试验报告光电效应试验

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1、南昌大学物理实验报告学生姓名：学号：专业班级：材料124班实验时间：10时00分第一周 星期四座位号：28一、实验名称：光电效应二、实验目的：1、通过实验深刻理解爱因斯坦的光电效应理论 ，了解光电效应的基本规律；2、掌握用光电管进行光电效应研究的方法；3、学习对光电管伏安特性曲线的处理方法，并用以测定普朗克常数。三、实验仪器：光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片、光阑、光电管、测试仪四、实验原理：1、光电效应与爱因斯坦方程用合适频率的光照射在某些金属表面上时，会有电子从金属表面逸出，这种现象叫 做光电效应，从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象，爱因斯坦提出 了光量子”的概念，认为对

2、于 频率为 的光波，每个光子的能量为E二h ,其中 h=6.626 10 ”4 J s为普朗克常数。按照爱因斯坦的理论，光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时，光子把全部能量 传递给电子，电子所获得的能量，一部分用来克服金属表面对它的约束，其余的能量则 成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电方程：1 2h m W（ 1）2式中，为入射光的频率，m为电子的质量，：为光电子逸出金属表面的初速度，W为被 光线照射的金属材料的逸出功，1/2mv2为从金属逸出的光电子的最大初动能。由（1）式可见，入射到金属表面的光频率越高，逸出的电子动能必然也越大，所以 即使阴极不加电压也会有光电子落

3、入阳极而形成光电流，甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极，直至阳极电位低于某一数值时，所有光电子都不能到达阳极， 光电流才为零。这个相对于阴极为负值的阳极电位U。被称为光电效应的 截止电压。显然，有 eu0-1/2mv 2=0（2）代入上式即有h；=eU0 W（ 3）由上式可知，若光电子能量h+“W，则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是 0=W/h，通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功，因而也不同。由于光的强弱决定于光量子的数量，所以光电流与入射光的强度成正比。又因为一个电子 只能吸收一个光子的能量，所以光电子获得的能量与光强无关 ，只与光子的频率 成正 比，将（

4、3）式改写为hvW h z、U o -WVo)ee e上式表明，截止电压U。是入射光频率的线性函数，如图2，当入射光的频率. = .o 时，截止电压U。=0，没有光电子逸出。图中的直线的斜率k=h/e是一个正的常数：h =ek（ 5）由此可见，只要用实验方法作出不同频率下的Uo八曲线，并求出此曲线的斜率，就可以通过式（5）求出普朗克常数h。其中e=60 109C是电子的电量。1. 光电效应的伏安特性曲线图3是利用光电管进行光电效应实验的原理图。频率为强度为P的光线照射到光 电管阴极上，即有光电子从阴极逸出。如在阴极K和阳极A之间加正向电压U ak，它使 K、A之间建立起的电场对从光电管阴极逸出

5、的光电子起加速作用，随着电压Uak的增加，到达阳极的光电子将逐渐增多。当正向电压Uak增加到Um时，光电流达到最大，不 再增加，此时即称为饱和状态，对应的光电流即称为饱和光电流。由于光电子从阴极表面逸出时具有一定的初速度，所以当两极间电位差为零时，仍有光电流I存在，若在两极间施加一反向电压，光电流随之减少；当反向电压达到截止电图4入射光频率不同的I U曲线图5入射光强度不同的I U曲线爱因斯坦方程是在同种金属做阴极和阳极 ，且阳极很小的理想状态下导出的。实际 上做阴极的金属逸出功比作阳极的金属逸出功小 ，所以实验中存在着如下问题：暗电流和本底电流。当光电管阴极没有受到光线照射时也会产生电子流

6、，称为暗电 流。它是由电子的热运动和光电管管壳漏电等原因造成的。室内各种漫反射光射入光电管造成的光电流称为本底电流。暗电流和本底电流随着K、A之间电压大小变化而变化。阳极电流。制作光电管阴极时，阳极上也会被溅射有阴极材料，所以光入射到阳极 上或由阴极反射到阳极上，阳极上也有光电子发射，就形成阳极电流。由于它们的存 在，使得实际IU曲线较理论曲线下移，如图6。11图6伏安特性曲线由于暗电流是由阴极的热电子发射及光电管管壳漏电等原因产生，与阴极正向光电流相比，其值很小，且基本上随电位差U呈线性变化，因此可忽略其对遏止电位差的影 响。阳极反向电流虽然在实验中较显著，但它服从一定规律。因此，确定遏止电

7、位差值可米用以下两种方法：交点法光电管阳极用逸出功较大的材料制作 ，制作过程中尽量防止阴极材料蒸发，实验前 对光电管阳极通电，减少其上溅射的阴极材料，实验中避免入射光直接照射到阳极上 ， 这样可使它的反向电流大大减少，其伏安特性曲线与图5十分接近，因此曲线与U轴交点 的电位差值近似等于遏止电位差Uo，此即本实验采用的交点法(或零电流法)。拐点法光电管阳极反向电流虽然较大 ，但在结构设计上，若使反向光电流能较快地饱和， 则伏安特性曲线在反向电流进入饱和段后有着明显的拐点 ，如图6中虚线所示的理论曲线 下移为实线所示的实测曲线，遏止电位差Uo也下移到Uo点。因此测出U 点即测出了理论 值Uo o五

8、、实验内容及步骤：1、调整仪器(1) 连接仪器；接好电源，打开电源开关，充分预热(不少于20分钟)。(2) 在测量电路连接完毕后，没有给测量信号时，旋转调零”旋钮调零。每换一次量 程，必须重新调零。(3) 取下暗盒光窗口遮光罩，换上365.0nm滤光片，取下汞灯出光窗口的遮光罩，装 好遮光筒，调节好暗盒与汞灯距离。2、测量普朗克常数h(1) 将电压选择按键开关置于 -+ 2V档，将电流量程”选择开关置于 ：A 档。将测试仪电流输入电缆断开，调零后重新接上。(2) 将直径为4mm的光阑和365.0nm的滤色片装在光电管电暗箱输入口上。(3) 从高到低调节电压,用零电流法”测量该波长对应的U。,并

9、数据记录。(4) 依次换上405nm、436nm、546nm、577nm的滤色片，重复步骤(1)、 (2)、( 3)。(5) 测量三组数据，然后对h求平均值。3、测量光电管的伏案特性曲线：暗盒光窗口装365nm滤光片和4mm光阑，缓慢调节电压旋钮，令电压输出值缓慢 由0V伏增加到30V，每隔1V记一个电流值。但注意在电流值为零处记下截止电压值。(2) 在暗盒光窗口上换上577nm滤光片，仍用4mm的光阑，重复步骤(1 )。(3) 选择合适的坐标，分别作出两种光阑下的光电管伏安特性曲线UI。4、探究饱和电流与光通量、光强的关系控制电压U=30.0V,波长为365nm,L=400nm 时，记录光阑

10、孔分别为2、4、8时的 电流。控制电压U=30.0V,波长为365nm,光阑孔为2nm时，记录距离L分别为300nm、 350nm、400mm 时的电流。六、数据记录与处理：46X Axis Title108表一UV关系波长Xnm)365405436546577频率 V(1014HZ)8.2147.4086.8795.4905.196截止电压U(V)-1.815-1.498-1.303-0.732-0.603B学习参考计算普朗克常量：当利用不同频率V勺单色光分别作光源时,可以测出不同频率下的遏止电位U a。作出U a与V勺曲线,测曲线的斜率K为K = h /e =. ： UL ： v便可求出普

11、朗克常数h0K= AU/ 心v=0.4016 汉 10-14h=ek =1.1602 乂 10-19 X 0.4016 x 10-14=6.433 乂 10-34 JS表二 I-U AK关系光阑孔 ：4mm波长入：577nmUak(V)-2.0-0.301.02.03.04.05.06.07.08.09.0l(10-10A)0026810121314151618Uak(V)10.011.012.014.016.018.020.022.024.026.028.030.0I(10-10A)192022242527283031323334光阑孔 ：4nm波长入：365nmUak(V)-1.5-0.5

12、0123456789I(10-10A)069172738506273828895Uak(V)101112131415182124262830I(10-10A)102110117124132137153170186195203215X Axis Title-3表三 Im P关系光阑孔（nm）248l(10-10A)67217805表四im L关系Uak=30.0V波长入：365nm光阑孔：2nm距离L(mm)300350400I(10-10A)473022七、实验小结（思考与讨论）：注意事项1、微电流测量仪和汞灯的预热时间必须长于 20分钟，连线时务必先接好地线，后 接信号线。切勿让电压输出端A与地短路，以免损坏电源。微电流测量仪每改变一次 量程，必须重新调零。2、 微电流测量仪与暗盒之间的距离在整个实验过程中应当一致。3、注意保护滤光片，勿用手触摸其表面，防止污染。4、 实验结束时应盖上光电管暗合遮光盖和汞灯遮光盖！学习参考