MOS场效应晶体管的结构工作原理学习教案

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1、会计学1MOS场效应晶体管的结构工作场效应晶体管的结构工作(gngzu)原理原理第一页，共12页。 N沟道增强型MOSFET 的结构(jigu)示意图和符号见图 。其中： D(Drain)为漏极，相当c； G(Gate)为栅极，相当b； S(Source)为源极，相当e。 图 N沟道增强型 MOSFET结构(jigu)示意图（动画） 绝缘栅型场效应三极管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 N沟道(u do)、P沟道(u do) 耗尽型 N沟道(u do)、P沟道(u do)第1页/共11页第二页，共12页。 1 N沟道(u do)增强型M

2、OSFET的结构P型衬底BSiO2N+N+SDG 取一块(y kui)P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺(gngy)生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。DGSBDGSB动画2-3第2页/共11页第三页，共12页。 2 N沟道增强型MOSFET的工作(gngzu)原理 对N沟道增强型MOS场效

3、应三极管的工作原理，分两个方面进行讨论，一是栅源电压UGS对沟道会产生(chnshng)影响，二是漏源电压UDS也会对沟道产生(chnshng)影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生(chnshng)影响。 1栅源电压UGS的控制(kngzh)作用SDGPN+N+SiO型衬底DSUGSU2=0空穴正离子电子负离子+ 先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。 UGS带给栅极正电荷，会将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走，从而形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。 同时会在栅极下的表层感生一定的电子电荷，若电子数量较多，从而在漏源之间可形成导电沟道。 沟道中的电子

4、和P型衬底的多子导电性质相反，称为反型层。此时若加上UDS ，就会有漏极电流ID产生。反型层 显然改变UGS就会改变沟道，从而影响ID ，这说明UGS对ID的控制作用。0DSU 当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS ，也不能形成ID 。当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。动画2-4第3页/共11页第四页，共12页。 2漏源电压UDS的控制(kngzh)作用 设UGSUGS(th)，增加UDS，此时(c sh)沟道的变化如下。SDGPN+N+SiO2型衬底DSU+GSUGS(th)U空穴正离子电子负离子 显然漏源电压(diny)会对

5、沟道产生影响，因为源极和衬底相连接，所以加入UDS后， UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。 当UDS进一步增加时， ID会不断增加,同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为预夹断。预夹断 当UDS进一步增加时， 漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在夹断区。DI动画2-5第4页/共11页第五页，共12页。 3 N沟道(u do)增强型MOSFET的特性曲线 N沟道(u do)增强型MOSFET的转移特性曲线有两条，转移特性曲线和漏极

6、输出特性曲线。1)转移特性曲线OGSU4321/VDImA/4321Uth(on)10VDSU N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线如左图所示，它是说明栅源电压UGS对漏极电流ID的控制关系，可用这个(zh ge)关系式来表达，这条特性曲线称为转移特性曲线。 转移特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制(kngzh)作用。 gm称为跨导。这是场效应三极管的一个重要参数。constGSDmDSUUIg单位mS（mA/V）第5页/共11页第六页，共12页。 2)漏极输出特性曲线(qxin) 当UGSUGS(th)，且固定为某一值时，反映UDS对ID的影响，即ID=f(UDS)UGS=co

7、nst这一关系曲线(qxin)称为漏极输出特性曲线(qxin)。 场效应三极管作为放大元件使用时，是工作在漏极输出特性曲线水平段的恒流区，从曲线上可以看出UDS对ID的影响很小。但是改变(gibin)UGS可以明显改变(gibin)漏极电流ID，这就意味着输入电压对输出电流的控制作用。OV2GSUV3V5 . 3V4DImA/15105DSU/V恒流区.曲线(qxin)分五个区域：（1）可变电阻区（2）恒流区（放大区）（3）截止区（4）击穿区（5）过损耗区可变电阻区截止区击穿区过损耗区第6页/共11页第七页，共12页。 OV2GSUV3V5 . 3V4DImA/15105DSU/V恒流区.从漏

8、极输出特性曲线可以得到转移(zhuny)特性曲线，过程如下：OGSU4321/VDImA/4321UGS(th)10VDSU第7页/共11页第八页，共12页。 4 N沟道(u do)耗尽型MOSFETSDGPN+N+SiO2型衬底DGSBB+04321654321/mA/VDGSIUIDSSUGS(off) N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如下图所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了一定量的正离子。所以当UGS=0时，这些正离子已经(y jing)感生出电子形成导电沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。 当UGS=0时，对应的漏极电流用IDSS表示。当UGS0时，将使ID进一

9、步增加。UGS0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。N沟道耗尽(ho jn)型MOSFET的转移特性曲线如右上图所示。夹断电压IDSS第8页/共11页第九页，共12页。PNP型一样。第9页/共11页第十页，共12页。 关于场效应管符号(fho)的说明：DGSBDGSBDGSBSGDN沟道(u do)增强型MOS管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道(u do)不通。表示衬底在内部没有(mi yu)与源极连接。N沟道耗尽型MOS管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。 N沟道结型MOS管。没有绝缘层。如果是P沟道，箭头则向外。第10页/共11页第十一页，共12页。NoImage内容(nirng)总结会计学。漏、衬底和源、分开，表示(biosh)零栅压时沟道不通。如果是P沟道，箭头则向外第十二页，共12页。