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1、OVD法第二小组OVD法原理 其主要原料掺杂剂以气态形式送入氢氧火焰喷灯，使之在氢氧焰中水解，生成石英玻璃微粒粉尘，然后经喷灯喷出，沉积于石英，石墨或氧化铝材料制作的“母棒”外表面，经多次沉积形成一定尺寸的多孔粉尘预制棒，然后停止工作，去掉母棒，再将中空的预制棒在高温下脱水，烧结成透明的实心的玻璃棒，即获得所需要的光纤预制棒。 沉积和烧结两步骤：先按所设计的光纤折射分布要求进行多孔玻璃预制棒芯棒的沉积（预制棒生长方向是径向由里向外），再将沉积好的预制棒芯棒进行烧结处理，除去残留水份，以求制得一根透明无水份的光纤预制棒芯棒 。OVD法第二小组OVD法原理图（3） 预制棒烧结OVD法第二小组 化学
2、反应方程式 1. SiCl4 + H2O SiO2 + 2HCl + Cl2 2. GeCl4 + H2O GeO2 + 2HCl + Cl2 OVD法第二小组OVD设备及原材料w1）设备：外部气相法工艺生产光纤预制棒的主要设备有高纯气相玻璃沉积车床，纯化烧结炉，玻璃车床和拉棒塔。w2）原材料：主要原材料有四氯化硅，四氯化锗，氯气，氦气，氮气，氢气，氧气。 OVD法第二小组OVD工艺流程(1) 光纤预制棒生产，包括外部气相法，工艺流程分两大步：芯棒制造和包层制造。在沉积芯棒时，在芯子沉积完成后，再沉积一部分包层，使得后续的工艺，包括进一步的包层沉积，烧结，玻璃表面火焰抛光等，对光棒芯子没有任何
3、影响。 芯棒的沉积是从一根三氧化铝的衬棒和一个特别设计的玻璃夹具开始。玻璃原材料，包括四氯化硅，四氯化锗等，由喷灯喷出。金属氯化物在经过火焰时，产生火焰水解反应，形成玻璃微颗粒而沉积在衬棒上。芯子的折射率由二氧化锗的掺杂量控制。在沉积芯子(二氧化硅加少量的二氧化锗)结束后，必须再沉积部分二氧化硅包层。在芯棒沉积结束后，二氧化铝衬棒必须从芯棒中抽出。 包层沉积工艺 由于在芯棒沉积时只沉积了部分包层，剩下部分包层玻璃由包层沉积工艺完成，沉积包层的设备与沉积芯棒的设备基本上是一样的。避免芯棒和外包层产生界面气泡，是包层工艺的主要要求。在准备芯棒沉积包层时，芯棒必须经火焰准直，表面必须经过火焰抛光。O
4、VD法第二小组OVD法第二小组OVD优点 业内专家指出OVD芯棒加SOOT外包的预制棒工艺的成本最低。VAD芯棒加SOOT外包的生产成本比OVD芯棒加SOOT外包的高出25%;MCVD加套管法的生产成本比OVD芯棒加SOOT外包高40%。 当前商业生产光纤预制棒的汽相沉积工艺都已经发展为包括芯棒制造和外包技术的“两步法”，生产常规单模光纤，用OVD芯棒加SOOT外包的预制棒工艺成本最低。 该法的优点是沉积速度快，适合批量生产，该法要求环境清洁，严格脱水，可以制得0.16dBk（1.55m）的单模光纤，几乎接近石英光纤在1.55m窗口的理论极限损耗0.15dBkm。 外包层制造技术主要有套管法、
5、等离子喷涂法、火焰水解法等。 外包层制造技术是光纤通信全球性高速发展应运而生的大光纤预制棒制造新技术。 外包层技术发展和完善的目的是将光纤预制棒做的更粗、更长，即提高光纤生产率，降低生产成本，使光纤通信比其他介质的通信形式具有更大、更强的竞争力。 外包层技术中的套管法是将气相沉积工艺制成的芯棒置入一根作光纤外包层的高纯石英玻璃管内制造大预制棒技术。等离子喷涂法是用高频等离子焰将石英粉末熔制于气相沉积工艺得到的芯棒上制成大预制棒的技术。火焰水解法（粉末外包）实质上就是OVD、VAD等火焰水解外沉积工艺在芯棒上的应用。 通常，将气相沉积法工艺和外包层技术结合制成的大预制棒直径缩小，且保持芯包比和折射率分布恒定的操作称为光纤拉丝。拉丝过程中要对裸光纤施加预涂覆层保护。涂覆层既可以保护光纤的机械强度、隔离外界潮湿，又可以避免外应力引起光纤的微弯损耗。此外，高速拉丝还应注意光纤的充分冷却，消除光纤中的残余内应力，以求确保光纤的翘曲度指标最优。 外包层技术的发展，将使光纤生产成本最低化。据测算，目前光纤生产成本最低的使采用OVD方法生产的G.652单模光纤，其成本大约为810/km .
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