模拟电子技术模拟试题二及答案

模拟电子技术模拟试题二、填空题（每空 1 分 共 32 分）1、P 型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（ ）载流子。2、PN结正偏时（）,反偏时（），所以PN结具有（）导电性。负反馈。3、 反向电流是由（）载流子形成，其大小与（4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（5、当温度升高时，三极管的等电极电流 I（6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（7、 三极管放大电路共有三种组态（）、（8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（9、负反馈放大电路和放大倍数 Af= （），）有关，而与外加电压（）。）控制元件。），发射结压降 UBE（）。），集电结（ ）。）、（ ）放大电路。）负反馈，为了减小输出电阻采用（）对于深度负反馈 Af= （）。10、 共模信号是大小（），极性（ ）的两个信号。11、 乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。）。12、 用低频信号去改变高频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，高频信号称高频13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（）,fa= （） f B。14、 要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。15、 在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。二、选择题（每空 2 分 共 30 分）1 、三端集成稳压器 CW7812 的输出电压是（ ）。A、 12VB、 5VC、 9V），2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、 6V、 2.7V ，则三个电极分别是 该管是（）型。D、(PNP) E、(NPN)）失真，下半周失真时为（ ）失真A、(B、 C、 E)B、(C、 B、 E)C、(E、 C、 B)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（A、饱和 B、截止C、交越D、频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移5、 共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低6、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。A、 020 B、 20200 C、 20010007、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo= ( ) UzA 、 0.45 B 、 0.9 C 、 1.28、 当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（ ）。A、U-U+ B、I-1+0 C、UO=UiD、Au=19、 对功率放大器的主要要求有（）（）（ ）。A、U0高，B、PO大 C、效率高D、Ri大E、波形不失真10、 振荡器的输出信号最初由（）而来的。A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号三、分析计算题1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示： 求：频带内电压放大倍数 Auf （取整数）；截止频率fL ；OKJlr r2、（ 8 分）已知：电路如图：t=0 时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V求：U01t=10s时的U0 ？3、（ 10 分）已知：电路如图示： Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K ,RE=1.65K，UBEQ=0.7V，8= C2=20uf，rbe=1.5K，3=100，CE=10uf求：ICQ UCEQAu RiR0 （取小数点后1位）66°II1 &1 dKen1OR=7.9K Q，C=0.02uF，RF=10K，求： fo R1 冷态电阻值；4、（9分）已知：RC振荡电路如下图, 指明R1的温度特性；5、（ 7 分）已知：电路如图示： IQ=5mA，R1=500 Q，R2=1K Q ；求：输出电压U0;试题二答案一、填空（每空 1 分 共 32 分）1、多数少数2、导通截止 单向3、少数温度 无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极 共基极8、直流电压9、A/1+AF1/F10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制 高频载波13、好1+ B14、正反馈15、" 2U2二、选择题（每空2分共 30 分）1、 A2、 CE3 、 BA4、 C5、 A6、 B7、 C8、 AB9、 BCE10 、 C三、分析与计算题（共 38 分）1、1）-1002) 160Hz2、1）1.1V2)1.1V3、1）2mA2 ) 4.7V3)-66.74) 1.4K Q5) 2KQ4、1）1KHz2) 5Q3）正温度导数5、UO=20V