EMC测试总体概述及浪涌测试原理与浪涌防护元器件使用实用教案

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1、EMC测试(csh)概述 RE&RS测试(csh)简介高度扫描天线杆天线金属地板转台上的受试件第1页/共31页第一页,共32页。EMC测试(csh)概述 CE测试(csh)简介第2页/共31页第二页,共32页。EMC测试(csh)概述 Harmonic& Flicker简介( jin ji)第3页/共31页第三页,共32页。EMC测试(csh)概述 SURGE简介( jin ji)信号电缆用的耦合解耦网络接电网接辅助设备EUT与发生器或耦合器之间的电缆小于2米保护地线要能够承受浪涌电流第4页/共31页第四页,共32页。EMC测试(csh)概述 ESD简介( jin ji)第5页/共31页第五页

2、,共32页。EMC测试(csh)概述 EFT简介( jin ji)容性卡钳距参考地100mm,轮流卡每根电缆EUT与参考地平面之间的距离大于100mm参考地平面的每个边要超出EUT100mm并与大地相连EUT与发生器或卡钳之间的电源线或信号线长度小于1米脉冲群信号源连辅助设备与端接第6页/共31页第六页,共32页。浪涌测试(csh)原理 测试波形(b xn)介绍 耦合/去耦网络的选择第7页/共31页第七页,共32页。测试波形(b xn)介绍 1.2/50uS(8/20uS)组合波介绍: 1、开路(kil)电压波形参数(1.2/50uS):第8页/共31页第八页,共32页。测试波形(b xn)介

3、绍 2、短路电流(dinli)波形参数(8/20uS):第9页/共31页第九页,共32页。测试(csh)波形介绍 10/700uS(5/320uS) 波形介绍: 1、开路(kil)电压波形为10/700uS;第10页/共31页第十页,共32页。测试波形(b xn)介绍 2、短路(dunl)电流波形参数(5/320uS):第11页/共31页第十一页,共32页。测试波形(b xn)介绍 浪涌测试波形的应用场景(对于CE认证) 1、根据我司现产品,电源端口采用1.2/50uS(8/20uS)组合波; 2、网口采用10/700uS(5/320uS)组合波进行试验(shyn); 3、试验(shyn)前需

4、对电缆类型、是否存在电源供电、是否屏蔽等进行说明;(以便选择耦合/去耦网络CDN);第12页/共31页第十二页,共32页。耦合/去耦网络(wnglu)的选择 耦合/去耦网络的选择(xunz) 1、对于交直流电源线端口第13页/共31页第十三页,共32页。耦合/去耦网络(wnglu)的选择 交/直流电源端口电容(dinrng)耦合试验配置(差模)第14页/共31页第十四页,共32页。耦合/去耦网络(wnglu)的选择 交/直流电源端口电容耦合试验配置(pizh)(共模)第15页/共31页第十五页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 浪涌防护原理 浪涌保护器的型号、原理介绍 浪涌保护电路及案

5、例分析 (因现产品主要(zhyo)涉及到过压保护,这只介绍压性保护器件,过流型保护器件不介绍)第16页/共31页第十六页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 浪涌防护原理 1、泄放;(典型应用(yngyng)端口:电源口) 2、隔离;(典型应用(yngyng)端口:网口)第17页/共31页第十七页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 浪涌保护器的型号、原理(yunl)介绍 1、气体放电管(GDT)的参数与应用utufdcufr u第18页/共31页第十八页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 1.1主要技术参数 a、直流放电(fng din)电压 在上升陡度低于100V/s的

6、电压作用下,放电(fng din)管开始放电(fng din)的平均电压值称为其直流放电(fng din)电压。由于放电(fng din)的分散性,所以,直流放电(fng din)电压是一个数值范围。 选择时应大于电路工作电压120%;第19页/共31页第十九页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 b、冲击放电电压 在具有规定上升陡度的暂态电压脉冲作用下,放电管开始放电的电压值称为其冲击放电电压。 放电管的响应(xingyng)时间或动作时延与电压脉冲的上升陡度有关,对于不同的上升陡度,放电管的冲击放电电压是不同的 。 第20页/共31页第二十页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用

7、 C、冲击(chngj)耐受电流 将放电管通过规定波形和规定次数的脉冲电流,使其直流放电电压和绝缘电阻不会发生明显变化的最大值电流峰值称为管子的冲击(chngj)耐受电流。 d、其他参数第21页/共31页第二十一页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 1.2 气体放电管的优缺点及其应用 a 、优点(yudin): 极间绝缘电阻大 极间电容小 泄放暂态过电流能力强 第22页/共31页第二十二页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 b 、缺点: 时延导致残压大 续流导致无法直接应用于大部分电压端口 C 、应用: 用于浪涌防护(fngh)最前级; 单独用于共模防护(fngh); 与其他防

8、护(fngh)器件串联应用;第23页/共31页第二十三页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 2、压敏电阻(MOV)的参数与应用 2.1 压敏电阻的主要参数 a 、标称压敏电压(V): 通过规定(gudng)持续时间的脉冲电流(一般为1mA 持续时间一般小于400mS)时压敏电阻器两端的电压值 第24页/共31页第二十四页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 b 、残压 在压敏电阻能承受的最大脉冲峰值电流Ip及规定波形(b xn)下压敏电阻两端电压峰值。 c 、残压比 残压比则是残压与标称电压之比。(一般约为1.82.2) 第25页/共31页第二十五页,共32页。浪涌防护(fngh

9、)元器件使用 d 、通流容量 通流容量也称通流量,是指在规定的条件(tiojin)(规定的时间间隔和次数,施加标准的冲击电流)下,允许通过压敏电阻器上的最大脉冲(峰值)电流值。 其他 第26页/共31页第二十六页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 1.2 压敏电阻的优缺点(qudin)及其应用 a 、优点: 通流容量大 动作响应快 无续流 b 、缺点(qudin) 极间电容大 TVS大家都有用过,TSS较GDT克服了动作时间慢的缺点(qudin),此文中不再介绍。 第27页/共31页第二十七页,共32页。浪涌防护(fngh)元器件使用 浪涌防护器件小结 1、GDT、TSS同为开关型器件

10、,均存在续流问题; 2、MOV、TVS同为钳位型器件,客服了续流问题,但通流量较开关型器件要小; 3、GDT动作时间(shjin)为uS级,MOV动作时间(shjin)为nS级均较慢;TSS、TVS客服了动作时间(shjin),为nS级器件; 4、MOV(使用次数限制)的失效模式以短路为主,所以在应用回流中需加入短路保护型器件; 5、以上浪涌保护器件均为过压型保护器件,过流型现AC产品未涉及,不介绍。第28页/共31页第二十八页,共32页。浪涌防护(fngh)设计介绍 浪涌防护设计介绍(个人看法) 1、“标准”资料,GBT 17626.5,ITU K系列建议,主要对波形参数、内阻、耦合方式进行

11、(jnxng)了解; 2、“测试”技术了解,主要对差、共模,正、负极性等情况下的“回流路径” 进行(jnxng)了解; 3、根据不同的试验等级,结合实际电路进行(jnxng)浪涌防护方式(泄放或隔离或结合)、元器件等的选择; 4、根据浪涌进入PCB区域电压高低、电流大小、所通过的路径进合理的间距、线宽、PCB布局、布线设计;第29页/共31页第二十九页,共32页。 谢谢大家(dji)!作者:游青春2012年11月第30页/共31页第三十页,共32页。谢谢您的观看(gunkn)!第31页/共31页第三十一页,共32页。NoImage内容(nirng)总结EMC测试概述。EUT与发生器或卡钳之间的电源线或信号线长度小于1米。1.2/50uS(8/20uS)组合波介绍:。10/700uS(5/320uS) 波形介绍:。1、根据我司现产品(chnpn),电源端口采用1.2/50uS(8/20uS)组合波。2、网口采用10/700uS(5/320uS)组合波进行试验。在压敏电阻能承受的最大脉冲峰值电流Ip及规定波形下压敏电阻两端电压峰值。残压比则是残压与标称电压之比。谢谢您的观看第三十二页,共32页。

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