抚顺关于成立薄膜设备公司可行性报告【模板】

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1、泓域咨询/抚顺关于成立薄膜设备公司可行性报告抚顺关于成立薄膜设备公司可行性报告xxx投资管理公司报告说明按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备，其中硅片设备主要包括多晶铸锭炉、单晶炉、切片机、切断机、硅片检测分选设备等；电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散炉、刻蚀设备、镀膜设备、激光开槽设备、丝网印刷机等；组件设备主要包括划片机、自动串焊机、自动叠层设备、层压机、自动包装机等。xxx投资管理公司主要由xxx集团有限公司和xx（集团）有限公司共同出资成立。其中：xxx集团有限公司出资808.00万元，占xxx投资管理公司80%股份；xx（集团）有限公司出资202万元，

2、占xxx投资管理公司20%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资42319.16万元，其中：建设投资33765.14万元，占项目总投资的79.79%；建设期利息354.96万元，占项目总投资的0.84%；流动资金8199.06万元，占项目总投资的19.37%。项目正常运营每年营业收入78700.00万元，综合总成本费用67025.23万元，净利润8508.28万元，财务内部收益率13.27%，财务净现值4151.34万元，全部投资回收期6.65年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价

3、格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 拟成立公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据11公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 公司组建方案16一、 公司经营宗旨16二、 公司的目标、主要职责16三、 公

4、司组建方式17四、 公司管理体制17五、 部门职责及权限18六、 核心人员介绍22七、 财务会计制度23第三章 项目背景及必要性27一、 半导体行业概览27二、 薄膜沉积技术概况28三、 太阳能电池片行业32四、 狠抓项目建设37五、 狠抓营商环境37第四章 行业发展分析39一、 半导体薄膜沉积设备的发展情况39二、 半导体设备行业45第五章 法人治理结构49一、 股东权利及义务49二、 董事51三、 高级管理人员55四、 监事57第六章 发展规划分析59一、 公司发展规划59二、 保障措施65第七章 项目环境保护67一、 编制依据67二、 环境影响合理性分析67三、 建设期大气环境影响分析6

5、7四、 建设期水环境影响分析69五、 建设期固体废弃物环境影响分析69六、 建设期声环境影响分析70七、 建设期生态环境影响分析71八、 清洁生产71九、 环境管理分析73十、 环境影响结论75十一、 环境影响建议75第八章 风险分析77一、 项目风险分析77二、 公司竞争劣势84第九章 项目选址85一、 项目选址原则85二、 建设区基本情况85三、 释放民营经济新活力86四、 项目选址综合评价86第十章 项目投资计划88一、 投资估算的依据和说明88二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表91四、 流动资金93流动资金估算表93五、 总投资94总投资及构成

6、一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十一章 进度规划方案97一、 项目进度安排97项目实施进度计划一览表97二、 项目实施保障措施98第十二章 经济效益分析99一、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表100固定资产折旧费估算表101无形资产和其他资产摊销估算表102利润及利润分配表104二、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106三、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108第十三章 总结110第十四章 附表附件112主要经济指标一览表112建设投资估算表113建设期利息估算表114固定资产投资估算表11

7、5流动资金估算表116总投资及构成一览表117项目投资计划与资金筹措一览表118营业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总成本费用估算表119固定资产折旧费估算表120无形资产和其他资产摊销估算表121利润及利润分配表122项目投资现金流量表123借款还本付息计划表124建筑工程投资一览表125项目实施进度计划一览表126主要设备购置一览表127能耗分析一览表127第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xxx投资管理公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本1010万元三、 注册地址抚顺xxx四、 主要经营范围经营范围：从事薄膜设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经

8、批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xxx投资管理公司主要由xxx集团有限公司和xx（集团）有限公司发起成立。（一）xxx集团有限公司基本情况1、公司简介公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广

9、大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额16374.4713099.5812280.85负债总额9406.497525.197054.87股东权益合计6967.985574.385225.98公司合并利润表主要

10、数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入36263.5229010.8227197.64营业利润7290.715832.575468.03利润总额6790.425432.345092.82净利润5092.823972.403666.83归属于母公司所有者的净利润5092.823972.403666.83（二）xx（集团）有限公司基本情况1、公司简介公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。公司按照“布局合理

11、、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额16374.4713099.5812280.85负债总额9406.497525.197054.87股东权益合计6967.985574.385225.98公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度

12、营业收入36263.5229010.8227197.64营业利润7290.715832.575468.03利润总额6790.425432.345092.82净利润5092.823972.403666.83归属于母公司所有者的净利润5092.823972.403666.83六、 项目概况（一）投资路径xxx投资管理公司主要从事关于成立薄膜设备公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据VLSIResearch

13、数据，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。“十四五”时期，我们面临重大机遇和有利条件。中央推动东北振兴的各项政策持续发力；省里制定“一圈一带两区”区域协调发展规划，为我们定义了新的发展格局；石化、冶金、装备制造产业基础雄厚，国有民营、大中小企业融通发展潜力巨大；企业职工基本养老保险全省全国统筹，民生保障能力进一步提高；人心思变、人心思进，全市上下谋发展、求突破的愿望更加强烈。（三）项目选址项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约90.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便

14、利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xx套薄膜设备的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积103719.42，其中：生产工程67767.84，仓储工程17648.82，行政办公及生活服务设施9865.80，公共工程8436.96。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资42319.16万元，其中：建设投资33765.14万元，占项目总投资的79.79%；建设期利息354.96万元，占项目总投资的0.84%；流动资金8199.06万元，占项目总投资的19.37%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：78700.00

15、万元。2、综合总成本费用（TC）：67025.23万元。3、净利润（NP）：8508.28万元。4、全部投资回收期（Pt）：6.65年。5、财务内部收益率：13.27%。6、财务净现值：4151.34万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划12个月。（九）项目综合评价经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目的实施不但是可行而且是十分必要的。第二章 公司组建方案一、 公司经营宗旨公司通过整合资源，实现产品化、智能化

16、和平台化。二、 公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国

17、家和地方产业政策、薄膜设备行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促进企业可持续发展。4、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设，统一管理公司的名称、商标、商誉等无形资产，搞好公司企业文化建设。5、在保证股东企业合法权益和自身发展需要的前提下，公司可依照公司法等有关规定，集中资产收益，用于再投入和结构调整。三、 公司组建方式xxx投资管理公司主要由xxx集团有限公司和xx（集团）有限公司共同出资成立。其中：xxx集团有限公司出资808.00万元，占xxx投资

18、管理公司80%股份；xx（集团）有限公司出资202万元，占xxx投资管理公司20%股份。四、 公司管理体制xxx投资管理公司实行董事会领导下的总经理负责制，各部门按其规定的职能范围，履行各自的管理服务职能，而且直接对总经理负责；公司建立完善的营销、供应、生产和品质管理体系，确立各部门相应的经济责任目标，加强产品质量和定额目标管理，确保公司生产经营正常、有效、稳定、安全、持续运行，有力促进企业的高效、健康、快速发展。总经理的主要职责如下：1、全面领导企业的日常工作；对企业的产品质量负责；向本公司职工传达满足顾客和法律法规要求的重要性；2、制定并正式批准颁布本公司的质量方针和质量目标，采取有效措施

19、，保证各级人员理解质量方针并坚持贯彻执行；3、负责策划、建立本公司的质量管理体系，批准发布本公司的质量手册；4、明确所有与质量有关的职能部门和人员的职责权限和相互关系；5、确保质量管理体系运行所必要的资源配备；6、任命管理者代表，并为其有效开展工作提供支持；7、定期组织并主持对质量管理体系的管理评审，以确保其持续的适宜性、充分性和有效性。五、 部门职责及权限（一）综合管理部1、协助管理者代表组织建立文件化质量体系，并使其有效运行和持续改进。2、协助管理者代表，组织内部质量管理体系审核。3、负责本公司文件（包括记录）的管理和控制。4、负责本公司员工培训的管理，制订并实施员工培训计划。5、参与识别

20、并确定为实现产品符合性所需的工作环境，并对工作环境中与产品符合性有关的条件加以管理。（二）财务部1、参与制定本公司财务制度及相应的实施细则。2、参与本公司的工程项目可信性研究和项目评估中的财务分析工作。3、负责董事会及总经理所需的财务数据资料的整理编报。4、负责对财务工作有关的外部及政府部门，如税务局、财政局、银行、会计事务所等联络、沟通工作。5、负责资金管理、调度。编制月、季、年度财务情况说明分析，向公司领导报告公司经营情况。6、负责销售统计、复核工作，每月负责编制销售应收款报表，并督促销售部及时催交楼款。负责销售楼款的收款工作，并及时送交银行。7、负责每月转账凭证的编制，汇总所有的记账凭证

21、。8、负责公司总长及所有明细分类账的记账、结账、核对，每月5日前完成会计报表的编制，并及时清理应收、应付款项。9、协助出纳做好楼款的收款工作，并配合销售部门做好销售分析工作。10、负责公司全年的会计报表、帐薄装订及会计资料保管工作。11、负责银行财务管理，负责支票等有关结算凭证的购买、领用及保管，办理银行收付业务。12、负责先进管理，审核收付原始凭证。13、负责编制银行收付凭证、现金收付凭证，登记银行存款及现金日记账，月末与银行对账单和对银行存款余额，并编制余额调节表。14、负责公司员工工资的发放工作，现金收付工作。（三）投资发展部1、调查、搜集、整理有关市场信息，并提出投资建议。2、拟定公司

22、年度投资计划及中长期投资计划。3、负责投资项目的储备、筛选、投资项目的可行性研究工作。4、负责经董事会批准的投资项目的筹建工作。5、按照国家产业政策，负责公司产业结构、投资结构的调整。6、及时完成领导交办的其他事项。（四）销售部1、协助总经理制定和分解年度销售目标和销售成本控制指标，并负责具体落实。2、依据公司年度销售指标，明确营销策略，制定营销计划和拓展销售网络，并对任务进行分解，策划组织实施销售工作，确保实现预期目标。3、负责收集市场信息，分析市场动向、销售动态、市场竞争发展状况等，并定期将信息报送商务发展部。4、负责按产品销售合同规定收款和催收，并将相关收款情况报送商务发展部。5、定期不

23、定期走访客户，整理和归纳客户资料，掌握客户情况，进行有效的客户管理。6、制定并组织填写各类销售统计报表，并将相关数据及时报送商务发展部总经理。7、负责市场物资信息的收集和调查预测，建立起牢固可靠的物资供应网络，不断开辟和优化物资供应渠道。8、负责收集产品供应商信息，并对供应商进行质量、技术和供就能力进行评估，根据公司需求计划，编制与之相配套的采购计划，并进行采购谈判和产品采购，保证产品供应及时，确保产品价格合理、质量符合要求。9、建立发运流程，设计最佳运输路线、运输工具，选择合格的运输商，严格按公司下达的发运成本预算进行有效管理，定期分析费用开支，查找超支、节支原因并实施控制。10、负责对部门

24、员工进行业务素质、产品知识培训和考核等工作，不断培养、挖掘、引进销售人才，建设高素质的销售队伍。六、 核心人员介绍1、钟xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。2、谢xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。3、周xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。20

25、18年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、蔡xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。5、史xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监

26、事会主席。6、段xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。7、魏xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、钟xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司

27、董事。七、 财务会计制度1、公司依照法律、行政法规和国家有关部门的规定，制定公司的财务会计制度。2、公司除法定的会计账簿外，将不另立会计账簿。公司的资产，不以任何个人名义开立账户存储。3、公司分配当年税后利润时，应当提取利润的10%列入公司法定公积金。公司法定公积金累计额为公司注册资本的50%以上的，可以不再提取。公司的法定公积金不足以弥补以前年度亏损的，在依照前款规定提取法定公积金之前，应当先用当年利润弥补亏损。公司从税后利润中提取法定公积金后，经股东大会决议，还可以从税后利润中提取任意公积金。公司弥补亏损和提取公积金后所余税后利润，按照股东持有的股份比例分配，但本章程规定不按持股比例分配的

28、除外。存在股东违规占用公司资金情况的，公司应当扣减该股东所分配的现金红利，以偿还其占用的资金。股东大会违反前款规定，在公司弥补亏损和提取法定公积金之前向股东分配利润的，股东必须将违反规定分配的利润退还公司。公司持有的本公司股份不参与分配利润。4、公司的公积金用于弥补公司的亏损、扩大公司生产经营或者转为增加公司资本。但是，资本公积金将不用于弥补公司的亏损。法定公积金转为资本时，所留存的该项公积金将不少于转增前公司注册资本的25%。5、公司股东大会对利润分配方案作出决议后，公司董事会须在股东大会召开后2个月内完成股利（或股份）的派发事项。如股东存在违规占用公司资金情形的，公司在利润分配时，应当先从

29、该股东应分配的现金红利中扣减其占用的资金。6、公司利润分配政策为：（1）利润分配的原则公司实施积极的利润分配政策，重视对投资者的合理投资回报，并保持连续性和稳定性。（2）利润分配的形式公司采取现金分配形式。在符合条件的前提下，公司应优先采取现金方式分配股利。公司一般情况下进行年度利润分配，但在有条件的情况下，公司董事会可以根据公司的资金需求状况提议公司进行中期现金分配。（3）现金分红的具体条件和比例在当年盈利的条件下，如无重大投资计划或重大现金支出等事项发生，公司每年以现金方式分配的利润应不低于当年实现的可分配利润的10%，且连续三年以现金方式累计分配的利润不少于该三年实现的年均可分配利润的3

30、0%。公司董事会在制定以现金形式分配股利的方案时，应当综合考虑公司所处行业特点、发展阶段、自身经营模式、盈利水平等因素在当年实现的可供分配利润的20%-80%的范围内确定现金分红在本次利润分配中所占比例。独立董事应针对已制定的现金分红方案发表明确意见。7、公司利润分配决策机制与程序为：公司当年盈利且符合实施现金分红条件但公司董事会未做出现金利润分配方案的，应在当年的定期报告中披露未进行现金分红的原因以及未用于现金分红的资金留存公司的用途，独立董事应该对此发表明确意见。第三章 项目背景及必要性一、 半导体行业概览1、半导体产业链情况半导体行业是电子信息产业的基础支撑，主要分为集成电路、分立器件、

31、传感器和光电子器件等四大类，广泛应用于5G通信、计算机、云计算、大数据、物联网等下游终端应用市场，是现代经济社会中的战略性、基础性和先导性产业。2、半导体行业发展概况（1）全球半导体行业市场规模巨大自半导体核心元器件晶体管诞生以来，半导体行业遵循着摩尔定律快速发展。2013年到2018年，全球半导体市场规模从3,056亿美元迅速提升至4,688亿美元，年均复合增长率达到8.93%。2019年，受国际贸易环境恶化导致市场信心不足等因素影响，全球半导体市场出现下跌。2020年，受益于疫情催生远程办公设备销量提振以及全球汽车产业复苏所推动的需求强劲反弹，全球半导体行业克服新冠疫情影响，发展态势良好。

32、（2）全球半导体制造产能逐步向中国大陆转移全球半导体产业的发展经历了由美国向日本、韩国和中国台湾地区以及中国大陆的几轮产业转移。凭借着巨大的市场容量和消费群体，在半导体制造方面，中国大陆近年来已超过美国、欧洲、日本，成为全球最大的半导体销售国。中国大陆半导体市场发展势头良好，吸引了台积电、三星、英特尔、SK海力士等在中国大陆建厂。根据SEMI数据统计，2017-2020年间全球投产的半导体晶圆厂为62座，其中有26座设于中国大陆，占全球总数的42%。（3）中国半导体行业稳步发展中国大陆正处于新一代智能手机、物联网、人工智能、5G通信等行业快速崛起的进程中，已成为全球最重要的半导体应用和消费市场

33、之一。集成电路为半导体工业的核心，经过多年的改革开放，中国集成电路市场获得了长足的发展，我国对集成电路的需求也在不断提升。据中国半导体行业协会统计，2020年中国集成电路产业销售额为8,848亿元人民币，较2019年增长17%，在2020年受疫情影响的情况下，中国集成电路产业销售额仍稳步提升。二、 薄膜沉积技术概况1、基本情况薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。2、薄膜沉积设备技术基本情况及对比薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（

34、ALD）设备。（1）PVD物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。（2）CVD化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。（3）薄膜沉积设备技术之间对

35、比PVD为物理过程，CVD为化学过程，两种具有显著的区别。ALD也是采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与CVD存在显著区别，在CVD工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于ALD技术，PVD技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比PVD略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。3、ALD、PVD、CVD技术应用差异PVD、CVD、ALD技术各有自己的技术特点

36、和技术难点，经过多年的发展，亦分别发展出诸多应用领域。原子层沉积可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的方法。从原理上说，ALD是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的CVD不同，在传统CVD工艺过程中，化学气体不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度与温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在ALD工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。ALD与CVD技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：在PERC电池背钝化

37、Al2O3的沉积工艺中，ALD技术与PECVD技术存在互相替代的关系在2016年之前，PECVD在PERC电池背面钝化的应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用PECVD镀SiNX，因此电池厂商选择PERC电池背面沉积Al2O3的方法时，PECVD技术被优先用于Al2O3的沉积。而当时的ALD技术在国外主要应用于半导体领域，大多属于单片式反应器类型，这种反应器虽然镀膜精度高，但产能较低。近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着90nm以下制程的产线数量增多，尤其是28nm及以下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，

38、工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于ALD独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构3D立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD技术愈发体现出举足轻重、不可替代的作用。三、 太阳能电池片行业1、太阳能电池片行业基本情况太阳能电池片技术的发展对光伏设备技术提升和应用拓展有重要推动作用。从太阳能电池片的生产技术来看，近几年可分为三个阶段：第一个阶段是2015年以前，光

39、伏电池市场主要采取多晶Al-BSF技术，单晶PERC电池处于技术验证阶段，以试验产能为主，增长迅速但总量较小，随着单晶PERC电池成功量产，其商业化的可行性得到确认；第二阶段是2015-2017年，单晶PERC电池投资吸引力凸显，国内厂商开始加码PERC电池生产，但从整个光伏电池市场来看，主要还是采取多晶Al-BSF技术，Al-BSF技术电池因性能稳定，生产成本较低，此阶段仍占据着市场主要份额；第三阶段是2018年至今，PERC电池产能实现爆发式增长，根据中国光伏行业协会的统计数据，继2019年后，2020年新建量产产线仍以PERC电池产线为主，PERC电池片市场占比进一步提升至86.4%。太

40、阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、背接触（IBC）及钙钛矿等。P型电池以P型硅片为原材料，技术路线包括传统的铝背场技术以及目前主流的PERC技术；N型电池以N型硅片为原材料，技术路线包括TOPCon、HJT等，近年来已有厂商陆续开始布局，属于下一代高效电池技术路线的潜在方向，而IBC和钙钛矿为未来技术，尚处于实验和验证阶段。（1）Al-BSF技术Al-BSF电池是指在晶硅太阳能电池P-N结制备完成后，通过在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，从而形成铝背场。其既可以减少少数载流子在背面复合的概率，同时也可以作为背面的金属电极，因此

41、能够提升太阳能电池的转换效率。（2）PERC技术PERC技术采用的是在现有Al-BSF工艺上增加背面介质钝化层然后用激光在背表面进行打孔或开槽露出硅基体。背面介质钝化层通过背面钝化工艺是在硅片背面沉积Al2O3和SiNX，Al2O3由于具备较高的负电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，SiNX主要作用是保护背部钝化膜，并保证电池正面的光学性能。背面钝化可实现两点价值，一是显著降低背表面少数载流子的复合速度，从而提高少子的寿命，增加电池开路电压；二是在背表面形成良好的内反射机制，增加光吸收的几率，减少光损失。由于PERC电池具有结构简单、工艺流程短、设备成熟度高等有点，已经替代Al-BSF电池

42、成为主流电池工艺。（3）TOPCon技术TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触电池技术，与常规电池最大的不同在于，其在电池的背面采用了接触钝化技术，结构包括超薄二氧化硅隧穿层和掺杂多晶硅层（晶硅基底与掺杂多晶硅在背面形成异质结），二者共同形成了钝化接触结构，为电池的背面提供了优异的表面钝化。TOPCon电池制备过程较PERC电池要复杂，但我国光伏企业在TOPCon电池技术上已取得一定积累，很多量产工艺瓶颈和设备瓶颈也获得了突破，未来存在将TOPCon技术与IBC技术相融合升级为TBC电池的可能性。（4）HJT技术HJT技术即异质结太阳能电池，电池片中同时存在晶体和非晶体级别

43、的硅，非晶硅的存在能够更好地实现钝化。HJT电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度较低，可避免高温工艺对硅片的损伤，并有效降低排放，但是工艺难度大，且产线与传统电池技术不兼容，需要重新购置主要生产设备，产线投资规模较大。目前异质结电池市场渗透率相对较低，仅在部分企业中实现小规模量产。（5）IBC技术IBC电池最大的特点是P-N结和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子，加上电池前表面场以及良好钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池就拥有了高转换效率。相比于PERC、TOPCon和HJT

44、，IBC电池的工艺流程和设备要复杂很多，并且投资较高，国内尚未实现大规模量产。（6）钙钛矿钙钛矿太阳能电池是以钙钛矿晶体为吸光材料的一种新型太阳能电池技术。与其它太阳能电池材料相比，有机无机杂化钙钛矿材料的吸光系数高、载流子传输距离长、缺陷容忍度高、带隙可调，非常适合制备高效太阳能电池。但由于电池本身受温度及湿度影响，化学键合作用弱，易形变，光致衰退明显，因此稳定性问题仍未解决，尚处于小规模试验阶段。2、太阳能电池片行业发展情况2011年至2020年，全球电池片产量持续增长，2020年全球电池片总产量为163.4GW，同比增长16.6%。2010年至2020年，我国太阳能电池片产量逐年上升，2

45、020年我国电池片产量为134.8GW，较2019年同比增长约22.2%。我国电池片生产规模自2007年开始已连续13年居全球首位，全球电池片产业继续向我国集中。从各类电池的市场占有率看，2018年传统的BSF电池依然占领半数市场，2019年PERC电池技术迅速反超BSF电池，占据了超过65%的市场份额，2020年，PERC电池片市场占比进一步提升至86.4%。3、太阳能电池片行业发展趋势（1）短期内PERC电池仍是最主要的电池产品TOPCon和HJT是继PERC电池之后的主要新兴技术，TOPCon电池升级迭代的最大优势在于其与PERC产线兼容度高，可从PERC产线改造升级，是目前初始投资成本

46、最低的N型高效电池之一。HJT技术的核心优势是电池结构相对简单，然而目前设备成本依旧较高，经济性不足，在材料端和设备端均存在降本空间。虽然TOPCon电池、HJT电池可以获得较高的电池光电转换效率，但因其各有的限制性因素的存在导致目前规模量产偏少。TOPCon技术目前尚未取代PERC技术的主要原因为：（1）工艺步骤增加，导致技术成熟度和产品良率有待进一步提高；（2）工艺设备成本和双面银浆带来的成本上升。HJT技术目前尚未取代PERC技术的主要原因为：（1）HJT电池产线的投资成本较高，是PERC电池产线投资的2-3倍以上；（2）HJT技术路线采用透明电极和低温银浆，技术成熟度不高，运营成本相对

47、较高。（2）长期来看TOPCon、HJT电池将成为未来产业化主流我国光伏企业在TOPCon、HJT等下一代高效晶硅电池生产技术的研发上先后取得突破，转换效率不断刷新世界记录，效率更高的N型TOPCon电池、HJT电池等则最有望成为P型PERC电池后的产业化主流技术。四、 狠抓项目建设没有项目，一切都是空谈。坚持“项目为王”，建立政府组织、企业参与、统筹谋划的工作机制，抢抓机遇，加大项目、政策、资金争取力度，落地开工项目总投资额达到800亿元以上。以新一轮国土空间规划编制为契机，用好用足采煤影响区综合治理相关政策，充分利用老旧城区闲置、低效土地，保障项目建设需求。支持高新区建立精细化工产业引导基

48、金，助推项目建设按下“快捷键”、跑出“加速度”。五、 狠抓营商环境牢固树立“人人都是营商环境，个个都是开放形象”的理念，对标“办事方便、法治良好、成本竞争力强、生态宜居”的要求，持续深化“放管服”改革，坚决破除数据壁垒、打通信息孤岛，“实际网办率”达到70%以上。制定“全市通办”事项清单，实现一次申报、全市可办。推广容缺受理、告知承诺等审批模式，建设类工程项目行政审批时限压缩50%以上。强化法治政府、诚信政府建设，为各类市场主体营造稳定、公平、透明、可预期的发展生态。第四章 行业发展分析一、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）薄膜沉积设备市场规模持续增长根据M

49、aximizeMarketResearch数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%

50、，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量

51、应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程28nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极

52、氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中，增加集

53、成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容

54、和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）

55、半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，

56、设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的

57、核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的

58、要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度

59、化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。二、 半导体设备行业1、半导体设备发展基本情况及特点半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶

60、，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行“加减法”。薄膜沉积作为“加法工艺”，与光刻和“减法工艺”刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。2、全球半导体设备行业发展情况2013年以来，随着全球半导体行业整体景

61、气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据SEMI统计，全球半导体设备销售额从2013年的约318亿美元增长至2020年的712亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据VLSIResearch数据，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。3、中国半导体设备行业发展概况（1）中国大陆成为全球第一大半导体设

62、备需求市场从需求端分析，根据SEMI统计数据，2013-2020年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到27.59%，2020年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到187.2亿美元，发展势头良好。（2）顶尖设备仍依赖进口2020年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%，其中集成电路设备自给率仅有5%左右，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大

63、的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。（3）半导体设备发展趋势向好集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。除此之外，功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市