体（氮气、氩气）的地方较多。 因此，多晶硅生产过程生产过程中，窒息事故也经常发生。 在使用、生产上述物质的水电解制氢、多晶硅还原、还原尾 气干法回收、四氯化硅氢化、活性炭吸附、四氯化硅综合利 用，以及配套建设的动力中心、氯硅烷罐区等场所，均存在 中毒窒息的危险。生产过程或装置中引入氮气作为保护气、 置换时使用氮气、硅芯拉制过程中用氩气作为保护气等，一 旦保护措施不到位均可造成窒息事故。