薄膜太阳能发展分析

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1、薄膜太阳能光伏产业发展分析报告（完整版）目录一、引言 2二、薄膜太阳能光伏产业的发展现状和趋势 2（一）薄膜太阳能电池定义2（二）薄膜太阳能电池分类及应用 3（三）薄膜太阳能光伏产业发展现状 5（四）薄膜太阳能光伏产业发展趋势 7三、薄膜太阳能电池生产厂家概况 11（一）国外薄膜太阳能电池生产厂家11（二）国内薄膜太阳能电池生产厂家20四、总结25五、建议27一、引言2004 年德国光伏补贴政府引爆了光伏产业， 光伏产业强势需求造就 了多晶硅原料企业的超高利润，而 2007 年美国 First Solar 的亮丽表 现则带来了薄膜产业的新纪元， 1.3 美元/瓦的低成本， 11%左右的转换 率

2、，欧洲北美的巨额订单，不受原料限制的大规模生产成就了 First Solar 的高利润，高收入，高可靠的盈利预期，也促使业界发现属于薄 膜时代的来临。在 2007 年和 2008 年间，全球光伏产业最为火热的环节就是薄膜领 域，不断有新的项目发布或者投产，有限的设备公司订单已经排到 1 年 以后，而且新增订单不断，除了美国 First Solar, 日本夏普也开始大 规模投入薄膜领域，而德国的Q-CELL肖特等也大力投入薄膜事业，台湾几乎瞬间投入了超过 10 个薄膜项目， 国内的非晶硅龙头拓日新能源 顺利上市， 新澳集团高调介入等等都显示薄膜正在吸引越来越多的资本 和关注；薄膜自身的发电优势和

3、低成本也将会是下降光伏发电成本的一 大主要驱动力。、薄膜太阳能光伏产业的发展现状和趋势薄膜太阳能光伏产业主要由 CdTe（碲化镉）、CIS （铜铟硒）/CIGS 铜铟硒镓）、硅基薄膜三类电池组成。（一） 薄膜太阳能电池定义薄膜太阳能电池， 指在塑胶、 玻璃或是金属基板上形成可产生光电 效应的薄膜。这种薄膜厚度仅需数u m在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能 电池大幅减少原料的用量。（二） 薄膜太阳能电池分类及应用CdTe （碲化镉）薄膜薄膜层为CdTe/CdS （碲化镉）材料的太阳能电池，主要用于光伏发 电。CIS （铜铟硒）/CIGS （铜铟硒镓）薄膜CIS（Copper In dium Di

4、sele nide）或是 CIGS（Copper In dium GalliumDiselenide）, 主要用于光伏发电。硅基薄膜主要是指薄膜层带 A-Si 的薄膜电池，根据设备的生产工艺可以分 为下面的几种：单结 A-Si a-si/ uc -si （ 非 晶 / 微晶 ） 、 双 结 a-si/uc-si （非晶 /微晶）、三结非晶硅等 , 主要用于光伏发电。GaAs（砷化镓）薄膜GaAs Multijuction（ 多接面砷化镓 ） 在单晶硅基板上以化学气相沉 积法成长GaAs薄膜所制成的薄膜太阳能电池。具有30%以上的高转换效率，很早就被应用於人造卫星的太阳能电池板。新一代的GaAs

5、（砷化镓）多接面（将多层不同材料叠层）太阳能电池，如 GaAs、Ge 和 GaInP2 三接面电池，可吸收光谱范围极广，转换 效率目前已可高达 39%，是转换效率最高的太阳能电池种类，而且性质 稳定，寿命也相当长。 不过此种太阳能电池的价格也极为昂贵， 平均每 瓦价格可高出多晶矽太阳能电池百倍以上， 因此除了太空等特殊用途之 外，预期并不会成为商业生产的主流。色素敏化染料 （Dye-Sensitized Solar Cell） 是太阳能电池中相当新颖的技术产品是由透明导电基板、 二氧化钛 （TiO2） 纳米微粒薄膜、染料 （ 光敏化剂 ） 、电解质和 ITO 电极所组成。此种太阳能电池的优点在

6、於二氧化钛和染料的材料成本都相对便 宜，又可以利用印刷的方法大量制造，基板材料也可更多元化。不过目 前主要缺点：一是在於转换效率仍然相当低（ 平均约在 78%，实验室产品可达 10%） ，且在 UV 照射和高热下会出现严重的光劣化现象，二是 在于封装过程较为困难 （主要是 因为其中的电解质的影响 ） ，因此目前 仍然是以实验室产品为主。然而，基於其低廉成本以及广泛应用层面的 吸引力， 多家实验机构仍然在积极进行技术的突破。有机导电高分子 （Organic/polymer solar cells） 有机导电高分子太阳能电池是直接利用有机高分子半导体薄膜 （通 常厚度约为100 nm）作为感光和发

7、电材料。此种技术共有两大优点：一在於薄膜制程容易 （ 可用喷墨、浸泡涂 布 等方式 ） ，而且可利用化学合成技术改变分子结构， 以提升效率， 另 一优点是采用软性塑胶作为基板材料， 因此质轻，且具有高度的可挠性。目前市面上已经有多家公司推出该类产品， 应用在可携式电子产品 如NB PDA的户外充电上面，市场领导者是美国 Konarka公司。不过， 由于转换效率过低 （约45%）的最大缺点， 因此此种太阳能电池的未来发 展市场应该是结合电子产品的整合性应用，而非大规模的太阳能发电。InP（ 磷化铟 ）电池薄膜层为 InP（ 磷化铟 ）材料的太阳能电池， 类似于 GaAs 电池， 高 转换率，高价

8、格，预计很难在发电市场获得应用，主要是太空应用。Poly-Si （ Crystalline Silicon on Glass ）薄膜德国 Q-CELL 旗下的一个 CSG 公司专注的一种电池，原理就是 Crystalline Silicon on Glass（玻璃衬底上直接镀多晶硅薄膜）。暂时没有投产，主要是光伏发电用。（三）薄膜太阳能光伏产业发展现状 在目前多晶硅原材料成本居高不下的情况下， 各厂商纷纷转而寻求 技术创新， 而近期薄膜技术领域的突破使其成为太阳能电池产业新的热 点。2007 年美国 First Solar 以 1.3 美元/ 瓦的低成本， 11%左右的转换率，拿下欧洲北美的巨

9、额订单，不受原料限制的大规模生产为薄膜产业 的发展带来新的活力。随着 First Solar 在薄膜技术领域的成功，薄膜 技术在太阳能光伏产业的应用逐渐升温。和晶硅太阳能电池相比，薄膜太阳能电池具有以下优势：1、成本优势明显：多晶硅材料价格较高，薄膜太阳能电池成本优 势凸现。作为太阳能电池和半导体的重要材料， 多晶硅国际市场价格一路飙 升，从 2002年 2008年上涨了十几倍， 这种利益驱动也促使国内多晶硅 项目投资热渐趋升温。然而考虑下游的迅速扩张、 供需形势并无根本性 改观，2008 年上半年多晶硅供应紧张的局面较去年并未得到缓解，价格仍维持高位。薄膜太阳能电池较少使用晶体硅材料， 相对

10、于高昂的晶体硅材料来 说这给其成本控制带来很大的下降空间。据测算即使在5MW勺生产规模 下，非晶硅薄膜太阳能电池组件的生产成本也在2 美元/瓦以下，而单线产能达到40MW-60M甚至更高的全自动化生产线， 其产品生产成本则 更低。相对于平均 3.5 美元/ 瓦的国际市场销售价格而言，其利润空间 可见一斑。2、能量返回期短转换效率为 6%的非晶硅太阳能电池，其生产用电约 1.9 度电/ 瓦， 由它发电后返回的时间约为 1.5-2 年，这是晶硅太阳能电池无法比拟的。3 、 大面积自动化生产目前，世界上最大的非晶硅太阳能电池是 Switzland Unaxis 的KAI-1200 PECVD设备生产

11、的1100mm*1250m单结晶非晶硅太阳能电池， 起初是效率高于9%其稳定输出功率接近80W/片。商品晶体硅太阳能电池还是以 156mm*156m和125mm*125m为主。4、弱光响应好 (充电效率高 ) 上海尤力卡公司曾在中国甘肃省酒泉市安装一套 6500 瓦非晶硅太阳能电站，其每千瓦发电量为 1300KW，h 而晶体硅太阳能电池每千瓦的 年发电量约为 1100-1200KWh。5、技术突破带来应用新方向：组合建筑，环保又节能 薄膜太阳能电池适合与建筑结合的光伏发电组件 (BIPV) ：双层玻璃封装刚性的薄膜太阳能电池组件， 可以根据需要， 制作成不同的透光率， 可以部分代替玻璃幕墙，

12、而不锈钢和聚合物衬底的柔性薄膜太阳能电池 适用于建筑屋顶等需要造型的部分。 将薄膜太阳能电池应用于城市大量 的既有和待开发的建筑外立面和屋顶， 避免了现有玻璃幕墙的光污染问 题，能代替建材，同时发电又节能，将成为未来城市利用光伏发电的主 要方向。当然，以目前的技术水平来说， 在非晶硅薄膜太阳能电池应用方面， 还存在一些问题：1 、效率低单晶硅太阳能电池，单体效率为14%-%(AMQ)而柔性基体非晶硅 太阳电池组件(约 1 000平方厘米)的效率为 10-12%，还存在一定差距。2、稳定性差其不稳定性集中体现在其能量转换效率随辐照时间的延长而变化， 直到数百或数千小时后才稳定。 这个问题一定程度

13、上影响了这种低成本 太阳能电池的应用。3、相同的输出电量所需太阳能电池面积增加 与晶体硅电池相比， 每瓦的电池面积会增加约一倍，在安装空间和 光照面积有限的情况下限制了它的应用厂商纷纷投产，薄膜技术应用渐趋升温薄膜技术的进步给厂商带来了新的发展思路，也正是看到 2007 年 First Solar 在薄膜太阳能电池领域的出色表现，各厂商纷纷投产进军 薄膜领域。 2005年 4 月夏普开始正式受理薄膜太阳能电池定单。 2007 年 11 月底建设新生产线，并于 2008 年 10 月夏普举行了供货仪式，将 薄膜硅太阳能电池的年生产能力从 15MV提高到160M W国内厂商如津 能、南通、孚日股份

14、、金太阳等厂商已经制定投产或扩产计划。（四）薄膜太阳能光伏产业发展趋势CdTe （碲化镉）薄膜、CIS （铜铟硒）/CIGS （铜铟硒镓）薄膜和硅 基薄膜广泛用于光伏发电，将占据市场主流， 成为薄膜太阳能电池中的 佼佼者。其发展趋势分别如下：CdTe太阳能电池具有技术成熟、转换效率高、发电量高、成本低等 优势，在2007年其全球出货量约180M（仅次于硅基薄膜，在薄膜领域 排名第二），目前CdTe电池商业化产品效率已超过 12%。截至2008年1月，美国部分企业实验室 CdTe组件的转换率高达 16.5%,具体到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平。CIGS在高光电效率低材料成本的好处下 （

15、在实验室完成的 CIGS 光电池，光电效率最高可达约19%，就模块而言，最高亦可达约13% ）。 面临三个主要困难要克服：（1）制程复杂，投资成本高；（2）关键原 料的供应；（3）缓冲层CdS潜在毒害。截至2008年2月，全球 CIS/CIGS电池的实验室最高转换率达 19.5%,具体到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平。截至2008年2月，全球硅基薄膜组件主要有三种：单结非晶硅 和双结非晶硅组件转换率5%-8%，双结非晶硅/微晶硅组件转换率8%-10%三结非晶硅组件转换率8%左右。不过由于硅基薄膜的基数比较 大，就算到2013年依然是薄膜中的霸主。而目前新上的项目主要是单 结非晶硅、双结

16、非晶硅和非晶/微晶硅。其中亚太地区（中国台湾地区 等）主要是单结、双结非晶硅日本地区主要是非晶/微晶硅。欧洲主要是双结非晶硅和非晶/微晶硅。美国三结非晶硅占据不错的地位，同时 其他非晶薄膜也有涉及。从成本的角度来看，非晶/微晶的成本在硅基薄膜中最高，其次就是三结非晶硅，双结非晶硅，成本最低的就是单结 非晶硅，非晶硅薄膜设备投资占据主要成本，而转换率数据除了跟设备有关系外，自己的调试和开发能力也有一定的重要性。上述列举CdTe （碲化镉）薄膜、CIS （铜铟硒）/CIGS （铜铟硒镓）薄膜和硅基薄膜各产能、产量及市场份额现状和趋势如下表：全球产能：兆20072008 I2009201020112

17、0122013瓦年年年年年年年CdTe33050811531865270535553625CIS/CIGS126.5269464591.5721.58801070硅基薄膜43414682090.2680.311937464158全球890.522453707.51376545.81818853CdTe市场份额37.0622.6331.1036.3141.3343.4540.95CIS/CIGS 市 场份额14.2111.9812.5211.5111.0210.7612.09硅基薄膜市场 份额48.7465.3956.3952.1847.6545.7946.97全球市场份额100.0100.01

18、00.0100.0100.0100.0100.0全球产量：2007200820092010201120122013兆瓦年年年年年年年CdTe1803507211224196027373136CIS/CIGS25.484.5185.5341.5484627.5773硅基薄膜2仃.258511041605214426493151全球422.6；1019；2010.3仃0.45886013.70605555CdTe市场份额（%42.5934.3335.8638.6142.7245.5144.42CIS/CIGS 市 场份额（%6.018.299.2310.7710.5510.4310.95硅基薄膜市

19、场 份额（%51.4057.3854.9150.6246.7344.0544.63全球市场份额;100.0f 100.0100.0100.0100.0100.0100.0（%0000000目前，国内外厂商的纷纷投产促进了薄膜电池市场的快速增长，未来两年伴随各厂商投产产能的释放，薄膜电池市场将稳步提升，2010年其市场份额有望达到15%薄膜技术的兴起带动了国内新一轮太阳能光伏产业投资热潮，未来3-5年随着薄膜技术的日趋成熟，碲化镉（CdTe）和CIGS等技术将会有新的突破，卷式（roll-to-roll）设备和可印刷铜/铟/镓/硒（CIGS）墨水等设备应用的技术创新也会取得新进展。这将有望进一步

20、带动中国太阳能光伏产业新一轮增长。特别是2008年由于美国应用材料，瑞士 Oerlikon ，日本ULVAC等 顶级的设备厂商大量推出标准设备，同时韩国Jusung，美国XsunX等设备企业的介入促使全球范围大规模生产非晶硅成为可能，另外一些小尺寸的非晶硅设备企业（比如中国国内的普乐新能源，上海思博露科技， 北京的北仪创新，美国的 EPV NanoPV香港的华基光电，匈牙利的 EnergoSolar，欧洲的STF等相继推出低成本的5兆瓦生产线也获得 了客户的青睐，设备的驱动及大量资本的进入促使 2007年和2008年 称为非晶硅大规模应用的元年，也因此导致晶硅和非晶硅的格局将会因 此而改变。三

21、、薄膜太阳能电池生产厂家概况（一）国外薄膜太阳能电池生产厂家见下表序号厂家名称（国别）产品类型产能及其他1FirstSolar （美国）CdTe （碲化镉）2007年产量200MWV年成长率达233%成为全球第五大太阳能电 池制造商，是全球前十大太阳能电池制造商中唯 专职从事薄 膜技术者，也是美国最大的太阳 能电池制造商，非晶硅领域全球 最大的电池或者电池板公司。 产能约210兆瓦，产量165兆瓦 截至2007年年底，产品转换 率:2003 年约7%，2006年约 9% 2007 年底约 10.5%。2An tec SolarEn ergy A（德国）CdTe （碲化镉）CDTE碲化镉）电池组

22、件产量产 能都是全球第二（仅次于First Solar），非晶硅电池领域全球核 心企业之一。2005年产能10 兆瓦，产量7.5 兆瓦；2006年产能还是10兆瓦， 产量7.5兆瓦；2007年产能达 到25兆瓦，当年产量11兆瓦；2008-2010年产能预计还是保持25兆瓦，产量逐步爬升。3ARENDI SRL（意大利）CdTe （碲化镉）2007年产能为15兆瓦，另外有三个First Solar的基地总产能为250MW4CanromPhotovoltaics （美国）CdTe （碲化镉）碲化镉薄膜太阳电池组件全球排 名第三，非常小规模的实验生产（1兆瓦产能）。2007年产能达到5兆瓦，预计2

23、009年增加到25兆瓦。5CAL YXO GMB（Q-Cell ）（德国）HCdTe （碲化镉）2005年产能达到25兆瓦，预计2013年增加到50兆瓦。6PrimeStarSolar（GE Energy）（美国）CdTe （碲化镉）全体团队成员大约30多 人，全部为资深专家，并且研发 了转换率高达16.5%的组件，下 步预计就是规模生产，预计2008年会启动20-30兆瓦的生产 线，接着进行更多的扩产，不过 最快预计也需要到2009年才能 够投产。7AVASolar （美国）CdTe （碲化镉）AVA公司拥有技术资本市场 丰富的管理层，同时有一些资本 公司的支持，一期支持了一个3兆瓦的初产项

24、目（这个项目于 2007年9月试产，无限接近大 规模生产的经验），同时在2007年获得另外一个资本公司的投资，计划 2008年年底之前上 200兆瓦的项目。8Wfi rth Solar（德国）CIS （铜铟硒）2006年产能1.4兆瓦，2007年产能14.8 兆瓦，2008年产能25兆瓦。9Hon daSoltec（日本）CIGS（铜铟硒镓）日本最大的 CIGS电池组件公 司，也是全球主要的 CIGS公司 之一。2007年6月投产后的产能是27.5兆瓦，暂时没有看到官方的 扩产计划。10Global Solar（美国）CIGS（铜铟硒镓）CIGS领域具有不错的地位，从 目前的转换率来看，也是

25、CIGS 领域具有定地位的公司，而且 从业时间也是比较长的。 从转换 率来看：德国 W（i rth Solar11.50%全球 CIGS 最高，GlobalSolar 9.8%占据第二，预计2008年产能从2007年的4.2兆瓦提升到40兆瓦，2009年进一。11Showa ShellSolar（日本）CIS （铜铟硒）日本第二大的CIGS电池组件 公司，也是全球主要的CIGS公 司之一。2007年7月投产一期工厂20兆瓦 产能，同时开始建设第二期的工 厂。12Miasol e>（美国）CIGS（铜铟硒镓）CIGS电池组件组装，2007年生产的电池全部运送中国 组装，暂时没有公告客户情况

26、， 不过预计初期试验合作客户及欧 洲客户为主。13JohannaSolar （德国）CIGSSe（铜铟镓硫硒）是全球首个CIGSSe电池企业。 预计主要市场是德国市场（超过 80%另外会有20%销售到西班 牙、意大利等国家或者地区。14Asce ntSola （美国）CIGS（铜铟硒镓）美国主要CIGS电池组件企业 之一。2008年初投产首期 1.5 兆瓦 的产能，同时建设二期25兆瓦 的产能，预计二期产能在2009 年年底投产。主要销售市场是美 国和欧洲市场。15ISET（美国）CIGS（铜铟硒镓）产品实验室转换率可以达到13.6%,具有 定的技术实力，但 没有公布任何产能及扩产计划。16U

27、nited SolarOvon ic（美国）A-Si/A-SiGe/A-SiGe（以掺锗的三层 结构、以可挠式 的不锈钢金属基 板为主力产品）全球最大非晶硅电池生产企业，只专注于三结。2007年，以48MW的产量成为薄膜太阳能电池第二大生产商，也是硅薄膜技术的最大生产 商。FY2007宣称其电池效率最高可达13%,模组效率最高可达8.5%。20050701-20060630 财年收入87.5百万美兀，利润8.6 百万 美元，销量约32兆瓦，三结 组件均价约2.73美元/瓦；2007财年（20060701-20070630）太阳能收入98.4百万美兀，产量 40 兆。17KanekaSolart

28、echa-Si/a-Poly-Si（双结：非晶/全球第二大的硅基薄膜电池或 者电池板提供商。（日本）非多晶）2007年以48MW的产量成为薄膜太阳能电池第二大生产商。主力销售产品是玻璃基板的单 层a-Si的太阳能电池/模组，模 组效率已可达8%2005年电池产能23兆瓦，2006年电池产能约30兆瓦，2010年产能扩产到130兆瓦 产量90兆瓦。Sharp Thi na-Si/ 口 c-Si/a-Si GaAs目前仍多以量产单层a-Si产品为主，其薄膜主力产品是为 a-Si/ 口 c-Si 的堆叠式（tandem） 产品，2007年产量21MW，为薄 膜太阳能电池厂商第五大， 也是 前十大薄膜

29、太阳能电池厂商中18Film（三结：非晶/唯商业化量产销售a-Si/ 口（日本）微晶/非晶砷化c-Si堆叠式产品的厂商。镓）2007年年底之前薄膜产能15兆瓦，其中a-Si/ 口 c-Si （双 结）12兆瓦，GaAs 3兆瓦,2008年夏普打算投资220亿日本将薄膜产能提升到160兆瓦（截至2008年10月），并且争取2010 年将薄膜产能提升到1000兆瓦（2010年3月开始投产）。SHARP现在与TEL（合资成 立设备开发公司“东京ELECTRO PV'）进行大型玻璃基板的生产 设备的开发，目前以开发Triple Junction 用的PECVC为主，使用 的玻璃基板尺吋为1.0

30、mX1.4m19MHI（Mitsubi shiHeavyIn dustries）（日本）a-Si/ 口 c-Si（双结：非晶/微晶）2002年单结10 兆瓦，2007年扩产非晶/微晶叠层40兆瓦；20BangkokSolar（泰国）a-Si Tan dem（叠层非晶）a-Si Tandem薄膜电池全球主流企业之一。2007年产能达到50兆瓦，是 产能最大的几个全球性企业之 一。同时也是泰国唯一一个太阳 能电池企业。21SanyoAmort on（日本）a-Si Sin gle（非单晶）三洋从1980年即开展这项 业务，是产品种类最为齐全的企 业，由于这些产品的用量非常少，所以三洋 Amorto

31、n 一直保持5兆瓦不动。22Schott SolarThin Film （德国）a- Si/ 口 c-Si（非晶/微晶）首期一条非晶/微晶生产线33 兆瓦，预计2010年递增一条线 达到66兆瓦。23EPVSolar （美国）a-Si Tan dem（叠层非晶）2007年产能为 13.25 兆 瓦，2007年6月融资77.5 百 万美元准备在数 年内递增 85 兆瓦产能的太阳能企业。首期25兆瓦的产能计划2008年达 到85兆瓦的产能，届时总产能 达到100兆瓦。24CSCSolar （德国）Poly-Si（玻璃衬底上直接镀多晶硅薄膜）全球唯个 Poly-Si（CrystallineSilic

32、ononGlass）薄膜组生产企业。组件转 换率为7%左右。2005年开始建 设，2006年投产10兆瓦产能， 2007年投产20兆瓦产。25富士电机（日本）A-Si/A-SiGe（渗锗双层非晶）A-Si/A-SiGe 电池组件转换率8%左右，属于薄膜领域专 注的企业塑料衬底（plastic film ）的双结非晶硅太阳电池，稳定效率 8 % . 2007 年产能12兆瓦，2008年10月达到40兆瓦。26Ersol Thi nFilm（德国）A-SiSin gle,a-Si/ 口 c-Si（非单晶，非晶/ 微晶）2007年年底A-Si Single 薄膜40兆瓦产能，全球主要的大型公 司之一

33、。27Moser BaerPhotoVoltaic（印度）a- Si Single（非单晶）首期40MV（另追加565MW实际投资金额约15亿美元），预计2008年下半年投产。（二）国内薄膜太阳能电池生产厂家序号厂家名称（地区）产品类别产能及其他1拓日新能源（深圳）a- Si Tan dem（叠层非晶）同时生产销售单晶硅、多晶硅、非晶硅电池；2005年非晶硅电池产量4.6 兆 瓦（产能6兆瓦），；而2006年 非晶硅电池产量8.73兆瓦（产 能10兆瓦）,2007年保持非晶硅产 能10兆瓦，产量预计9.5兆瓦。国内最大的非晶硅企业之一。2北京世华（北京）a-Si Tan dem（叠层非晶）20

34、03年成立并宣布进行非晶硅 太阳能生产线的建设，设计产能 为10兆瓦，暂时没有任何生产 线投产。3中国建材国际工程（蚌埠）a- Si Tan dem（叠层非晶）09年拟定两年内计划上 100MW 的薄膜太阳能电池。4大丰能源 科技 （台湾竹南）a- Si Tan dem（叠层非晶）台湾第一家生产太阳能非晶硅 电池的企业，同时也是目前台湾 地区薄膜电池最大的生产企业。 2006年及以前的产能是3兆瓦，2007年产能18 兆瓦。5天津津能（天津）A-Si Tan dem（叠层非晶）2006年非晶硅电池的产量 2.5 兆瓦，国内非晶硅领域排名靠前，2007年产量5兆瓦，国内薄膜 仅次于深圳拓日。6普

35、乐新能源（安徽蚌埠）a- Si Single,Tan dem（叠层非单晶）截止2007年11月，大面积已 经做到45W,大面积的初始效率 在6眩右，稳定效率5.7%。7深圳创益（深圳）A-Si Sin gle（叠层非晶）2006年A-Si Single 单结非晶硅电池产量2.5兆瓦，非晶硅领域前5名 ；A-Si Single 电池转换率应该在5.0%左右。规划从2006年到2010年，分二期建成拥有年产100至150兆瓦。8深圳日月环（深圳）A- Si Single（叠层非单晶）预计没有电池组件或者电池方 面的产品，主要提供一些下游产 品。9黑龙江哈克（哈尔滨）A- Si Single（叠层非

36、单晶）单结非晶硅转换率应该是 5%以 内。主要国内销售。预计销售额 在500万元人民币以内。10新奥集团（河北廊坊）a-Si Tan dem（叠层非晶）到2010年年产非晶硅薄膜 太阳能电池500MW首期50兆 瓦，双结非晶硅（预计转换率6% 左右）。11无锡尚德（上海）a-Si/ 口 c-Si（非晶/微晶）2008年年底开始投产（产能40 兆瓦），2009年递增产能到50 兆瓦，刚开始的转换率6%左右， 采用非晶/微晶双结。12绿能科技（台湾桃园）a-SiSi ngle（非单晶）2008年年底30 兆瓦，2009年年底50兆瓦。13富阳光电（台湾桃园）a-Si Sin gle（非单晶）200

37、8年第二季度20兆瓦；第三季度40兆瓦，首期2条生 产线，每条产能20兆瓦；计划2009年新增条达到60兆14宇通光能（台湾台南）a- Si/ 口 c-Si（非晶/微晶）该公司主要以专注研发转换效率大于8.5%之双藕合（dual jun ctio n）非晶/微晶硅薄膜太 阳能电池。预估完成设备安装后初期单 条线的产能为60百万瓦15威海蓝星泰T屮、厶rh 土瑞丿光电（威海）a- Si Tan dem（叠层非晶）无法参考。16吉富中国投资（山东烟台）a- Si Single（非单晶）50M（ 2条线）单结非晶硅（之 后再导入微晶硅设备，升级为双 结非晶硅/微晶硅，产能可增14MW 至 64MW1

38、7联相光电（台湾台中）a- Si Single（非单晶）25M（ 1条线）单结非晶硅（可 以升级为双结非晶硅/微晶硅生 产线32兆瓦），量产时间2008 年第一季度（3月份）投产。18旭能光电（台湾台中）a- Si Single（非单晶）25M（ 1条线）单结非晶硅（可 以升级为双结非晶硅/微晶硅生 产线32 兆瓦），2008年年中（6-8月份）投产19强生光电（南通）a-Si Tan dem（叠层非晶）2008年1月投产（公司网站报道）产能25兆瓦。20源畅光电（常州）a- Si Tan dem（叠层非晶）第一条5兆瓦生产线于 2007 年8月投产，后续增加到31条 生产线总计155兆瓦。2

39、1赣能华基新 能源（江西）a- Si Tan dem（叠层非晶）从事非晶硅光电薄膜电池 的生产和销售，投资建设初期 规模一条（年产能5MW）、最 终规模十条（年产能 50MW） 的非晶硅光电薄膜电池生产 线。22中山铨欣照 明电器 （中山）a-Si Tan dem（叠层非晶）2008年（截止2008 年5月8日已经10兆瓦全部投产）。23浙江慈能光伏（杭州）a- Si Tan dem（叠层非晶）产能：10兆瓦。24沈阳汉锋（沈阳）a-Si Tan dem（叠层非晶）2007年年底10兆瓦投产（2条 5兆瓦的非晶硅自动化生产 线）。25尤尼索拉津能（天津）A- Si/A-SiGe/A-SiGe（

40、三结：渗锗三层结构）全部产能90兆瓦，设计产能每 条线25兆瓦，实际产量达30 兆瓦/条线。投资商：美国联合太阳能公司与 天津津能合资。26迅力光能（昆山）A-Si/A-SiGe/A-SiGe（三结：硅锗三层结构）主要生产柔性薄膜太阳能电池； 公司制造生产的柔性薄膜电池 组件产品已全面通过 ANSI/UL1703标准测试，并获得ETL质量安全认证。迅力光能是 目前世界上极少数有能力生产 通过UL1703认证标准的柔性光 伏组件的企业之一。附注:国内厂商存在问题：产量少；效率低；稳定性差；面积小；外观不均匀四、总结专家观点和总结罗列如下:1. 多晶硅材料的持续紧缺及光伏下游市场保持强势成就了薄膜

41、的 高速启动， 2007 年的 FirstSolar 可以说让薄膜在光伏领域发光， 也让 薄膜成为太阳能内部又一金矿。2. 低成本（ 1.30 美元/ 瓦或者以下）中等转换率（ 10%左右或者更 高）没有原料瓶颈（短 期内薄膜都没有原料瓶颈）规模化生产的薄膜 项目获得投资者和市场的青睐；3. CdTe CIS/CIGS 硅基薄膜，三者同时高速发展，其中硅基薄膜 的增速约 70%，而另外两个都超过 100%；4. CdTe 以 First Solar为龙头，具有超高利润率及超大规模的产能，促使他们在 2013 年左右成为薄膜领域的龙头；5. 硅基薄膜在中国大陆和台湾地区获得大范围的投入和欢迎，

42、而且 未来将成为全球范围的制造重镇；6. 硅基薄膜已经逐步放弃传统的单结非晶硅， 全面转向双结非晶硅 和非晶 /微晶叠层；7. CdTe 薄膜基本上北美国和德国的企业垄断，短期内难以扩散到 其他地区；8. CIS/CIGS 基本上是美国德国日本企业垄断，短期内保持三巨头 的格局；9. 硅基薄膜的发展最为均衡，不但美、中、日、德、中国台湾具有 比较均衡的比重，而且印度、泰国、西班牙、希腊、意大利、瑞士等众 多国家或者地区也同样投产了产品， 并且印度的扩产目标和步阀都非常 迅速；10. 薄膜由于低成本的优势，从长远的角度来说，也许是促使太阳能光伏发电媲美 传统能源成本的解决方案，因此薄膜的未来一片光五、建议大陆尤其是广东应当抓住的机遇，自主研发大规模生产技术及核心 设备技术（PECVD溅射设备/专用激光/APCVD,实现高效率大面积低成 本生产每瓦1美元的目标。下表为年产20MWp生产线非晶硅电池组件的成本（RMB,稳定效率6% 组件面积100mm*100mm材料各种气体5mn浮法玻璃及导电膜电极材料及封装材料工具五金材料备品备件其它材料劳防用品其它每瓦 成本（元/ 瓦）3.712.673.910.0350.050.310.020.013.12小计12.58附:大面积非晶硅薄膜太阳能电池生产工艺流程;其中：PECV是指等离子体增强化学气相沉积系统。