晶体结构4硅酸盐晶体结构

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1、会计学1晶体结构晶体结构4硅酸盐晶体结构硅酸盐晶体结构 硅 26.0wt% 地壳中：铝 7.45 wt% 氧 49.130wt % 优势矿物：硅酸盐 铝硅酸盐基本结构单元构造 基本结构单元之间连接 结构和性质上特征等（a）（100）面上的投影图（b）（001）面上的投影图（c）立体侧视图（a）（100）面上的投影图（b）（001）面上的投影图镁橄榄石晶体结构（4）双四面体Si2O76-三节环Si3O96-四节环Si4O128-六节环Si6O1812-绿宝石晶胞在（0001）面上的投影（上半个晶胞） 粗黑线六节环在上，标高100，细黑线六节环在下，标高50 上下两层环错开30o，投影方向不重叠

2、环与环之间通过Be2+和Al3+连接 （a）单链结构；（b）双链结构；（c）（d）（e）为从箭头方向观察所得的投影图（2） 单链结构类型（a）（010）面上的投影（b）（001）面上的投影 （1）结构特征 2节单链，结构单元Si2O6，Z4。 (a)图为（010）面，即ac面投影。硅氧链沿c轴发展。链与链之间通过Mg2+和Ca2+连接起来，链与链不直接结合。 Mg2+和Ca2+在b轴方向重叠，现稍稍错开便于观察其位置。 链中的四面体在b方向是一高一低排列呈锯齿状，即在(a)图中，SiO4中的一个活性氧朝上朝下的重复排列。 从(a)图和(b)图中可以看出：在沿a和b的方向上相邻的链上SiO4活性

3、氧的所指向方向相反，且交替出现。 （2）Mg2和Ca2的配位 8处Mg2+与2个25、2个-10、2个10的O2-配位，配位数为6。 31处Ca2+与2个52，2个75，2个10，2个48的O2-配位，配位数为8。 （3）电价检验 出现电价过饱和情况，如：52处非活性O2-与2个SiO4连接，又和1个CaO8配位。则: 注意：有电价过饱和的O2-也会有电价不饱和的O2-412824444 图（b）上部顶朝下，SiO4顶端的活性O2-同时与1个Si4、2个Mg2、1个Ca2配位。 则: 图（b）上部顶朝上，SiO4底部的活性O2-同时与1个Si4、1个Mg2、1个Ca2配位。 则: 活性O2-平

4、均电价： 非活性O2-和活性O2-的电价平均值为： 所以总电价是平衡的。 1211182622441271826244431212711211122431412 b. 键型与解理角的关系 解理角面交角：透辉石为93，透闪石为56，由于结构中单链或双链造成区分辉石类和角闪石类晶体的基本特征之一。 由于SiO键强于CaO和MgO键，则破裂总发生在金属离子和O2-之间。Mg2+负责SiO4顶角与顶角之间联系。Ca2+负责SiO4底面和底面之间联系。由于Mg2+半径小，所以MgO键强于CaO键，即矿物受外力作用破坏时CaO键将断裂。由于透辉石是单键，则其夹角为93；而角闪石式双键，则其夹角为56。透辉

5、石和透闪石单位晶胞在（001）面上的投影 （a）立体图（b）投影图 根据水铝（镁）石层中八面体空隙填充情况，结构又分为： 三八面体型：八面体空隙全部被金属离子所占据 二八面体型：2/3八面体空隙被填充 结构中的水 结构水：以OH-形式占据结点位置的水，需400600排 除，排除时结构被破坏。 结合水：以H2O形式进入层间的水，100120 可排除，排 除时结构不被破坏。（A） 型（B） 型单网层的构成 （a）（001）面上的投影（b） 图（a）结构的纵剖面图 OH-位于六节环中心，Mg2+位于Si4+与OH-形成的三角形中心，但高度不同 两个硅氧层的活性氧指向相反，中间通过镁氢氧层连接，形成复

6、网层 复网层平行排列形成滑石结构 水镁石层中Mg2+配位数为6，形成MgO4(OH)2八面体。其中全部八面体空隙被Mg2+所填充，属三八面体型结构脱水脱水高岭石的结构（2）(b)(010)面上的投影(a)（001）面上的投影（显示出硅氧层的六节环及各离子的配位信息）(c)（100）面上的投影（显示出单网层中Al3+填充2/3八面体空隙）（d）（100）面上的投影（显示出单网层的构成）(d)（a）（100）面上的投影（b）（010）面上的投影n 结构中的离子取代：硅氧四面体的连接方式 2.5 硅酸盐晶体结构-方石英的硅氧层的平行叠放 （从体对角线方向观察，显示出以3层为周期的平行堆积）无外力作用

7、时，晶体中正负电荷中心是重合的，整个晶体中总电矩为零垂直方向对晶体施加压力时，晶体发生变形，使正电荷中心相对下移，负电荷中心相对上移，导致正负电荷中心分离，使晶体在垂直于外力方向的表面上产生电荷（上负、下正）。晶体水平方向受压时，在平行于外力的表面上产生电荷的过程，此时，电荷为上正下负。 由此可见，压电效应是由于晶体在外力作用下发生变形，正负电荷中心产生相对位移，使晶体总电矩发生变化造成的。因此，在使用压电晶体时，为了获得良好的压电性，须根据实际要求，切割出相应方位的晶片。 长石结构中基本结构单元的构造(a) 理想的曲轴长链(b) 四联环(c) 实际的曲轴长链(a) 理想的曲轴长链(b) 四联环(c) 实际的曲轴长链（a）（100）面上的投影图（b）（001）面上的投影图（c）立体侧视图（b）（001）面上的投影图镁橄榄石晶体结构（4）脱水脱水