新型螺线管磁场测定实验报告

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1、-新型螺线管磁场测定一实验目的1验证霍耳传感器输出电势差与螺线管内磁感应强度成正比。2测量集成线性霍耳传感器的灵敏度。3测量螺线管内磁感应强度与位置之间的关系,求得螺线管均匀磁场*围及边缘的磁感应强度。4学习补偿原理在磁场测量中的应用。二实验原理霍耳元件的作用如右图2所示:假设电流I流过厚度为d的半导体薄片,且磁场B垂直于该半导体,是电子流方向由洛伦茨力作用而发生改变,在薄片两个横向面a、b之间应产生电势差,这种现象称为霍耳效应。在与电流I、磁场B垂直方向上产生的电势差称为霍耳电势差,通常用UH表示。霍耳效应的数学表达式为:1图2 霍耳元件其中RH是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数,称为霍

2、耳系数。B为磁感应强度,I为流过霍耳元件的电流强度,KH称为霍耳元件灵敏度。虽然从理论上讲霍耳元件在无磁场作用(即B=0)时,UH=0,但是实际情况用数字电压表测时并不为零,这是由于半导体材料结晶不均匀及各电极不对称等引起附加电势差,该电势差U0称为剩余电压。随着科技的开展,新的集成化(IC)元件不断被研制成功。本实验采用SS95A型集成霍耳传感器(构造示意图如图3所示)是一种高灵敏度集成霍耳传感器,它由霍耳元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿组成。测量时输出信号大,并且剩余电压的影响已被消除。对SS95A型集成霍耳传感器,它由三根引线,分别是:V+、V-、Vout。其中V+和V-构成电流输入端

3、,Vout和V-构成电压输出端。由于SS95A型集成霍耳传感器,它的工作电流已设定,被称为标准工作电流,使用传感器时,必须使工作电流处在该标准状态。在实验时,只要在磁感应强度为零(零磁场)条件下,调节V+、V-所接的电源电压(装置上有一调节旋钮可供调节),使输出电压为2.500V(在数字电压表上显示),则传感器就可处在标准工作状态之下。上图为95A型集成霍耳元件内部构造图当螺线管内有磁场且集成霍耳传感器在标准工作电流时,与(1)式相似,由(1)式可得:式中U为集成霍耳传感器的输出电压,K为该传感器的灵敏度,经用2.500V外接电压补偿以后,用数字电压表测出的传感器输出值(仪器用mV档读数)。三

4、实验仪器FD-ICH-II新型螺线管磁场测定仪由集成霍耳传感器探测棒、螺线管、直流稳压电源;数字电压表组成,仪器连线图如下图。螺线管测量磁场仪器连接图四实验过程1必做实验1实验接线如图1所示。左面数字直流稳流源的励磁恒流输出端接电流换向开关,然后接螺线管的线圈接线柱。右面稳压电源4.8V5.2V的输出接线柱(红)接霍耳元件的V(即引脚2红色导线),直流稳压电源的(黑)接线柱接霍耳元件的V-(即引脚3黑色导线),霍耳元件的VOUT引脚1黄色导线接右边电压表电压输入的(红)接线柱,电压表的(黑)接线柱与直流稳压源的(黑)接线相连。电压表切换到V档(即拨动开关向上拨)。2检查接线无误后接通电源,断开

5、电流换向开关,集成霍耳传感器放在螺线管的中间位置(*=16.0cm处),调节中间直流电源4.8V5.2V的输出旋钮,使右边数字电压表显示2.500V,这时集成霍耳元件便到达了标准化工作状态,即集成霍耳传感器通过电流到达规定的数值,且剩余电压恰好到达补偿,U0=0V。3仍断开开关K2,在保持V+和V-电压不变的情况下,把开关K1指向2,调节2.4V2.6V电源输出电压,使数字电压表指示值为0(这时应将数字电压表量程拨动开关指向mV档),也就是用一外接2.500V的电位差与传感器输出2.500V电位差进展补偿,这样就可直接用数字电压表读出集成霍耳传感器电势差的值。4测定霍耳传感器的灵敏度K1改变输

6、入螺线管的直流电流,将传感器处于螺线管的中央位置(即*=17.0cm),测量关系,记录10组数据,*围在0500mA,可每隔50mA测一次。2用最小二乘法求出,直线的斜率和相关系数r。3对于无限长直螺线管磁场可利用公式:B=(真空磁导率,n为螺线管单位长度的匝数),求出集成霍耳传感器的灵敏度注:实验中所用螺线管参数为:螺线管长度L=2601mm,N=(300020)匝,平均直径=351mm,而真空磁导率。由于螺线管为有限长,由此必须用公式:进展计算。即= (单位:伏/特斯拉,即:V/T)5测量通电螺线管中的磁场分布(1)当螺线管通恒定电流 (例如250mA)时,测量*关系。*围为030.0cm

7、,两端的测量数据点应比中心位置的测量数据点密一些。(2)利用上面所得的传感器灵敏度K计算B*关系,并作出B*分布图。(3)计算并在图上标出均匀区的磁感应强度及均匀区*围(包括位置与长度),理论值,假定磁场变化小于1%的*围为均匀区(即)。(4)螺线管长度L=26.0cm,在图上标出螺线管边界的位置坐标(即与点,一般认为在边界点处的磁场是中心位置的一半,即)。验证间距约26.0cm。注意:1测量时,传感器位于螺线管中央(即均匀磁场中)。2测量时,螺线管通电电流应保持不变。3常检查=0时,传感器输出电压是否为2.500V。4用mV档读值。当=0时,mV指示应该为0。5实验完毕后,请逆时针地旋转仪器

8、上的三个调节旋钮,使恢复到起始位置(最小的位置)。五实验数据及表格1霍耳电势差与磁感应强度B的关系霍耳传感器处于螺线管中央位置(即*=16cm处):/mA050100150200250300350400450500U/mV022.344.867.089.3111.9134.2156.5179.0201.3223.92通电螺线管内磁感应强度分布测定(螺线管的励磁电流=250mA) 为螺线管通正向直流电流时测得集成霍耳传感器输出电压为螺线管通反向直流电流时测得集成霍耳传感器输出电压为(-)/2的值。(测量正、反二次不同电流方向所产生磁感应强度值取平均值,可消除地磁场影响)螺线内磁感应强度B与位置刻

9、度*的关系(B=*/cm/mV/mV/mVB/mT1.00 19.8-19.719.750.641.50 28.3-28.228.250.912.00 40.8-40.840.81.312.50 57.5-57.157.31.843.00 72.7-72.772.72.343.50 84.8-84.884.82.734.00 93.5-93.293.353.004.50 98.7-98.898.753.175.00 102.2-102.3102.253.295.50 104.9-104.6104.83.376.00 106.5-106.4106.453.436.50 107.8-107.710

10、7.753.477.00 108.8-108.7108.753.507.50 109.5-109.4109.453.528.00 110.0-110.0110.003.549.00 110.8-110.7110.753.5610.00 111.2-111.1111.153.5811.00 111.5-111.4111.453.5912.00 111.6-111.5111.553.5913.00 111.6-111.5111.553.5914.00 111.5-111.4111.453.5915.00 111.5-111.4111.453.5916.00 111.7-111.7111.73.60

11、17.00 111.8-111.8111.83.6018.00 111.8-111.8111.83.6019.00 111.7-111.6111.653.5920.00 111.5-111.5111.53.5921.00 111.2-111.2111.23.5822.00 110.7-110.7110.73.5623.00 109.8-109.8109.83.5324.00 108.6-108.6108.63.5024.50 107.9-107.8107.853.4725.00 106.8-106.6106.73.4325.50 105.1-105.0105.53.4026.00 102.8-

12、102.5102.653.3026.50 99.3-98.898.53.1727.00 93.7-93.493.553.0127.50 85.7-85.485.552.7528.00 73.8-74.073.92.3828.50 58.3-57.758.001.8729.00 42.6-42.642.61.3729.50 29.6-30.029.80.9630.00 20.8-20.720.750.67根据以上实验数据绘成的表格,得到*与磁场B的关系图如下:六数据处理及误差分析1研究霍耳效应:运用MATLAB带入表中数据由最小二乘法可以求出相关系数r=0.99999。由于螺线管内磁感应强度B与

13、通过螺线管I成正比,所以表中数据可以证明霍耳电势差U与磁感应强度B成正比。计算集成霍耳元件的灵敏度K:螺线管, N=3000匝,L=26.00cm,=35.0mm (为螺线管的平均直径),所以:=根据95A型集成霍耳元件产品说明书上注明,该传感器灵敏度(31.31.3)V/T,现计算值与说明书提供的技术指标相符。2确定磁场均匀区和螺线管长度:螺线管中心磁感应强度理论值:由并且由上式相对误差小于等于1%可以求出落线管的均匀区。即可以求出=3.556mT,从而定出螺线管的均匀区。由以上实验数据绘成的*-B关系图可以看出,在*1=9.0cm到*2=22.0cm内螺线管为均匀磁场区。由于,在2.40cm处=1.79mT ;28.60cm处,=1.79mT,所以螺线管长度,与理论值26cm的百分误差为0.77%。【参考资料】1陆申龙焦丽凤. 用集成霍耳传感器研究霍耳效应及测量螺线管磁场分布,实验技术与管理、第17卷第2期,2000.4:27-302沈元华陆申龙. 根底物理实验,:高等教育,2003. z.

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