LED绿色照明项目可研报告

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1、LED绿色照明产业开发项目可行性研究报告福建高科照明有限公司二一一年七月 目录第一章概况3一、项目概况3二、 项目建设单位简介3三、公司战略4 第二章项目背景及建设意义和必要性6一、项目的建设符合国家节能减排基本国策的要求6二、我国照明产业发展的需要6三、 LED全产业链的需求7第三章市场分析8一、国际市场分析8二、国内市场分析9三、市场竞争力分析10四、销售策略、方案和营销模式11五、 市场风险分析12第四章 项目建设方案13一、项目建设规模及还本付息表13二、工艺流程14三、设备22第五章项目选址与建设条件26一、建设条件26二、营销策略26三、地形地貌27四、气候条件27五、 植被.28

2、六、 交通运输条件.28七、 公共设施条件.29第一章 概 况一、项目概况：(一) 项目名称：LED绿色照明产业开发项目(二) 项目性质：扩建(三) 项目承建单位：福建高科照明有限公司(四) 承建单位法人代表：(五) 项目技术协作单位：南孚电池有限公司(六) 建设地点：福建省沙洋金谷园二、项目建设单位简介公司名称：福建高科照明有限公司成立时间：2009年3月法人代表：注册资本： 1500万元人民币公司性质：有限责任公司公司现已投资人民币约5000万元，建成20000平方米集办公、研发、厂房及各类配套设施于一体的生产基地。公司自成立以来，始终站在功率型LED照明研发、生产前沿阵地，以思维模式转变

3、引导二次创新，先后突破了大功率LED照明应用的光效率、光衰减、散热以及光强、光场可控等技术瓶颈，实现了功率型LED功能照明替代传统照明的重大突破。2008年公司首批进入福建省高新技术企业（国家标准），现为世界杰出华商协会会员，中国能源协会团体会员、省高新产业促进会副会长单位，省光电协会、省光电产业联盟成员。同时公司作为主要起草单位，参与了福建省道路照明用LED灯具福建省地方标准DB35/T813-2008的起草制订工作。公司先后获省科技创新进步奖、省6.18科技成果创新奖、三河市科技进步三等奖，拥有国家专利14项，正在审批的10项；中国质量监督检验协会还授予公司“中国优质名牌”、“中国驰名品牌

4、”、“AAA级信誉会员单位”，并作为特别推荐单位，授权使用“中国驰名品牌”进行市场宣传和产品包装。2009年7月被中国企业改革监督管理委员会、中国质量管理体系认证中心授予“中国LED灯饰行业十强”，国家权威机构中国企业实力诚信监评中心和环球168国际贸易促进协会评选为LED行业生产型企业50强；2009年7月30日，公司顺利通过了由建设部科技发展促进中心、中国环境保护产业协会组织的绿色之星专业标识评审，并授权我公司可使用在国家工商局注册的绿色之星环保专用标识作为我公司的产品标志。2009年10月获得中国国际名牌发展协会颁发的“中国著名品牌”，并在中国消费者网进行推广展示、公告，公司产品还可通过

5、全国打假网防伪查询中心进行查询。2009年10月14日，商务部国际贸易经济合作研究院给福建高科照明有限公司颁发了企业信用档案证书。2010年公司的对流式路灯、漫射型路灯、双光源隧道灯入选福建省自主创新产品名单。公司生产的功率型LED（半导体）路灯、隧道灯全部经过国家有权机构检测认证，准备投放东欧市场的室内照明产品已通过CE认证，并拥有全部国家专利等自主知识产权。公司拥有雄厚的技术力量，目前拥有70多员工，其中大中专以上学历的员工占90%，形成了一支勇于进取、善于创新的团队。我们还与福州大学、西安理工大学等建立了产学研和技术攻关合作，与国内不少大中型企业建立了合作、协作关系。三、公司战略1、中长

6、期目标福建高科照明科技有限公司的中、长期目标是建设、发展成为国内最具实力的高亮度LED芯片、外延片、封装以及LED照明灯具生产基地。近期目标是6个月内完成高亮度LED批量封装生产和。2012年投产外延片及LED芯片生产开发，引进设备，组装生产线。从第三年开始，公司拥有LED照明全产业链。 2、发展民族产业高亮度发光二极管（LED）是目前全球电子产业的前沿和热点，高亮度白光LED更被誉为继爱迪生发明白炽灯以来最大的光源革命。我国已将发展高亮度发光二极管列入下一个五年计划国家重点项目之一。福建高科照明科技有限公司将充分利用企业现有的技术和基础，使高亮度蓝光LED产业化，组建新的具有竞争规模的LED

7、生产企业，打破国际上同行业的垄断，促进我国光电器件行业的发展。 3、构建完整的产业链福建高科照明有限公司将建立一支富有创新能力的技术、管理团队；构建具有自主知识产权与专有技术的从外延，到芯片，到封装，到灯具应用的产业链。第二章 项目背景及建设意义和必要性一、项目建设符合国家节能减排基本国策的要求城市公共照明在我国照明耗电中占30% 的比例，约439亿kwh，以平均电价0.65元/kwh计算，一年开支285亿元。因此，采用高亮度、长寿命、耐震动、抗冲击、绿色环保的半导体光源开发各类城市道路照明系统，具有十分重要的意义。2007年02月28日，国家发展和改革委员会、科技部联合发布的中国节能技术政策

8、大纲（2006年）明确提出“开发、应用节能器具，提高燃气利用效率”的要求。2007年月2日国务院关于印发节能减排综合性工作方案的通知第十条第四十四款明确要求抓好政府机构办公设施和设备节能。温家宝总理也在十届全国人大三次会议上强调：要注重能源资源节约和合理利用，缓解我国能源资源与经济社会发展的矛盾，显著提高能源资源利用效率，坚决实行开发和节约并举，把节约放在首位。该项目的制定和实施，完全符合上述规定和要求，是对节能减排基本国策的响应。二、我国照明产业发展的需要目前，我国已经成为全球半导体照明产业发展最快的区域，已经为全球重要的LED器件封装基地，约占世界市场的15%。同时，国内主要原材料芯片的生

9、产能力和品质都有了长足进步，国产化率已达到46%，2007年全球GaN芯片新增产能的25%在中国。2007年我国半导体照明应用产品产值已超过300亿元，成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观照明等应用产品世界最大的生产和出口国，新兴的半导体照明产业正在形成。值得指出的是，我国是全球最大的传统照明生产、消费和出口国，但照明工业大而不强。半导体照明的发展为我国传统照明创造了极好的产业提升机遇，结合太阳能、风能等新能源的利用，我国完全可以成为未来照明产业的强国；我国在北京奥运和上海世博会工程、以及道路照明中的半导体照明示范应用全球瞩目，也将大大推动国内产业的发展，预计2011年我国半导体照明及相关

10、产业产值将达到1000医院人民币。三、LED全产业链的需求中国是发光二极管的生产大国，全世界50%以上的发LED在中国封装。但是中国所封装的LED芯片90%均从台湾、日本、美国、欧洲、韩国进口。国内仅有的几家LED芯片生产厂家生产的芯片，和国外厂家质量差距很大，不能用于应用照明中。发展技术先进的民族LED芯片产业成为当务之急。目前LED产业正在根本性变化，从平面发展模式，发展成纵向配置的全产业链配置模式。目前CREE、欧司朗、日亚等世界级LED巨头公司，正在扩大自身规模，从产业链上游向下产业链下游延伸，形成完整的LED全产业链，原材料质量得到有效的控制，运输成本和产品周期大大降低，在质量和成本

11、上抢占了制高点。这些公司生产的LED芯片良品肯定会留着自己用，外放芯片只能是三等品或者四等品，国内厂家的芯片源难以得到保障，产品难和这些厂家抗衡。发展LED芯片产业，形成LED全产业链成为必然的发展趋势。正是在上述背景下，福建高科照明有限公司积极组织技术力量多LED芯片、LED封装、LED照明灯具的科技攻关，提出实施投资13亿元人民币的LED绿色照明产业开发项目。项目的实施将推动福建省LED产业的升级，同时符合国家节能减排基本国策的要求和我国照明和LED产业发展趋势相一致。第三章 市场分析本项目产品包括LED芯片、LED封装、LED照明灯具，具有巨大的应用领域和市场空间。一、国际市场分析随着人

12、们环保意识的增强，传统照明设备的高耗电性和废弃物污染等问题，已引起各国政府的重视，纷纷投入大量的金钱、人力、物力研发新的环保光源。而有“绿色照明光源”之称的LED，由于其独有的节能、寿命长、免维护、易控制、环保等特点，已成为各国积极发展的方向。据了解，国际上半导体照明产业近年来保持40%的增长速度。面对半导体照明的巨大商机和令人鼓舞的发展前景，世界各国纷纷行动，日本、美国、欧盟、韩国等相继投入巨资，推出国家半导体照明计划。日本于1998年在世界率先实施“21世纪照明”计划，旨在通过使用长寿命、更薄更轻的GaN高效蓝光和紫外LED技术使得照明的能量效率提高为传统荧光灯的两倍，减少二氧化碳的产生，

13、并在2006年完成用白光发光二极管照明替代50%的传统照明。该计划由日本金属研发中心和新能源产业技术综合开发机构发起和组织，参与机构包括4所大学、13家公司和一个协会。整个计划的财政预算为60亿日元。从19982002年，是投资50亿日元的第一期目标，目前已经完成。现在，日本正在实施第二期计划，计划到2010年，LED的发光效率达到150 lm/W。 美国“半导体照明国家研究项目”由美国能源部制定，计划用10年时间，投资5亿美元开发半导体照明，参加者包括13个国家重点实验室、公司和大学。实施该计划的目的是为了使美国在未来照明光源市场竞争中，领先于日本、欧洲及韩国等竞争者。计划的时间节点是，20

14、02年20 lm/W，2007年85 lm/W，2010年150 lm/W。从2000年到2020年，美国半导体照明计划预计将取得如下成绩：累计的功效和节约潜力将减少258亿吨碳污染物的排出；少建133座新的电站；预计到2010年，55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯取代；到2025年，固态照明光源的使用将使照明用电减少一半，每年节电额达350亿美元；累计节约财政开支1150亿美元；形成一个每年产值超过500亿美元的半导体照明产业市场；带来高质量的数以百万计的工作机会。美国从2000年起投资5亿美元实施国家半导体照明计划。美国能源部预测，到2010年前后，美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯具

15、替代，每年仅节电就可达350亿美元。半导体灯作为典型的绿色照明光源，孕育出诱人的市场前景。LED应用市场的规模：2007年全球超过320亿美元；2011年全球将达到 800亿美元。二、国内市场分析2007年国家科技部建议，在将半导体照明产业纳入国家重点发展的高新技术产业的同时，以2008年北京奥运会和2010年上海世博会为契机，推动半导体灯在城市景观照明中的应用。国家已从863计划和攻关计划中拿出8000万元作为引导经费，安排一些急需上马的项目。2003年3月，随着我国“十五”科技攻关计划“半导体照明产业化技术开发”重大项目的正式立项，国家半导体照明工程已进入实质性推进阶段2003年6月17日

16、，“国家半导体照明工程”协调领导小组召开了第一次电视电话会议。这一会议的举行，表明“国家半导体照明工程”正式启动。 2004年3月22日协调领导小组又同中国照明协会中国照明电器协会联合主办了“2004 年中国（上海）国际半导体照明论坛”。2003年4月，国家科技部确定厦门、上海、大连和南昌为首批 4个国家半导体照明产业基地，2004年4月深圳又成为第5个国家半导体照明产业基地。2004年深圳LED产值已超过 50 亿元，有些企业的产值也达到10亿元，分布在上中下游产业链上的企业有300 多家。到2004年全国已有LED各类企业约3500余家，从业人员50 余万人，LED器件产量400亿只/年以

17、上（LED应用产品的产量与规模则无法统计），年市场规模大于300亿人民币。按LED市场来划分，目前市场主要集中在珠江三角区域及长江三角区域等制造业发达地区，市场份额占到全国各类LED应用市场的 95%以上。根据中国光学光电子行业协会光电器件分会的初步统计，2007年我国大功率LED产量达200亿只，其增长率为25%，其中超高亮度 LED 约50亿只，增长率达到50%。我国针对国外发展趋势和国内的实际情况，2004年正式实施了国家半导体照明工程，政策鼓励企业研究开发半导体照明工程，尽快实现产业化，推动传统照明工程转型。目标2010 年将有50%的光源为半导体灯代替，每年节电近 1000 亿度，相

18、当于一个三峡工程的发电。中国LED应用市场的规模2011年将达到800亿元人民币。据中国光学光电子协会统计，国内市场将保持 30%以上的成长速度。 三、 市场竞争力分析1、产业链优势现代企业竞争已经从个别企业间的竞争转变至各个核心企业之间的产业链竞争，已由传统的成本与质量的竞争演变为信息、资本、技术、经营模型、成本等等方面综合实力的竞争。在这场竞争中，拥有完整产业链的企业，能够调配更大范围的经济资源，具有明显的竞争优势和抗风险能力。相对我国各LED厂家多、规模小这种竞争结构，高科照明整合能力较强，形成具有互补性或专业对口性质的产业链。 2、技术力量雄厚面对激烈的市场竞争，项目单位极为重视技术创

19、新在企业发展中的重要性，投入大量资金，致力于产品的更新换代和技术水平的不断提升。福建高科照明储备了LED芯片、封装、热学、材料等技术人才，技术力量雄厚。四、 销售策略、方案和营销模式销售行业要发展壮大必须重视科技进步、提高生产技术水平、掌握准确的市场信息和严格细致的管理来提高企业的综合竞争力。根据企业发展目标、市场前景以及该项目的特点，为保证项目的成功，增强项目自身的市场竞争能力，现阶段企业拟考虑采用的主要营销策略包括： 组织企业形象及市场营销策划。即在建设期聘请有关专家对企业形象及产品营销计划进行一次全面设计、策划，力争在扩建完成后以全新的企业及产品形象开拓市场。(2) 加大宣传力度，提高企

20、业知名度。加大对公司及产品的宣传力度，树立公司独特、鲜明的形象，提高公司在广大消费者心目中的认可度。(3) 不断进行技术创新，提高产品质量和产品的人性化设计，创建信得过品牌。(4) 积极开拓新市场。完善销售渠道,在各大、中城市设立代理商，形成更加广泛的销售网络，不断开拓省内外市场，提高市场占有率。我们的销售步骤分三步，首先是市场渗透。第二步是注意销售渠道。传统客户是我们产品的主要目标。第三是注意发展合作伙伴关系。公司的产品和项目目前正同工程商开展传统意义上的合作，以便占领市场制高点。营销方式上公司将综合考虑直销、电话销售、建立分销渠道等方式来促进销售。与此同时，我们将致力于建立全球化的销售网络

21、。五、 市场风险分析该项目的风险主要来自企业能否及时拓展市场空间，将潜在市场变为现实市场。防范的措施主要体现为在确保产品质量的前提下，提高成品率，尽快建立健全产品的营销网络，以品牌为纽带，形成产品的多样化、系列化，以满足全方位的市场需求。29第四章 项目建设方案一、 项目建设规模及还本付息表： 项目融资资金额及还本付息计划表 单位：万美元项目融资金额其中收益还款盈余利税设备流贷产量产值利税本金利息服务费LED封装1800920880514285K281258437.5 180045056182.5LED芯片3600215014502000000K4687514062.5 36009001095

22、52.5外延片10800556052402400000片7500022500.0 108002700308970大功率LED灯具900100800249984盏78122812.5 9002252.51685小功率LED灯具4501003504999680盏39061406.3 450112.51.25842.5合计175508830872016171849218.8 175504387.548.7527232.5说明1、融资金额按大额美金存单的90%计算；利息按实际融资额17550万美元的5年期25%计算；表中还款本金也按实际融资额17550万美元算。2、产值单位：年产量*单价*5年。单价：

23、外延片：2000元/片；芯片1500元/K；封装3500元/K；大功率LED灯具2000元/盏；小功率LED灯具50元/盏；3、利税率：30%产值4、美元与人民币比值：6.4：1二、 工艺流程 1、LED芯片工艺LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。1、晶圆处理工序本工序的主要工作是在晶圆上

24、制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中

25、，不合格的晶粒则舍弃。3、构装工序就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。4、测试工序芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从

26、相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。2、外延片工艺LED外延片工艺流程如下：衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、X射线） - 外延片外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级具体介绍如下

27、： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300500，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。 倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。

28、清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。 RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。具体工艺流程如下： SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。 DHF清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。 APM清洗：AP

29、M溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM，用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。 DHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。 磨片检测：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。 腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，芯片表面受加工应力而形成

30、的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。 分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。 粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在1020um。此处产生粗抛废液。 精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，从而得到高平坦度硅片。产生精抛废液。 检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。 检测：查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。包装：将单晶硅抛光片进

31、行包装。芯片到制作成小芯片之前，是一张比较大的外延片，所以芯片制作工艺有切割这快，就是把外延片切割成小芯片。它应该是LED制作过程中的一个环节 3、LED封装工艺1.芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红

32、光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。4备胶 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 5手工刺片 将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便

33、于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。6自动装架 自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。7烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。 银胶烧结的温度一般控制在150，烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170，1小时。绝缘胶一般150，

34、1小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。8压焊压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。9封胶LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选

35、型，选用结合良好的环氧和支架。（一般的LED无法通过气密性试验）（1）点胶：TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光LED），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。（2）灌胶封装Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。（3）模压封装 将压焊好的LED支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧

36、顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。10固化与后固化固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135，1小时。模压封装一般在150，4分钟。 后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘接强度非常重要。一般条件为120，4小时。11切筋和划片 由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。12测试 测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。工艺流程图见附图213包装将成品进行计数包装。三、 设备1、LED芯片

37、加工设备廠家每月產能(片/台)產能(KK)U/C(RMB)資本支出(RMB)第一期(12,000片)第二期(24,000片;產能共36,000片)設備投資金額機台數設備投資金額機台數黄光上光阻擎邦2400084010000010000021000002硬烤7200025202000020000200曝光科毅2400084020000002000000220000002ICP蚀刻Oriken60002107000000140000004280000008ITO蒸镀富臨2400084020000002000000220000002Pad蒸镀富臨240008402000000200000022000

38、0002爐管480001680600000600000200G/L研磨机Tecdia32000112080000080000028000002抛光机Tecdia32000112080000080000028000002S/B镭射机(NW)(NW)1920067270000007000000270000002小計29,320,00042,700,000P/S长洛点测机长洛18066000002000000066威控分类机威控180610000003333333466小計53,333,334其他12246666總計1376000002、LED封装设备序号设备名称规格型号厂家产地数量单价（不含税）总

39、价（含税）1自动固晶机AD860ASM香港20台USD14万/套RNB2021万2自动焊线机iHank-XtremeASM新加坡20台3电浆清洗机PLASMAX-800钛升台湾2台USD9.59万/套RMB152万4白光点胶机Geniflow-303钛升台湾20台USD5.88万/套RMB935万5自动分光机H530长裕台湾20台USD103.6万/套（含税）RMB1480万6自动编带机H600长裕台湾20台7显微镜40台RMB200万8防潮柜20台9冰柜2台10烤箱SLDT-1吴江松陵中国40台11工治具+工作桌若干12油压切脚机6台13装修费500万（含税）500万14合计5288万元LE

40、D封装检测设备序号设备名称规格型号厂家产地数量备注1拉力/推理机立本机械台湾2台2冷/热冲击机-60120三朋仪器台湾2台3恒温/恒湿机三朋仪器台湾2台4电性测试仪杭州星普中国2套5热量分析仪TA-DSCQ10TA美国2台6积分球UDT-370日制2台7高倍显微镜CP-2300美国2台8电子显微镜照相机MT6000-MEJI明治日本2台9裸品测试仪JM-2100上海杰名中国2台10LED高速视角测试仪T550/V120长裕欣业股份有限公司中国2台11投影仪EP-1/400mm珠海怡信测量科技有限公司中国2台12烤箱STDT-1吴江市松陵电器设备有限公司中国2台13烤箱STDT-3H吴江市松陵电

41、器设备有限公司中国2台14精密数显直流稳流稳压电源（智能型）WY3010杭州远方光电信息有限公司中国2台15IKVA交频交流电源VPS1010杭州远方光电信息有限公司中国2台16智能电量测试仪（谐波分析仪）PF9810杭州远方光电信息有限公司中国2台检测设备总计约600万人民币。3、LED外延片每台MOCVD机需450万美元，10台为4500万美元，其他机器为500万美元，560万美元为房产、装修，共计5560万美元。第五章 项目选址与建设条件一、建设条件1、环境条件沙洋历史悠久，经济繁荣，人杰地灵，人文荟萃，山清水秀，旅游资源十分丰富。这里拥有华夏第一石雕卧佛-定光卧佛，省级风景名胜区、迷宫

42、式溶洞七仙洞，闽西北最大的城市游乐园沙阳乐园和风光旖旎的十里平流水上项目，业已形成山、水、洞、园融为一体的旅游体系。沙洋的交通十分便捷，鹰夏铁路、205国道和银福高速公路横贯境内，沙洋改革开放以来，工农业和商贸发展较快，城镇化水平较高，已经是一个具有游览、朝圣、度假、休闲、美食、娱乐、购物等功能较齐全的新型的工业、商贸旅游发展的经济区，森林覆盖率达73.6%，空气质量达到国家1级标准，旅游资源丰富，品位较高，是全国生态示范城。2、公共设施条件福建高科照明有限公司位于三河高新技术产业开发区金谷园，园区地处三河市沙洋北郊，南起福银高速公路三河连接线南面，北到增坑垄至际口一线，东起东溪河，西至西郊，

43、位处黄海海拔高程200m，距沙洋火车站仅3km，距三河市区约20km，是三河市的有机组成部，是以京福高速公路三河连接线为纽带，与三河市区、沙洋城区相连的山区城市带。交通便捷，集装箱可直达工厂，厂区到厦门、福州仅需3.5小时，为原料和产品提供了就近便利的运输条件。通讯发达，水、电由沙洋水厂、电业局供给。园区完善的交通、水、电等基础配套设施可满足项目建设的需要。二、场址选择1、场址现状（1）地点福建高科照明有限公司位于沙洋金谷园。（2）地理位置沙洋位于福建省中部偏北，闽江主流沙溪下游，地处东经11732-11806，北纬2606-2640，位于南平和三河市之间，面积1815.09平方公里。它东邻南

44、平、西近三河、南联尤溪、大田，西北与明溪、将乐交界，北接顺昌县。三河高新技术产业开发区金谷园地处三河市沙洋北郊，南起福银高速公路三河连接线南面，北到增坑垄至际口一线，东起东溪河，西至西郊，位处黄海海拔高程200m，距沙洋火车站仅3km，距三河市区约20km，是三河市的有机组成部，是以福银高速公路三河连接线为纽带，与三河市区、沙洋城区相连的山区城市带。2、占地面积本项目场址需占地面积33亩，建筑占地面积9210。3、土地利用现状：本项目场址用地属山地平整后征用，没有拆迁移民问题，远离城镇和居民区。三、地形地貌金谷园低丘林立、沟渠纵横，坡顶高程大部分在140170m之间，畔溪河沿线两侧沟渠部分较低

45、，标高在107.0116m之间。总体高程悬殊不大。该场地未见影响园区稳定的大断层带，即园区及附近地区无区域性活动构造通过，本场地属于六度抗震设防区。四、气象条件本项目所在地金谷园区属中亚热带海洋季风气候，同时又具有一定的大陆性气候。春季冷暖多变，常有春涝；夏季高温，前期易涝后期易旱；秋天天气宜人；冬天雨水适宜寒冷。按气候成因全年大致可分为：春雨、梅雨、台风暴雨和干季四个时期。据实测资料统计。年平均降水量为1688mm，最大年降水量2258mm，最小降水量966mm。年平均气温19.1，极端最高气温40.5，极端最低气温-7.6。全年各月除静止无风外，以东北风占优势。主要灾害性气候有寒害、旱害和

46、台风。五、植被沙洋森林植被区系属于中亚热带常绿阔叶林地区，南岭东部山地常绿槠类阔叶林亚区。典型森林植被主要群种有针叶树的马尾松、杉木及少量长苞铁杉、柳杉和江南油杉；阔叶树主要是米槠、甜槠、南岭拷、勾栗、闽粤拷等，其次是豆科、樟科、木兰科的乔木树种。据实地查勘，金谷园山地植被除部分林场伐木后的未成林地外，森林茂密，覆盖良好，植被类型以针阔混交林、灌木林、人工杉木林、松木林及毛竹为主要类型，一级阶地以耕地为主，种植水稻、薯类及蔬菜等农作物，同时，路边普遍植有各类常绿或落叶阔叶树种。六、交通运输条件福建高科照明有限公司位于沙洋金谷园，园区地处三河市沙洋北郊，南起京福高速公路三河连接线南面，北到增坑垄至际口一线，东起东溪河，西至西郊，距沙洋火车站仅3km，距三河市区约30km，是三河市的有机组成部，是以京福高速公路三河连接线为纽带。沙洋交通便捷，公路、铁路、水路畅达。县内鹰厦铁路、闽江主流沙溪横贯全境，公路网络四通八达， 300吨级运输船可直达福州马尾港，三河沙洋机场正在兴建中，刚建成通车的福银高速公路过境沙洋，为原料和产品提供了就近便利的运输条件。七、公共设施社会依托条件本项目场址所在地金谷园区通讯发达，水、电由沙洋水厂、电力局供给，生活福利配套设施完善，为项目建设提供了良好的公共基础设施条件。