上海半导体刻蚀设备项目投资计划书

《上海半导体刻蚀设备项目投资计划书》由会员分享，可在线阅读，更多相关《上海半导体刻蚀设备项目投资计划书（145页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、泓域咨询/上海半导体刻蚀设备项目投资计划书目录第一章 项目概述8一、 项目概述8二、 项目提出的理由10三、 项目总投资及资金构成11四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标12六、 项目建设进度规划12七、 环境影响12八、 报告编制依据和原则13九、 研究范围14十、 研究结论14十一、 主要经济指标一览表14主要经济指标一览表14第二章 项目承办单位基本情况17一、 公司基本信息17二、 公司简介17三、 公司竞争优势18四、 公司主要财务数据20公司合并资产负债表主要数据20公司合并利润表主要数据20五、 核心人员介绍21六、 经营宗旨22七、 公司发展规划22第三章 项目

2、背景、必要性28一、 海外龙头居于垄断地位，研发并购筑起行业壁垒28二、 国内产线建设持续加码，积极导入国产设备推动放量28三、 技术端：先进制程拉动刻蚀用量，复杂结构打开设备市场30四、 推动长三角率先形成新发展格局33五、 强化高端产业引领功能34第四章 行业发展分析35一、 刻蚀设备国产化率低，国产替代空间广35二、 半导体设备投资占比巨大，刻蚀设备是其中重要一环37三、 半导体刻蚀设备：多频共振驱动刻蚀市场，国产替代未来可期43第五章 建筑物技术方案46一、 项目工程设计总体要求46二、 建设方案48三、 建筑工程建设指标50建筑工程投资一览表50第六章 项目选址52一、 项目选址原则

3、52二、 建设区基本情况52三、 强化全球资源配置功能53四、 项目选址综合评价54第七章 产品方案与建设规划56一、 建设规模及主要建设内容56二、 产品规划方案及生产纲领56产品规划方案一览表56第八章 法人治理结构58一、 股东权利及义务58二、 董事62三、 高级管理人员67四、 监事69第九章 运营模式分析71一、 公司经营宗旨71二、 公司的目标、主要职责71三、 各部门职责及权限72四、 财务会计制度75第十章 组织机构及人力资源79一、 人力资源配置79劳动定员一览表79二、 员工技能培训79第十一章 劳动安全82一、 编制依据82二、 防范措施85三、 预期效果评价90第十二

4、章 环境保护分析91一、 编制依据91二、 环境影响合理性分析92三、 建设期大气环境影响分析93四、 建设期水环境影响分析94五、 建设期固体废弃物环境影响分析95六、 建设期声环境影响分析95七、 环境管理分析96八、 结论及建议97第十三章 进度规划方案99一、 项目进度安排99项目实施进度计划一览表99二、 项目实施保障措施100第十四章 投资计划方案101一、 投资估算的依据和说明101二、 建设投资估算102建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表104四、 流动资金106流动资金估算表106五、 总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108

5、项目投资计划与资金筹措一览表109第十五章 经济收益分析110一、 基本假设及基础参数选取110二、 经济评价财务测算110营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表112利润及利润分配表114三、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表116四、 财务生存能力分析118五、 偿债能力分析118借款还本付息计划表119六、 经济评价结论120第十六章 项目招标及投标分析121一、 项目招标依据121二、 项目招标范围121三、 招标要求121四、 招标组织方式123五、 招标信息发布124第十七章 风险评估分析125一、 项目风险分析125二、 项目风险对策127第十八章

6、总结129第十九章 补充表格132营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表132固定资产折旧费估算表133无形资产和其他资产摊销估算表134利润及利润分配表135项目投资现金流量表136借款还本付息计划表137建设投资估算表138建设投资估算表138建设期利息估算表139固定资产投资估算表140流动资金估算表141总投资及构成一览表142项目投资计划与资金筹措一览表143本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。

7、第一章 项目概述一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：上海半导体刻蚀设备项目2、承办单位名称：xxx投资管理公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xxx5、项目联系人：钱xx（二）主办单位基本情况公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进

8、一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安

9、全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx，占地面积约94.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx套半导体刻蚀设备/年。二、 项目提出的理由刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程。目前干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位，市场占比超过90%。同时，等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，

10、电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）是两种常用的等离子刻蚀方法。随着当前集成电路技术的不断发展，构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀（ALE）能够精确控制刻蚀深度，成为未来技术升级趋势。刻蚀设备作为半导体设备的中坚力量，有望率先完成国产替代。半导体设备主要应用于半导体制造和封测流程，是半导体行业的基础和核心。随着半导体制程的微缩和结构的复杂化，半导体刻蚀设备的种类和技术难度递增。从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创等

11、。在“十四五”发展基础上，再奋斗十年，国际经济、金融、贸易、航运、科技创新中心和文化大都市功能全面升级，基本建成令人向往的创新之城、人文之城、生态之城，基本建成具有世界影响力的社会主义现代化国际大都市和充分体现中国特色、时代特征、上海特点的人民城市，成为具有全球影响力的长三角世界级城市群的核心引领城市，成为社会主义现代化国家建设的重要窗口和城市标杆。世界影响力全面提升，全球枢纽和节点地位更加巩固，城市核心功能大幅跃升，城市软实力全面增强，综合经济实力迈入全球顶尖城市行列；高质量发展率先实现，建成现代化经济体系，更多关键核心技术自主可控，全要素生产率全国领先，新发展理念全面彰显；高品质生活广泛享

12、有，基本实现幼有善育、学有优教、劳有厚得、病有良医、老有颐养、住有宜居、弱有众扶，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展；现代化治理走出新路，全过程民主充分展现，平等发展、平等参与权利得到充分保障，城市运行更加安全高效，社会治理更加规范有序，城市空间格局、经济格局、城乡格局进一步优化，绿色健康的生产生活方式蔚然成风。展望二三五年，“人人都有人生出彩机会、人人都能有序参与治理、人人都能享有品质生活、人人都能切实感受温度、人人都能拥有归属认同”的美好愿景将成为这座城市的生动图景。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资

13、43900.75万元，其中：建设投资34729.78万元，占项目总投资的79.11%；建设期利息373.19万元，占项目总投资的0.85%；流动资金8797.78万元，占项目总投资的20.04%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资43900.75万元，根据资金筹措方案，xxx投资管理公司计划自筹资金（资本金）28668.57万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额15232.18万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：100700.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：83676.66万元。3、项目达产年净利

14、润（NP）：12428.82万元。4、财务内部收益率（FIRR）：19.73%。5、全部投资回收期（Pt）：5.80年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：44656.46万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响建设项目的建设和投入使用后，其产生的污染源经有效处理后，将不致对周围环境产生明显影响。建设项目的建设从环境保护角度考虑是可行的。项目建设单位在执行“三同时”的管理规定的同时，切实落实本环境影响报告中的环保措施，并要经环境保护管理部门验收合格后，项目方可投入使用。八、 报告编制依据和原则（

15、一）编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。（二）编制原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。九、 研究范围报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内

16、外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求，对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证，以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。十、 研究结论由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积62667.00约94.00亩1.1总建筑面

17、积104826.961.2基底面积36973.531.3投资强度万元/亩350.102总投资万元43900.752.1建设投资万元34729.782.1.1工程费用万元30332.352.1.2其他费用万元3735.752.1.3预备费万元661.682.2建设期利息万元373.192.3流动资金万元8797.783资金筹措万元43900.753.1自筹资金万元28668.573.2银行贷款万元15232.184营业收入万元100700.00正常运营年份5总成本费用万元83676.666利润总额万元16571.767净利润万元12428.828所得税万元4142.949增值税万元3763.17

18、10税金及附加万元451.5811纳税总额万元8357.6912工业增加值万元27922.9713盈亏平衡点万元44656.46产值14回收期年5.8015内部收益率19.73%所得税后16财务净现值万元18064.69所得税后第二章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx投资管理公司2、法定代表人：钱xx3、注册资本：1060万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2015-8-37、营业期限：2015-8-3至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事半导体刻蚀设备相关业务（企业依法自主选择经营

19、项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平

20、进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放

21、，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理

22、方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据

23、公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额15714.7912571.8311786.09负债总额8497.006797.606372.75股东权益合计7217.795774.235413.34公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入69980.6255984.5052485.46营业利润16844.4413475.5512633.33利润总额15179.4312143.5411384.57净利润11384.578879.968196.89归属于母公司所有者的净利润11384.578879.968196.89五、 核心人

24、员介绍1、钱xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。2、袁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。3、史xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。

25、2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、余xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、廖xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。6、彭xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至

26、今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。7、朱xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。8、史xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨加强经济合作和技术交流，采用先进适用的科学技术和科学经营管理方法，提高产品质量，发展新产品，并在质量、价格等方面具有国际市场上的竞争能力，提高经济效益，使投资者获得满意的利益。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司

27、秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持

28、续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、

29、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌

30、是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公

31、司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，

32、提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提

33、升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具

34、有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第三章 项目背景、必要性一、 海外龙头居于垄断地位，研发并购筑起行业壁垒半导体刻蚀设备市场主要由美日厂商主导。半导体刻蚀设备领域长期由海外龙头垄断，根据中商情报网统计，全球刻蚀企业前三大分别是泛林半导体（LamResearch）、东京电子（TEL）、应用材料（AMAT），全球市占率合计91%，其中泛林半导体以45%的市场份额遥遥领先，东京

35、电子和应用材料则分别占据28%和18%的市场份额。二、 国内产线建设持续加码，积极导入国产设备推动放量中国大陆成为全球最大半导体设备市场，承接半导体制造产能重心转移。根据SEMI统计数据，2020年全球半导体设备市场规模达到712亿美元，增速为24%。在2020年，中国大陆半导体设备市场占全球市场的26.3%，首次超越中国台湾和韩国成为全球最大的半导体设备市场。作为半导体设备中的核心设备，国产刻蚀设备有望随着国内半导体设备市场规模的快速增长而迎来黄金发展期。中芯国际等国内晶圆厂积极扩产，拉动国产半导体设备需求。在半导体需求高涨以及芯片自制政策推动下，中芯国际、华虹集团等国内晶圆代工厂未来数年扩

36、产计划仍相当积极。根据芯思想研究院统计，截至2021年6月我国晶圆制造扩产的Fab厂有16家，规划产能超过90万片，产能将在2021-2023年逐步释放。随着多家晶圆厂研发产线在中国大陆的投产，国内晶圆厂建设密集期到来，各个晶圆厂也会加速新一轮半导体设备的采购，将为半导体刻蚀设备的提供更加广阔的舞台。新增产能建设积极导入国产设备，国产刻蚀设备中标量进一步提升。根据国内晶圆厂主要招投标数据显示，海外龙头供应厂商占据最大份额，国内龙头公司北方华创、中微公司、屹唐股份处于加速导入过程。以长江存储设备招中标情况，截至2020年12月，长江存储共累计招标348台刻蚀设备，其中美国厂商LamResearc

37、h占据超过一半的采购量，达187台；而国内厂商中微公司、北方华创、屹唐股份分别中标50台、18台、13台，国产化率高达23.85%。以华虹六厂设备招中标情况为例，截至2020年12月，华虹六厂共累计招标81台刻蚀设备，其中LamResearch依旧占据超过一半的采购量，达45台；国内厂商中微半导体、北方华创分别中标15台、1台，国产化率约为19.75%。根据亚化咨询研究数据显示，2018、2019年长江存储采购的国产刻蚀机占比迅速提升，预计2023年将突破40%，刻蚀设备国产替代未来可期。国家政策陆续出台，驱动国产刻蚀设备行业持续发力。近年来国家加大对于半导体产业政策的扶持力度，多项重磅文件相

38、继出台，主要表现在对于整个IC产业链企业的政策优待以及对于半导体设备行业的相关规划与推动。其中国家集成电路产业发展推进纲要和科技部重点支持集成电路重点专项等一系列政策推动了一批国内半导体设备公司进行了一系列重点工艺和技术的攻关，使得我国半导体设备行业涌现出了一批拥有国际竞争力的龙头企业，有效促进了我国半导体设备行业的发展。三、 技术端：先进制程拉动刻蚀用量，复杂结构打开设备市场逻辑芯片不断突破，先进工艺刻蚀次数也不断提升。晶圆代工行业呈现越来越高的资金和技术壁垒，如今晶圆厂一条28nm的4万/月的生产线需要40-50亿美元资本开支，研发新一代制程节点可能需要数十亿美元，如此庞大的投入构筑起了高

39、资金和技术壁垒。而随着“摩尔定律”放缓，从7纳米到5纳米乃至3纳米，每一个制程节点都举步维艰，拥有高端制程能力的公司屈指可数，而对于不同节点的产品研发也需要海量的资金投入。而随着先进制程工艺不断演进，所需要的刻蚀次数也逐渐增多，从65nm制程的20次增加至5nm制程的160次，复杂度提升了8倍，显著提升了半导体刻蚀设备的数量和质量。逻辑电路制程不断微缩，FinFET成为当前主流工艺。逻辑电路工艺不断的向着微型化发展，基于传统平面MOSFET结构的晶胞单元不断的缩小，漏、源的间距也不断的减小，栅极的控制力就不断的减弱，导致器件的性能恶化，同时增加了静态的功耗。当半导体工艺向更高技术节点挺进时，平

40、面结构制程工艺逐渐达到极限难以突破，3D结构的FinFET工艺逐渐成为主流。与平面晶体管相比，FinFET器件改进了对沟道的控制，从而减小了短沟道效应，同时能够更好地对沟道进行静电控制。然而，当工艺制程来到3nm之后，鳍片(Fin)宽度达到5nm(等于3nm节点)时，FinFET将接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈。此时全环栅晶体管GAA有望延续半导体技术经典“摩尔定律”的新兴技术路线，进一步增强栅极控制能力，克服当前技术的物理缩放比例和性能限制。先进工艺结构增加刻蚀难度与刻蚀步骤，对刻蚀设备提出了更高的要求。半导体逻辑电路的不断微缩，包括技术本身进化的需求，刻蚀工艺在不断迭代，像Multipl

41、ePatterning技术、基于金属硬掩模的双大马士革工艺等等，都提高了刻蚀的难度，相应刻蚀机制造的难度也随之增加。同时先进制程增加了刻蚀的步骤，多次刻蚀要求每一个步骤的精确度足够高，才能保证整体生产的良率。存储工艺革新带动刻蚀需求提升。NANDFlash技术不断成熟和进步，现已经迈入3DNAND时代，3DNAND采用将存储单元立体堆叠的方式，使得储存能力提升明显，而其技术复杂程度较2D有显著提升。3DNAND需要先经过干法和湿法刻蚀形成柱形通孔和3DNAND单元，由内层依次形成沉积氧化层-氮化层-氧化层结构后形成浮栅层，然后刻蚀多余的FG使之能够实现完全隔离，最后通过多步沉积形成3DNAND

42、Flash。3DNAND形成过程中需要用到多步刻蚀，并且要保证刻蚀的各向异性和尽量小的偏差，对于刻蚀设备和相应技术都有着极高的要求。高深宽比通道刻蚀与选择性刻蚀等步骤使3DNAND刻蚀难度全面升级。在96层3DNAND中纵横比高达70:1，每块晶圆中有一万亿个微小孔通道，孔道随着叠加层数而增多，故保证孔道的均匀性和平整性才能保证器件的性能。其中，克服不完全刻蚀、弓形刻蚀、扭曲以及堆叠顶部和底部之间的CD差异成为刻蚀3DNAND工艺中面临的巨大挑战。此外，选择性刻蚀是3DNAND刻蚀工艺中的关键步骤，刻蚀的均一性直接影响后续栅极电介质的沉积质量，但随着堆叠层数增加，畸形氧化沉积层变厚，严重时会直

43、接导致氧化层塌陷，影响芯片性能。因此，3DNAND更高堆叠层数的突破将带来刻蚀难度的极大提升，器件性能的突破也往往伴随着刻蚀工艺的长足进步。DRAM微缩工艺拉动刻蚀设备需求。DRAM制程工艺进入20nm以后，由于制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1x、1y、1z，大体来讲，1x-nm制程相当于1619nm、1y-nm相当于1416nm，而1z-nm则相当于1214nm。如今传统的DRAM面临越来越严峻的微缩挑战，随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进，DRAM电路图形密度增大，多重图案化重复次数增加，极大地增加了刻蚀工艺的设备需求。四、 推动长三角

44、率先形成新发展格局进一步发挥龙头带动作用，以一体化的思路举措为突破口，以联动畅通长三角循环为切入点，积极推动国内大循环、促进国内国际双循环。聚焦打造联通国际市场和国内市场的新平台，充分发挥浦东高水平改革开放的引领带动作用、自贸试验区临港新片区的试验田作用、长三角生态绿色一体化发展示范区的窗口示范作用，持续放大中国国际进口博览会溢出带动效应和虹桥国际开放枢纽功能，打造联动长三角、服务全国、辐射亚太的进出口商品集散地，推动贸易和投资自由化便利化，更好地配置全球资源。聚焦增强国内大循环的内生动力，以深化科创板和注册制改革为带动，推动金融中心和科技创新中心联动发展，引导资本更好服务科技创新和实体经济，

45、高水平建设长三角国家技术创新中心，做强长三角资本市场服务基地，更好地发挥G60科创走廊、长三角双创示范基地联盟等跨区域合作平台作用，加快构建长三角创新共同体，在更广区域实现创新链、产业链、资金链良性循环。聚焦打造一体化市场体系，着力打破行政壁垒，推动各类要素在更大范围畅通流动，加快建设上海大都市圈，推动长三角各地发展规划协同，促进更高水平区域分工协作。深入推进长三角生态绿色一体化发展示范区制度创新，形成有利于要素流动和分工协作的新型治理模式。五、 强化高端产业引领功能加快先进制造业与现代服务业融合发展，强化“高端、数字、融合、集群、品牌”的产业发展方针，加快产业链供应链锻长板、补短板，努力掌握

46、产业链核心环节、占据价值链高端地位。大力发展知识密集型服务业，加快做强专业服务、信息服务、科技服务、文化创意等优势服务业，培育数字内容、在线服务、文体娱乐等新兴服务业，推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸，推动生活性服务业向高品质和多样化升级。推动集成电路、生物医药、人工智能三大先导产业规模倍增，加快发展电子信息、汽车、高端装备、先进材料、生命健康、时尚消费品六大重点产业，打造具有国际竞争力的高端产业集群，推进特色产业园区建设。同长三角区域产业集群加强分工协作，突破一批核心部件、推出一批高端产品、形成一批中国标准。加快数字化发展，大力发展数字经济，加快数字社会、数字政府建设，全力打造具有国

47、际竞争力的数字产业集群。全面实施智能制造行动计划，大力发展在线新经济等新业态新模式，聚焦智能工厂、工业互联网、特色电商、网络视听等重点领域，培育壮大一批本土龙头企业，打造新生代互联网企业集群。第四章 行业发展分析一、 刻蚀设备国产化率低，国产替代空间广国产刻蚀设备自给率不足两成，国内厂商有望迅速崛起。在2020年，核心集成电路设备的国内市场国产化率不足10%，而刻蚀设备的国产化率约20%，是目前国产替代占比最高的重要半导体设备之一，也有望率先完成国产替代。从需求端看，随着全球贸易摩擦给半导体供应链带来的不确定性，国内晶圆厂更倾向于购买国产设备。从政策环境上来看，我国政府对于半导体设备行业更加重

48、视，推出有针对性的行业优惠扶持政策和以专项的形式组织一批国内半导体设备公司进行一系列重点工艺和技术的攻关。从资本角度来看，政府成立一批国家产业投资基金，大力度投资半导体设备、半导体材料等基础环节。国内刻蚀设备细分龙头如北方华创、中微公司等在等离子体刻蚀设备领域产品优势显著，已达到世界领先水平。因此，刻蚀领域国产化替代前景广阔，在需求、政策、资本、技术等多因素推动下，有望加速实现国产化。对比国际刻蚀龙头，国内刻蚀企业在规模、研发、技术等差距显著。国内刻蚀领域虽然已经涌现出多家实力雄厚的公司，如北方华创和中微公司，但国内刻蚀设备生产厂商在全球刻蚀设备市场的市占率较低，与世界头部企业在多方面存在较大

49、差距。从营业收入和归母净利润角度看，北方华创和中微公司虽然在近年均呈现高速增长态势，但是总规模与国际巨头差距悬殊。从研发投入角度看，虽然北方华创和中微公司研发投入占营业收入比重超过国外企业，但是研发投入总规模仍然远远小于国际龙头企业。在国家集成电路产业基金和行业政策的大力扶持下，二者的研发投入有望迎来大幅提升。在技术水平上，国内头部企业尚未攻克一些顶尖刻蚀技术，与国际巨头存在较大差距。北方华创和中微公司均未涉足目前行业最尖端的ALE技术，而泛林集团的ALE已经实现量产。在先进制程节点上，泛林集团的5nm刻蚀应用已经进入量产阶段，3nm刻蚀应用正在验证阶段，而国内企业尚处在5nm刻蚀应用的验证阶

50、段和3nm刻蚀应用的研发阶段。国内刻蚀龙头企业的部分技术已达到国际一流水平。在目前广泛使用的高密度等离子刻蚀设备上，中微公司的ICP和CCP刻蚀设备与泛林集团DRIE刻蚀设备的刻蚀效果相当。同时，中微公司的介质刻蚀已经进入台积电7nm/5nm产线，是唯一一家进入台积电产线的国产刻蚀设备生产商。北方华创在ICP刻蚀领域优势显著，已量产28nm制程以上的刻蚀设备，同时已经突破14nm技术，并进入中芯国际14nm产线验证阶段。随着国内刻蚀龙头紧跟先进制程发展，加大研发投入，积极并购与整合，整体国产刻蚀设备水平有望快速迭代升级并完成刻蚀领域的国产替代。二、 半导体设备投资占比巨大，刻蚀设备是其中重要一

51、环半导体设备在硅片制造、前道及后道工艺中举足轻重。半导体设备即主要应用于半导体制造和封测流程的设备。半导体设备行业是半导体制造的基石，是半导体行业的基础和核心。从产业链来看，半导体设备的上游主要是单晶硅片制造以及IC设计，下游则主要为IC封测。根据半导体设备在IC制造中应用的场景不同，一般可以分为氧化炉、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀机、离子注入机、清洗设备、质量/电学检测设备、CMP设备、CVD设备和PVD设备等。先进制程驱动产线建设成本上行，半导体设备资本支出占比提升。通常，一条90nm制程芯片的晶圆生产线建设成本为20亿美元，当制程微缩至20nm时成本达到67亿美元，翻了三倍之多。而半导体设

52、备作为半导体产线投资的主要投入项，不仅种类繁多，而且具有非常高的技术要求，也导致设备的价格非常昂贵，设备在生产线的资本支出占比也逐渐提高。根据高新智库研究表明，在90nm制程中设备支出占比为70%，到了20nm制程占比达到85%，从14亿美元提高到57亿美元，提高了约4倍。IC制造设备占半导体设备比例达80%，光刻、刻蚀和沉积设备为主要组成部分。从产品细分结构来看，目前供应的半导体设备主要为IC制造设备，其占市面上半导体设备的比重约为80%；在这些IC制造设备中，以光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备为主，根据SEMI测算数据，当前这三类半导体设备分别约占市面上半导体设备的24%、20%和20%。光刻

53、：光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，其利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上，具有耗时长、成本高的特点。光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备，技术含量、价值含量极高。刻蚀：刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格的工艺流程控制。薄膜沉积：薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节。薄膜沉

54、积是指任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺，这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。薄膜沉积有化学和物理工艺之分，具体而言可分为化学气相沉积、物理气相沉积和其他沉积三大类。中国大陆占据全球半导体设备市场约四分之一，技术仍处于追赶状态。中国大陆的半导体设备需求量大，2019年中国的半导体设备市场规模占到了全球的一半，其中中国大陆的半导体设备市场规模占全球的22.4%，略低于中国台湾。中国大陆在市场需求占据很大份额的同时，半导体设备自给率很低，技术仍处于追赶状态，先进半导体设备技术仍由美欧日等国主导。其中美国的等离子刻蚀设备、离子注入机、薄膜沉积设备、检测设备、测试设备、表面处理设备等设备的制造技术

55、位于世界前列；荷兰则是凭借ASML的高端光刻机在全球处于领先地位；在刻蚀设备、晶圆清洗设备、检测设备、测试设备、氧化设备等方面，日本极具竞争优势。刻蚀设备有望率先完成国产替代。从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。目前我国主流设备中，去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到20%以上。而这之中市场规模最大的则要数刻蚀设备。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创以及屹唐股份。先进工艺不断演进，干法刻蚀大势所趋刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程，进而形成

56、光刻定义的电路图形。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形，有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。在通常的CMOS工艺流程中，刻蚀都是在光刻工艺之后进行的。从这一点来看，刻蚀可以看成在硅片上复制所想要图形的最后主要图形转移工艺步骤。按照刻蚀工艺划分，刻蚀主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，利用等离子体与表面薄膜反应，形成挥发性物质，或者直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。干法刻蚀可以在某一特定方向上进行切割，使得实现理想中纳米（nm）级的超精细图案轮廓。湿法刻

57、蚀工艺主要是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，该刻蚀方法会导致材料的横向纵向同时腐蚀，会导致一定的线宽损失。目前来看，干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位，市场占比约90%。按照刻蚀材料划分，刻蚀工艺包括介质刻蚀和导体刻蚀，导体刻蚀又分为硅刻蚀和金属刻蚀。金属刻蚀主要是在金属层上去除铝、钨或铜层，以在逐级叠加的芯片结构中生成互联导线图形；硅刻蚀（包括多晶硅）应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅、硅槽电容；介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。对于8英寸晶圆，介质、多晶硅以及金属刻蚀是刻蚀设备的常用类别。进入12英寸世代以后，随着铜互连的发展，金属刻蚀逐渐萎缩，介质刻蚀份额逐渐加

58、大。20年介质刻蚀设备的份额已超过40%，而且随着器件互连层数增多，介质刻蚀技术和设备有望持续发展。干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片表面材料；化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率；物理化学性刻蚀，即反应离子刻蚀，利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，具有各向异性强的优势，是超大规模集成

59、电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。ICP与CCP是应用最为广泛的刻蚀设备。目前等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）是两种常用的等离子刻蚀方法。CCP的原理是将施加在极板上的射频或直流电源通过电容耦合的方式在反应腔内形成等离子体，主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。ICP刻蚀的原理是将射频电源的能量经由电感线圈，以磁场耦合的形式进入反应腔内部，从而产生等离子体并用于刻蚀，主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。原子层刻蚀（ALE）能够精确控制刻蚀深度，成为未来技术升级趋势。随着当前集成电路技术的不断发展，

60、构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀（ALE）是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层，不会触及和破坏底层以及周围材料的先进半导体生产工艺。ALE是一种先进的刻蚀技术，可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。原子层刻蚀（ALE）技术适合间距或者空间上非常紧密的可能发生孔洞“堵塞”的刻蚀，和具有超高选择性和均匀性的应用。原子层刻蚀（ALE）可以分为等离子体ALE和高温ALE，适用于不同类型的刻蚀。等离子体ALE使用高能离子或中性物质从表面上剔除物质的方法来进行蚀刻；而高温ALE应用于特定的高温气相反应。目前，等离子体ALE已经进入生产使用阶段，而高温ALE仍处

61、于早期阶段，距离商业化使用仍有较远距离。介质刻蚀和硅刻蚀领衔，等离子体刻蚀成绝对主流。从下游半导体行业刻蚀机的需求来看，介质刻蚀机与硅刻蚀机需求场景较多，因此占比较高，其中介质刻蚀与硅刻蚀机分别占据干法刻蚀工艺半壁江山。在集成电路生产线来看，等离子体刻蚀设备因其提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀而被广泛应用，根据问芯Voice，目前等离子体刻蚀设备的市场规模也超过了120亿美元，约占全球刻蚀市场规模的85%左右，成为刻蚀设备的绝对主流。未来随着中微等公司对设备研发的不断投入，刻蚀设备国产化率进一步提升未来可期。三、 半导体刻蚀设备：多频共振驱动刻蚀市场，国产替代未来可期刻蚀是用化学或物理方法

62、对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程。目前干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位，市场占比超过90%。同时，等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）是两种常用的等离子刻蚀方法。随着当前集成电路技术的不断发展，构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀（ALE）能够精确控制刻蚀深度，成为未来技术升级趋势。刻蚀设备作为半导体设备的中坚力量，有望率先完成国产替代。半导体设备主要应用于半导体制造和封测流程，是半导体行业的基础和核心。随着半导体制程的微缩和结构的复杂化，半导体刻蚀设备的种类和技术难度递增。从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创等。终端需求催化刻蚀设备用量，市场规模2022年有望突破1100亿美元。随着5G、大数据、物联网、人工智能等新兴产业的发展，半导体设备有望迎来新一轮发展机遇，从而推动全球刻蚀设备的需求。SEMI预计全球半导体设备市场将持续保持增长，在2021年增长45%至1030亿美元，2022年预计将创下1140亿美元的新高。先进技术增加刻蚀步骤和刻蚀难度，刻蚀设备演绎量价齐升。对于逻辑电路来说，制程微缩和技术迭