清远纳米级薄膜沉积设备项目申请报告

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1、泓域咨询/清远纳米级薄膜沉积设备项目申请报告清远纳米级薄膜沉积设备项目申请报告xxx投资管理公司报告说明2018年，我国光伏设备产业规模达到了220亿元。2019年达到了250亿元，同比增长13.6%。2020年，虽然存在新冠疫情等客观不利因素，但我国主要光伏企业均发布了产能扩张计划，相关设备厂商订单不断增加，光伏设备产业规模超过280亿元，仍保持增长。在光伏行业“降本增效”的发展趋势推动下，新产品、新技术层出不穷，相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求，在国内巨大市场需求拉动下，光伏设备厂商收入快速增长。根据谨慎财务估算，项目总投资24021.54万元，其中：建设投资19516.69万元，

2、占项目总投资的81.25%；建设期利息412.51万元，占项目总投资的1.72%；流动资金4092.34万元，占项目总投资的17.04%。项目正常运营每年营业收入49800.00万元，综合总成本费用42791.89万元，净利润5104.34万元，财务内部收益率13.83%，财务净现值1676.47万元，全部投资回收期6.85年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅

3、销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 背景、必要性分析10一、 薄膜沉积技术概况10二、 半导体行业概览13三、 强化创新核心地位，加快建设区域创新中心14四、 项目实施的必要性15第二章 行业、市场分析17一、 太阳能电池片行业17二、 光伏设备行业22三、 半导体薄膜沉积设备的发展情况25第三章 项目概述31一、 项目名称及项目单位31二、 项目建设地点31三、 可行性研究范围31四、 编

4、制依据和技术原则31五、 建设背景、规模32六、 项目建设进度33七、 环境影响33八、 建设投资估算34九、 项目主要技术经济指标34主要经济指标一览表35十、 主要结论及建议36第四章 建设单位基本情况37一、 公司基本信息37二、 公司简介37三、 公司竞争优势38四、 公司主要财务数据40公司合并资产负债表主要数据40公司合并利润表主要数据40五、 核心人员介绍41六、 经营宗旨43七、 公司发展规划43第五章 项目选址可行性分析48一、 项目选址原则48二、 建设区基本情况48三、 抢抓“双区”发展重大机遇，全方位深化广清一体化51四、 实施城市品质提升工程，让城市更宜居生活更幸福5

5、2五、 项目选址综合评价53第六章 建筑工程方案分析54一、 项目工程设计总体要求54二、 建设方案54三、 建筑工程建设指标56建筑工程投资一览表56第七章 SWOT分析58一、 优势分析（S）58二、 劣势分析（W）60三、 机会分析（O）60四、 威胁分析（T）61第八章 运营管理模式65一、 公司经营宗旨65二、 公司的目标、主要职责65三、 各部门职责及权限66四、 财务会计制度70第九章 发展规划分析75一、 公司发展规划75二、 保障措施79第十章 项目环境影响分析82一、 编制依据82二、 环境影响合理性分析82三、 建设期大气环境影响分析82四、 建设期水环境影响分析85五、

6、 建设期固体废弃物环境影响分析86六、 建设期声环境影响分析86七、 建设期生态环境影响分析87八、 清洁生产88九、 环境管理分析89十、 环境影响结论93十一、 环境影响建议93第十一章 项目节能说明94一、 项目节能概述94二、 能源消费种类和数量分析95能耗分析一览表95三、 项目节能措施96四、 节能综合评价97第十二章 人力资源分析98一、 人力资源配置98劳动定员一览表98二、 员工技能培训98第十三章 投资方案分析100一、 投资估算的依据和说明100二、 建设投资估算101建设投资估算表103三、 建设期利息103建设期利息估算表103四、 流动资金105流动资金估算表105

7、五、 总投资106总投资及构成一览表106六、 资金筹措与投资计划107项目投资计划与资金筹措一览表108第十四章 经济效益分析109一、 基本假设及基础参数选取109二、 经济评价财务测算109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表111利润及利润分配表113三、 项目盈利能力分析113项目投资现金流量表115四、 财务生存能力分析116五、 偿债能力分析117借款还本付息计划表118六、 经济评价结论118第十五章 项目招投标方案120一、 项目招标依据120二、 项目招标范围120三、 招标要求120四、 招标组织方式121五、 招标信息发布124第十六章 风险防范

8、125一、 项目风险分析125二、 项目风险对策127第十七章 总结129第十八章 附表附录131营业收入、税金及附加和增值税估算表131综合总成本费用估算表131固定资产折旧费估算表132无形资产和其他资产摊销估算表133利润及利润分配表134项目投资现金流量表135借款还本付息计划表136建设投资估算表137建设投资估算表137建设期利息估算表138固定资产投资估算表139流动资金估算表140总投资及构成一览表141项目投资计划与资金筹措一览表142第一章 背景、必要性分析一、 薄膜沉积技术概况1、基本情况薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊

9、性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。2、薄膜沉积设备技术基本情况及对比薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。（1）PVD物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。（2）CVD化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态

10、的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。（3）薄膜沉积设备技术之间对比PVD为物理过程，CVD为化学过程，两种具有显著的区别。ALD也是采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与CVD存在显著区别，在CVD工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于ALD技术，PVD技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术

11、的重复性和台阶覆盖性比PVD略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。3、ALD、PVD、CVD技术应用差异PVD、CVD、ALD技术各有自己的技术特点和技术难点，经过多年的发展，亦分别发展出诸多应用领域。原子层沉积可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的方法。从原理上说，ALD是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的CVD不同，在传统CVD工艺过程中，化学气体不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度与温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在ALD工艺过程中，则是将不

12、同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。ALD与CVD技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：在PERC电池背钝化Al2O3的沉积工艺中，ALD技术与PECVD技术存在互相替代的关系在2016年之前，PECVD在PERC电池背面钝化的应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用PECVD镀SiNX，因此电池厂商选择PERC电池背面沉积Al2O3的方法时，PECVD技术被优先用于Al2O3的沉积。而当时的ALD技术在国外主要应用于半导体领域，大多属于单片式反应器类型，这种反应器虽然镀膜精度高，但产能

13、较低。近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着90nm以下制程的产线数量增多，尤其是28nm及以下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于ALD独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构3D立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD技术愈发体现出举足轻重、不可替代的作用。二、 半导

14、体行业概览1、半导体产业链情况半导体行业是电子信息产业的基础支撑，主要分为集成电路、分立器件、传感器和光电子器件等四大类，广泛应用于5G通信、计算机、云计算、大数据、物联网等下游终端应用市场，是现代经济社会中的战略性、基础性和先导性产业。2、半导体行业发展概况（1）全球半导体行业市场规模巨大自半导体核心元器件晶体管诞生以来，半导体行业遵循着摩尔定律快速发展。2013年到2018年，全球半导体市场规模从3,056亿美元迅速提升至4,688亿美元，年均复合增长率达到8.93%。2019年，受国际贸易环境恶化导致市场信心不足等因素影响，全球半导体市场出现下跌。2020年，受益于疫情催生远程办公设备销

15、量提振以及全球汽车产业复苏所推动的需求强劲反弹，全球半导体行业克服新冠疫情影响，发展态势良好。（2）全球半导体制造产能逐步向中国大陆转移全球半导体产业的发展经历了由美国向日本、韩国和中国台湾地区以及中国大陆的几轮产业转移。凭借着巨大的市场容量和消费群体，在半导体制造方面，中国大陆近年来已超过美国、欧洲、日本，成为全球最大的半导体销售国。中国大陆半导体市场发展势头良好，吸引了台积电、三星、英特尔、SK海力士等在中国大陆建厂。根据SEMI数据统计，2017-2020年间全球投产的半导体晶圆厂为62座，其中有26座设于中国大陆，占全球总数的42%。（3）中国半导体行业稳步发展中国大陆正处于新一代智能

16、手机、物联网、人工智能、5G通信等行业快速崛起的进程中，已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。集成电路为半导体工业的核心，经过多年的改革开放，中国集成电路市场获得了长足的发展，我国对集成电路的需求也在不断提升。据中国半导体行业协会统计，2020年中国集成电路产业销售额为8,848亿元人民币，较2019年增长17%，在2020年受疫情影响的情况下，中国集成电路产业销售额仍稳步提升。三、 强化创新核心地位，加快建设区域创新中心紧紧围绕产业发展推动科技创新。继续完善扶持创新发展配套政策措施，推动各类创新要素向企业集聚，激发各类市场主体创新活力。出台促进高新区高质量发展意见，支持清远国家高新区争

17、先进位、建设国家创新型特色园区，推动英德省级高新区扩容提质，加快培育创新型产业集群。大力培育企业创新主体，实施标杆高新技术企业遴选计划，鼓励企业加大研发投入，争取高新技术企业超380家，规上工业企业研发机构覆盖率提高至30%以上。提升华南863、天安智谷、万洋众创城等创新载体，加快5G+智慧园建设，建设“众创空间-孵化器-加速器-专业园”完整孵化链条，力争省级以上孵化器达到5家、孵化毕业企业25家以上。推进产学研深度融合，加快中山大学医学创新园建设，加强与中科院、农科院等合作，争取引进1-2家高水平创新研究院，新建一批新型研发机构。推动国家、省重点研发计划成果到清远转化和产业化。深化国家知识产

18、权试点市建设，争取发明专利授权量增长10%以上。完善金融支持创新体制机制，探索建立粤科清远科技成果转化创投基金。深入实施“扬帆计划”“起航计划”等，推行创业扶持、子女教育、住房保障“一卡通”“一站办”便捷服务，增强对青年人才的吸引力，引进3-5个科技人才团队。四、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以

19、从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第二章 行业、市场分析一、 太阳能电池片行业1、太阳能电池片行业基本情况太阳能电池片技术的发展对光伏设备技术提升和应用拓展有重要推动作用。从太阳能电池片的生产技

20、术来看，近几年可分为三个阶段：第一个阶段是2015年以前，光伏电池市场主要采取多晶Al-BSF技术，单晶PERC电池处于技术验证阶段，以试验产能为主，增长迅速但总量较小，随着单晶PERC电池成功量产，其商业化的可行性得到确认；第二阶段是2015-2017年，单晶PERC电池投资吸引力凸显，国内厂商开始加码PERC电池生产，但从整个光伏电池市场来看，主要还是采取多晶Al-BSF技术，Al-BSF技术电池因性能稳定，生产成本较低，此阶段仍占据着市场主要份额；第三阶段是2018年至今，PERC电池产能实现爆发式增长，根据中国光伏行业协会的统计数据，继2019年后，2020年新建量产产线仍以PERC电

21、池产线为主，PERC电池片市场占比进一步提升至86.4%。太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、背接触（IBC）及钙钛矿等。P型电池以P型硅片为原材料，技术路线包括传统的铝背场技术以及目前主流的PERC技术；N型电池以N型硅片为原材料，技术路线包括TOPCon、HJT等，近年来已有厂商陆续开始布局，属于下一代高效电池技术路线的潜在方向，而IBC和钙钛矿为未来技术，尚处于实验和验证阶段。（1）Al-BSF技术Al-BSF电池是指在晶硅太阳能电池P-N结制备完成后，通过在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，从而形成铝背场。其既可以减少少

22、数载流子在背面复合的概率，同时也可以作为背面的金属电极，因此能够提升太阳能电池的转换效率。（2）PERC技术PERC技术采用的是在现有Al-BSF工艺上增加背面介质钝化层然后用激光在背表面进行打孔或开槽露出硅基体。背面介质钝化层通过背面钝化工艺是在硅片背面沉积Al2O3和SiNX，Al2O3由于具备较高的负电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，SiNX主要作用是保护背部钝化膜，并保证电池正面的光学性能。背面钝化可实现两点价值，一是显著降低背表面少数载流子的复合速度，从而提高少子的寿命，增加电池开路电压；二是在背表面形成良好的内反射机制，增加光吸收的几率，减少光损失。由于PERC电池具有结构简

23、单、工艺流程短、设备成熟度高等有点，已经替代Al-BSF电池成为主流电池工艺。（3）TOPCon技术TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触电池技术，与常规电池最大的不同在于，其在电池的背面采用了接触钝化技术，结构包括超薄二氧化硅隧穿层和掺杂多晶硅层（晶硅基底与掺杂多晶硅在背面形成异质结），二者共同形成了钝化接触结构，为电池的背面提供了优异的表面钝化。TOPCon电池制备过程较PERC电池要复杂，但我国光伏企业在TOPCon电池技术上已取得一定积累，很多量产工艺瓶颈和设备瓶颈也获得了突破，未来存在将TOPCon技术与IBC技术相融合升级为TBC电池的可能性。（4）HJT技术H

24、JT技术即异质结太阳能电池，电池片中同时存在晶体和非晶体级别的硅，非晶硅的存在能够更好地实现钝化。HJT电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度较低，可避免高温工艺对硅片的损伤，并有效降低排放，但是工艺难度大，且产线与传统电池技术不兼容，需要重新购置主要生产设备，产线投资规模较大。目前异质结电池市场渗透率相对较低，仅在部分企业中实现小规模量产。（5）IBC技术IBC电池最大的特点是P-N结和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子，加上电池前表面场以及良好钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的

25、电池就拥有了高转换效率。相比于PERC、TOPCon和HJT，IBC电池的工艺流程和设备要复杂很多，并且投资较高，国内尚未实现大规模量产。（6）钙钛矿钙钛矿太阳能电池是以钙钛矿晶体为吸光材料的一种新型太阳能电池技术。与其它太阳能电池材料相比，有机无机杂化钙钛矿材料的吸光系数高、载流子传输距离长、缺陷容忍度高、带隙可调，非常适合制备高效太阳能电池。但由于电池本身受温度及湿度影响，化学键合作用弱，易形变，光致衰退明显，因此稳定性问题仍未解决，尚处于小规模试验阶段。2、太阳能电池片行业发展情况2011年至2020年，全球电池片产量持续增长，2020年全球电池片总产量为163.4GW，同比增长16.6

26、%。2010年至2020年，我国太阳能电池片产量逐年上升，2020年我国电池片产量为134.8GW，较2019年同比增长约22.2%。我国电池片生产规模自2007年开始已连续13年居全球首位，全球电池片产业继续向我国集中。从各类电池的市场占有率看，2018年传统的BSF电池依然占领半数市场，2019年PERC电池技术迅速反超BSF电池，占据了超过65%的市场份额，2020年，PERC电池片市场占比进一步提升至86.4%。3、太阳能电池片行业发展趋势（1）短期内PERC电池仍是最主要的电池产品TOPCon和HJT是继PERC电池之后的主要新兴技术，TOPCon电池升级迭代的最大优势在于其与PER

27、C产线兼容度高，可从PERC产线改造升级，是目前初始投资成本最低的N型高效电池之一。HJT技术的核心优势是电池结构相对简单，然而目前设备成本依旧较高，经济性不足，在材料端和设备端均存在降本空间。虽然TOPCon电池、HJT电池可以获得较高的电池光电转换效率，但因其各有的限制性因素的存在导致目前规模量产偏少。TOPCon技术目前尚未取代PERC技术的主要原因为：（1）工艺步骤增加，导致技术成熟度和产品良率有待进一步提高；（2）工艺设备成本和双面银浆带来的成本上升。HJT技术目前尚未取代PERC技术的主要原因为：（1）HJT电池产线的投资成本较高，是PERC电池产线投资的2-3倍以上；（2）HJT

28、技术路线采用透明电极和低温银浆，技术成熟度不高，运营成本相对较高。（2）长期来看TOPCon、HJT电池将成为未来产业化主流我国光伏企业在TOPCon、HJT等下一代高效晶硅电池生产技术的研发上先后取得突破，转换效率不断刷新世界记录，效率更高的N型TOPCon电池、HJT电池等则最有望成为P型PERC电池后的产业化主流技术。二、 光伏设备行业1、光伏设备行业发展情况按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备，其中硅片设备主要包括多晶铸锭炉、单晶炉、切片机、切断机、硅片检测分选设备等；电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散炉、刻蚀设备、镀膜设备、激光开槽设备、丝网印刷机等；

29、组件设备主要包括划片机、自动串焊机、自动叠层设备、层压机、自动包装机等。我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合，以提高设备产能、自动化程度及转换效率为目标，同时适应大硅片生产，已具备了成套工艺设备的供应能力，基本实现设备国产替代，并在国际竞争中处于优势地位。自2010年以来，中国一直是全球最大的光伏设备市场。2018年，我国光伏设备产业规模达到了220亿元。2019年达到了250亿元，同比增长13.6%。2020年，虽然存在新冠疫情等客观不利因素，但我国主要光伏企业均发布了产能扩张计划，相关设备厂商订单不断增加，光伏设备产业规模超过280亿元，仍保持增长。在光伏行业“降本增效”的发展

30、趋势推动下，新产品、新技术层出不穷，相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求，在国内巨大市场需求拉动下，光伏设备厂商收入快速增长。2、光伏薄膜沉积设备应用情况光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节，根据电池不同工艺和所需的薄膜性质，所采用的薄膜沉积设备会有所不同。2018年-2020年，我国新建产线已基本全部为PERC产线，针对目前已经大规模生产的PERC电池生产技术，生产设备基本实现国产化，其中薄膜沉积设备主要用于PERC电池的钝化和减反膜的制备。对于新型高效电池来说，目前产业化前景最为明确的TOPCon电池和HJT电池对于薄膜沉积的需求更高。TOPCon电池生产线可以由PER

31、C电池生产线升级改造实现，除原薄膜沉积需求外，还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求。HJT电池整体结构变化较大，其制造环节只需4大类设备，分别是制绒清洗设备（投资占比10%）、非晶硅沉积设备（投资占比50%）、透明导电薄膜设备（投资占比25%）和印刷设备（投资占比15%），其中非晶硅沉积设备、透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。3、光伏薄膜设备发展趋势（1）技术创新催生更多设备需求现阶段，下游光伏行业发展已经由过去的粗放式、外延式发展向精细化、内涵式发展转变，高效率、低成本的产品受到行业的青睐，产品升级需求进一步提高。光伏企业从传统重视规模效益、依赖补贴，逐步转向对高效率、高性能、高品质的

32、光伏产品的追求。在市场化愈发重要的背景下，各种技术的创新，将会催生出更多的设备需求。（2）设备研制与新型工艺更紧密地结合设备研制与新型工艺技术开发相结合成为趋势。以提高转换效率为目的采用新型工艺的电池片生产将采取设计、制造、工艺开发、设备开发与改进联合进行的方式，上下游紧密合作，既缩短设备的开发周期，同时促进先进工艺的应用，也能降低设备采购成本，进一步提高国内光伏企业的市场竞争力。（3）薄膜沉积在新一代光伏设备中投资比重增加由于TOPCon电池生产线可以由现有PECR电池生产线升级改造完成，而且目前TOPCon电池生产线单位投资规模和运营成本明显低于HJT电池生产线，因此TOPCon电池生产线

33、在N型电池线建设中进展显著。根据上市公司披露的项目投资明细，TOPCon（含未披露具体技术类型的N型电池）产线每GW平均投资规模高于PERC产线。三、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较

34、低，半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的

35、三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程2

36、8nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）A

37、LD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND和DRAM电容呈

38、现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力

39、在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。Maximiz

40、eMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的

41、发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚

42、度控制精准的ALD设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而AL

43、D设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。第三章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称：清远纳米级薄膜沉积设备项目项目单位：xxx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（待定），占地面积约66.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设

44、施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）技术原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提

45、高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。五、 建设背景、规模（一）项目背景PERC技术采用的是在现有Al-BSF工艺上增加背面介质钝化层然后用激光在背表面进行打孔或开槽露出硅基体。背面介质钝化层通过背面钝化工艺是在硅片背面沉积

46、Al2O3和SiNX，Al2O3由于具备较高的负电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，SiNX主要作用是保护背部钝化膜，并保证电池正面的光学性能。背面钝化可实现两点价值，一是显著降低背表面少数载流子的复合速度，从而提高少子的寿命，增加电池开路电压；二是在背表面形成良好的内反射机制，增加光吸收的几率，减少光损失。由于PERC电池具有结构简单、工艺流程短、设备成熟度高等有点，已经替代Al-BSF电池成为主流电池工艺。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积44000.00（折合约66.00亩），预计场区规划总建筑面积75379.99。其中：生产工程43529.11，仓储工程18165.31，行政

47、办公及生活服务设施8274.63，公共工程5410.94。项目建成后，形成年产xxx套纳米级薄膜沉积设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目工艺清洁，将生产工艺与污染治理措施有机的结合在一起，污染物排放量较少，且实施污染物排放全过程控制。“三废”处理措施完善，工程实施后废水、废气、噪声达标排放，污染物得到妥善处理，对周围的生态环境无不良影响。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建

48、设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资24021.54万元，其中：建设投资19516.69万元，占项目总投资的81.25%；建设期利息412.51万元，占项目总投资的1.72%；流动资金4092.34万元，占项目总投资的17.04%。（二）建设投资构成本期项目建设投资19516.69万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用16963.18万元，工程建设其他费用2025.64万元，预备费527.87万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入49800.00万元，综合总成本费用42791.89万元，纳税总额35

49、89.93万元，净利润5104.34万元，财务内部收益率13.83%，财务净现值1676.47万元，全部投资回收期6.85年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积44000.00约66.00亩1.1总建筑面积75379.991.2基底面积26840.001.3投资强度万元/亩289.672总投资万元24021.542.1建设投资万元19516.692.1.1工程费用万元16963.182.1.2其他费用万元2025.642.1.3预备费万元527.872.2建设期利息万元412.512.3流动资金万元4092.343资金筹措万元24021.543.1自筹资

50、金万元15602.973.2银行贷款万元8418.574营业收入万元49800.00正常运营年份5总成本费用万元42791.896利润总额万元6805.787净利润万元5104.348所得税万元1701.449增值税万元1686.1610税金及附加万元202.3311纳税总额万元3589.9312工业增加值万元12631.0213盈亏平衡点万元23406.66产值14回收期年6.8515内部收益率13.83%所得税后16财务净现值万元1676.47所得税后十、 主要结论及建议项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也

51、奠定了公司可持续发展的基础。第四章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx投资管理公司2、法定代表人：汤xx3、注册资本：820万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2014-6-97、营业期限：2014-6-9至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事纳米级薄膜沉积设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进

52、研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。三、 公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产

53、品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续创新能力。在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较早通过ISO9001质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及客户需要通过了产品认证，表明公司产品不仅满足国内高端客户的要求，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不

54、断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。（四）营销网络及服务优势根据公司产品服务的特点、客户分布的地域特点，公司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销

55、商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。公司拥有一支行业经验丰富的销售团队，在各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行业和区域市场，带动经销商共同成长。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7720.226176.1

56、85790.16负债总额3297.142637.712472.86股东权益合计4423.083538.463317.31公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入23107.0218485.6217330.26营业利润3535.412828.332651.56利润总额2851.282281.022138.46净利润2138.461668.001539.69归属于母公司所有者的净利润2138.461668.001539.69五、 核心人员介绍1、汤xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司

57、董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。2、孙xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。3、闫xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月

58、至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。4、龙xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。5、付xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。6、廖xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至

59、2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。7、梁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。8、白xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。六、 经营宗旨根据国家法律、行政法规的规定，依照诚实信用、勤勉尽责的原则，以专业经营的方式管理和经营公司资产，为全体股东创造满意的投资

60、回报。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是

61、实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断

62、的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，