模拟电路0102 第一讲 半导体二极管伏安特性
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1.1 1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识+32+14.硅和锗原子结构图 .图1.1.2+4+4.+4.+4+4.+4.+4+4+4.图1.1.3+4+4.+4.+4+4.+4.+4+4+4.自由电子空穴K300TK300Tiipn TTEgeTA(T)p(T)nk223ii0K300T310iicm/1043.1 pn313iicm/105.2 pn图1.1.4+4+4.+4.+4+5.+4.+4+4+4.施主原子2inpnddNNpnpN d)/(d2iNnp 图1.1.5空穴+4+4.+4.+4+3.+4.+4+4+4.受主原子2inpnaaNNnpPNPN结的形成动画结的形成动画。.U2idaT2inPTlnlnnNNUnnpUU对称结对称结:当P区和N区杂质浓度相等时,PN结的负离子区和正离子区的宽度也相等;空间电荷区任一侧的宽度与该侧掺杂浓度成反比,空间电荷区主要向低掺杂一侧扩展。FIFUFIRISISI11TSSUUTkUqeIeIIUTUTSUUeII TUSIIBCnUuCC1B0BuQuQuQCpnDDCDBJCCCDJBDCCCC,BJDBCCCC,+_正极负极电流方向
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