封装测试生产工艺简介

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1、LogoLogoIC Process FlowCustomer客客 户户IC DesignIC设计设计Wafer Fab晶圆制造晶圆制造Wafer Probe晶圆测试晶圆测试Assembly&TestIC 封装测试封装测试SMTIC组装组装LogoIC Package Structure（IC结构图）结构图）TOP VIEWSIDE VIEWLead Frame 引线框架引线框架Gold Wire 金金 线线Die Pad 芯片焊盘芯片焊盘Epoxy 银浆银浆Mold Compound 环氧树脂环氧树脂LogoIC Package（IC封装的意义）封装的意义）IC元器件的特点：元器件的特点：I

2、C元器件一方面性能高、功能多，另一方面规元器件一方面性能高、功能多，另一方面规格小、易碎。为了能够充分发挥半导体元器件的功能，需要对其格小、易碎。为了能够充分发挥半导体元器件的功能，需要对其进行有效的机械和绝缘方面的保护。进行有效的机械和绝缘方面的保护。IC封装的目的在于保护芯片不受或少受外界环境的影响，并使其封装的目的在于保护芯片不受或少受外界环境的影响，并使其具有一定的机械强度，良好的电气性能，散热性能以及化学稳定具有一定的机械强度，良好的电气性能，散热性能以及化学稳定性性Mold Compound 环氧树脂环氧树脂LogoIC Package（IC的封装形式）的封装形式）按封装材料划分为

3、：按封装材料划分为：金属封装陶瓷封装 塑料封装塑料封装因为其体积小，重量轻，成本低，工艺简单占有大部塑料封装因为其体积小，重量轻，成本低，工艺简单占有大部分的市场份额；分的市场份额；陶瓷封装散热性、热稳定性和气密性较好，用于高可靠性产品陶瓷封装散热性、热稳定性和气密性较好，用于高可靠性产品，占少量商业化市场；，占少量商业化市场；金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；LogoIC Package（IC的封装形式）的封装形式）封装形式的两个关键因素封装形式的两个关键因素:封装效率。芯片面积封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近封装面积，尽量接近

4、1:1；引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；其中，其中，CSP由于采用了由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了技术和裸片封装，达到了 芯片面积芯片面积/封装面积封装面积=1:1，为目前最高级的技术；，为目前最高级的技术；LogoTypical Assembly Process Flow背面减薄背面减薄晶圆切割晶圆切割芯片贴装芯片贴装引线焊接引线焊接成型技术成型技术去飞边毛刺去飞边毛刺上锡焊上锡焊打码打码切筋成型切筋成型LogoFOL Back Grinding背面减薄背面减薄为了减少破片，晶圆加工需要一定的衬底支撑

5、。一般晶圆为了减少破片，晶圆加工需要一定的衬底支撑。一般晶圆厂出来的晶圆厚度在厂出来的晶圆厚度在700800um，晶圆加工完成后需要对晶，晶圆加工完成后需要对晶圆背面进行减薄，使其达到要求厚度，一般在圆背面进行减薄，使其达到要求厚度，一般在200300um晶圆高速旋转的砂轮真空吸盘工作台LogoFOL Wafer Saw晶圆切割晶圆切割将晶圆粘贴在蓝膜上，使得即使被切割开后，也不会散落；将晶圆粘贴在蓝膜上，使得即使被切割开后，也不会散落；通过切割刀片将整片晶圆切割成一个个独立的芯片，方便后面通过切割刀片将整片晶圆切割成一个个独立的芯片，方便后面的的 粘贴等工序；粘贴等工序；切割槽晶圆固定铁环芯

6、片蓝膜LogoFOL Die Attach 芯片贴装芯片贴装芯片贴装是将芯片贴装是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程工艺过程引线框架环氧树脂混合液芯片LogoFOL Wire Bonding 引线焊接引线焊接利用高纯度的金线（利用高纯度的金线（Au）、铜线（、铜线（Cu）或铝线（）或铝线（Al）把）把 芯片芯片上的外接点和引线框架上的连接点通过焊接的方法连接起来。上的外接点和引线框架上的连接点通过焊接的方法连接起来。W/B是封装工艺中最为关键的一步工艺。是封装工艺中最为关键的一步工艺。引脚金线载片台环氧树脂芯片LogoEOL Mo

7、lding（塑封）（塑封）为了防止外部环境的冲击，利用机器把引线焊接完成后的产为了防止外部环境的冲击，利用机器把引线焊接完成后的产品封装起来的过程，并需要加热硬化。品封装起来的过程，并需要加热硬化。芯片环氧树脂载片台金线引脚LogoEOL De-flash（去飞边毛刺）（去飞边毛刺）BeforeAfter目的：去飞边毛刺的目的在于去除塑封后在管体周围引脚之间目的：去飞边毛刺的目的在于去除塑封后在管体周围引脚之间 多余的溢料；多余的溢料；方法：弱酸浸泡，高压水冲洗；方法：弱酸浸泡，高压水冲洗；LogoEOL Plating（上锡焊）（上锡焊）Before PlatingAfter Plating

8、p 使用电镀或浸锡工艺在引脚框架上做保护性镀层，以增加其使用电镀或浸锡工艺在引脚框架上做保护性镀层，以增加其可焊性。可焊性。LogoEOL Trim&Form（切筋成型）（切筋成型）切筋：将一条的引线框架切割成单独的芯片的过程；切筋：将一条的引线框架切割成单独的芯片的过程；成型：对切筋后的成型：对切筋后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状。产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状。LogoEOL Marking（打码）（打码）打码就是在封装模块的顶面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标打码就是在封装模块的顶面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，主要为了识别和跟踪识，主要为了识别和跟踪Logo

9、无尘车间洁净度要求无尘车间洁净度要求空气无尘车间洁净度等级(N)大于或等于表中粒径的最大浓度限值(pc/m3)0.1um 0.2um 0.3um 0.5um 1um 5um 1 10 2 2 100 24 10 4 3 1000 237 102 35 8 4（十级）10000 2370 1020 352 83 5（百级）100000 23700 10200 3520 832 29 6（千级）1000000 237000 102000 35200 8320 293 7（万级）352000 83200 2930 8（十万级）3520000 832000 29300 9（一百万级）35200000

10、8320000 293000 封装测试封装测试 车间洁净度多在车间洁净度多在1000级到级到10000级级无尘车间洁净度的要求和加工的特征尺寸相关，一般特征尺寸为颗粒无尘车间洁净度的要求和加工的特征尺寸相关，一般特征尺寸为颗粒大小的十分之一大小的十分之一Logo无尘车间温湿度要求无尘车间温湿度要求封装测试车间温度控制在封装测试车间温度控制在20-28度，不同工序有些许差别度，不同工序有些许差别封装测试车间湿度控制在封装测试车间湿度控制在40-60湿度小于湿度小于30容易产生静电；大于容易产生静电；大于70小颗粒会聚集，易滋生细菌，会对小颗粒会聚集，易滋生细菌，会对电子产品电路有影响电子产品电路有影响.LogoThe End Thank You！