清华大学数字电路 七章

！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限 EPROMROMROM可擦除的可编程可编程掩模RAMRAM动态静态 A0An-1 W0W(2n-1) D0Dm 写是一次性编程，不能改！编程时将不用的熔断有出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成 写入时，要使用编程器 管叠栅注入MOS MOSInjuctiongateStackedSIMOS )( 浮置栅控制栅: fcGG通处正常逻辑高电平下导上未充负电荷，则若导通处正常逻辑高电平下不上充以负电荷，则若工作原理：cf cf GG GG 年）光灯下分钟（阳光下一周，荧紫外线照射空穴对，提供泄放通道生电子“擦除”：通过照射产形成注入电荷到达吸引高速电子穿过宽的正脉冲，上加同时在发生雪崩击穿）间加高压（“写入”：雪崩注入33020 5025 25202 , , fc GSiO msVG VSD )(管浮栅隧道氧化层采用点擦除慢，操作不便的缺为克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效应”电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与 ,/ cmV mSiODG f 7 8210 102 导通）下，电压（未充电荷时，正常读出截止）下，电压（充电荷后，正常读出工作原理：TVG TVGG CCf 33f jCi G BmsVGW 电子隧道区接的正脉冲，加充电：01020 ,上电荷经隧道区放电加正脉冲，接放电： f jiCG BWG ,0 （隧道区）区有极小的重叠区与）更薄（与衬底间SG nmOSGf if 15102 的正脉冲，加接），加正压（，充电利用雪崩注入方式向工作原理：usVG VVSDGc ssf 1012 06*上电荷经隧道区放电的正脉冲加放电，利用隧道效应f sscfG nsVVGG 100120 , 作存储单元触发器，为基本RSTT 41 相通、与、导通，行中被选中，时，能在jji BBQQTTX 65 11, 单元与缓冲器相连列第行第导通，这时时，所在列被选中，jiTTYj 87 1,，读操作截止，与导通，则若时，当OIQ AAAWRSC 32110 ,，写操作导通，与截止，则若QOI AAAWR 3210, 六管N沟道增强型MOS管 SCWR AA OIOI 片选信号：写信号：读地址线：数据线：/ 70 70 1024 x 8RAM 70 OIOI . 9870 AAAA ,. WR WR AAAA OIOI 写信号：读地址线：数据线：/ 9870 70 , ):( 1100256256 70 A个地址个字，需要每一片提供SCYYAAAA 分别接四片的译成即将两位代码区分四片用, 3089 89 10237687675125112562550 11100100 07070707 , AAAAAAAA四片的地址分配就是：89 AA 4321 SCSCSCSC 11100100 29292929 AAAAAAAA ,四片的地址分配就是：01 AA 4321 SCSCSCSC 01AA912AAA A0An-1 W0W(2n-1) ABCDDCBAY DCBADABCY BCDADBCDCBAY CBABCAYROM4321产生：用 ),( ),( ),( ),( 152144 141076 7632 4321 mY mY mY mY