计算机组成原理实验报告二 半导体存储器原理实验

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1、半导体存储器原理实验一、实验目的： 1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。 2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。二、实验要求： 按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。三、实验方案及步骤：1、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。2、根据存储器的读写原理，按表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。3、根据实验指导书里面的例子练习 ，然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。四、实验结果与数据处理：（1）表2.1各

2、控制端的状态控制信号写地址写内容读内容SW-B001LDAR100CE100WE10（2）练习操作数据1：（AA）16 =（10101010）2写入操作过程：1)写地址操作：应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000000即可。应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关STAR

3、T即可。应关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。2）写内容操作：应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为10101010。应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中：再按一下微动开关START即可。应关闭片选信号和写命令信号：即CE=1,WE=0。读出操作过程：1）写地址操作：参考写

4、入操作的写地址操作2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此时00000000地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。数据2：（55）16 =（01010101）2 写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000001。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“

5、SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01010101。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片

6、选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000001地址单元中：按一下微动开关START即可。关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此时00000001地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B

7、7-B0显示出来。数据3：（33）16 =（00110011）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000010。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状

8、态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00110011。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000010地址单元中：按一下微动开关START即可。关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。读出操作过程：1）写地址操作： 具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。地址寄存器存

9、数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此时00000010地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。数据4：（44）16 =（01000100）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000011。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信

10、号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01000100。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。与T3脉冲配合可将总线上的数据

11、写入存储器6116的00000011地址单元中：按一下微动开关START即可。关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。读出操作过程：1）写地址操作： 具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此时00000011地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。数据5：（66）16 =（01100110）2写入

12、操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000100。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-

13、D0设置为01100110。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000100地址单元中：按一下微动开关START即可。关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。读出操作过程：1）写地址操作： 操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信

14、号存入数据。关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此时00000100地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。数据6：（08）16 =（00001000）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000101。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE

15、=1,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00001000。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000101地址单元中：按一下微动开关START

16、即可。关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。读出操作过程：1）写地址操作： 操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此时00000101地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。数据7：（F0）16 =（11110000）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT

17、 DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000110。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为11110000。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH

18、 UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000110地址单元中：按一下微动开关START即可。关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作过程2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要

19、T3脉冲，即不要按微动开关START。此时00000110地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。五、实验结果分析：经过我们组组员的分析比较，各存储单元所写入内容都与读出内容一致，说明实验操作过程正确，实验结果可信。六、实验总结： （1）这次实验令我加深了对课堂知识的理解，这次我同样能受益匪浅。按课程要求做好实验仪器的连线，有了第一次实验的经验，今次的动作熟练了不少，各个实验步骤都能顺利地完成，并做好了实验记录。这次实验比较容易，所以我很快就完成了。对实验教学的建议：希望实验老师能在实验前把实验原理电路图讲解一下。 （2）这次各个操作步骤都能顺利地完成，如遇到某个地方不懂，参照实验指导书和请教同学和老师都可以解决。七、思考题： 答：（1）应该指定写操作和读操作数据的地址，否则就会不知道把数据存到哪个地址，也不知道从哪个地址读数。 （2）如果不关闭，机器会就会把写内容操作的数据作为新的地址写入地址寄存器，原地址数据就会失去效力。 （3）总线上是不允许有两个以上部件同时向总线输出数据的，所以当存储器进行读出数据时，应该关闭三态门控制端SW-B。 （4）不能。如果连续输入所有地址，则后输入的数据会把前面的数据覆盖，只有最后一个数据作为地址存入地址寄存器。类似，读出的内容是最后一个地址所存放的内容，而不是所有的内容。8