两种量子点

ud-osqvST:.二对于ZnSe:Cu量子点的荧光发射机制，我们提出了一种可能的复合途径。ZnSe 与 ZnS:Cu 量子点的吸收都是 ZnSe 基体的吸收，但是导带中处于激发态的电子在 ZnSe 量子中时直接跃迁到价带发生辐射性复合，同时也有少部分的电子被深陷阱(DT)和浅陷阱(ST)捕获再与价带空穴复合产生缺陷发射。在水相体系中，由于 受合成温度较低等因素的影响，合成的ZnSe量子点容易产生缺陷，难以得到发射性 能的良好的ZnSe量子点。不过，通过掺杂Cu、Mn等元素，能够有效的消除ZnSe 的缺陷态。虽然关于 Cu 杂质在 ZnSe 基体中的价态尚没有文献一致的报道，但是 Cu会在导带与价带中间靠近价带处产生新的Cu2+/Cu1+能级文献报道。同时，Cu原 子的3d电子轨道在ZnSe晶格中受到晶体场的作用会发生分裂，产生六重简并的“t” 和四重简并的“e”亚能级，如图4-9所示d的能级示意图。ZnSe:Cu导带中的电子跃 迁到“t”和“e”能级上，然后与从价带扩散上来的空穴发生辐射复合，这是导致ZnSe:Cu 掺杂量子点的发射峰比ZnSe量子点的带隙发射峰更宽的原因。此外，依据量子尺寸 效应，改变合成条件而获得不同尺寸的ZnSe:Cu量子点，其带隙随着尺寸变大逐渐 变窄。从而导致导带与Cu能级之间的带隙也会减小，因此ZnSe:Cu量子点的发射 峰发生红移。2斗0图3T4 Mr?离子掺杂的量子点系统的能级示意图。ground state从 excitonic statesSchematic illustration of the kinetic parameters described by the coupled rate equations of Equation 1 for a three-level Mn2t-doped QD system. The state labels 0, 1, and 2 correspond to the labels in Equations 1 and 2. The straight arrows represent radiative processes and the curved arrows represent nonradiative processes. kr and knr are linear decay rate constants for radiative and nonradiative processes, and kET describes the rate constant for nonradiative energy transfer from the QD to the Mn2t.者是后者的约10000倍。这主要是由于两者的受激发光原理的差别。如图3-14, 对于本征量子点，其激发过程是空带的基态电子受激跃迁到导带成为激发态电子, 山从导带回落到空带上与空穴复合发光，而在有何口掺杂中心能级存在时，澈发 态电于会趴迁至IMn的4Ti能级再由4Tt能级落到恤】基态能级发牛复合发光。 由于存在%的自旋禁戒效应，便得竹】到%、的辐射复合速率非常小51, 因此英荧光寿命就远远人于木征发光，成为Mn掺杂发光的显著特祉”6.5 mL液体石蜡。C淡粉红色硬脂酸锰澄清透明20 mmol硬脂酸钠.72g硬脂酸锌08g硬脂酸10mmolMnCI2100 mL甲醇形成混合物澄清透明溶液r12 m甲醇150 C6ml液体石蜡甲醇再清 洗+烘干、i搅拌+f 100 C6.5ml液体石蜡”Mn前驱体淡粉红色硬脂酸锰Zn前驱体0.05g 硬'脂酸锰硬脂酸锰