《材料物理科学》的复习题bya

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1、材料物物理科学学课程程复习题题1简述材材料的分分类和新新材料的的特点、要要求和发发展方向向。工程上分分：金属属材料，无无机非金金属材料料，有机机高分子子材料及及复合材材料按状态分分：单晶晶，多晶晶，非晶晶，准晶晶和液晶晶按化学角角度分：无机材材料与有有机材料料按应用分分：信息息材料，能能源材料料，生物物材料，建建筑材料料，航空空航天材材料等按用途分分：结构构材料和和功能材材料商品化程程度分：传统材材料和先先进材料料新材料的的特点要要求： 结结构和性性能相结结合,智智能化,减少污污染,可可再生性性,节省省能源,长寿命命新材料发发展方向向（讲义义4-55页） 纳米材材料,先先进多相相复合材材料,高

2、高温超导导材料,智能材材料,生生物医学学材料2简述材材料的成成分结构构和性能能的关系系。(不不全)材料的性性质取决决于材料料的结构构。材料的结结构，是是指材料料的组元元及其排排列和运运动方式式。它包包括形貌貌，化学学成分，相相组成，晶晶体结构构和缺陷陷等内涵涵3简述计计算机模模拟在材材料物理理学科中中的作用用。计算机模模拟是一一种根据据实际体体系设计计，在计计算机上上进行的的模型实实验。通通常将模模拟结果果与实际际体系的的实验数数据进行行比较。可可以检验验出模型型的准确确性，也也可以检检验由模模型导出出的解析析理论所所作的近近似是否否成功。此此外，在在模型上上获得的的微观信信息，常常常比在在实

3、际体体系上所所作的实实验更为为详细。往往往是在在通常实实验条件件下很难难获得的的信息。此此外，计计算机模模拟对于于理论的的发展也也有重要要的意义义，它能能为现实实模型和和实验中中无法实实现的探探索模型型作详细细的预测测，并提提供方法法。如材材料在极极端压力力或高温温下经历历相变的的四维体体系等计算机模模拟由于于有计算算机图形形学的帮帮助，不不但能使使模拟易易于观察察和易于于理解，而而且可进进一步与与计算机机技术中中刚开创创的虚拟拟现实的的新领域域相结合合。在虚虚拟现实实中，计计算机模模拟的不不结果不不仅可用用计算机机图形学学表达，而而且也能能用五官官来感受受。用计算机机辅助设设计和模模拟的专专

4、家系统统进行材材料设计计，可以以摆脱实实验先行行的研究究方法，用用较少的的实验，较较短的研研制过程程，就能能获得较较为理想想的材料料。材料料科学走走计算机机辅助设设计和计计算机模模拟之路路，从理理论和实实际两个个方面向向人们提提供了材材料研究究由必然然到自由由的可能能。4简述材材料物理理中各种种键合的的特点。键类型相应晶体体的特点点离子键具有明显显的空间间取向性性。形成成的晶体体高的熔熔点、强强度和硬硬度，而而热膨胀胀系数较较低原原子间结结合力很很强。离离子晶体体是绝缘缘体。但但在熔化化状态，可可借助于于离子迁迁移导电电共价键具有饱和和性和明明显的空空间取向向。高熔熔点、硬硬度和强强度。形形成

5、晶体体是绝缘缘体，而而且在液液态也不不能导电电。金属键没有饱和和性和方方向性。具具有导电电性、导导热性和和可塑性性。范德华键键没有方向向性和饱饱和性，晶晶体结构构主要取取决于几几何因素素，因而而趋于密密堆结构构。这种种晶体也也是绝缘缘体5魏德曼曼-弗弗朗兹定定律说明明了什么么？K3(kke)2T 式中k是是玻尔兹兹曼常数数, ee是电子子电荷，TT是温度度；解释释了金属属的高电电导()和热热导(KK)特性性；也解解释了金金属的光光学特性性。这个个理论的的不足之之处是从从电子的的总能量量过高地地估计了了电子的的比热。电电导和热热导的两两种输运运过程,如果TT变化,会引起起两种输输运的变变化6简述

6、电电子化合合物的特特点？如果考虑虑K空间间的电子子状态(称做电电子结构构),则则可以从从晶体结结构的稳稳定性考考察传导导性能等等金属各各种性 质。在在最简单单的情形形下，合合金的电电子结构构特征用用每个原原子的平平均价电电了数(n)的的函数表表示。尤尤其是CCu和CCu合金金中，由由n产生生稳定的的晶体结结构有规规则地变变化，即即n=11的纯铜铜是面心心立方相相，而CCuZn合合金中，ZZn的浓浓度增加加，当nn达到11。388时，保保持面心心立方结结构(-黄铜铜)，nn超过11。388则成为为体心立立方（）相，即即黄铜，当当n在11。588 11。666之间，则则成为稍稍微复杂杂结构的的黄铜

7、，nn在1。778 1。887之间间晶体取取密排六六方结构构，不仅仅Zn元元素如此此，加入入其他合合金元素素，这个个经验规规律也成成立，称称为休模模饶塞里里规律。把把服从这这一规律律的合金金称做电电子化合合物。7请罗列列出材料料中缺陷陷类型和和特征。晶体缺陷陷大致分分为两类类：化学学缺陷和和点阵缺缺陷(1)化化学缺馅馅：置换换型固溶溶洽原子子，间隙隙型固溶溶原子，析析出物(2)点点阵缺陷陷：A 点缺陷陷：原子子空位，间间隙原子子 B 位错：刃型位位错，螺螺型位错错，混合合位错 C 面缺陷陷：层错错，相界界，晶界界 D 体缺陷陷：空腔腔，气泡泡点缺陷的的特征：点缺陷陷是晶体体在热平平衡状态态下存

8、在在的唯一一点阵缺缺陷。能能量越小小点缺陷陷存在的的越多。位错的特特征：位位借是晶晶体中存存在的唯唯一线缺缺陷，对对晶体塑塑性变形形起重要要作用。位错周围产生长程应变场，应变能非常大，在晶体内部位错位置移动，晶体的外形才变化。8就你的的理解，给给出相变变的定义义。一定条件件下（温温度，电电，磁力力等外场场）由一一种凝聚聚态向另另外一种种凝聚态态转变的的过程9简述相相变的分分类。按热力学学分类分分为一级级相变,二级相相变。按相变方方式分为为成核长长大型和和连续型型相变。按质点迁迁移特征征分为扩扩散型和和非扩散散型。非非扩散相相变中具具有代表表性的是是马氏体体相变，它它是原子子相互之之间不改改变其

9、位位置关系系，而是是由协调调运动发发生的相相变。相相反，扩扩散相变变是原子子被热激激活离开开原来的的阵点位位置，向向邻接的的位置移移动，即即把扩散散过程作作媒介发发生的相相变。共共析反应应，磁铁铁分解等等各种析析出反应应(相分分离过程程)和有有序无序序转变都都是这种种相变的的例子。其其它的转转变如同同素异构构转变，许许多情况况下可以以是扩散散转变。10叙述述一级相相变与二二级相变变在物理理图象特特征及差差异。一次相变变自由能能一阶导导数不连连续，有有潜热放放出，体体积变化化，为非非连续相相变，新新相产生生明显。二次相变变自由能能一阶导导数连续续，二阶阶导数不不连续，比比热容，可可压缩性性，热膨

10、膨胀系数数等发生生变化，为为动态变变化趋势势，一种种趋势掩掩盖另一一种趋势势。11有序序-无序序转变与与相分离离说明了了什么？不同原子子无规则则地占有有晶格，两两种原子子或离子子相互间间呈随机机分布，没没有一定定秩序，称称为无序序;占据据方式有有规则的的，各种种原子或或离子都都有使其其周围为为异种原原子或离离子排列列的趋势势，称为为有序。温温度变化化引起有有序相转转变到无无序相(或者与与之相反反)的相相变现象象，称为为有序无无序转变变。而相相分离是是由单一一相分为为两个或或以上相相的现象象。在公公式Tcc = - ZZV22k中,如果VV0,说明会会出现相相分离倾倾向,即即同类原原子作用用时更

11、稳稳定,出出现同类类相吸,异类相相斥现象象,而当当V0的物质被磁场吸引， 0称为顺磁性，铜之类的物质 0，称为反磁性或者抗磁性。所有原子自旋同向排列的状态称为铁磁性，与此相反，原子自旋相互反向排列的状态称为反铁磁性。反铁磁体中不发生自发磁化，而且反向原子自旋的大小不同时，称为亚铁磁性。除此之外，有的物质，原子自旋之间有两个以上磁的相互作用，呈现相互倾斜成一定角度的自旋排列，称为螺旋磁性。对反铁磁体和亚铁磁体施加一个强磁场，则有的物质颠倒反向自旋，变成铁磁体，这种现象称为变磁性。21 说说明结构构有序与与磁有序序（或电电激化有有序）的的区别。结构有序序是指原原子的占占据方式式是有规规则的,晶体点

12、点阵为有有序点阵阵。磁有序是是指磁矩矩排列的的有序，而而不是通通常意义义上的原原子排列列有序或或者无序序22简述述软磁材材料与硬硬磁材料料在磁性性参量方方面的要要求和这这两类材材料的用用途。软磁材料料:在软软磁材料料中因磁磁场小，磁磁化必须须急剧升升高，起始磁磁导率必必须大。分分为弱电电用变压压器、磁磁头所要要求的高高磁导率率材料和和电力用用变压器器电源变变压器，电磁铁磁极所要求的高磁通密度材料。后者在施加大磁场状态下进行变电，因此要求残余磁通密度大，矫顽力小。磁滞回线的面积表示变压器每个周期的能量损失(称为铁损)。为使铁损减少，矫顽力必须小。剩磁和矫顽力都很小。用途:硅钢片,低碳物,制作电机

13、,变压器,电磁铁等电器的铁心。硬磁:HHc具有有大值、高矫顽力,除去外场后仍然保持高的的剩余磁化强度。用途:常用来制造各种永磁体,扬声器的磁钢和电子电路中的记忆元件,硬盘。23什么么是局域域磁性？什么是是巡游磁磁性？铁磁性材材料基本本上都有有若干未未满的d壳层层电子，而而且由于于d壳层层电子比比较局域域化，所所以每个个原子的的磁性就就比较强强，所以以相邻原原子容易易互相感感觉到其其他原子子的磁性性，从而而取得相相同取向向形成介介观到宏宏观磁畴畴（在居居里温度度以下）；在外场场下，这这些磁畴畴排列有有序，显显示出宏宏观强磁磁性，铁铁，钴，镍镍等均属属此类。这就是局域磁性。而其他一一些金属属，比如

14、如铝，铜铜，碱金金属之类类，由于于没有局局域未成成对电子子，这些些电子巡巡游在整整个晶体体里。巡巡游电子子的既具具有抗磁磁性，又又具有顺顺磁性。计计算表明明，巡游游电子的的顺磁性性是抗磁磁性的33倍，所所以净效效应为顺顺磁性。像像铝，铜铜，钠这这样的金金属，是是可以被被磁铁吸吸引的，只只是常温温下很弱弱不容易易觉察，但在低温下这个效应会大大加强。这就是巡游磁性。24简述述磁畴存存在的原原因，软软硬磁材材料对磁磁畴和畴畴界有何何要求？（不明明）磁畴存在在的原因因：为了了使外部部不产生生N，SS磁极，即降低由由于自发发磁化所所产生的的静磁能能。软磁要求求畴界容容易移动动。硬磁要求求畴界很很难移动动

15、。25。 比较ffcc,bccc何hccp三种种晶体结结构的磁磁各向异异性。画画一个磁磁滞回线线（包括括磁化曲曲线），并并标出有有关磁性性参数。对晶体结结构为bbcc的的-Fee来说，在在(1000)方方向上施施加一 个 磁场时时最容易易被磁化化，与此此相反，在在(1111)方方向上最最难被磁磁化。晶晶体结构构为fccc的镍镍则和-Fee相反。它它们分别别称为易易磁化方方向和难难磁化方方向,室室温下为为hcpp的钴，cc轴是易易磁化方方向，cc面内是是难磁化化方向。26简述述因瓦合合金热膨膨胀系数数为零或或极小的的物理实实质。热膨胀引引起的晶晶格延伸伸和磁性性消失引引起的晶晶格收缩缩达到平平衡

16、。27简述述吸附的的原因和和分类。吸附的根根本原因因是界面面处晶体体结构有有严重畸畸变或有有残留的的未配对对键。吸吸附使这这种畸变变减小或或使键饱饱和降低低系统的的自由能能。吸附分为为物理吸吸附和化化学吸附附两类。发发生物理理吸附时时，衬底底表面与与被吸附附原子之之间主要要是范德德华色散散力的作作用，它它是一种种电矩间间的相互互作用，此此时不发发生原子子间的电电荷转移移。化学学吸附又又分为离离子吸附附和共价价吸附。发发生离子子吸附时时，吸附附的原子子或分子子会捕获获或释放放出载流流子或空空穴。共共价吸附附是表面面与吸附附物之间间产生局局部键合合，电子子被局部部定域在在衬底表表面。共共价吸附附时

17、，没没有自由由载流子子转移，不不形成空空间电荷荷区。28简述述薄膜材材料的形形成过程程，什么么是分子子束外延延？什么么是超晶晶格？薄膜形成成过程：一般分分为凝结结过程，岛岛形成与与结合生生长过程程。大多数薄薄膜都是是以岛状状形式形形成和长长大，即即在基体体表面上上吸附原原子凝结结后，在在表面上上扩散迁迁移形成成晶核，晶晶核再结结合其它它吸附原原子逐渐渐长大形形成小岛岛，岛再再结合其其他气相相原子便便形成薄薄膜，因因此薄膜膜形成是是由形核核开始的的。形核首先先经历吸吸附与凝凝结过程程，原子子相互碰碰撞结合合成原子子对或小小原子团团并凝结结在基体体表面上上；这种种原子团团和其他他吸附原原子碰撞撞结

18、合或或释放出出一个单单原子，这这个过程程反复进进行，使使原子团团中的原原子数超超过某一一临界值值，成为为临界核核，临界界核继续续与其他他原子碰碰撞结合合，只向向长大方方向发展展形成稳稳定的原原子团，称称为稳定定核；稳稳定核再再捕获其其他吸附附原子，或或者入射射原子束束中的气气相原子子直接碰碰撞在稳稳定核上上被粘附附，使稳稳定核进进一步长长大成为为小岛。通通过上述述讨论可可知，薄薄膜形成成经历了了吸附，凝凝结，临临界核形形成与长长大，稳稳定核形形成长大大，最后后成为小小岛的物物理过程程。实际上形形核长大大只是薄薄膜形成成的开始始，薄膜膜形成的的过程是是指形成成稳定核核之后的的过程；同样，薄薄膜生

19、长长模式是是指薄膜膜形成的的宏观方方式。在在稳定膜膜形成之之后，岛岛状薄膜膜的形成成过程，分分为岛状状、联并并、沟道道和连续续膜四个个阶段。岛岛状阶段段是指在在核长大大变成小小岛的过过程中，平平行基体体表而方方向的长长大速度度明显大大于垂直直方向的的长大速速度，说说明基体体表面上上吸附原原子的扩扩散迁移移碰撞结结合是主主要的。联联并阶段段是指岛岛在不断断长大过过程中，岛岛间距离离逐渐缩缩小，最最后相邻邻小岛相相互联接接合并成成一个大大岛。沟沟道阶段段是在岛岛联并后后，新岛岛继续长长大，当当岛的分分布达到到临界值值时，小小岛相互互聚结形形成网状状结构。网网状结构构中不规规则地分分布着5520nn

20、m宽的的沟渠。连连续膜阶阶段是在在沟渠和和孔洞消消失之后后，入射射的气相相原子直直接吸附附在薄膜膜上，通通过联并并作用形形成不同同结构的的薄膜。分子束外外延：是是一种在在晶体基基片上生生长高质质量的晶晶体薄膜膜的新技技术。在在超高真真空条件件下，由由装有各各种所需需组分的的炉子加加热而产产生的蒸蒸气，经经小孔准准直后形形成的分分子束或或原子束束，直接接喷射到到适当温温度的单单晶基片片上，同同时控制制分子束束对衬底底扫描，就就可使分分子或原原子按晶晶体排列列一层层层地“长长”在基基片上形形成薄膜膜。该技技术的优优点是：使用的的衬底温温度低，膜膜层生长长速率慢慢，束流流强度易易于精确确控制，膜膜层

21、组分分和掺杂杂浓度可可随源的的变化而而迅速调调整。用用这种技技术已能能制备薄薄到几十十个原子子层的单单晶薄膜膜，以及及交替生生长不同同组分、不不同掺杂杂的薄膜膜而形成成的超薄薄层量子子阱微结结构材料料。超晶格：由两种种或以上上不同、厚厚度d极极小的薄薄层材料料交替生生长在一一起而得得到的一一种多周周期结构构材料。薄薄层厚度度d远大大于材料料的晶格格常数aa，但接接近或小小于电子子的自由由程。29简述述热蒸镀镀（真空空蒸发）膜膜与离子子溅射膜膜的区别别和优缺缺点。粒子具有有的动能能不同：蒸镀膜膜所沉积积的粒子子有较低低的动能能，而溅溅射出来来的粒子子有很高高的动能能，比蒸蒸发高112个个数量级级

22、。粒子飞向向基体表表面的分分布规律律不同：对于小小面积蒸蒸发源，气气相原子子飞向基基体表面面时按余余弦定律律分布。对对于阴极极溅射，靶靶是多晶晶材料且且入射氩氩离子较较大时符符合余弦弦分布规规律，但但对单晶晶靶材，则则产生择择优溅射射效应，不不同晶面面的溅射射强度不不同。粒子电性性不同：蒸发出出来的气气相原子子几乎都都是不带带电的中中性粒子子，但溅溅射出来来的粒子子，除中中性原子子或原子子团外，还还可能有有正离子子、负离离子、二二次电子子和光子子等多种种粒子。真空度不不同：蒸蒸发镀时时，真空空度较高高，气体体分子平平均自由由程大于于蒸发源源到基体体间的距距离，气气相原子子在飞向向基体的的过程中

23、中，气相相原子间间或与残残余气体体分子间间碰撞机机会很少少，它们们基本上上保持原原有的能能量，能能量分布布及直线线飞行轨轨迹。阴阴极溅射射时真空空度较低低，气体体分子平平均自由由程小于于靶材和和基体之之间的距距离，溅溅射原子子飞行过过程中，相相互间碰碰撞，原原子及其其他残余余气体分分子相互互碰撞，改改变了溅溅射原子子方向，到到达基体体表面的的粒子可可来自基基体正前前方整个个半球面面空间的的所有方方向，因因此较容容易制备备厚度均均匀的薄薄膜。粘合力不不同：蒸蒸发镀所所形成的的膜容易易从基体体剥落，而而阴极溅溅射所形形成的膜膜由于形形成了过过渡层，能能很好的的跟基体体结合，不不易剥落落。优缺点：蒸

24、镀膜：薄膜成成分与蒸蒸发合金金组分有有偏离，薄薄膜含杂杂质少，基基体和薄薄膜温度度变化不不大。溅射膜：薄膜成成分与靶靶材一致致，含较较多杂质质，基体体和薄膜膜温度变变化很大大。30试举举例说明明扩散、随随机行走走和自回回避随机机行走现现象。扩散是一一种迁移移的过程程,有定定向迁移移和随机机迁移两两种。随随机迁移移也是随随机行走走的一种种。随机机行走是是一种无无定向迁迁移,如如布朗运运动。自自回避随随机行走走是一种种有记忆忆性的行行走,运运动时会会避开以以前走过过的位置置,如高高分子聚聚合物的的原子排排列。31就有有序-无序转转变中的的位置无无序（化化学无序序）、拓拓扑无序序、方向向无序、电电子

25、和核核自旋状状态的无无序（代代位无序序）和振振动无序序进行一一般说明明或图示示。无序结构构有拓扑扑(几何何)和化化学键无无序两种种。如图图1。11。1所所示的玻玻璃中原原子排列列(排布布)从几几何(拓拓扑)角角度上看看，晶格格的概念念，即周周期性与与对称性性是没有有了，但但从近邻邻范围来来看，最最近邻的的原子数数是比较较确定的的(配位位数不变变)，这这是一种种拓扑无无序。 非非晶态缺缺乏长程程有序，所所以原子子间的化化学键长长、键角角和键的的极性等等不会一一样，这这就是键键的无序序 无无序系统统中还有有一种叫叫代位无无序，这这主要发发生在晶晶态材料料中，这这时晶格格的概念念仍然保保留，但但等同

26、晶晶格位置置上原子子类别或或自旋状状态却不不同。对对于原子子磁距(自旋)取向无无序(随随机冻结结)的系系统称“自旋”玻璃。一一般的所所谓非晶晶态固体体指的大大都是结结构无序序32简述述量子小小尺寸效效应、尺尺寸效应应和宏观观隧道效效应。小尺寸效效应:随着颗颗粒尺寸寸的量变变，在一一定条件件下会引引起颗粒粒性质的的质变。由由于颗粒粒尺寸变变小所引引起的宏宏观物理理性质的的变化称称为小尺尺寸效应应。对超超微颗粒粒而言，尺尺寸变小小，同时时其比表表面积亦亦显著增增加，从从而产生生如下一一系列新新奇的性性质。尺寸效应应:由无无数的原原子构成成固体时时，单独独原子的的能级就就并合成成能带，由由于电子子数

27、目很很多，能能带中能能级的间间距很小小，因此此可以看看作是连连续的，从从能带理理论出发发成功地地解释了了大块金金属、半半导体、绝绝缘体之之间的联联系与区区别，对对介于原原子、分分子与大大块固体体之间的的超微颗颗粒而言言，大块块材料中中连续的的能带将将分裂为为分立的的能级；能级间间的间距距随颗粒粒尺寸减减小而增增大。当当热能、电电场能或或者磁场场能比平平均的能能级间距距还小时时，就会会呈现一一系列与与宏观物物体截然然不同的的反常特特性，称称之为量量子尺寸寸效应。宏观隧道道效应：是基本本的量子子现象之之一，即即当微观观粒子的的总能量量小于势势垒高度度时，该该粒子仍仍能穿越越这一势势垒。近近年来，人

28、人们发现现一些宏宏观量，例例如微颗颗粒的磁磁化强度度，量子子相干器器件中的的磁通量量等亦有有隧道效效应，称称为宏观观的隧道道效应。33说明明纳米技技术中的的巨磁阻阻与通常常磁阻在在概念上上的区别别。当相邻铁铁磁层的的磁矩反反平行排排列时，在在一个铁铁磁层中中受散射射较弱的的电子进进入另一一铁磁层层后必定定遭受较较强的散散射，故故从整体体上说，所所有电子子都遭受受较强的的散射，整整体电阻阻率较高高磁阻阻。当相邻铁铁磁层的的磁矩在在磁场的的作用下下趋于平平行时，有有一种自自旋状态态的电子子在所有有铁磁层层中受到到的散射射较弱，相相当于这这类电子子构成了了短路状状态，整整体电阻阻率较低低巨磁磁阻效应

29、应(GMMR)34简述述复合材材料技术术中的线线性效应应、非线线性效应应和乘积积效应。线性效应应是指复复合材料料的性质质与增强强组元(功能组组元)的的含量有有线性关关系。线线性效应应的内容容有：平平均效应应、平行行效应、相相补效应应、相抵抵效应等等。非线性效效应指的的是复合合材料的的性质与与增强组组元的含含量无直直接关系系，复合合后可能能产生一一些新的的性质。非非线性效效应有：乘积效效应、诱诱导效应应、共振振效应和和系统效效应等。乘积效应应是指把把一种具具有X/Y转换换功能的的材料与与另一种种具有YY/Z转转换功能能的材料料进行复复合后，会会产生(X/YY)X(YY/Z)=X/Z的功功能。35

30、什么么是梯度度功能材材料？梯度功能能材料是是“一种功功能在空空间和时时间上连连续变化化的材料料”。梯度度功能材材料不仅仅是用于于下一代代航天飞飞机的机机体和发发动机的的耐热材材料，还还能广泛泛应用于于电子、医医疗、仿仿生、光光学、化化学和建建筑等方方面。可可以用物物理,化化学合成成法,粒粒子排列列法,等等离子蒸蒸镀法,自蔓延延高温合合成法。二 证明题题 永磁磁材料的的退磁曲曲线（第第二象限限）上的的某点对对应的磁磁能积（MM*H）最最大，该该点被称称为永磁磁材料的的最佳工工作点。如如右下图图，假设设退磁曲曲线为双双曲线。用用平行MM和H轴轴的二条条平行线线的交点点O与原点点O 相相连接, 则OOO连线与与退磁曲曲线交点点即是材材料的对对应最大大磁能级级的最佳佳工作点点。试证证明之。三 论述述题 请同同学们运运用在本本课程中中所学知知识并结结果您们们所完成成的材料料物理专专业新开开的144个实验验，任选选其中一一个或多多个实验验，构成成一个材材料应用用的综合合案例。四 论述述题 谈谈谈您学习习该门课课程后的的感受。您您认为哪哪些章节节的内容容为必须须，并值值得强化化和深入入；哪些些章节的的内容需需删减？最后就就我的讲讲课方法法提出建建议，哪哪些值得得保留，哪哪些需要要改进？