计算机故障检测与维护内存故障的判断与维修

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1、内存故障的判断与维修其他资源认识内存编号含义HYNIX DDR SDRA四粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成， 他们分别代表内存的一个重要参数， 了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：1. HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2. 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM3. 处理工艺及供电：（V: VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U: VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;

2、W: VDD=2.5V &VDDQ=1.8V; S: VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4. 芯片容量密度和刷新速度：（64: 64M 4K刷新；66: 64M 2K刷新；28: 128M 4K刷新；56: 256M8K刷新；57: 256M 4K 刷新；12: 512M 8K 刷新；1G: 1G 8K刷新）5. 内存条芯片结构：（4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32 = 32颗芯片）6. 内存 bank （储蓄位）：（1 = 2 bank; 2=4 bank; 3 = 8 bank）7. 接口类型：（1=SSTL_3 2=SSTL_2 3=SSTL_188. 内核代号：

3、（空白=第1代；人=第2代；B崛3代；C堂4代）9. 能源消耗：（空白=普通；Lh氐功耗型）10. 封装类型：（T=TSOP Q=LOFP F=FBGA; FC= FBGA （ UTC:8x13mm）11. 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix; K=M&T; J=其它；M=MCP （ Hynix）; MU = MCP （UTC）12. 封装原料：（空白=普通；P制；H=卤素；R啾+卤素）13. 速度：（D43=DDR400 3-3-3; D4=DDR400 3-4-4; J= DDR333; M = DDR333 2-2-2; K=DDR266A; H= DDR266B; L= DDR20

4、0）14. 工作温度：（=工业常温（-40 - 85度）；E=T展温度（-25 - 85度）由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代 DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说，它只支持 DDR 200的工作频率)，那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也 只是一款低档产品。常见SDRAM编号识别维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称(代

5、号)、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： HY HYUNDAI现代 MT Micron 美光 GM LG-Semicon HYB SIEMENS 西门子 HM Hitachi 日立 MB Fujitsu富士通 TC Toshiba 东芝 KM Samsung -一三星 KS KINGMAX 胜创(2)内存芯片速度编号解释如下： -7标记的SDRAM符合 PC143规范,速度为7ns. -75标记的SDRAM符合PC133规范，速度为7.5ns. -8标记的SD

6、RAM符合PC125规范,速度为8ns. -7k/-7J/10P/10S 标记的 SDRAM 符合 PC100规范 速度为 10ns. - 10K标记的SDRAM符合PC66规范，速度为15ns.编号形式HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片类别,7-SDRAM; D DDR SDRAM.b 表示电压，V 3.3V; U-2.5V;空白一5V.CCC表示容量，16 16M; 65 64M; 129 129M; 256 256M.dd表示带宽。f 表示界面，0LVTTL 1 SSTL(3); 2SSTL_2.g表示版本号，B第三代。h表示电源功耗，L低功耗

7、；空白一普通型。ii表示封装形式，TC-400mil TSO- H.jj 表示速度，7143MHZ; 75133MHZ;8 125MHZ;10P100MHz(CL=2);10S 100MHz(CL=3)10 100MHZ(非 PC100)。例：1 ) HY57V651620B TC-75按照解释该内存条应为：SDRAM, 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解释该内存条应为：SDRAM, 3.3V, 64M, 143MHZ全球主要内存芯片生产厂家 （掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾）：序号品牌国家/地区标识备注1三星韩

8、国SAMSUNG2现代韩国HY3乐金韩国LGS已与HY合并4迈克龙美国MT5德州仪器美国Ti已与Micron合并6日电日本NEC7日立日本HITACHI8冲电气日本OKI9东芝日本TOSHIBA10富士通日本F11西门子德国SIEMENS12联华台湾UMC13南亚台湾NANYA表任务评价任务 名称学时2任务 描述任务 分析实施力杀1.教师认可：2.3.4.问题 记录1.处理 方法1.2.2.3.3.成果 评价评价项目评价标准学生自评（20%）小组互评（30%）教师评价 （50%）1.1.(x%)2.2.(x%)3.3.(x%)4.4.(x%)5.5.(x%)6.6.(x%)教师 评语评语：成绩

9、等级：教师签字：小组 信息班 级第 组同组同学组长签字日 期14茂矽台湾MOSEI内存的几个常见疑问1 .内存的单面与双面，单 Bank与双Bank的区另单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在 两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。 Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每 个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持 4个Bank,而SiS的645系列芯片组则能支持 6个Bank。如果 主板只支持4个Bank,而我们却用6个Bank的话

10、，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一 定是双Bank,也有可能是单 Bank,这一点要注意。2 .内存的2-2-3通常是什么意思？这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是 tRP （Time of RowPrecharge ）, tRCD（Time of RASto CASDelay ）和 CL（ CASLatency ）。 tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RA*U CAS的延迟，数值越小越好；CL（ CASLatency ） 为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不

11、同规范的内存的 重要标志之一。3 .内存的双通道技术和单通道有什么不同？ 什么是双通道 DDR技术呢？需要说明的是，它并非我们以前所介绍的DDRII,而是一种可以让 2条DDR内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P4处理器的好处可谓不言而喻。大家都知道400MHzFSB的P4处理器和主板传输数据的带宽为 3.2GB/S,而533MHzFSB的P4处理器的吞吐能力更是达到了4.3GB/S ,但是目前除了 I850E支持的Rambus PC1066规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用 的DDR33肆身仅具有 2

12、.7GB/S的带宽。4 .DDR- II和现在的 DDFrt存有什么不同？DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的 DDR-333产品直接过渡到 DDR-II。DDR-II内存将采用0.13微米制程，容量 为18MB/36MB/72MB最大288MB字节架构为 X8、X18、X36,读取反应时间为 2.5个时钟周期。通 过将DLL（delay-locked loop ,延时锁定回路）设计到内存中（这与 Rambus设计理念相似），输出的 数据效率提升65%左右，DD啖据传送方式为每周期32个字节，并且可以随工作频率

13、的提升达到更高性能。已知道的规格有：系统内存方面包括400MHz（4.8GB/S带宽）、533MHz（5.6GB/S带宽）、667MHz（6.4GB/S带宽）三种，显卡（默认规格）方面包括800MHz 1000MHz两种。所有的 DDR-II内存 均在1.8V下工作，单条容量至少有512MB DDR-II管脚数量有 200pin、220pin、240pinFBGA封装形式之分，与现在的DD附存不相容。内存合理搭配的详细介绍及方法现在正是内存频繁换代的时候，DDR DDR2 DDR3在市场同时存在，价格差异也较大。那么在同等价格预算下，到底是使用大容量的老内存，还是使用容量相对小一些的性能指标更

14、高的新内存好呢？当然，内存容量越大越好，在系统允许识别的情况下。很多人的意见都不一样，有人说宁可要2GB的SDRAM1不要512MB的DDR也有人说只有 RDRAMh能配合 Pentium4 。这对那些办公之类 的电脑来说都不算问题，那么对游戏娱乐类的电脑该如何取舍呢？我们都知道，在 PC应用领域，图形处理、游戏和文字处理是最主要的任务。显然，游戏和图形处理是对内存要求较高的任务，但即使在这两方面，也不能一概而论地说就要高性能的内存。因为游戏中也分即时战略和动作射击（很多3D化白R RPG现在也可归入此类了）两大类，不同的游戏对系统的要求是不一样的，当然装机配内存的时候就不能一刀切了。3D动作

15、类游戏3D动作类最典型的代表是 CS与极品飞车等游戏，这些游戏除了对显卡要求高外，对内存的带宽和瞬间的数据吞吐能力要求也是很高的。因为多数人用的显卡都是64MB显存或以下的，AGP显卡借用系统内存是不可避免的；即使是具有128MB显存的显卡，也不可能完全包办大型 3D游戏产生的数据需求。越复杂 越绚丽的场景，对内存的要求就越高。例如CS里的烟雾弹投掷后、水里行进的光线折射，飞车里的车面质感、尾气烟尘的效果等等，都需要在瞬间传送大量的数据，渲染多个三角形，所以对速度是很敏感的。如果内存提供的带宽不够高，在一些如多人混战、多辆车子抢道、 撞车等场景，就可能出现暂时的停滞感，玩起来当然很不爽了。不过

16、，这类游戏总体上的数据量却不算很多一一因为激烈对抗的场景不是时时都有，有时游戏中的单位死亡了，停止活动了，数据传输量也会减少一一这种游戏，应该搭配性能指标高的内存。256MB的DDR266/333往往会比512MB的SDRA瞰果好。即时战略类游戏魔兽3是最近最火爆的游戏之一，这是一个3D化的即时战略游戏。尽管采用了3D的界面，这个游戏需要渲染的三角形却不算多，一块32MB的显卡基本上 就可胜任了（当然如果把游戏调为高分辨率、高色深的话还是需要64MB的显存才能跑得顺）。这个游戏对内存的胃口在于容量而不是带宽指标，因为这个游戏的单位是死亡后马上又产生新的单位补充，除非玩家游戏资金耗尽被消灭，否则

17、单位只会越来越多。到后期大家基本上都是满员的90人口，每个单位都要占用一定量的内存，4家以上对战的话，系统的负荷是相当大的，容量少于256MB的时候，可以明显感觉到游戏的停滞。尤其是多个单位施放魔法的时候，光影效果更复杂，低容量内存配置的系统，基本就没法玩了。例如有人装的是高端 Pentium 4+128MB RDRAM机型，玩魔兽 3将是很痛苦的。一般来说，这种游戏至少要256MB内存才会流畅， 512MB的SDRAM在这里会比 256MB的DDR RDRAMI出优势来。总的来说，内存大的时候，读取和存档速度会快点；游戏的峰值数据传输，就要靠内存的最高带宽了。因此容量与性能的均衡，还要看你的具体要求和内存的合理搭配了