SDRAM、DDR和DDRII三种内存的区别

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1、SDRAM、DDR和DDRII三种内存的区别SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；DDR内 存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据, 因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达 到更高的数据传输率。MIL- - - r-n- -rUMNIllllillllJIli ir艮I片忸r二L-二二=一竺uirr:一:1 Ws5=i=-=S.E-H11C9-pin 10n(double RAS) DIMM缶nfedurb | iHiurtcr5.25与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同

2、步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步 骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了 DLL（Delay Locked Loop，延时锁定 回路提供一个数据滤波信号）技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来 精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据oDDL本质上不 需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读 出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。 但DDR为184针脚，比SDRAM多出了 16个针脚，主要包含了新的控制、时

3、钟、电源和 接地等信号DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V 电压的LVTTL标准DDRII内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支 持到533Mhz到667Mhz，标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,工作电压为1.8V DDRII采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接 口标准DDRII和DDR 样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是 最大的区别在于，DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BI

4、T预读取， 这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的 获得两倍于DDR的完整的数据传输能力DDRII内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制看下另一篇A_ADDRII与DDR的区别与DDR相比，DDRII最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR 内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为 对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDRII内存上仍

5、 然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数 据。DDRII与DDR的外观区别示意图Memory moduleDDRmm134567 S 910111213与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDRII内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据， 比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDRII内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDRII内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主 板才能搭配DDRII内存，因为DDRII的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样， DDRII

6、的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDRII内存的VDIMM电压为1.8V,也和DDR内存的2.5V不同DDRII的定义：DDRII（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC （电子设备工程联合委员会）进行开发 的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了 在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDRII内存却拥有两倍于上一代 DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDRII内存每个时钟能够以4 倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行此外，由于DDRII标准规

7、定所有DDRII内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDRII内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从 第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术， 第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随 着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定 运行频率的DDRII内存将是大势所趋。我的观点 DRII不到DDRII667体现不了优势，但如果

8、升级的话要注意接口,主板和CPU的支持.想进一步了解，请看一组DDR和DDRII技术对比的数据。1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDRII的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDRII 内存拥有两倍于标准 DDR 内存的 4BIT 预读取能力。换句话说，虽然 DDRII 和 DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDRII拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDRII则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和 DDRII 内

9、存中，后者的内存延时要 慢于前者。举例来说， DDR 200 和 DDRII-400 具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽 实际上，DDRII-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/S，但是DDR400的核心 工作频率是200MHz，而DDRII-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDRII-400的延 迟要高于 DDR400。2、封装和发热量：DDRII 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于 DDR 的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ 限制。DDR 内存通常采用 TS

10、OP 芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在 200MHz 上，当 频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提 升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDRII内存均采用FBGA 封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式， FBGA 封装提供了更好的电气性能与散 热性，为 DDRII 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDRII内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。DDRII 采用的新技术：除了以上所说的区别外，

11、 DDRII 还引入了三项新的技术，它们是 OCD、 ODT 和 PoSt CAS。 OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的 完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使 用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。ODT： ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数 据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内 存模组对终结电路的要求是不一样的，终结

12、电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终 结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是 信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度 上影响信号品质。 DDRII 可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信 号波形。使用DDRII不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比 拟的。Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(AdditiveLatency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了 RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。总的来说，DDRII采用了诸多的新技术，改善了 DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决真够专业的描述！无论是电气规格，还是性能、特点，条理清晰。