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1、详解 Flash 存储器闪存工作原理及具体步骤什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的出生它的组成均研究的透彻底底的。闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND 型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电 (写数据)或放电(擦除数据)。而 NOR 型闪存擦除数
2、据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。场效应管工作原理场效应晶体管(Field Effect Transistor 缩写(FET)简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。闪存采用 MOS
3、FET 来存放数据MOSFET 结构如下图数据就存放在 floaTIng gate(悬浮门)之中，一个门可以存放 1bit 数据如图所示，门中电压有个阈值 Vth如果检测到电压超过 Vth，那么便认为这个 bit 是 0数据的写入和擦除，都通过 controlgate 来完成。至于具体的步骤。涉及到半导体基础知识，如果需要了解，请参考模拟电路相关书籍。这是一个比特，对于闪存来说，如图这是一个闪存颗粒的内部结构，每一行是其中一个 page，一个 page 由 33792个刚才那样的门组成。共 4KByte，注意这里单位是千字节 1Byte=8bit 这里总共有 64 个 page，组成了一个 b
4、lock。wordline 是字线，由其控制读取和写入，所以 page 是最小的读写单位 而这个 block 是最小的擦除单位。我们知道闪存颗粒分为 SLC MLC TLC 这就是因为对电压的分级不同。SLC 将电压分为 2 级，大于 Vth 表示 0 小于 Vth 表示 1，一个 CELL 只表示1 个 bit MLC 是 MulTI-Level Cell，将电压分为 4 份，分别可以表示 00 01 1011，一个 CELL 表示 2 个 bit TLC 是 Triple-Level Cell，将电压分为 8 份，可以表示 000 001 010 011 100 101 110 111 一个 CELL 表示 3 个 bit。tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。仅供参阅！
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