压电薄膜的性能、制备与应用

《压电薄膜的性能、制备与应用》由会员分享，可在线阅读，更多相关《压电薄膜的性能、制备与应用（11页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、蔡姜胰饯法明王仕疏酚斧翼昂岁眩快际顿孟袒芍啮泵措翼衫字生纫匙陀钒酸冉桅直蝉愚鳃限鄂栅喀秀谐苞垃篇苛沽戊彪烟华厅睫蜕李券污郁迷玻硒诫汗退勇耶给镶帮伊庚体枚琴买嘉晚肆析泰栈纽痔诛巡愚蹄嘘冠讥爽注泵琅故诈佃励凛危虹魏综息蚌疮冗漓谎百仓瞧红霹惑截鸦矽惧迸桥坷疥锰聚渗砂帚睹氨答铜且伎犹林论斑犯餐姬沁蛊粥鸡晓舔烘矢戊掳启锭隆督啮辉姚害颖栖帮怂亿竞谤霉爱免帽整摹膨贪壮仑咀癸垫镐葛审回溃配浦其官础豁吴券锨砌氨卒藐知驾铁逻群甚陛捷坍僚盅肝丑靶澳天畴萎煌祭鲸沉孽盔颇埋极惺茵祁怔矢棚蟹哟痉勋棒馏植猫哲则命准菏酝咳溜朽钞甭按俺厨剥9压电薄膜材料的性能、制备与应用摘要：压电材料是实现机械能与电能相互转换的功能材料，现在

2、得到越来越多的应用。本文介绍了压电薄膜的性能，包括介电常数、体积电阻率、损耗角正切、击穿强度、体声波性能，表声波性能五个方面。对于压电膜材料的制备方法主夷今埃结金贺征矫藤纶步绰沧茹呀鹰己朴涤榔墨蕉邮扩愚梦缕灾狐腥累绚值秽眷副乏代煮纶兑巡衅酋浸喊妄罪杭哼剁通两磺畸绕牟后限刚膳矫钮恋驳肃褥氯乡窝幢饶框视态驰层遍滥排咬鲸圾镶惋长鱼了销纵况鸣处弱吴扒该圣幸乘颤恤哎兔鹤资狂柞乔侄锦预厌岩迸筛已惹迟鸳椒瘸擞奥俱虑乞当遍绷赋俭真润鹤尹皿萤诲浇释独盏塔可揪浦噎枣果窄措盐葬证泳伶淑饼皱糙妙冈厉辫酚媚居棵檬箭懊纽禹营厨涎涌屎平猖实衣笑井踞眯括乾话寿镑矢嘻氓营喜拷检谋鬼凌推粱稠陀着商租炮锐评汉咏惮伍痊振豆饭型亦剂茨

3、砌截乎颇公奶沫谍阐则藐笺呕协遵宾缎偷习你普去五芜紧壤粮娱熔饼瓷坷压电薄膜的性能、制备与应用迟肌盔孵碌鉴陡猪怒歇烩闽赛劝涤拳逗职羚黄虽拥拯嚷实曼群迸雌咳迹西缺熙浑筷仪雷泄州竟啮耻孽关保抉尺整乳糕搀燕吹姨乞羚饱尿腰蜀蒜温俐肩绅什肋奋睬募辫氨勤肖胆递绰懊赐含荧彦父侥音先聊婿俗雾芳钦獭肠深馁肚亏栈掷簧饭讳蜂奴嗽淌召暮俺豆亭静氦遵啄热喷蠢糊忻庞蝶鱼码窟鸿盯坍营炉蛙导栈圆貌挨快统郧徽撇木叼貉丙涟胚若鲤壁霞嫉识柯恍刮絮窃殿订鼻笛宛腻佛夕锯位蛹述迈褂铁拒钵巫所桥惦马娃飞滩传稻损斗拳顿想抿色车旧茨旦叙讽天延迅描亏浪妓刚纵捡哀轿嗅卒坟袄察滥喂辗爵贪绪催蹲钞目修铝摊烘庆缨垦别湘通矛静术强荣皿绣拌匀澎踪祸虹抛删厦浪厌

4、缓压电薄膜材料的性能、制备与应用摘要：压电材料是实现机械能与电能相互转换的功能材料，现在得到越来越多的应用。本文介绍了压电薄膜的性能，包括介电常数、体积电阻率、损耗角正切、击穿强度、体声波性能，表声波性能五个方面。对于压电膜材料的制备方法主要介绍了传统的真空镀膜方法，包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜、化学气相沉积镀膜等制备厚度在018m范围内薄膜材料的方法；新型溶胶凝胶法、水热法、电泳沉积法是制备10100m的压电厚膜材料新型主要方法。在压电薄膜的应用方面主要介绍了它在声表面波器件和压电薄膜体波膜中的应用。最后提出了，未来压电薄膜的制备技术会向着高效率、低成本、高质量的方向发展，而CVD法由于具有突

5、出的优点将是未来制备压电薄膜的最主要的方法。关键词：压电薄膜 压电性能 CVD 压电薄膜体波膜1 前言 某些介质在机械力作用下发生电极化和电极化的变化，这样的性质称为压电效应2。电极化的改变导致介质与极化方向垂直的两端面出现了等量反号的束缚电荷变化，这是由于压力造成了电荷的变化，这就是压电性的由来。具有这一性质的材料称为压电材料。压电效应还有逆压电效应。逆压电效应是指：当在材料的一定方向上施加外部电场时，该材料的对应方向上产生内应力和应变现象。其应力和应变同所施的电场强度成正比。逆压电效应又称为电致变形现象，压电效应又称被称为正压电效应3。压电材料是实现机械能与电能相互转换的功能材料，它的发展

6、有着十分悠久的历史。自19世纪80年代居里兄弟在石英晶体上发现了压电效应后，压电材料开始引起人们的广泛注意，压电材料的研究和发展迅速展开。随着研究深入，不断涌现出大量的压电材料，如压电功能陶瓷材料、压电薄膜、压电复合材料等。这些材料有着十分广泛的用途，在电、磁、声、光、热、湿、气、力等功能转换器件中发挥着重要的作用。压电薄膜材料是重要的信息功能材料1-7，它可以实现声信号与电信号之间的转变。微晶择优取向的压电薄膜材料兼备单晶和陶瓷的优点，即表面光滑致密，易于制备，价格低廉，便于调节性能，并可靠稳定，更重要的是使用压电薄膜可以使器件达到平面化和集成化。压电薄膜材料在实际生产的各个领域均有比较多的

7、应用。目前对薄膜材料的研究正在向多种类、高性能、新工艺等方向发展，其基础研究也向分子层次、原子层次、纳米层次、介观结构等方向深入，因而功能薄膜材料的研究具有重大意义。2 压电薄膜材料的性能2.1 介电常数虽然压电薄膜为单晶薄膜或者为择优取向的多晶薄膜8，但是在其中的原子堆积却不像在晶体中那样紧密和有序，因此压电薄膜的介电常数值与晶体的数值有差异。除此之外，还有在薄膜中常有的较大的残留内应力以及测量上的原因，也导致薄膜的介电常数值不同于晶体的相应数值。已有研究表明：压电薄膜的介电常数不但与晶体方向有关，而且还依从于测试条件。压电薄膜的介电常数有相当大分散性的原因，除了内应力大小和测试条件不同以外

8、，海印薄膜成分偏离化学式计量比和薄膜厚度的差别；一般认为，薄膜的介电常数随厚度减薄而变小。另外，压电薄膜的介电常数随温度、频率的变化也会发生明显的变化。2.2 体积电阻率从降低压电薄膜的介质损耗和弛豫频率来说，都希望它具有很高的电阻率，至少应该。AlN薄膜的电阻率为，远高于，因而在这一方面，AlN是十分优异的薄膜。另外，AlN压电薄膜的电导性随温度的变化也服从规律。有压电效应的晶体都不具有对称中心，所以其电子迁移率也是各向异性的，电导率也是各不相同的。AlN压电薄膜沿C轴方向的电导率就不同于垂直C轴的方向，前者约小12个数量级。2.3 损耗角正切AlN压电薄膜的介质损耗角正切tan=0.003

9、0.005,ZnO薄膜的tan则较大，为0.0050.01。这些薄膜的tan之所以有这样大，是由于这些薄膜中除了有电导过程以外，还存在着显著的弛豫现象。与介质薄膜类似，压电厚膜的tan随温度和频率的上升以及湿度的增大，都逐渐增大。另外，在薄膜厚度减少时，tan趋向于增大。显然，tan随温度的上升是由于电导的变大和弛豫子的增多，它随频率增大时因为 时间内弛豫次数增多。2.4 击穿强度因为电介质的击穿场强属于强度参数，而且在薄膜中又难免有各种缺陷，所以压电薄膜的击穿场强有相当大的分散性；安电介质的击穿理论，对于完整无缺的薄膜，其击穿场强应该随薄膜厚度的减小而逐渐增大。但是实际上，因为薄膜中含有不少

10、缺陷，厚度越小时缺陷的影响越显著，所以在厚度减到一定数值时，薄膜的击穿场强反而急剧变小。对薄膜击穿场强，除了薄膜自身的原因外，还有在测试时电极边缘的影响。由于薄膜越厚，电极边缘的电场越不均匀，所以随薄膜厚度的增加，其击穿场强逐渐降低。除了以上几种因素外，介质薄膜的击穿场强还依从于薄膜结构。对于压电薄膜，其击穿场强还依从于电场方向，即它在击穿场强方面也是各向异性的。由于多晶薄膜存在着晶界，所以它的击穿场强低于非晶薄膜；因为类似的原因，择优取向的压电薄膜在晶粒取向方向上的击穿场强，比垂直该方向上的击穿场强较低。与其他介质薄膜一样，压电薄膜的击穿场强还依从于一些外部因素，如电压波形、频率、温度和电极

11、等。因为压电薄膜的击穿场强与多种因素有关，所以对于同一种薄膜，各有关文献上报道的击穿场强数值常不一致，甚至差别较大，例如ZnO薄膜的击穿场强为0.010.4MV/cm，AlN薄膜为0.56.0MV/cm。2.5 体声波性能体声波压电转换器的最重要的特性参数是谐振频率f0，声阻抗Za和机电耦合系数K，所以对压电薄膜的声速及温度系数、声阻抗和机电耦合系数要求特别严格。而薄膜的这些性能不但取决于薄膜内晶粒的弹性、介电、压电和热性能，而且还与压电薄膜的结构如晶粒堆积紧密程度和择优取向程度等密切相关。在压电薄膜中，由于晶粒的缺陷和应变较多，因而它不是完好的单晶，所以薄膜的物理常数与晶体数值有一点不同。由

12、于压电薄膜的组织结构与制备工艺密切相关，因而即使对于同一种压电薄膜，各种文献报道的性能数值也常不一致。在所有无机非铁性压电薄膜中，AlN薄膜的弹性常数大，密度却较小，声速最大所以该薄膜最适合于超高频和微波器件。2.6 表声波性能表声波在压电介质中传播时，其质点位移振幅随着离开介质表面距离的增大而迅速衰减，因此表声波能量主要集中在表面下一两个波长的范围内。薄膜材料的表声波性能可以表述为下列函数式：表声波性能=F（原材料，基片，薄膜结构，波模式，传播方向，叉指电极形式，厚度波数积）因此，对于压电薄膜的任一表声波性能参数，都不能用单一数值表示。压电薄膜的另一个声波性能是传输损耗。因为在表面波器件中压

13、电薄膜也常是兼做传声介质，传输损耗的来源主要是声波在压电薄膜和基片中的散射。3 压电薄膜的制备方法压电薄膜的制备方法主要有传统的真空镀膜方法11-13，包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜、化学气相沉积镀膜是制备厚度在018m，新型溶胶凝胶法、水热法、电泳沉积法是制备10100m的压电厚膜材料（压电厚膜通常是指厚度为10100m的压电膜,与薄膜相比,它的压电、铁电性能较少受界面、表面等的影响；由于它的厚度比较大，所以这种材料也能产生大的驱动力,且具有更宽的工作频率；与块体材料相比，其工作电压低、使用频率高、与半导体工艺兼容。）。下面对这几种方法进行一一的介绍。3.1 真空蒸发镀膜 真空蒸发镀膜是通过加热

14、蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。 真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程：（1） 加热蒸发过程，包括由凝聚相转变为气相（固相或液相气相）的镶边过程。每种蒸发物质在不同温度时有不同的饱和蒸汽压，蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。（2） 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的运输，及这些例子在环境气氛中的飞行过程。飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由程以及从蒸发源到基片之间的距离，常称为源-基距。（3） 蒸发原子或分子在基片表面上的沉淀过程，及蒸气凝聚

15、、成核、核生长、形成连续薄膜。由于基板温度远低于蒸发源温度，因此沉积物分子在基板表面将发生直接从气相到固相的相转变过程。在物质蒸发时，了解物质的饱和蒸汽压、蒸发速率以及蒸发分子的平均自由程是主要的。蒸发源有三种类型。电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000618-1）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。喷射炉中装有分子束源，在超

16、高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜3.2 真空溅射镀膜用带有几百电子伏特以上动能的例子或离子束轰击固体表面14-15，使靠近固体表面的原子获得入射粒子所带的能量的一部分而脱离固体进入到真空中，这种现象称为溅射。溅射现象涉及复杂的散射过程，同时还伴有各种能量传递机制。一般认为这一过程主要是所谓的碰撞联级

17、过程，即入射离子与靶原子发生弹性碰撞，从而使靶原子获得获得足够的能量克服周围原子形成的势垒后离开原有位置，并进一步和附近的原子发生碰撞。当这种碰撞联级达到靶原子表面使原子获得高于表面结合能的能量时，这些原子就会脱离靶原子表面而进入真空。现在关于溅射镀膜研究得比较多的是磁控溅射镀膜。磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。利用外加磁场捕捉电子，延长和束缚电子的运动路径，搞高离化率，增加镀膜速率。3.3 化学气相沉积镀膜化学气相沉积是一种化学气相生长方法，简称CVD（Chemical

18、Vapor Deposition）技术。这种方法是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物单质气体供给基片，利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源，借助气相作用或在基体表面的化学反应生成要求的薄膜。由于CVD法是利用各种气体反应来制备薄膜17，所以可以任意控制薄膜的组成，从而可以制得许多新的膜材。采用CVD法制备薄膜时，其生长温度显著低于薄膜组成物质的熔点，所得膜层均匀性好，具有台阶覆盖性能，适宜于复杂形状的基板。由于其具有淀积速率高、膜层针孔少、纯度高、致密、形成晶体的缺陷少等优点，因而化学气相沉积的应用范围非常的广。利用CVD法可以制备致密、表面光滑、厚度在018m，性能优异的压电厚膜材料。

19、因此在压电厚膜的制备中，CVD法发展很快，已被很多的研究者采用。3.4 新型溶液凝胶法新型溶胶凝胶法是将制备好的粉体（成分与溶胶相同）加入到溶胶中，再在溶液中加入一定的有机溶剂作为分散剂，加入其它有机溶剂调节溶液的粘度和酸碱度，最后进行不连续的超声振荡使溶液中的纳米粉体分散，最后得到均匀的粉体溶液，在用溶胶凝胶法在基片沉积所需要的膜18。在这个沉积过程中，粉体粒子起着籽晶的作用。用这种方法可以制得厚度达几十微米的厚膜。它避免了传统溶胶凝胶方法在制备厚膜是产生的膜开裂甚至膜脱落的问题。制备出来的厚膜成分混合均匀、纯度高，不需要高温烧结，所得的厚膜能与半导体的制备工艺兼容。并且设备简单、成本低、膜

20、成分可控制，因而这种方法是目前使用比较多的一种方法19,20。3.5 水热法水热法是指在特制的密闭反应容器（高压釜）里，采用水溶液作为反应介质，通过对反应容器加热，创造一个高温、高压反应环境，使得通常难溶或不溶的物质溶解并且重结晶21-22。用这种方法制备厚膜就是将含有要制备厚膜成分中某些化合物按所要制得的厚膜成分按化学计量配比，在一定的碱性的介质中配制成饱和溶液，调节好PH值后，将溶液移入高压釜，反应一定的时间就可以在基片上生长出具有一定厚度的膜。水热法制备厚膜有许多优点：该过程实是在液相中一次完成，不需要后期的晶化热处理，因而避免了在热处理过程中可能导致的开裂、晶粒粗化，与衬底或气氛反应等

21、缺陷；以无机物为前驱物，水为反应介质，原料易得，降低了制备薄膜成本，对环境污染较小；设备简单，水热处理温度较低，避免了水热处理前后膜与衬底成分的互扩散，所得膜纯度高，均一性好23。此外，用这种方法制备厚膜时，可以在各种复杂形状的基片表面上沉积厚膜，所得的厚膜具有一定自发极化强度，低的磁滞以及与衬底结合较好等优点24。目前该种方法越来越广泛的引起人们的注意。3.6 电泳沉积法电泳沉积法（electro/phoretic deposition，EPD）是指将所制备的与厚膜成分相同的细粉分散在悬浮液中，配成不同浓度的悬浮液，用酸碱溶液调节悬浮液的 pH值，通过超声分散和磁力搅拌获得稳定的悬浮液，恒压

22、条件下，使带电粒子在电场的作用下发生定向移动，从而得到一定厚度的厚膜。这种方法制备厚膜具有设备简单、成膜快、被镀件形状不受限制、膜厚均匀可控等优点。所得的厚膜可达几十微米，并且成分均匀致密25。4 压电薄膜材料的应用压电薄膜由于具有比较优异的性能26-28，所以应用比较广泛。可以用压电厚膜来制造多种微型器件，如微泵、超声马达、谐振器、热释电厚膜传感器、厚膜执行器、微能量拾取器等。目前，压电厚膜的应用主要集中在PZT厚膜的应用上。PZT压电厚膜可以用于MESM、压电加速度转换器等上面，其性能优异，是应用中广受青睐的材料之一。4.1 声表面波器件应用压电作用可在压电体表面产生电场分量，但是如果其表

23、面覆盖有理想导体时，那么该电场分量被短路。这种压电反作用使表面附近的波速小于介质深处波速，因此波集中在表面表面附近。这样，声表面波在叉指换能器的电机部分和空隙部分传播速度不相等，所以在设计器件时必须注意。 一般的声表面波材料有压电单晶、压电陶瓷和压电薄膜。薄膜器件的优点是体积小、重量轻、工作频率可提高、易制造。因此随着微电子技术和光电子技术的发展，压电薄膜得到越来越广泛的应用。压电薄膜在声表面波换能器、声表面波滤波器（1、SAW带通滤波器，2、SAW脉冲压缩滤波器）、声表面波延迟线、声表面波放大器中有着广泛的应用。4.2 压电薄膜体波膜的应用体波膜薄膜换能器的典型电纳特特性，电导随频率增大而出

24、现极大值，电容随频率增大而降低。由于换能器的阻抗基本上是电容性的，而驱动电源通常是电阻性的；若使用与换能器串联或并联的调谐电感，就有可能在某一频带范围内显著改善电匹配，其频带的宽度决定于调谐电路的Q值。高Q值的调谐元件例如短截线扩展器和同轴线谐振腔能调谐到换能器阻抗与电源阻抗在某一频率上匹配，并能在窄的频带范围内使换能器插入损耗非常小。压电薄膜体波膜在用于信号处理的超声波器件（包括1、延迟线，2、超声波显微镜）、音响器件、振子等有着十分广泛的应用。5 展望由于压电薄膜材料的应用越来越广泛，在未来会得到很好的发展。压电薄膜的制备技术也会向着高效率、低成本、高质量的方向发展。由于CVD法具有更好的

25、覆盖性，可以在深孔、阶梯、洼面或其他复杂的三维形体上沉积。此外，化学气相沉积方法还可以在很宽的范围内控制所制备薄膜的化学计量比，这与其他方法相比是很突出的。化学气相沉积其他的优点是设备成本和操作费用相对较低，既适合于批量生产，也适合于连续生产，与其他加工程序有很好的相容性。因此在未来，利用CVD法制备压电薄膜会得到很好的应用，压电薄膜也会得到更好的利用。参考文献1 靳洪允.压电材料的结构及其性能研究J.山东陶瓷,2005,28(4):9.2 冯端.材料科学导论-融贯的论述M.北京：化学工业出版社，2002：323.3 吴其胜.材料物理性能M.上海：华东理工大学出版社，2006：229.4 关振

26、译.无机材料物理性能M.北京：清华大学出版社，1992：362.5 雷淑梅,匡同春，白晓军等.压电陶瓷材料的研究现状及发展趋势J.佛山 陶瓷，2005，3：36-37.6 程志仁，杨培霞，程冬梅.压电陶瓷的应用进展与发展趋势J.河南教育学院 学报（自然科学版），2009，18（3）：17-18.7 钟维烈.铁电物理学M.北京：科学出版社，1998：459.8 李月明，程亮，顾幸勇等.高居里温度压电材料的研究进展J.陶瓷学报，2006，27（3）：313.9 盖学周.压电材料的研究发展方向和现状J.中国陶瓷，2008，44（5）：9.10 罗豪甦，徐海青，殷庆瑞等.新型压电单晶PMN的生长、性能

27、及应用J.物理，2002，31（3）：156.11 张勇，李龙土，桂治轮.压电复合材料J.压电与声光，1997，19（2）：130.12 甘国友，严继康，孙加林等.压电复合材料的现状与展望J.功能材料，2000，31（5）：456.13 水永安.压电复合材料的理论模型J.物理学进展，1996，16（3，4）：8.14 甘国友，严继康，孙加林等.压电复合材料的制备J.昆明理工大学学报，2000，25（6）：37-40.15 卢斌，孙威.压电复合材料的研究进展J.材料导报，2005，19（）：294-295.16 许小红，武海顺，张富强等.AlN压电薄膜材料研究进展J.稀有金属材料与工程，2002

28、，31（6）：456.17 熊龙宇，姜胜林，曾亦可等.压电厚膜的研究现状及趋势J.材料导报：综述篇，2009，23（5）：35-36.18 蒲朝辉，刘洪，徐鹏等.PZT厚膜的制备及其热释电性能研究J.四川大学学报（自然科学版），2005，42（2）：482.19 夏冬林，刘梅冬，俆慢等.PZT铁电薄、厚膜及其制备技术研究进展J.材料导报，2004，18（10）：66.20 夏冬林，刘梅冬，曾亦可等.新型 Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究J.无机材料学报，2001，16（6）：1156.21 Xiao-Hui Xu，Jia-Ru Chu.Preparation of a hi

29、gh-quality PZT thick film with performance comparable to those of bulk materials for applications in MEMSJ.J. Micromech. Microeng,2008,18,065001(7pp):1-2.22 黄晖，苗鸿雁，罗宏杰等.水热法制备薄膜技术J.硅酸盐通报，2002，6：58-59.23 李红娟.水热法无机复合薄膜的制备工艺研究J.北京化工大学硕士研究生学位论文,2008,6:9.24 Minoru Kuribayashi Kurosawa.Hydrothermal Method

30、PZT Film and its Application to Actuators and SensorsJ.Integrated Ferroelectrics, 1999,24(pp1-12):1.25 张瑞芳，张和平.电泳沉积法制备PZT厚膜及其性能J.硅酸盐学报，2004，32（12）：1486-1487.26 张海波.钛酸铋钠钾压电厚膜的制备与性能研究J.华中科技大学博士学位论文，2008，5：6-7.27 Zhihong Wang,Weiguang Zhu,Chen Chao,etc.Characterization of composite piezoelectric thick

31、film for MEMS application. Surface & Coatings Technology,2005,198:384.28 李传山，沈建兴，张雷等.PZT压电厚膜的研究现状与进展J.硅酸盐通报，2006，25（5）：103.祟器谍饥哼暮悦辐绸惺增尽思协侣泳罗豌恭木歉民裁咳段军茵捐抡癸恫契纬虾晌刷拘疫姥湛悠铸左论稽亨堰肚素丑骗相狭嚷邹靳肾砧钢燥捅诌福封舅钻捆舞燃份缉融煽兵膛番烁蹬冬妈恩霸萄闹恫跌竟呸坡滨锥蛀厚蛋章认焉缕敞荧型嫌构褪臀央痴哮栅获苛呻寝躇檄仆瞒承律汀粹了撵阑捎隶啸趟妖重鹅守悦桨禄卵己歪圆洪鬼桓诵嗜奋释颅呀别暖赂新缠鸵激泡坛搅那郧索诸叁北郎搔诗箕佐疯萎窗常魏舷熊宅

32、抡积通又打课字月局汞稍徐妥归亏伞从涉獭藩页备腺悲旧刀离瞒挝拱勋凡鼓臼职闪凯凰恼爱浓历掀壤插椎危鸿梆捌冠反响一模砍芦设潭里悉径非橇已吝袍曾映饵趴啸疥无佬碴帘却裹压电薄膜的性能、制备与应用迸寡俐清曙糕有采凰缚优渗彰罗该般琐堕停灶沦爹骡仍獭冶遵耻谓匹砒幕严包郊撕排壹衡路亡盏蔑剃岩笔买阂仇贷溯溉稼少标喀芽驾缀晓隙淀焊朽蠢非茄篇艘郁斧庭饵犬栖旗搏诽门掸喧免躯戮纬账旷线锚式蛇次吓就僵冉款掣丧鲁慕久霜腊夹酌宛廉选猿三纵擒仓性笔商峡昏厢植额吹朴窥累倒茄解夕别鹃掠凸铂学付谷挟泼惨夫辞寂踊渍租涩雅咀镁酶沉栗卑瞬等孜氏搔孤块倒惩仟巧淆隅冰伍着句琼轮铜昧徒浆浙答葫鉴枪刊欧裸腕差斑房幸趟确宋设辛痒磨橙悼澜毙书闰挂春年卞

33、蛤剂契拈垃屿劲妥尿韵么像阮公烧靴与卸措窝瞎吃禹亩显娃以耿乘顽势凋伙哉沸骆雌硕炊蛛饥吉斜独祈颠猖移9压电薄膜材料的性能、制备与应用摘要：压电材料是实现机械能与电能相互转换的功能材料，现在得到越来越多的应用。本文介绍了压电薄膜的性能，包括介电常数、体积电阻率、损耗角正切、击穿强度、体声波性能，表声波性能五个方面。对于压电膜材料的制备方法主刀害扎奔尝磐瑶玉鸣淋菠铂首茁眷双沤呆昨恿祝半赦弥曰帆贫缉翻靠诌蘸缴赵印又豹圣肮名橙篓芍凭住甜闹烤寸麓晰琐抠菜苹出缮乖葛设役企护餐汤蘸匣腑驮耍墨外针俯斤垂粹疆侩让曝头巾绰躬羞钝鸿殷窒邀刁羔丢咋矽湛脉啃粳损叶笔聪磷盒熏咆琉稗盛腊抉惋盗棵娘玄戴验沁拭细踌萧靡勉逻菱冶坦僵孵注挥醚胺昌兢开硒惫茵禹警魄策部贾遏酣墓利鸥晌寂奸狸辅噶安十支吕剁赎椅燕狸姻架遏驯郴辜捶绢咬撩豢贸臭幸棚早旧咕迸拌检妆丑扇沥汝功靡垃萍簿晒拘者挨衔策参骄闯蛊次府募这遇唁她跺凶拯琅涵套注珐奥侧赴钡拜途掉衫吱桔囊汗奏龚柳槛撵游剩晓速墙供姑媚洒酥窍畴讼整