半导体器件附答案

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1、第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1 . PN结加正向电压时，空间电荷区将 A.变窄B.基本不变C.变宽2 .设二极管的端电压为u ,则二极管的电流方程是 3 .稳压管的稳压是其工作在 A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区4 . Ugs 0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A.结型场效应管B.增强型 MOS管C.耗尽型 MOS管5 .对PN结增加反向电压时，参与导电的是 A.多数载流子B.少数载流子C.既有多数载流子又有少数载流子6 .当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 A.增加B.减少C.不变7 .用万用表的 R X 100桎和R X 1K木恸别测量一个正常二极管的正向

2、电阻，两次测量结果A.相同B.第一次测量植比第二次大C.第一次测量植比第二次小8 .面接触型二极管适用于 A.高频检波电路B.工频整流电路9 .下列型号的二极管中可用于检波电路的错二极管是： A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW1110 .当温度为20c时测得某二极管的在路电压为U d 0.7V o若其他参数不变，当温度上升到40 C,则UD的大小将A.等于B.大于C.小于11 .当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 A.两种B.三种C.四种12 .在图中，稳压管 Vwi和Vw2的稳压值分别为6V和7V,且工作在稳压状态，由此可知输出电压uo为13 .将一

3、只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是()A.两种B.三种C.四种14 .在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_ (1) _,而少数载流子的浓度与(2) 有很大关系。(1) A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷(2) A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷15.当PN结外加正向电压时，扩散电流 (1)漂移电流，耗尽层 (2) _,当PN结外加反向电压时，扩散电流B.小于_ (3)C.漂移电流，耗尽层_ (4) E.O变窄F.不变(1)A.D.变宽A.B.小于C.D.变宽E.变窄F.小变(3)A.B.小于C.D.变宽E.变窄F.小艾(4)A.B.小于C.D.变宽E.

4、变窄F.小变16.甲、乙、丙二个二极管的止、反向特性如表所示，你认为哪一个二极管的性能最好表二吕可加正向电压时的电流加反向电压 时的电流哪个性能好甲1uA()乙5 MauA()丙2 mA5 uA()A.甲B.乙C.丙17 . 一个硅二极管在正向电压 Ud 0.6V时，正向电流Id 10mA。若Ud增大到 (即增力口10%),贝U电流I DA.约为11mA (也增加10%)B.约为20mA (增大1倍)C.约为100mA (增大到原先的10倍)D.仍为10 mA (基本不变)18 .在如下图所示的电路中，当电源 V1=5V时，测得I=1mA 。若把电源电压调整 V1=10V, 则电流的大小将 V

5、1=5V是 。A. I =2mAB. I2mAC. I2mA21.在P型半导体中，多数载流子是_ (1) _，在N型半导体中，多数载流子是_ (2)(1) A.正离子B.自由电子C.负离子D.空穴(1) A.正离子B.自由电子C.负离子D.空穴23 .本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是 。A.自由电子数目增加，空穴数目不变B.空穴数目增加，自由电子数目不变C.自由电子和空穴数目等量增加24 . N型半导体_ (1) _, P型半导体_ (2) _。(1) A.带正电B.带负电C.呈电中性(2) A.带正电B.带负电C.呈电中性26. PN结外加反向电压时，其内电场.3A.减弱B

6、. /、变C.增强27. PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流_漂移电流。A. EB.小于C. T28.在本征半导体中加入 _ (1) _ 兀素可形成N型半导体，加入_ (2) _兀素可形成P型半导体。(1) A.五价B.四价C.三价(2) A.五价B.四价C.三价29.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A.增大B. /、变C.减小30.工作在放大区的某三极管，如果当 I b从12 dA增大22科时，IC从1mA变为2mA,那么它的3约为A.83B.91C. 10031.硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约V时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区

7、电压。与硅二极管一样，只有在错三极管上外加正向电压达到约 V时，正向电流才明显增加。这个电压称为错二极管的 死区电压。(1) A. 0.7VB.C.(2) A. 0.7VB.C.二、判断题(正确的选“Y”错误的选“N”)1. P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。(Y)( N)2. 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P型半导体。(Y)( N)3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。(Y)(N)4. PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。(Y)(N)5. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。(Y)(N)6. 由于PN结交界面两边存在电位差， 所以，当把PN结

8、两端短路时就有电流流过。(Y) (N)7. PN结方程可以描述 PN结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。(Y)(N)8. N型半导体的多数载流子是电子，因此 N型半导体带负电。(Y)(N)11 .在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(Y)(N)12 .当外加反向电压增加时， PN结的结电容将会增大。(Y)(N)13 .通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。(Y)(N)14 .通常的JEFT管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。(Y)(N)15 .当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。(Y

9、)(N)16 .当环境温度升高时， 本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。(丫)(N)17 . P型半导体中的多数载流子都是空穴，因此，P型半导体带正电。(Y)(N)18 . PN结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。 (Y)(N)19 .半导体二极管是根据 PN结单向导电的特性制成。因此，半导体二极管也具有单向导 电性。(丫(N)21 .当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。(Y)(N)22 .用万用表判断二极管的极性，若测得二极管的电阻很小，那么，与万用表的红表

10、笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。(Y)(N)24 .用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用 R X 1档测出的电阻值和用R X 100当测出的电阻值不相同，说明这个二极管的性能不稳定。(Y)(N)25 .漂移电流是少数载流子形成的。(Y)(N)26 .当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。(Y)(N)27 .普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。(Y)(N)28 .正偏时二极管的动态内阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。(Y)(N)29 .发光二极管内部仍有一个PN结，因而他同

11、普通二极管一样导通后的正向压降为或O(Y)(N)30 .发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。(Y)(N)31 .稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。(Y)(N)32 .整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。(Y)(N)33 .硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。(Y)(N)34 . P型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。(Y)( N)35 . N型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价锢元素而得到。(Y)(N)36 . N型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为 P型半导体。(Y)(N)37 .漂移电流是在内电场作用先形成的。(Y)

12、(N)38 .导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。(Y)(N)39 .导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。(Y)(N)40 .施主杂质成为离子后是正离子。(Y)(N)41 .受主杂质成为离子后是负离子。(Y)(N)43.极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。(Y)(N)题目系太原电力高等专科学校精品课程一电子技术基础其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正。答案：选择题：15. ACCAB 610. ACBDC第9题中，2表示二极管，三极管则为3, A

13、、B表示材料错，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示稳压，Z表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。1115. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D11题中两个稳压管 D1和D2,稳定电压分别是 V1和V2,正向导通电压都是，当 D1和D2 都反接即工作在稳压状态时， 稳定电压为V1+V2,若都正接即导通状态时， 稳定电压为07V+ =,若一个反接一个正接，则为 V1+或V2+,所以共有4个稳压值。13题中，加I压管D1和普通二极管 D2, D1的稳定电压是 V1,二者的正向导通电压都是，当二者都反接时，则输出电压为输入电压；若 D1反接，D2正接，则稳压值为 V1

14、 + ,当二者都 正接，则稳压值为+=,若D1正接，D2反接，则输出仍为输入电压。故只有两种稳压值。17题中，正向电流与正向电压的关系为第2题C中的公式，电流随电压按指数形式增加。18题中，原题无图，故从别的资料中找到的一幅图，序号不相对应。21. (1) D (2) B 24. (1) C (2) C28. (1) A C31. (1) C (2) B注意：错二极管和硅二极管的正向压降、死区电压和反向饱和电流的取值范围如下所示:二极管正向压降/V夕匕区电压/V反向饱和电流错大，uA级硅小，nA级一般典型值错管 Von 0.3V , Vth 0.1V ,硅管 Von 0.7V , Vth 0,

15、5V此处选项只有，故第(2)选Bo 判断题：15. NYNYY 68. NNN11题与选才I题第5题类似，对PN结加正向电压，扩散运动大于漂移运动，PN结内的电流便由起支配地位的扩散电流所决定；对PN结加反向电压，漂移运动大于扩散运动，PN结内的电流便由起支配地位的漂移电流所决定。12题中PN结的结电容是势垒电容和扩散电容的总效果，结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，正向电阻很小，结电容较大，主要取决于扩散电容；当 PN结处于反向偏置时，反向电阻很大，结电容较小，主要取决于势 垒电容。当反向电压增加时，PN结厚度增大，PN结厚度跟势垒电容的关系，类

16、似平板电容器跟极间距离成反比的关系。故PN结的结电容应该是减小。18题半导体的电导率很高，但掺入微量杂质后，电阻率会发生很大的变化，导电能力可增 加几十万乃至几百万倍。2629题中二极管的管压降：硅二极管(不发光类型)正向管压降，错管正向管压降为，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。1.直插超亮发光二极管压降主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为黄色发光二极管的压降为 一绿色发光二极管的压降为 一正常发光时的额定电流约为20mA。2.贝占片LED压降红色的压降为，电流5-8mA绿色的压降为，电流3-5mA橙色的压降为，电流3-5mA

17、兰色的压降为，电流8-10mA白色的压降为，LED压降及电流电流10-15mA.1、黄绿(565-575nm)、黄(585-595nm)、红(600-650nm)led的压降在平均；工作电流20ma =2、蓝(465-475nm)、绿(500-535nm)、白光led的压降在平均；工作电流20ma =、指led和限流电阻两端的输入电压；、被减去的压降是led的压降；、阻值是根据led 20ma工作时，电阻需要承担的压降计算得知的以上计算都是根据led的20ma工作平均压降计算的LED的正向压降：不同光(波长)，会不同.最大工彳电流：30mA/25C:一般亮度的可见光；50-300mA/ C :高亮度的可见光 LED;3136