电磁场与电磁波习题

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1、第二章（选择）1、 将一个带正电的带电体 A从远处移到一个不带电的导体B附近，导体B的电势将（A ） A升高B降低C不会发生变化D无法确定2、 下列关于高斯定理的说法正确的是（A）A如果高斯面上E处处为零，则面内未必无电荷。B如果高斯面上E处处不为零，则面内必有静电荷。C如果高斯面内无电荷，则高斯面上E处处为零。D如果高斯面内有净电荷，则高斯面上E处处不为零3、以下说法哪一种是正确的（ B）A电场中某点电场强度的方向，就是试验电荷在该点所受的电场力方向B电场中某点电场强度的方向可由E=F/q 确定，其中qO为试验电荷的电荷量，qO可正 可负，F为试验电荷所受的电场力C在以点电荷为中心的球面上，

2、由该点电荷所产生的电场强度处处相同D以上说法都不正确4、 当一个带电导体达到静电平衡时（D）A表面曲率较大处电势较高B表面上电荷密度较大处电势较高C导体内部的电势比导体表面的电势高D导体内任一点与其表面上任一点电势差等于零5、下列说法正确的是（D）A场强相等的区域，电势也处处相等B场强为零处，电势也一定为零C电势为零处，场强也一定为零D场强大处，电势不一定高6、 就有极分子电介质和无极分子电介质的极化现象而论（D）A、两类电介质极化的微观过程不同，宏观结果也不同B 两类电介质极化的微观过程相同，宏观结果也相同C 两类电介质极化的微观过程相同，宏观结果不同D 两类电介质极化的微观过程不同，宏观结

3、果相同7、下列说法正确的是（ D ）（A）闭合曲面上各点电场强度都为零时，曲面内一定没有电荷B闭合曲面上各点电场强度都为零时，曲面内电荷的代数和必定为零C闭合曲面的电通量为零时，曲面上各点的电场强度必定为零。D闭合曲面的电通量不为零时，曲面上任意一点的电场强度都不可能为零8、根据电介质中的高斯定理，在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是（D ）A若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内一定没有自由电荷B若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内电荷的代数和一定等于零C若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零，曲面内

4、一定有极化电荷D介质中的电位移矢量与自由电荷和极化电荷的分布有关9、 将一个带正电的带电体A从远处移到一个不带电的导体B附近，导体B的电势将（AA升高B降低C不会发生变化10、 一平行板电容器充电后与电源断开，再将两极板拉开，则电容器上的（D）A、电荷增加B、电荷减少 C电容增加D、电压增加（判断）1、 两个点电荷所带电荷之和为Q,当他们各带电量为 Q/2时，相互间的作用力最小（X）2、 已知静电场中某点的电势为-100V，试验电荷q0=,则把试验电荷从该点移动到无穷远处电场力作功为（V）3、电偶极子的电位与距离平方成正比，电场强度的大小与距离的二次方成反比。（X）4、介质内部体分布的束缚电荷

5、与介质块的表面束缚电荷是等值异性的。（V）5、 在均匀介质内自由电荷p=0的区域中，P=0,因而束缚电荷的体密度p/=0. （V）6、位于无源区中任一球面上电位的平均值等于其球心的电位，而与球外的电荷分布特性无 关。（V）7、 若真空中相距为 d的两个电荷q1及q2的电荷量分别为q及4q,当点电荷q，位于q1 及q2的连线上时，系统处于平衡位置，则q/位于垂直线上（X）8、 电荷密度为p s及-p s的两块无限大面电荷分别位于x=0及x=1平面，则x1时，电场 强度为E=0. （V）9、在两种截止形成的边界上，两侧的电场强度的切向分量相等，或者说，电场强度的切向 分量连续。（V）10、处于静电

6、平衡状态的道题是一个等位体，导体表面是一个等位面。（V）第三章（选择）1、 无限大的导体平面上空平行放置一根半径为a的圆柱导线。已知圆柱导线的轴线离开平面的距离为h，则单位长度圆柱导线与导体平面之间的电容为（A）A 2 n e /arcosh （h/a ） B 4 ne /arcosh （h/a ） C 2 n & /arsinh （h/a ） D 4 ne /arsinh（h/a ）2、 当孤立的不带电的导体球位于均匀电场E0中，使用镜像法求出导体球表面的电荷分布为（C） A 4e 0E0cos 0 B 4 e 0E0sin 0 C 3 e 0E0cos 0 D 3 e 0E0sin 03、

7、 已知一个不接地的半径为a的导体球携带的电荷为Q若电荷为q的点电荷移向该带点球，试问当点电荷受力为零时离球心的距离为（A）A B C D4、 用镜像法求解电场边值问题时，判断镜像电荷的选取是否正确的根据是（D）A.镜像电荷是否对称 B.电位$所满足的方程是否改变C.边界条件是否保持不变D.同事选择B和C5、静电场中电位为零处的电场强度（C）A. 一定为零B. 一定不为零C.不能确定6、空气中某一球形空腔，腔内分布着不均匀的电荷，其电荷体密度与半径成反比，则空腔 外表面上的电场强度为（C） A、大于腔内各点的电场强度B小于腔内各点的电场强度C等于腔内各点的电场强度7、 介电常数为的介质区域 V中

8、，静电荷的体密度为p,已知这些电荷产生的电场为E=E（x, y, z）,设D= E,下面表达式中成立的是（C）D 0EDD 08、N个点电荷组成的系统的能量W=1qi i，其中i是（B）产生的电位2 o的电介质，Z0的半空间中为介电常数电场为E0 ex2 ez6。则电介质中的静电场为（0AEexez6B.Eex4ez3C.Eex2ez310、已知点电荷q位于半径为a的导体球附近，离球心的距离为发f,当导体球的电位为时的镜像电荷为（A A、4 oa B、3 oa4、a的导体球形空腔中的点电荷q受到的电场力大小为 Fq2ad40(a2-d2)2（判断）1、当当边界上的电位或电位的法向导数给定时，或

9、导体表面电荷分布给定时，空间的静电场被唯一性的确定（V）2、当当点电何q位于无限大的导体表面附近时，导体表面上总感应电何等于-q (V)3、无源区中电位分布函数可能具有最大值或最小值（X）（V）5、 真空中静电场得到的电场强度的无旋性V E 0 ,在介质静电场中仍然成立。（V）6、一个点电荷 Q放在球形高斯面中心处，如果此电荷被移开原来的球心，但仍在球心，则 通过这个球面的电通量将会改变（X）7、无源区中，电位应满足的拉普拉斯方程为(r) 0( V)8位于半径为a的导体球外的点电荷q受到的电场力大小为F畀器:二，f为点电荷至球心的距离。（V）9、直角坐标系中的电位函数1 Cz/（3；x2 y2

10、 Z2）及球坐标系中电位函数2-均满r足拉普拉斯方程，式中的 C为常数（V）10、已知导体是等位体， 分布在有限区域的电荷在无限远处产生的电位为零，因此，无限大导体平面的电位为零。（V）第四章（选择）1设同轴线内导体半径为a，外导体的内半径为b，填充介质的电导率为，则单位长度2 2内同轴线的漏点导为（A） A G B、G / a、/ a、In （）In （）bb2、 半径为a和b的同心球，内球的电位U，外球的电位0 ,两球之间煤质的电导率为，则这个球形电阻器的电阻为（B）A -丄B、上 C、幺口4 ab 4 ab 4 ab3、 有一宽度为2m的电流薄层，其总电流为6A,位于z=0平面上，方向从

11、原点指向点（2,3,0）的方向，贝V Js的表达式为（）A、丄(6ax 9ay) B、丄(6ax 9ay)13134、在一个半径为a的球内，均匀的分布着总电量为q的电荷。现在使球以匀角速度w绕一直径旋转，并设旋转不影响电量 q的均匀分布，则球内的电流密度为（A）A、3qwrsin3 a4 aB 4qwrsin3 a3 a5、A、C6、A、C7、F面关于电导率的说法正确的是（C）在理想导电体中可能存在恒定电场电导率为零的介质，具有微弱的导电能力电导率为无限大的导体称为理想导电体关于恒定电流场的边界条件，错误的是（C）恒定电场的切向分量连续，但法向分量不连续在两种导电介质的边界两侧，电流的矢量的切

12、向分量不连续 电流线总是平行于理想导电体面将半径为25mm的半球形导体球埋入地中，该导体球与无限远处的电阻称为导体球的接地电阻，若土壤的电导率10-6S/m。求导体球的接地电阻（B）6 6 6A 5.35 10 B、6.36 10 C、5.44 108、 一半径为的半球形导体埋在地下，其地面与底面相合，设地的电阻率为2 10-5 m ,则接地电阻为（B）A 2.22 10-5 B、2.12 10-5 C、3.21 10-69、 球形 电容器内半径 R1=5cm,外半径 R2=10cm,其中的非理想 介质的电导率910 S/m，若两极之间的电压 U0=1000乂则正确的是（DA（ 1-10）10

13、2（V）r_ 102B E 2 arrc10-7C J 2 arrD都正确10、 一个半径为的导体球当做接地电极深埋地下，设土壤的电导率为m,略去地面的影响， 求电极与地之间的电阻（A）A、B、 C、（判断）1、 处于静电平衡状态的导体中不可能存在自由电荷的体分布，电荷只能位于导体表面 （V）2、恒定电场和静电场一样，也与时间无关，与外加电压无关（X）3、电导率为无限大的导体称为理想导电体，其中不可能存在恒定电场（V）4、运流电流的电流密度并不与电场强度成正比，而且电流密度的方向与电场强度的方向也可能不同（V）5、均匀导电介质中，恒定电流场是无旋的（V）6、在恒定电流场中，电流密度通过任一闭合

14、面的通量为零（V）7、均匀导电介质中的驻立电荷只能分布在导体介质的内部（X）-J 0 (V)8、由于恒定电流场的无旋性，电流密度J可用位函数 表示为J - ，且9、当电流由理想导电体流出进入般导电介质时，电流线总是垂直于理想导电体表面（V）10、恒定电流场是无散的，即J 0 (V)2第五章（选择）1、下面的矢量函数中，哪些可能是磁场的矢量。（BC）A B acr B、B -axCy ayCx C2、关于理想导磁体的说法错误的是（C）;、B a CrA、磁导率为无限大的介质称为理想导磁体。B在理想导磁体中不可能存在磁场强度 JC磁场强度必须平行于理想导磁体表面3、设电流为I的无限长的线电流，位于

15、两种介质形成的无限大的平面边界附近，两种介质 的磁导率分别为 1及2，则介质中的恒定磁场正确的是（ A）2 I1A B i e B、Bi err4、空间某点的磁感应强度 B的方向，一般可以用下列几种办法来判断，其中哪个是错误的?（C）A小磁针北（N极在该点的指向；B运动正电荷在该点所受最大的力与其速度的矢积的方向；C电流元在该点不受力的方向；D载流线圈稳定平衡时，磁矩在该点的指向。5、 下列关于磁感应线的描述，哪个是正确的？ （ D）A条形磁铁的磁感应线是从N极到S极的；B条形磁铁的磁感应线是从S极到N极的；C磁感应线是从 N极出发终止于S极的曲线;D磁感应线是无头无尾的闭合曲线。6、 磁场的

16、高斯定理说明了下面的哪些叙述是正确的？（ A）a穿入闭合曲面的磁感应线条数必然等于穿出的磁感应线条数；b穿入闭合曲面的磁感应线条数不等于穿出的磁感应线条数；c 一根磁感应线可以终止在闭合曲面内； d 一根磁感应线可以完全处于闭合曲面内。（A） ad （ B） ac （ C） cd （ D ab。7、 两个载有相等电流I的半径为R的圆线圈一个处于水平位置，一个处于竖直位置， 两个线圈的圆心重合，则在圆心o处的磁感应强度大小为多少 ？ （C）（A）0 （ C）I/2R （ D）I/R。8、有一无限长直流导线在空间产生磁场，在此磁场中作一个以截流导线为轴线的同轴的圆柱形闭合高斯面，则通过此闭合面的磁

17、感应通量（A ）A、等于零 B、不一定等于零 C、为卩0I9、一带电粒子垂直射入磁场 B后，作周期为T的匀速率圆周运动，若要使运动周期变为 T/2，磁感应强度应变为（B ）A B/2 B、2B C、B D、- B10、 均匀磁场的磁感强度 B垂直于半径为r的圆面。今以该圆周为边线，做一半球面S,则 通过S面的磁通量大小为（A）A r B B 0 C 无法确定的量（判断）1、已知某电流在空间产生的矢量磁位是A x2yax xy2ay -4xyzaz。则磁感应强度 B为-4xzax 4yzay （y2 -x2） az （V）2、电流元在磁场中的受力方向始终垂直于电流的流动方向（V）3、真空中恒定磁

18、场是无旋有散的（X）4、真空中恒定磁场的磁通密度的散度处处为零（V）5、恒定磁场强度的切向分量连续，磁通密度的法向分量连续（V）6、 H J表明介质中某点磁场强度的旋度等于该点传导电流密度（V）8、恒疋磁场中有一载流圆线圈，右线圈的半径增大一倍，且其中电流减小为原来的一半，磁场强度变为原来的 2倍，则该线圈所受的最大磁力矩与原来线圈的最大磁力矩之比为4:2(X)7、边长为a的一个导体边框上通有电流 I，则此边框中心的磁感应强度与a成正比（x）9、质量为m的电子以速度v垂直射入磁感应强度大小为 B的均匀磁场中，则该电子的轨道2磁距为凹二（V）2B10、由 B?dS 0可知磁场为无源场（V）L第六

19、章（选择）1、已知圆环式螺线管的自感系数为L,若将该螺线管锯成两个半环式的螺线管，则两个半环螺线管的自感系数（D）都等于1/2LBCD2、有一个大于 1/2L，另一个小于 1/2L都大于1/2L都小于1/2L半径为a的圆线圈置于磁感应强度为B的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R,当把线圈转动使其方向与B的夹角a =60时，线圈中已通过的电量与线圈面积及转动的时间的关系是（A）ABCD与线圈面积成正比，与时间无关 与线圈面积成正比，与时间正比 与线圈面积成反比，与时间正比与线圈面积成反比，与时间无关3、对于单匝线圈取自感系数的定义式为L m/I，当线圈的几何形状，大小及周围介质分布

20、不变，且无铁磁性物质时，若线圈中的电流强度变小，则线圈的自感系数L (C)ABCD变大，与电流成反比关系不变变大，与电流成不成反比关系4、1 2用线圈的自感系数L来表示载流线圈磁场能量的公式WmLI 2 （ D）2ABCD5、只适用于无限长密绕线管只适用于单匝圆线圈只适用于一个匝数很多，且密绕多大的螺线环适用于自感系数 L一定的任一线圈圆铜盘水平放置在均匀磁场中，B的方向垂直盘面向上，当铜盘绕通过中心垂直于盘面的轴沿逆时针方向转动时，（D）铜盘上有感应电流产生，沿着铜盘转动的相反方向流动 铜盘上有感应电流产生，沿着铜盘转动的方向流动 铜盘上产生涡流D铜盘上有感应电流产生，铜盘边缘处电势最高6、

21、边长为L的一个导体方框上通有电流 I，则此框中心的磁感应强度（ D）A.与L无关B.正比于L2 C。与L成正比D与L成反比7、一运动电何q，质量为 m进入均匀磁场中（C）A.其动能改变，动量不变B.其动能和动量都改变C.其动能不变，动量改变D.其动能，动量都不变8.在均匀磁场中，有两个平面线圈，其面积 A 2A2，通有电流Ii 2I2。它们所受的最大磁力矩之比M 1等于（C）M2B.2D 1/49、J均匀磁场的磁感应强度B垂直于半径为 R的圆面，今以圆周为边线，作一半球面S,则通过S面的磁通量的大小为（B）2 2A 2 R B B RB C 0 D无法确定10.若空间存在两根无限长直载流导线，

22、空间的磁场分布就不具有简单的对称性，则该磁场分布（C）A.不能用安培环路定理来计算B.可以直接用安培环路定理求出C.可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出（判断）1.互感可正可负，自感始终应为正值（V）2.同轴线的内外导体可以当做理想导电体，在这种理想导电体中不可能存在时变电磁场（V）3.由于磁场能量与磁场强度平方成正比，因此与电场能量一样，磁场能量也符合叠加原理(X)4. 一磁场的磁感应强度为B ai bj ck，则通过一半径为 R,开口向Z方向的半球壳,表面的磁通量大小为R2C wb （V）5. 真空中有一载有稳恒电流I的细线圈，则通过包围该线圈的封闭曲面S的磁通量 0（V）6. 一

23、电荷电量为q的粒子在均匀磁场中运动， 只要速度大小相同。 粒子所受的洛伦兹力就相同（X）7. 一电荷电量为q的粒子在均匀磁场中运动， 在速度不变的前提下， 若电荷q变为-q，则粒 子受力反向，数值不变（V）8. 一电荷电量为q的粒子在均匀磁场中运动，粒子进入磁场后，其动能和动量都不变（X）9. 一电荷电量为q的粒子在均匀磁场中运动， 洛伦兹力与速度方向垂直，所以带点粒子运动的轨迹必定是圆（X）10. 线性介质的磁导率与磁通密度的大小无关（V）第七章（选择）1. 关于位移电流，下列四种说法正确的是（A）A、位移电流是由变化电场产生的B位移电流是由线性变化磁场产生的C位移电流的热效应应服从焦耳-楞

24、次定律D位移电流的磁效应应不服从安培环路定理2. 一平面电磁波子啊非色散无损耗的煤质里传播，测得电磁波的平均能流密度为23000W / m。煤质的相对介电常数为4,相对磁导率为1，则在煤质中电磁波的平均能量密度为（B）A. 1000J /m3 B 2.0 10-5J/m C 3000J/m33. 位移电流与传导电流一样（B）A. 都是由载流子的定向移动产生的B. 都可以激发磁场C. 都可以用电流表测量其大小D. 都一样产生热效应4. 位移电流的实质是（D）A.电场B 磁场C 变化的磁场D变化的电场5. 电场强度E EmcoswtV/m，在铜中的传导电流密度和位移电流密度在w 103rad/s时

25、幅值的比值（B）A. 6.47 1015 B. 6.55 1015 C 3.44 10156. 已知空气平板电容器的板面积为S，间距为d，当外加电压u U0sinwt，电容器中的位移电流为（A）U 0SU 00SA.COs t B 2COs tdd7. 电磁波的电场强度为 E，磁场强度H和传播速度u的关系是（B）A. 三者相互垂直，E和H相位相差 一2B. 三者相互垂直，构成右手螺旋指教坐标系C. 三者中E和H是同方向的，但都与 u垂直68. 加在平行板电容器极板上的电压变化率为1.0 10 V /s，在电容器内产生的位移电流，则该电容器的电容量为（A）A. 1 B 2 C 3 D 49. 电

26、荷激发的电场为 E1，变化磁场激发的电场为E2，则（C）A.都是保守场B. 都是涡旋场Bd和Bo，则有（A）C. E1是保守场 ，E2是涡旋场10. 设位移电流与传导电流激发的磁场分别为A. o Bo dS 0，o Bd dS 0SsB. BO dS 0， - Bd dS 0Ss（判断）1. 时变电磁场是有旋有散场（V）2. 时变电场的方向与时变磁场的方向处处相互垂直（V）3. 在理想导电体的表面不可能存在时变电磁场，它们只可能分布在理想导电体的内部（X）4. 时变电场必须垂直于理想导电体的表面，而时变磁场必须与其表面相切（V）|5. 正弦电磁场的场和源具有相同的频率（V）6. 正弦电磁场能量

27、密度的周期平均值等于电场密度的最大值与磁场能量密度的最大值之和的一半（V）7. 位移电流的实质是电场（X）8. 位移电流的磁效应不服从安培环路定理（X）9. 只有时变电磁场才具有电磁辐射特性（V）10.总能量密度（1 0E221 2-H2）具有不变性（V）2第八章（选择）1. E （z, t） ex20V2cos （6108t-2 z）,以下错误的是（C）A. 频率 f 3 108HZB. 波长 1mC. 相速及能速 p 4 108m/s2. 设两种理想介质的波阻抗分别为乙与Z2，为了消除边界反射，可在两种理想介质中间插入厚度为四分之一波长的理想介质夹层，则夹层的波阻抗Z （A）a. z 乙z

28、2 b z Z1c zZ1Z2JZ1Z23. 已知频率为3GHz的均匀平面波在理想介质中传播时，电场强度和磁场强度的有效值分别为20V/m和M,波长为3cm,则正确的是（C）A. 6.22 B. 1.22 C 6.28 D 0.334.当频率分别为10KHZ与10GHZ勺平面波在海水中传播时，则正确的是（A)A3.354 Bk1231.23rad/m5.当均匀平面波自真空向理想介质平面边界垂直投射时。测得驻波比为，则该理想介质的相对介电常数为（A )A.7.29 B2.34 C4.4326. 在电磁参数4,1的玻璃表面镀上一层透明的介质，红外线的波长为，则介电膜的介电常数及厚度（B）A. 1

29、B d 0.1326 C 4 D d 0.12317. 纯水的 81，1，计算f=10mhz的正弦均匀平面电磁波在其内传播时正确的是（A）A. 2107 B 3.333 C438. 上题在纯水中传播的均匀平面电磁波的电场强度矢量在x方向极化，振幅为 m,传播方向沿ay方向。则平均电磁功率流密度（A）-423A.1.19 104 B 2.22 10 C 4.21 10 39. 加在平行板电容器极板上的电压变化率为1.0 106V/s，在电容器内产生的位移电流， 则该电容器的电容量为（A）A. 1 B 2 C 3 D 410. 平面波在介质中的波长（B）真空波长A大于B 小于C等于 D不确定（判断

30、）1. 一个线极化平面波可以分解为两个旋转方向相反的圆极化波（V）2. 一个椭圆极化平面波可以分解为两个旋转方向相反的圆极化平面波（V）3.圆极化平面波的能流密度瞬时值与时间及空间无关（V）4.理想介质中均匀平面波的相速通常大于真空的光速（X）5.平面波在介质中的波长小于真空中波长（V）6. Vep表明在理想介质中，平面波的能量速度等于相位速度（V）7. 平面波在导电介质中传播时，其相速仅与介质参数有关，与频率无关（X）8. 发生反射与透射时，平面波的极化特性不会发生改变（V）9. 行波的相位沿传播方向不断变化，而驻波的相位与空间无关（V）10. 向任何边界上斜滑投射时，各种极化特性平面波的反射系数均为-1 （V）