常用电子元器件大全

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1、第一章 电子元器件 第一节、电阻器1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且导致能量消耗的部分叫电阻.1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW1.4 电阻器的常用单位:千欧姆（K）, 兆欧姆（M）1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表达，如：

2、R15表达编号为15的电阻器。1.9 电阻器的在电路中的参数标注措施有3种，即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其容许偏差则用百分数表达,未标偏差值的即为20%. b、数码标示法重要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表达有效数字,第三位表达10的倍幂或者用R表达(R表达0.)如：472 表达 47102（即4.7K）； 104则表达100K、;R22表达0.22、 122=1200=1.2K、 1402=14000=14K、 R22=0.22、 50C=324*100=32.4K、17R8=17.8、000=0、 0=

3、0.c、色环标注法使用最多，一般的色环电阻器用4环表达,精密电阻器用5环表达,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：如果色环电阻器用四环表达,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环是色环电阻器的误差范畴(见图一) 四色环电阻器（一般电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 容许误差 颜 色第一位有效值第二位有效值倍 率允 许 偏 差黑00棕111%红222%橙33黄44绿550.5%蓝660.25%紫770.1%灰88白9920% +50%金5%银10%无色20%图1-1 两位有效数字阻值

4、的色环表达法如果色环电阻器用五环表达,前面三位数字是有效数字,第四位是10的倍幂.第五环是色环电阻器的误差范畴.(见图二)五色环电阻器（精密电阻） 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 容许误差颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍 率容许偏差黑000棕1111%红2222%橙333黄444绿5550.5%蓝6660.25紫7770.1%灰888白999-20%+50%金5%银10% 图1-2 三位有效数字阻值的色环表达法d、SMT精密电阻的表达法，一般也是用3位标示。一般是2位数字和1位字母表达，两个数字是有效数字，字母

5、表达10的倍幂,但是要根据实际状况到精密电阻查询表里出查找.下面是精密电阻的查询表:代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值coderesiscanecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscance1100211624126161422816812102221654226762432826983105231694327463442837154107241744428064453847325110251784528765464857506113261824629466475867687115271874730167487877878

6、118281914830968499888069121290.19649316695118982510124302005032470523908451112731320551332715369186612130322105234072549928871313333215533487356293909141373422154357745769493115140352265536575590949811614336232563747660495953171473723757383/38877619969761815038243583927863496976191543924959402796492

7、0153402556041280665symbolABCDEFGHXYZmultipliers10010110210310410510610710-110-210-31.10 SMT电阻的尺寸表达：用长和宽表达（如0201，0603，0805，1206等，具体如02表达长为0.02英寸宽为0.01英寸）。1.11 一般状况下电阻在电路中有两种接法:串联接法和并联接法电阻的计算： R1R1 R2 R2 串连： 并联：R=R1+R2 R=1/R1+1/R2 1.12 多种电阻的串并联的计算措施：串联：R总串=R1+R2+R3+Rn. 并联：1/R总并=1/R+2/R+3/R1/Rn1.13 电阻器

8、好坏的检测: a、用指针万用表鉴定电阻的好坏:一方面选择测量档位,再将倍率档旋钮置于合适的档位,一般100欧姆如下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选RX10K档.b、测量档位选择拟定后,对万用表电阻档为进行校0, 校0的措施是:将万用表两表笔金属棒短接,观测指针有无到0的位置,如果不在0位置,调节调零旋钮表针指向电阻刻度的0位置.c、接着将万用表 的 两表笔分别和电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果表针不动和批示不稳定或批示值与电阻器上

9、的标示值相差很大,则阐明该电阻器已损坏.d、用数字万用表鉴定电阻的好坏;一方面将万用表的档位旋钮调到欧姆档的合适档位,一般200欧姆如下电阻器可选200档,200-2K欧姆电阻器可选2K档,2K-20K欧姆可选20K档,20K-200K欧姆的电阻器可选200K档,200K-200M欧姆的电阻器选择2M欧姆档.2M-20M欧姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档.第二节 电容器 2.1 电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量. 2.2 电容器的英文缩写:C (capacitor) 2.3 电容器在电路中的表达符号: C 或CN(排容) 2.4 电容器常用的单位: 毫法（

10、mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF） 2.5 电容器的单位换算: 1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法; ;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;2.6 电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等 2.7 电容器的特性: 电容器容量的大小就是表达能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。电容的特性重要是隔直流通交流,通低频阻高频 2.8 电容器在电路中一般用“C”加数字表达.如C25表达编号为25的电容.2.9 电容器的辨认措施与电阻的辨认措施基本相似，分直标法、色标法和数标法3

11、种。a; 直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表达出来：如：220MF表达220UF；.01UF表达0.01UF；R56UF表达0.56UF;6n8表达6800PF.b; 不标单位的数码表达法.其中用一位到四位数表达有效数字,一般为PF,而电解电容其容量则为UF.如:3表达3PF;2200表达2200PF;0.056表达0.056UF;c; 数字表达法:一般用三为数字表达容量的大小,前两位表达有效数字,第三位表达10的倍幂.如102表达10*102=1000PF;224表达22*104=0.2UFd: 用色环或色点表达电容器的重要参数。电容器的色标法与电阻相似。电容器偏差标志符号：

12、+100%-0-H、+100%-10%-R、+50%-10%-T、+30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。2.10 电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.我们常用到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分.2.11 电容器的重要性能指标是: 电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度范畴内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(表达电容所能承受的最高工作温度。).2.12 电容器的品牌有: 主板电容重要分为台系和日系两种,日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON（红宝石）、KZG、SANYO（三洋）、

13、PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；台系品牌有：TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。电容器的计算： C1 c2 c1 c2 串连： 并联： 1/C=1/C1+1/C2 C=C1+C2 2.13 多种电容的串联和并联计算公式: C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.+1/CN C并C=C1+C2+C3+CN2.14 电容器的好坏测量a;脱离线路时检测 采用万用表挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残存的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一种角度，然后表针缓慢地向左回转，最后表针停下。表针

14、停下来所批示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，最佳应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，阐明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应当向左回摆），阐明这一电解电容的电容量也越大，反之阐明容量越小。b.线路上直接检测重要是检测电容器与否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由于受外电路的影响一般是测不准的。用万用表挡，电路断开后，先放掉残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，阐明电解电容内部断路。如果表针向右偏转后所批示的阻值很小（接近短路），阐明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转，但所批示的阻值不很小，阐明电容器开路的也许很大，应脱开电路后进一步检

15、测。c线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为，则是该电容器已击穿。对于电解电容的正、负极标志不清晰的，必须先鉴别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。 第三节 电感器 3.1 电感器的英文缩写：L (Inductance) 电路符号： 3.2 电感器的国际原则单位是: H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）； 3.3 电感器的单位换算是: 1H=103m H106u H109n H；1n H10-3u H=10

16、-6m H=10 -9H 3.4 电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。 3.5 电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。 3.6 电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等.主机板中常用的是铜芯绕线电感. 3.7 电感在电路中常用“L”加数字表达，如：L6表达编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线自身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，因此电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容

17、构成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表达1uH（误差5%）的电感。 3.8 电感的好坏测量:电感的质量检测涉及外观和阻值测量.一方面检测电感的外表有无完好,磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线有无断裂和拆伤等.用万用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的正常电阻值进行比较.如果检测值比正常值明显增大,或指针不动,也许是电感器本体断路.若比正常值小许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路需用专用仪器进行检测.第四节 半导体二极管4.1 英文缩写：D (Diode) 电路符号是 4.2 半导体二极管的分类 分类：

18、a 按材质分：硅二极管和锗二极管； b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 4.3 半导体二极管在电路中常用“D”加数字表达，如：D5表达编号为5的半导体二极管。 4.4 半导体二极管的导通电压是: a;硅二极管在两极加上电压,并且电压不小于0.6V时才干导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间. B;锗二极管在两极加上电压,并且电压不小于0.2V时才干导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间. 4.5 半导体二极管重要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导

19、通电阻极大或无穷大。4.6 半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。 4.7 半导体二极管的辨认措施： a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,此外一端是正极. b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:一般选用万用表的欧姆档(R100或R1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,

20、红表笔接的是二极管的正极. c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。4.8 变容二极管是根据一般二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中重要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 变容二极管发生故障，重要体现为漏电或性能变差：（1）发生漏电现象时，高频调制电

21、路将不工作或调制性能变差。（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接受后产生失真。浮现上述状况之一时，就应当更换同型号的变容二极管。4.9 稳压二极管的基本知识 a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路后来，若由于电源电压发生波动，或其他因素导致电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 b、故障特点：稳压二极管的故障重要表目前开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障体现出电源电压升高；后2种故障体现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 c、 常用稳压二极管的型号及稳压

22、值如下表：型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 4.10 半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.60.8V；锗管的导通电压为0.20.3V），而工程分析时一般采用的是0.7V.4.11 半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流与其两端电压的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三. 图三 硅和锗管的伏安特性曲线4.12

23、半导体二极管的好坏鉴别:用万用表(指针表)R100或R1K档测量二极管的正,反向电阻规定在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,阐明二极管内部断路,若反向电阻为零,表白二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。第五节 半导体三极管5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T 5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表达，如：Q17表达编号为17的三极管。5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部具有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OT

24、L电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分 可分硅和锗管，国内目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。 E(发射极) C(集电极) E(发射极) C(集电极) B(基极) B(基极) NPN型三极管 PNP型三极管 5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具有正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具有的外部条件。 5.5 半导体三极管的重要参数 a; 电流放大系数：对于三极管的电流分派规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，

25、这就是三极管的电流放大原理。即=Ic/Ib。b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大容许电流、集电极最大容许功率损耗。5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 a;半导体三极管的三种基本的放大电路。共射极放大电路共集电极放大电路共基极放大电路电路形式直流通道静态工作点交流通道微变等效电路riRb/rberoRCRC用途多级放大电路的中间级输入、输出级或缓冲级高频电路或恒流源电路b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传播途径来判断，没有交流信号通过

26、的极，就叫此极为公共极。注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。 交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。5.7 用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表). a;先选量程：R100或R1K档位.b;鉴别半导体三极管基极：用万用表黑表笔固定三极管的某一种电极，红表笔分别接半导体三极管此外两各电极，观测指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一种引脚极继续测量，直到找到基极。c

27、;.鉴别半导体三极管的c极和e极：拟定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管此外两极，交替测量两次，若两次测量的成果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。d; 鉴别半导体三极管的类型. 如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其此外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果 测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管. 5.8 目前常用的三极管大部分是塑封的，如何精确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是

28、e？ a; 这里推荐三种措施：第一种措施：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（固然b极是可以插精确的），测一下hFE值，b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是对的的。第二种措施：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不以便插入插孔的,可以用这种措施：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R1k档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要遇到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同步用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有一定的偏转，如果

29、你各表笔接得对的，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可鉴定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要遇到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同步用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得对的，表头指针会偏转得比较大。固然测量时表笔要互换一下测两次，比较读数后才干最后鉴定。这个措施合用于所有外形的三极管，以便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，固然这是凭经验的。c;第三种措施：先鉴定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R10k档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针也许会有一定偏转，对PNP

30、管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针也许会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以鉴定三极管的c、e极。但是对于高耐压的管子，这个措施就不合用了。 对于常用的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的）。中、小功率管有的b极也许在中间。例如常用的9014三极管及其系列的其他型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。固然它们也有c极在中间的。因此在维修更换三极管时，特别是这些小功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下.5.9 半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管 b;按功率分：小功率管，中功率管和的功

31、率管 c;按机构分：PNP管和NPN管 d;按材质分：硅管和锗管 e;按功能分：开关管和放大 5.10 半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件） NPN型三极管共发射极的特性曲线。 IC(mA) IB(mA) 80A 4 饱UCE=0V 1V 和 放大区 60A 3 区 0.4 IC IB 40A 20.2 20A 1 0 0.4 0.6 0.8 UBE(V) IB=0A 截止区输入特性曲线 0 2 4 6 8 UCE(V)输出特性曲线三极管各区的工作条件：1 放大区：发射结正偏，集电结反

32、偏：2 饱和区：发射结正偏，集电结正偏；3 截止区：发射结反偏，集电结反偏。5.11 半导体三极管的好坏检测a;先选量程：R100或R1K档位 b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的措施和测量PNP型半导体三极管

33、的措施相反.第六节 场效应管(MOS管)6.1场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)6.2 场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管6.3 场效应管电路符号： D D G G 结型场效应管 S SN沟道 P沟道6.4场效应管的三个引脚分别表达为:G(栅极),D(漏极),S(源极) D D D D GG G G绝缘栅型场效应管 S S S 增强型 S 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道注：场效应管属于电压控制型元件，又运用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等长处。6.5场效应晶体管的长处：具有较高输入电阻高、输入电

34、流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，运用输出电流控制输出电源的半导体。 6.6场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只容许从信号源取较少电流的状况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又容许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是运用多数载流子导电，因此称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也运用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，并且它的制造工艺

35、可以很以便地把诸多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管 6.7 场效应管好坏与极性鉴别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同步触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反映,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管. 将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其她两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再互换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其他两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,互换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔

36、接的是S极,红表笔接的是D极. 第七节 集成电路 7.1 集成电路的英文缩写 IC(integrate circuit) 7.2 电路中的表达符号: U 7.3集成电路的长处是:集成电路是在一块单晶硅上,用光刻法制作出诸多三极管,二极管,电阻和电容,并按照特定的规定把她们连接起来,构成一种完整的电路.由于集成电路具有体积小,重量轻,可靠性高和性能稳定等长处,因此特别是大规模和超大规模的集成电路的浮现,是电子设备在微型化,可靠性和灵活性方面向前推动了一大步. 7.4 集成电路常用的封装形式 BGA(ball grid array)球栅阵列(封装) 见图二 QFP(quad flat packag

37、e)四周有鸥翼型脚(封装) 见图一 SOIC(small outline integrated circuit) 两面有鸥翼型脚(封装) 见图五PLCC(plastic leaded chip carrier)四边有内勾型脚(封装) 见图三SOJ(small outline junction) 两边有内勾型脚(封装) 见图四 图一 图二 图三 图四图五7.5集成电路的脚位鉴别;1. 对于BGA封装（用坐标表达）：在打点或是有颜色标示处逆时针开始数用英文字母表达A,B,C,D,E(其中I,O基本不用)，顺时针用数字表达1，2，3，4，5，6其中字母位横坐标，数字为纵坐标 如：A1,A22. 对于

38、其她的封装：在打点，有凹槽或是有颜色标示处逆时针开始数为第一脚，第二脚，第三脚7.6 集成电路常用的检测措施有在线测量法、非在线测量法和代换法。 1非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以拟定其与否正常。2在线测量 在线测量法是运用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值与否正常，来判断该集成电路与否损坏。3代换法 代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以判断出该集成电路与否损坏。第八节 Socket,Slot 8.1

39、Socket和Slot的异同: Socket是一种插座封装形式,是一种矩型的插座(见图六); Slot是一种插槽封装形式,是一种长方形的插槽(图七). 图六 图七第九节 PCB的简介 9.1 PCB的英文缩写PCB(Printed Circuit Board) 9.2 PCB的作用:PCB作为一块基板,她是装载其他电子元器件的载体,因此一块PCB设计的好坏将直接影响到产品质量的好坏. 9.3 PCB的分类和常用的规格:根据层数可分为单面板,双面板和多层板.我们主机板常用的是4层板或者6层板,而显示卡用的是8层板. 而主机板的尺寸为:AT规格的主机板尺寸一般为13X12(单位为英寸);ATX主机

40、板的尺寸一般为12X96(单位为英寸);Micro Atx主机板尺寸一般为9.6X9.6(单位为英寸) .注明:1英寸=2.54CM第十节 晶振10.1晶振在线路中的符号是X”,Y”10.2晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器.10.3晶振在线路图中的表达符号:10.4晶振的测量措施:测量电阻措施:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则阐明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.动态测量措施:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频与否符合该晶体的额定振荡频率,如果是,阐明该晶振是正常的,如果该晶体的额定振荡

41、频率偏低,偏高或主线不起振,表白该晶振已漏电或击穿损坏第十一节 基本逻辑门电路 1.1 门电路的概念：实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等（用逻辑1表达高电平；用逻辑0表达低电平）11.2 与门：逻辑体现式FA B即只有当输入端A和B均为1时,输出端Y才为1,否则Y为0.与门的常用芯片型号有:74LS08,74LS09等.11.3 或门： 逻辑体现式FA+ B即当输入端A和B有一种为1时,输出端Y即为1,因此输入端A和B均为0时,Y才会为O.或门的常用芯片型号有:74LS32等.11.4非门 逻辑体现式

42、F=A即输出端总是与输入端相反.非门的常用芯片型号有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等.11.5与非门 逻辑体现式 F=AB即只有当所有输入端A和B均为1时,输出端Y才为0,否则Y为1.与非门的常用芯片型号有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等.11.6或非门： 逻辑体现式 F=A+B即只要输入端A和B中有一种为1时,输出端Y即为0.因此输入端A和B均为0时,Y才会为1.或非门常用的芯片型号有:74LS02等.11.7同或门: 逻辑体现式F=A B+A B=1A F B11.8.异或门：逻辑体现式F=A B+A B=1 A F B 11.9.与或非

43、门：逻辑表逻辑体现式F=AB+CD1 A B C F D 11.10.RS触发器： 电路构造 把两个与非门G1、G2的输入、输出端交叉连接，即可构成基本RS触发器，其逻辑电路如图7.2.1.(a)所示。它有两个输入端R、S和两个输出端Q、Q。 工作原理 :基本RS触发器的逻辑方程为： 根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系: 1.当R=1、S=0时，则Q=0,Q=1,触发器置1。 2.当R=0、S=1时，则Q=1,Q=0,触发器置0。 如上所述，当触发器的两个输入端加入不同逻辑电平时，它的两个输出端Q和Q有两种互补的稳定状态。一般规定触发器Q端的状态作为触发器的状态。一般称触发器处在某种

44、状态，实际是指它的Q端的状态。Q=1、Q=0时，称触发器处在1态，反之触发器处在0态。S=0,R=1使触发器置1，或称置位。因置位的决定条件是S=0,故称S 端为置1端。R=0,S=1时，使触发器置0，或称复位。 同理，称R端为置0端或复位端。若触发器本来为1态，欲使之变为0态，必须令R端的电平由1变0，S端的电平由0变1。这里所加的输入信号（低电平）称为触发信号，由它们导致的转换过程称为翻转。由于这里的触发信号是电平,因此这种触发器称为电平控制触发器。从功能方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1，因此又称为置0置1触发器，或称为置位复位触发器。其逻辑符号如图7.2.1(b)所示。由于置0或

45、置1都是触发信号低电平有效，因此，S端和R端都画有小圆圈。 3.当R=S=1时，触发器状态保持不变。 触发器保持状态时，输入端都加非有效电平（高电平），需要触发翻转时，规定在某一输入端加一负脉冲，例如在S端加负脉冲使触发器置1，该脉冲信号回到高电平后，触发器仍维持1状态不变，相称于把S端某一时刻的电平信号存储起来，这体现了触发器具有记忆功能。 4.当R=S=0时，触发器状态不拟定 在此条件下，两个与非门的输出端Q和Q全为1，在两个输入信号都同步撤去（回到1）后，由于两个与非门的延迟时间无法拟定，触发器的状态不能拟定是1还是0,因此称这种状况为不定状态，这种状况应当避免。从此外一种角度来说，正由

46、于R端和S端完毕置0、置1都是低电平有效，因此两者不能同步为0。 此外,还可以用或非门的输入、输出端交叉连接构成置0、置1触发器,其逻辑图和逻辑符号分别如图7.2.2（a）和7.2.2（b）所示。这种触发器的触发信号是高电平有效，因此在逻辑符号的S端和R端没有小圆圈。 2.特性方程 基本RS触发器的特性：1.基本RS触发器具有置位、复位和保持（记忆）的功能； 2.基本RS触发器的触发信号是低电平有效，属于电平触发方式； 3.基本RS触发器存在约束条件（R+S=1），由于两个与非门的延迟时间无法拟定；当R=S=0时，将导致下一状态的不拟定。 4.当输入信号发生变化时，输出即刻就会发生相应的变化，

47、即抗干扰性能较差。第十二节 TTL逻辑门电路以双极型半导体管为基本元件，集成在一块硅片上，并具有一定的逻辑功能的电路称为双极型逻辑集成电路，简称TTL逻辑门电路。称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL重要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来浮现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺陷，正逐渐被CMOS电路取

48、代。121 CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改善，CMOS电路的性能有也许超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件 ，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。初期生产的CMOS门电路为4000系列 ，随后发展为4000B系列。目前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件互换使用。下面一方面讨论CMOS反相器，然后简介其她CMO逻辑门电路。MOS管构造图MOS管重要

49、参数：1.启动电压VT启动电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；原则的N沟道MOS管，VT约为36V；通过工艺上的改善，可以使MOS管的VT值降到23V。2. 直流输入电阻RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比这一特性有时以流过栅极的栅流表达MOS管的RGS可以很容易地超过1010。3. 漏源击穿电压BVDS在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增长漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDSID剧增的因素有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增长VDS会使漏区的耗尽层

50、始终扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，达到漏区，产生大的ID4. 栅源击穿电压BVGS在增长栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力是表征MOS管放大能力的一种重要参数一般在十分之几至几mA/V的范畴内6. 导通电阻RON导通电阻RON阐明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数在饱和区，ID几乎不随VDS变化，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间由于在数字电路中 ，MOS管导通时常常工作在VDS=0的状态下，因此这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内7. 极间电容