chapter5非线性电路学习教案

《chapter5非线性电路学习教案》由会员分享，可在线阅读，更多相关《chapter5非线性电路学习教案（34页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、会计学1chapter5非线性电路非线性电路(dinl)第一页，共34页。5.3-1 5.3-1 概述概述(i sh)(i sh)2.为什么要变频？为什么要变频？优点：优点：1)变频可提高接收机的灵敏度变频可提高接收机的灵敏度2)提高接收机的选择性提高接收机的选择性3)工作稳定性好工作稳定性好4)波段工作时其质量指标一致性好波段工作时其质量指标一致性好缺点：产生缺点：产生(chnshng)镜像干扰、中频干扰等干扰镜像干扰、中频干扰等干扰第1页/共34页第二页，共34页。3.变频器的分类变频器的分类(fn li)：按器件按器件(qjin)分：分：二极管混频器、二极管混频器、 三极管混频器三极管混

2、频器、三极管变频器、三极管变频器、场效应管混频器、场效应管变频器场效应管混频器、场效应管变频器模拟模拟(mn)乘法器混乘法器混频器频器按工作特点分：按工作特点分：单管混频单管混频平衡混频、平衡混频、环型混频环型混频5.3-1 5.3-1 概述概述从两个输入信号在时域上的处理过程看：从两个输入信号在时域上的处理过程看：叠加型混频器、叠加型混频器、乘积型混频器乘积型混频器第2页/共34页第三页，共34页。4.4.混频器的性能指标：混频器的性能指标：1)1)变频变频( (混频混频(hn pn)(hn pn)增益：增益：混频器输出(shch)中频电压Vim与输入信号电压Vsm的幅值之比。2)2)噪声系

3、数：噪声系数：高频输入端信噪比与中频(zhngpn)输出端信噪比的比值。3)3)选择性：选择性：抑制中频信号以外的干扰的能力。4)4)非线性干扰：非线性干扰：抑制组合频率干扰、交调、互调干扰等干扰的能力。上述的几个质量指标是相互关联的，应该正确选择管子的工作点、合理选择本振电路和中频频率的高低，使得几个质量指标相互兼顾，整机取得良好的效果。5.3-1 5.3-1 概述概述第3页/共34页第四页，共34页。 vs(t)v非线性器件vI(t)ivo(t)带通叠加型混频器实现模型 图示中的非线性器件具有(jyu)如下特性：对其2次方进行(jnxng)分析：在二次方项中出现(chxin)了和的相乘项，

4、因而可以得到(0+s)和(0-s)。若用带通滤波器取出所需的中频成分(和频或差频)，可达到混频的目的。 所用非线性器件的不同，叠加型混频器有下列几种：1.晶体三极管混频器它有一定的混频增益2.场效应管混频器它交调、互调干扰少3.二极管平衡混频器和环形混频器它们具有动态范围大、组合频率干扰少的优点5.3-1 5.3-1 概述概述第4页/共34页第五页，共34页。 vs(t)带通vI(t)vL(t)vo(t)乘积型混频器实现模型乘积(chngj)型混频器由模拟乘法器和带通滤波器组成其实现(shxin)模型如图所示设输入(shr)信号为普通调幅波 采用中心频率不同的带通滤波器(0s)t或(0+s)t

5、则可完成低中频混频或高中频混频。5.3-1 5.3-1 概述概述第5页/共34页第六页，共34页。fi+vsvo(a)fi+vsvo(b)如图所示为晶体三极管混频器的原理(yunl)电路图(a)电路对振荡电压来说是共发电路，输出阻抗较大，混频时所需本地振荡注入功率较小。但因为信号输入电路与振荡电路相互影响较大(直接(zhji)耦合)，可能产生频率牵引现象。图(b)电路的输入信号与本振电压分别从基极输入和发射极注入，产生牵引现象的可能性小。对于本振电压来说是共基电路，其输入阻抗较小，不易过激励(jl)，因此振荡波形好，失真小。但需要较大的本振注入功率。5.3-2 5.3-2 晶体三极管混频器晶体

6、三极管混频器第6页/共34页第七页，共34页。fi+vsvo(c)fi+vsvo(d)图(c)和(d)两种电路都是共基混频电路。在较低的频率工作时，变频增益低，输入阻抗也较低，因此在频率较低时一般都不采用。但在较高的频率工作时(几十MHz)，因为共基电路的截止频率f比共发电(fdin)路的f要大很多，所以变频增益较大。因此，在较高频率工作时采用这种电路。5.3-2 5.3-2 晶体晶体(jngt)(jngt)三极管混频器三极管混频器第7页/共34页第八页，共34页。晶体管混频器的分析晶体管混频器的分析(fnx) 1. 基本电路和工作(gngzu)原理 上图为晶体三极管混频器的原理(yunl)电

7、路。图中，VBB为基极偏置电压，VCC为集电极直流电压，L1C1组成输入回路，它谐振于输入信号频率s。L2C2组成输出中频回路，它谐振于中频i=os。设输入信号 ，本振电压 实际上，发射结上作用有三个电压第8页/共34页第九页，共34页。晶体管混频器的分析方法：晶体管混频器的分析方法：1.幂级数分析法：幂级数分析法：2.变跨导分析法：变跨导分析法：在混频时，混频管可看着一个参数(cnsh)(跨导)在改变的线性元件，即变跨导线件元件。在小信号运用的条件下，也可以将某些非线性元器件函数(hnsh)表达式用幂级数函数(hnsh)近似，使问题简化。用这种方法来分析非线性电路可突出说明频率变换作用，不便

8、于作定量分析。i = a0+a1v+a2v2+a3v3+ 第9页/共34页第十页，共34页。 由于信号(xnho)电压Vsm很小，无论它工作在特性曲线的哪个区域，都可以认为特性曲线是线性的(如图上ab、ab和ab三段的斜率是不同的)。因此，在晶体管混频器的分析中，我们将晶体管视为一个跨导随本振信号(xnho)变化的线性参变元件。晶体管混频器的分析方法：晶体管混频器的分析方法：变跨分导析法：变跨分导析法：加电压后的晶体管转移特性(txng)曲线因VoVsm使晶体管工作在线性时变状态，所以晶体管集电极静态(jngti)电流ic(t)和跨导gm(t)均随 作周期性变化。第10页/共34页第十一页，共

9、34页。 由于信号vs远小于v0，可以近似认为对器件的工作状态变化没有影响。此时流过器件的电流为 i(t) = f(v)= f(v0+ vs+ vBB) 可将v0+ vBB看成器件的交变工作点，则i(t)可在其工作点(v0+ vBB处展开为泰勒级数 由于vs的值很小，可以忽略(hl)二次方及其以上各项，则i(t)近似为 其中f(v0+vBB)是vs=0时仅随v)变化的电流，称为时变静态电流，f(v0+ vBB)随v0+vBB而变化，称为时变电导g(t)，电流可以写为 i(t) Io(t)+g(t) vs(t)将vBB+v0=VBB+V0mcos0t，vs= Vsmcosst代入式展开并整理，得

10、 晶体管混频器的分析方法：晶体管混频器的分析方法：第11页/共34页第十二页，共34页。若中频(zhngpn)频率取差频 ，则混频后输出的中频(zhngpn)电流为 其振幅为 由上式引出(yn ch)变频跨导gc的概念，它的定义为 输出的中频电流振幅Ii与输入高频信号电压的振幅Vs成正比。若高频信号电压振幅Vsm按一定规律(gul)变化，则中频电流振幅Ii也按相同的规律(gul)变化。 晶体管混频器的分析方法：晶体管混频器的分析方法：第12页/共34页第十三页，共34页。 2. 晶体管混频器的主要参数 混频器除混频跨导外，还有输入(shr)导纳、输出导纳、混频增益等参数。前述已知在晶体管混频器

11、的分析中，把晶体管看成一个线性参变元件，因此可采用分析小信号线性放大器时所用的等效电路来分析混频器的参数。 (1) 混频输入导纳 混频输入导纳为输入信号电流与输入信号电压之比，在计算混频器的输入导纳时，可将图所示的等效电路作进一步的简化。混频器的输入回路调谐于s，输出回路调谐于1。对频率s而言，输出可视为短路，同时考虑到CbeCbc，由此得到输入等效电路如图所示，并可算出混频输入导纳为 输入导纳的电导(din do)部分为 而电纳部分(电容)一般总是折算到输入端调谐回路的电容中去。 晶体管混频器的主要参数晶体管混频器的主要参数第13页/共34页第十四页，共34页。 (2) 混频输出(shch)

12、导纳 混频输出(shch)导纳为输出(shch)中频电流与输出(shch)电压之比，输出(shch)导纳是对中频i而言在输出(shch)端呈现的导纳。因此，调谐于s的输入回路可视为短路，得到输出(shch)等效电路如图所示，并可算出混频输出(shch)导纳为 输出(shch)等效电路输出(shch)导纳中的电导为 晶体管混频器的主要参数晶体管混频器的主要参数第14页/共34页第十五页，共34页。(3) 混频跨导 gc 在混频中，由于输入是高频信号，而输出是中频信号，二者频率相差较远，所以输出中频信号通常不会在输入端造成反馈，电容Cbc的作用(zuyng)可忽略。另外，gce一般远小于负载电导G

13、L，其作用(zuyng)也可以忽略。由此可得到晶体管混频器的转移等效电路如图所示g1是在本振电压加入后，混频管跨导变量中基波分量 晶体管混频器的转移(zhuny)等效电路由于g(t)是一个很复杂的函数，因此要从上式来求g1是比较困难的。从工程实际出发，采用图解法，并作适当(shdng)的近似，混频跨导可计为： 晶体管混频器的主要参数晶体管混频器的主要参数第15页/共34页第十六页，共34页。(4) 混频器的增益(zngy) 将混频输入电纳和输出电纳归并在输入、输出端的调谐回路的电容中去，则得到晶体三极管的等效电路如图所示，图中负载电导gL是输出回路的谐振电导。 由图可以算出所以混频(hn pn

14、)电压增益 混频功率(gngl)增益晶体三极管混频器等效电路如果电路匹配，使goc=gL，则可得到最大混频功率增益 晶体管混频器的主要参数晶体管混频器的主要参数第16页/共34页第十七页，共34页。3. 晶体三极管混频器的实际电路 (1) 混频电路 下 图是电视机中的混频器电路。由高频放大器输入的信号，经双调谐电路耦合加到混频管的基极，本振电压通过耦合电容C1也加到基极上。本振信号的频率要比信号的图像载频高38MHz，为了减小两个(lin )信号之间的相互影响，耦合电容C1的值取得很小。 电视机的混频(hn pn)电路 为使输出电路在保证带宽下具有良好的选择性，常采用双调谐耦合回路，并在初级回

15、路中并联电阻R，用以降低回路Q值，满足通带(tn di)的要求。次级回路用C2，C3分压，目的是与75电缆特性阻抗相匹配。晶体三极管混频器的实际电路晶体三极管混频器的实际电路第17页/共34页第十八页，共34页。 下图为晶体管混频器实用电路的交流通路。应用在日立CTP-236D型彩色电视机ET-533型VHF高频(o pn)头内。图中的V1管用作混频器，输入信号(即来自高放的高频(o pn)电视信号，频率为fs)由电容C1耦合到基极；本振信号由电容C2也耦合到基极，构成共射混频方式，其特点是所需要的信号功率小，功率增益较大。混频器的负载是共基式中频放大器(V2构成)的输入阻抗。 晶体管混频器实

16、用(shyng)电路晶体三极管混频器的实际晶体三极管混频器的实际(shj)电路电路第18页/共34页第十九页，共34页。(2) 变频电路 下图是晶体管中波调幅收音机常用的变频电路，其中(qzhng)本地振荡和混频都由三极管3AG1D完成。 图中，R1，R2，R3是偏置电阻，L4，C4，C1B，C6组成振荡回路，L3是反馈线圈。中频回路L5C5的并联阻抗对本振频率而言可视为短路，因此，3AG1D构成共基极变压器耦合振荡器。由磁性天线接收到的无线电信号经过L1，C1A，C2组成的输入回路，选出所需频率的目标信号，再经L1与L2的变压器耦合，送到晶体管的基极。本振信号经C7注入晶体管的发射极，混频后

17、由集电极输出。L3对中频可视为短路，C5，L5调谐于中频，以便抑制(yzh)混频输出电流中的无用频率分量(如fs, f0, f0+fs, 2f0fs等)。输出中频分量fi=f0-fs，经L6耦合至后级中频放大器。晶体三极管混频器的实际晶体三极管混频器的实际(shj)电路电路第19页/共34页第二十页，共34页。4. 晶体管混频器工作状态的实际选择(xunz) 混频器的Apc、噪声系数NF等都与工作点电流Ic及本振电压V0的大小有关，具体数学关系比较复杂，这里只介绍一些实验结果。在中波广播收音机中，最典型的曲线如图所示，这是锗三极管的情况；若为硅管，Apc的最大点所对应的电流Ie要略大一点。晶体

18、管混频器工作状态的实际晶体管混频器工作状态的实际(shj)选择选择第20页/共34页第二十一页，共34页。三极管混频器的优点：有变频增益 缺点：1、动态范围较小 2、组合(zh)频率干扰严重 3、噪声较大 4、存在本地辐射二极管混频器的优点： 1、动态范围较大 2、组合频率(pnl)干扰少 3、噪声较小 4、不存在本地辐射缺点： 无变频增益第21页/共34页第二十二页，共34页。 1. 平衡混频器 二极管可以工作在小信号非线性状态，也可以工作在受大信号v0控制(kngzh)的开关状态。 小信号时平衡混频器的分析采用幂级数分析法，混频时输入信号vD=vs+v0，输出回路则谐振在中频i上。二极管平

19、衡二极管平衡(pnghng)混频器和环型混频器混频器和环型混频器平衡混频器原理(yunl)电路 二极管的伏安特性可用幂级数表示： 为简化分析，忽略输出电压对二极管的反作用，则当 很小时，级数可只取前四项，得 利用三角公式展开，并分类整理，可得第22页/共34页第二十三页，共34页。 由上式可见，经过二极管非线性变换后，出现了许多新频率，但其中只有 才是我们所需要的。这是由平方项 产生的。其它频率分量(fn ling)都是无用的产物，必须将它们抑制掉。 二极管平衡二极管平衡(pnghng)混频器和环型混频器混频器和环型混频器第23页/共34页第二十四页，共34页。i1、i2以相反方向流过输出端变

20、压器初级，使变压器次级负载(fzi)电流il1, = i1i2 由于元器件的非线性作用，单管输出电流中产生了输入(shr)电压中不曾有的新频率成分，如输入(shr)频率的谐波20和2s、30和3s；输入(shr)频率及其谐波所形成的各种组合频率0+ s、0s、0+2s、02s、20+s、20s。平衡混频器输出电流的频率成份为： s、 0+ s、0s、 20+s、 20s、 3s第24页/共34页第二十五页，共34页。2. 环形混频器 环形混频器由两个平衡混频器构成，其主要优点是输出中频信号是平衡混频器的两倍，而且抵消(dxio)了输出电流中的某些组合频率分量，从而减小混频器中所特有的组合频率干

21、扰。环形环形(hun xn)混频器混频器第25页/共34页第二十六页，共34页。同理tVtVssDcoscos0002svvvtVtVcDcoscos0001vvv由平衡(pnghng)混频器得：环型混频器输出电流的频率(pnl)成份为： 0+ s、0s环形环形(hun xn)混频器混频器第26页/共34页第二十七页，共34页。目前，许多从短波到微波波段的整体封装二极管环形混频器已作为系列产品，一个用于0.5500MHz的典型环形混频器(SRA-1双平衡混频器)的外形及电路示于下图。使用时，8，9端外接信号电压s，3，4端相连，5，6端相连，然后在3，5端间加本振电压L，中频(zhngpn)信

22、号由1，2端输出。 此电路除用作混频器外，还可以用作相位检波器、电调衰减器、调制器等。封装环形混频器的外形(wi xn)与电路环形环形(hun xn)混频器混频器第27页/共34页第二十八页，共34页。 五、模拟相乘器混频电路五、模拟相乘器混频电路 两信号相乘可以得到两信号相乘可以得到(d do)其和、差频分量，因此两信号相乘实现混频是最直观的方法，利用模拟相乘器其和、差频分量，因此两信号相乘实现混频是最直观的方法，利用模拟相乘器可构成乘积型混频器。可构成乘积型混频器。MCI596是集成化模拟乘法器芯片，是集成化模拟乘法器芯片，由它构成的混频电路，可大大减小由由它构成的混频电路，可大大减小由组

23、合频率分量产生的各种干扰，另外组合频率分量产生的各种干扰，另外还具有体积小、重量轻、调整容易、还具有体积小、重量轻、调整容易、稳定可靠等优点。稳定可靠等优点。被混频的信号电压由端子输入，最大值约15mV；本振电压由端子输入，振幅约100mV；相乘后的信号由第端子输出(shch)经带通滤波后，即可获得中频信号输出(shch)。输入端不接调谐回路时 为宽频带应用。 MCI596构成(guchng)的集成混频电路本电路可对高频或甚高频信号进行混频，如s的频率为200MHz时，电路的混频增益约为9dB，灵敏度为14V，当输入端接有阻抗匹配的调谐回路时，可获得更高的混频增益。 输出带通滤波器的中心频率约

24、9MHz，其3dB带宽为450kHz。模拟相乘器混频电路模拟相乘器混频电路第28页/共34页第二十九页，共34页。5.3 5.3 混频器的干扰混频器的干扰(gnro)(gnro)1. 有用信号和本振产生(chnshng)的组合频率干扰干扰哨声混频器的输出信号中所包含的各种频率(pnl)分量为：p，q为任意正整数，分别代表本振频率和信号频率的谐波次数。只有p=q=1对应的频率为f0-fs的分量是所需要的中频信号。如果某些组合频率落在谐振回路的通频带内，这些组合频率分量就和有用的中频分量一样，通过中放进入检波器，并在检波电路中与有用信号产生差拍，这时在接收机的输出端将产生哨叫声，形成有害的干扰。这

25、种干扰又称为干扰哨叫。isfpq1pf即当时会产生干扰哨叫。第29页/共34页第三十页，共34页。2、外来(wili)干扰信号和本振产生的干扰(1) 组合(zh)付波道干扰 如果混频器之前的输入回路和高频(o pn)放大器的选择性不够好，除了要接收的有用信号外，干扰信号也会进入混频器。当干扰频率fn与本振频率fo满足会产生组合副波道干扰(2) 副波道干扰在组合副波道干扰中，某些特定频率形成的干扰称为副波道干扰。这种干扰主要有中频干扰和镜像干扰。1)中频干扰当干扰信号的频率等于或接近fi时的干扰。2)镜像频率干扰当外来干扰信号的频率fn=fo+f1=sf5.3 5.3 混频器的干扰混频器的干扰第

26、30页/共34页第三十一页，共34页。3、其他类型(lixng)的干扰1)交叉调制(交调)干扰(gnro)产生(chnshng)的原因：其现象为：当所接收电台的信号和干扰电台同时进入接收机输入端时，如果接收机调谐于信号频率，可以清楚地收到干扰信号电台的声音，若接收机对接收信号频率失谐，干扰台的声音也消失。2)互相调制(互调)干扰当两个或两个以上的干扰进入到混频器的输入端时，它们与本振电压v0一起加到混频管的发射结。由于器件的非线性作用，它们将产生一系列组合频率分量。如果某些分量的频率等于或接近于中频时，就会形成干扰，称为互调干扰。5.3 5.3 混频器的干扰混频器的干扰 由混频器3次方以上的非

27、线性传输特性产生的。现象：接收机调谐于信号频率，可以清楚地收到干扰信号电台的声音，若接收机对接收信号频率失谐，干扰台的声音仍然存在。第31页/共34页第三十二页，共34页。3)阻塞干扰 当一个强干扰信号进入接收机输入端后，由于输入电路抑制不良，会使前端电路内放大器或混频器的晶体管处于严重的非线性区域，使输出信噪比大大下降。这种现象称为阻塞干扰。 产生阻塞观象(un xin)的原因有两种，一种是强干扰作用下晶体管特性曲线非线性所引起的阻塞，为一种是强干扰破坏了晶体管的工作状态，使管子产生假击穿。5.3 5.3 混频器的干扰混频器的干扰(gnro)(gnro)产生的原因(yunyn)：由非线性器件二次方以上的特性引起因此存在二阶互调和三阶互调及高阶互调。第32页/共34页第三十三页，共34页。综上所述减小各种干扰的措施(cush)可归纳为： (1)提高混频(hn pn)级前端电路(天线回路和高放)的选择性。 (2)合理地选择(xunz)中频，能有效地减小组合频率干扰。 (3)合理地选择混频管的静态工作点。 (4)采用各种平衡电路。 (5)采用倍频程滤波器抑制二阶互调。5.3 5.3 混频器的干扰混频器的干扰4)相互混频：由于本振源内存在杂散边带功率，强干扰与杂散边带噪声混频产生的频率分量落在中频通带内形成中频噪声第33页/共34页第三十四页，共34页。