KLA检测、镜检异常判定标准

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1、氏汕创险耒廉电路有限公司CHAHQSHA iiNNOVATIOM 3EMHC0NDUCTQR CORPDocument NO.: 0011-110-006 Version: V001KLA检测、镜检异常判断标准1. 目的明确在线镜检、KLA的检查规范，为Module提供晶圆在线检查的规范。2. 范围本规范适用于公司非终检产品片的镜检/KLA检查。. 参考3.1光刻显检操作规范3.2刻蚀显检操作规范3.3薄膜显检操作规范3.4扩散显检操作规范4. 定义4.1产品批：在MES系统中流通的批次（W 25片）。4.2目检缺陷：工艺流程中产生在晶圆表面，在聚光灯下肉眼可见的缺陷。4.3镜检缺陷：在生产过

2、程中随机产生的影响单个管芯的缺陷，在显微镜下可见的缺陷。4.4重缺陷：影响管芯功能（良率或可靠性）或潜在影响管芯功能的缺陷。4.5轻缺陷：a.影响管芯功能或潜在影响管芯功能的缺陷；b.当前步骤无法明确是否影响管芯功能或潜在影响管芯功能的缺陷，需要流通到后续步骤确认是否因该缺陷导致产生重缺陷。5. 职责：5.1制造部检验员负责对KLA步骤的晶圆做检测、在线镜检的晶圆在显微镜检查。5.2制造部检验员发现无法判定的问题或连续出现的问题有及时通知缺陷分析工程师或技术员的 责任。5.3缺陷分析工程师和技术员有向检验员解释、说明发生问题的责任。5.4缺陷分析工程师和技术员有及时向 Module，产品Own

3、er等相关部门和人员反馈异常信息的责 任。6. 作业指导：6.1作业流程：1 / 5版权属于长沙创芯集成电路有限公司所有，禁止任何未经授权的使用The copyright belongs to CISEMI ，Any unauthorized use is prohibitedKilBEiliKmiS电路有限公司CHANGSHA HNNOVATIONI3EMHCONDUCTQR CORPDocument NO.: 0011-110-006 Version: V00112序号制造部/系统缺陷分析作业说明产品owner:Module123:检测结束YES4567YESNO8NO9Module 处理

4、10圆片的最终处置11在流程单上记录，系统中输 入comment并将圆片放行:流程名称:开始流片|是否为前层已； ；处理过的缺 - 陷？;1.执行相关 Module的OCAP:文件处理异常设备和异常圆 :片;：2.Module提供纠正预防措施.删除能删的假缺陷，工艺人 员对可优化的Recipe进行优 化使用表单；备注:缺陷超规范 否？产品/材: 料异常单: :圆片Hold，通 齐口缺陷分析技 沐员或工程师；1.执行相关 Module的OCAP 文件处理异常设备。12.排查可能受影响批次，并 :提供清单。=3.根据相关 Module的OCAP :文件处理异常圆片。；4.Module提供纠正预防措

5、施.圆片测量Review圆片陷分析处理异常是否持续严品own er处置圆片6.2作业步骤:6.2.16.2.26.2.3NO1. 确认异常批的圆片受影响 情况、异常的程度，进行初 步原因分析；2. 如达到通知标准，通知相 关MOUDLE ;3. 如达到开异常单的条件， 通知制造填写异常单，并及 时通知相关Module的工艺、 设备人员；4. 寻找defect source,判断异 :；常的设备、工艺或工艺流程-OYES检查设备和工具：KLA、自动传片系统的显微镜、聚光灯、真空吸笔等。检查条件：检验在50-200倍下检查，若发现异常，可以在 200倍以上进行确认。任何c在200倍下不可能发现的缺

6、陷不做判定。检查员的资质：所有检验人员必须经过部门内的相关培训， 通过缺陷分析鉴定合格后方2 / 5版权属于长沙创芯集成电路有限公司所有，禁止任何未经授权的使用The copyright belongs to CISEMI , Any unauthorized use is prohibited亡汕创槪東廉电路有限公司CHANGSHA iNNOVATIOfl 3EMHC0NDUCT0R CORPDocument NO.: 0011-110-006 Version: V001可操作624抽样标准：6.241 KLA :根据片号，主要检查1#, 24#。加检为检查的领近片号。6.242 晶圆数量在

7、1-12片需镜检或机测1片，数量在13-25片需镜检或机测2片。6.2.4.3 镜检或机测的片号固定为1#24#，如没有1#24#，则需与前层的KLA或检查片 号一致。刻蚀和薄膜模组的检查必须确保每个腔检查一片。其他模组的检查必须确 保每批次检查2片。6.2.4.4 机测或者镜检发现异常，制造部检验员需加测/加检wafer，并需要通知缺陷分析工程师或技术员，确认异常程度。6.2.5制造部检验员镜检需按如下图进行检查：6.2.5.1晶圆检验区域:晶圆规格边缘非有效区域正常检验区域加严检查区域6i nch(150mm)3mm上-左中-中-右中-卜左上-上-右上-左中-中-右中-左卜- 下-右卜S1

8、-S2-S3-S4-S5S1-S9检验区域示意图:备注：1.1距晶圆边缘3mm至中心区域为有效管芯区域，检查管芯必须覆盖到离晶圆边缘 1cm的区域。1.2晶圆有效管芯不包括划片槽、管芯面积不完整、被打标字符或插花图形等覆盖的 管芯区。6.2.5.2 镜检异常判断标准：范围晶圆理论管芯数量（个）片抽样管芯数量（个）重缺陷轻缺陷异常/正常异常/正常镜检标准1-3200503/25/63201-10000804/37/810001-350001256/510/11350002008/714/153 / 56.2.6 Wafer上确认（Review ）缺陷的抽样规则:6.2.6.1 镜检发现异常，缺陷

9、呈现散点分布，需要在wafer上选3横（上/中/下）,选3列（左/中/右），依据抽样区域看到的缺陷数目估计缺陷影响的管芯比例；6.262 镜检发现有异常，缺陷呈集中分布，需要依据缺陷影响的管芯估计影响的管芯比例；6.2.6.3 KLA检测发现异常，在Review时依据缺陷大小分布，采用2分法采样。如1000 个缺陷，缺陷按照从大到小排序，A:看最大缺陷选50个确认主要缺陷类型；B :选 缺陷总数1/2处（1000/2=500）,选择50个看主要缺陷类型，如是同类型缺陷，再选 新的1/2处看缺陷类型，选50个。6.2.7异常单开启及通知相关module规则：6.2.7.1 晶圆缺陷数超规范，加测

10、同腔体另外2片也有该异常，异常单则开该腔体所有的晶圆；如没有腔体效应，则抽测的另外 4-5片也有异常，则异常单开整批； 若相应module可申请加测，根据加测情况开启异常单。6.2.7.2 前后段以Con tact etch区分,Co ntact etch之前为前段，缺陷大于800开异常单, 后段大于1000开启异常单；627.3 相关重缺陷和轻缺陷的判断标准，因各层次具体情况有差异，可参照附录一。没 有定义的轻缺陷按15%的剔片标准执行，后续跟踪良率，制定标准，添加进附录一。6.2.7.4 固定位置缺陷出现1片以上就开启异常单。6.2.7.5可以返工去除的表面颗粒、残留，也需要开启异常单（光

11、刻返工除外）6.2.8对于返工过程中出现的异常责任判定：原异常部门要求返工1r1F1因返工部门本身有明 显原因（设备碎片、 报警、菜单等等）导 致的异常如该返工一直无 风险,产生的异常与返工有关因原异常导致新 的异常11F责任部门为返工部门责任部门为原异 常部门6.2.9异常单的开启部门：哪个部门发现异常，就由哪个部门的制造开启异常单4 / 56.2.10达到开启异常单标准的缺陷，都需要开启异常单。返工后无法去除的硬伤，按照缺陷类型定义的标准执行后续相关的操作，大于剔片标准的剔片处理；大于异常标准，小于剔 片标准的签异常放行；返工后可以去除的缺陷，返工后，签正常放行。6.2.11若客户有特殊检

12、验判定标准，则按客户要求进行目检和显微镜检查、判定。6.3其他7. 附页7.1重、轻缺陷判定标准重、轻缺陷判定标准.xlsx版权属于长沙创芯集成电路有限公司所有，禁止任何未经授权的使用The copyright belongs to CISEMI ，Any unauthorized use is prohibited亡汕创槪東廉电路有限公司CHANGSHA iNNOVATIOfl 3EMHC0NDUCT0R CORPDocument NO.: 0011-110-006 Version: V001版权属于长沙创芯集成电路有限公司所有，禁止任何未经授权的使用The copyright belongs to CISEMI ，Any unauthorized use is prohibited亡汕创槪東廉电路有限公司CHANGSHA iNNOVATIOfl 3EMHC0NDUCT0R CORPDocument NO.: 0011-110-006 Version: V0015 / 5版权属于长沙创芯集成电路有限公司所有，禁止任何未经授权的使用The copyright belongs to CISEMI ，Any unauthorized use is prohibited