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1、成都理工大学传感器原理与应用试题4一、填空题：（ 30 分）1、传感器是 _ 传感器通常由直接响应于被测量的_ 产生可用信号输出的 _ 以及相应的 _组成。2、电阻应变片式传感器按制造材料可分为_ 材料和 _体材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化，其中金属材料的电阻变化主要是由_形成的，而半导体材料的电阻变化主要是由_ 造成的。材料传感器的灵敏度较大。3、在变压器式传感器中，原方和副方互感M的大小与成正比，与 _成正比，与磁回路中 _成反比，而单个空气隙磁阻的大小可用公式_ 表示。4、测量过程中存在着测量误差，按性质可被分为_ 、_ 、和 _ 三类，其中 _ 可以通过对多次测量结果求 _ 的
2、方法来减小它对测量结果的影响。5、光电传感器的工作原理是基于物质的光电效应，目前所利用的光电效应大致有三大类：第一类是利用在光线作用下 _ 现象，即效应， _传感器属于这一类；第二类是利用在光线作用下_现象，即效应。传感器属于这一类。第三类是利用在光线作用下现象，即_效应， _ 传感器属于这一类。6、热电偶所产生的热电势是由_电势和 _电势组成。其表达式为Eab（T， T =）_。在热电偶温度补偿中，补偿导线法（即冷端延长线法）是把_导线与热电偶配接。它的作用是_。二、问答题：（30 分）1、什么是传感器动态特性和静态特性， 简述在什么频域条件下只研究静态特就能够满足通常的需要，什么频域条件下
3、一般要研究传感器的动态特性？（ 10 分）而在2、简述霍尔电势产生的原理。（10 分）3、分析应变片式传感器在使用单臂电桥测量电路时由于温度变化而产生测量误差的过程。（10 分）三、分析、计算题：（40 分）1、分析如图 1 所示自感传感器当动铁心左右移动（ x1,x2 发生变化时自感 L 变化情况。 已知空气所隙的长度为x1 和 x2，空气隙的面积为S，磁导率为，线圈匝数W不变）。（10 分）2、分析如图 2 所示变介质平板电容传感器，电容（ C）变化对液位变化（ x ）的灵敏度。已知长方形极板的长为 l ，高为 h，极板间距离为 d，容器内下面介质的高度为 x(x h) ，介电常数为 2，
4、容器内上面介质的介电常数为 1。（ 10 分）3、设 5 次测量某物体的长度，其测量的结果分别为：9.810.010.19.910.2厘米，若忽略粗大误差和系统误差，试求在99.73 的置信概率下，对被测物体的最小估计区间。（10 分）4、在对量程为 10MPa的压力传感器进行标定时，传感器输出电压值与压力值之间的关系如下表所示，简述最小二乘法准则的几何意义，并讨论下列电压- 压力直线中哪一条最符合最小二乘法准则？（10 分）测量次数 I12345压力 xi （MPa）245810电压 yi （V）10.04320.09330.15340.12850.072（ 1）y=5.00x-1.05（
5、2）y=7.00x+0.09（ 3）y=50.00x-10.50（ 4）y=-5.00x-1.05（ 5）y=5.00x+0.07成都理工大学传感器原理与应用试题4（答案）一、填空题：（30 分）1、传感器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件和产生可用信号输出的转换元件以及相应的信号调节转换电路组成。2、电阻应变片式传感器按制造材料可分为_金属_材料和 _半导体 _体材料。 它们在受到外力作用时电阻发生变化，其中金属材料的电阻变化主要是由_电阻应变效应 _形成的，而半导体材料的电阻变化主要是由压阻效应造成的。半导体_材料传感器的
6、灵敏度大。3、在变压器式传感器中，原方和副方互感M的大小与绕组匝数成正比，与穿过线圈的磁通成正比，与磁回路中磁阻成反比。4、测量过程中存在着测量误差，按性质可被分为_绝对误差、相对误差_ 、和引用误差三类，其中绝对误差可以通过对多次测量结果求平均的方法来减小它对测量结果的影响。5、光电传感器的工作原理是基于物质的光电效应，目前所利用的光电效应大致有三大类：第一类是利用在光线作用下材料中电子溢出表面的_现象，即外光电效应， 光电管以及光电倍增管_传感器属于这一类；第二类是利用在光线作用下材料电阻率发生改变的现象，即内光电效应。光敏电阻传感器属于这一类。第三类是利用在光线作用下光势垒现象，即_光生
7、伏特 _效应，光敏二极管及光敏三极管_传感器属于这一类。6、热电偶所产生的热电势是由两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成的，其表达式为Eab（ T,To ）=。在热电偶温度补偿中，补偿导线法（即冷端延长线法）是在连接导线和热电偶之间，接入延长线它的作用是将热电偶的参考端移至离热源较远并且环境温度较稳定的地方，以减小冷端温度变化的影响。二、问答题：（30 分）1、什么是传感器动态特性和静态特性，简述在什么频域条件下只研究静态特就能够满足通常的需要，而在什么频域条件下一般要研究传感器的动态特性？（10 分）答：传感器的特性是指传感器所特有性质的总称。而传感器的输入输出特性是其基本特性，一般把
8、传感器作为二端网络研究时，输入输出特性是二端网络的外部特性，即输入量和输出量的对应关系。由于输入量的状态（静态、动态）不同分静态特性和动态特性。静态特性是指当输入量为常量或变化极慢时传感器输入- 输出特性。动态特性指当输入量随时间变化时传感器的输入 - 输出特性。可以从时域和频域来研究动态特性2、简述霍尔电势产生的原理。（10 分）答：一块半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场 ( 磁场方向垂直于薄片 ) 中，当有电流 I 流过时，电子受到洛仑兹力作用而发生偏转。结果在半导体的后端面上电子有所积累。而前端面缺少电子，因此后端面带负电，前端面带正电，在前后端面形成电场，该电场产生的力阻止电子继续
9、偏转当两力相平衡时，电子积累也平衡，这时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电场，相应的电势称为霍尔电势UH。3、分析应变片式传感器在使用单臂电桥测量电路时由于温度变化而产生测量误差的过程。（10 分）答：在外界温度变化的条件下，由于敏感栅温度系数及栅丝与试件膨胀系数（）之差异性而产生虚假应变输出有时会产生与真实应变同数量级的误差。三、分析、计算题：（40 分）L 变化情况。已知空气隙的长度为1、分析如图1 所示自感传感器当动铁心左右移动（x1,x2x1 和 x2，空气隙的面积为S，磁导率为，线圈匝数发生变化时自感W不变）。（ 10分）解：，又空气隙的长度x1 和 x2 各自变而其和不变，其他变量
10、都不变故L 不变。2、分析如图 2 所示变介质平板电容传感器，电容（ C）变化对液位变化（ x ）的灵敏度。已知长方形极板的长为 l ，高为 h，极板间距离为 d，容器内下面介质的高度为 x(x h) ，介电常数为 2，容器内上面介质的介电常数为 1。（ 10 分）3、设 5 次测量某物体的长度，其测量的结果分别为：厘米，若忽略粗大误差和系统误差，试求在99.73 的置信概率下，对被测物体的最小估计区间。（10 分）分别为4、在对量程为 10MPa的压力传感器进行标定时，传感器输出电压值与压力值之间的关系如下表所示，简述最小二乘法准则的几何意义，并讨论下列电压- 压力曲线中哪条最符合最小二乘法准则？（10 分）测量次数 I12345压力 xi （MPa）245810电压 yi （V）10.04320.09330.15340.12850.072（ 1）y=5.00x-1.05（ 2）y=7.00x+0.09（ 3）y=50.00x-10.50（ 4）y=-5.00x-1.05（ 5）y=5.00x+0.07答：最小二乘法准则的几何意义在于拟和直线精密度高即误差小。将几组 x 分别带入以上五式，与y 值相差最小的就是所求，（5）为所求。
成都理工大学传感器考试题4附答案-刘易老师教学提纲
