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1、真诚为您提供优质参考资料，若有不当之处，请指正。SDRAM内存使用3.3V供电，DDR内存使用2.5V供电。使用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由ATX电源供电，只有少数高档主板上才采用独立供电。如图5-1所示，用万用表测量电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。而使用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电电路。内存供电电路工作原理内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准电压进入到运算放大器的同相输入端IN+，运算放大器将I
2、N+与IN-的电压相比较，如果IN+的电压大于IN-的电压，那么OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极（D）与源极（S）之间的管压降下降，使得B点的电压上升。通过反馈，IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B 。这个过程可以简单地描述为：（IN+IN-）（OUT ）（DS ）（B ）（IN-），直到IN+=IN-。同理，当IN+IN-时，它的稳压过程是这样的：（IN+IN-）（OUT）（DS）（B）（IN-），直到IN+=IN-。这个电路通过反馈比较，间接地控制B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比较放大器。 要使B点的电压稳定，必须保
3、证A点的电压稳定，也就是要求基准电压要稳定。在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为：3.3V（3.24K/（IK+3.24K2.5V这是使用最简单的串联分压方法取得2.5V的基准电压。这种串联分压电路的缺点是当3.3V的电压波动时，基准电压也会跟着波动，所以有的内存供电电路使用TL431（三端可调分流式电压基准源）来提供基准电压，如图5-4所示。那么TL431是如何提供2.5V稳定电压的？请看TL431的典型接法，如图5-5左边电路所示。按照典型接法，根据TL431内部电路设计，输出电压与R2、R3有关，由下面的公式得出：Vou
4、t=（R2+R3）2.5V/R3当R2=0时，上面的公式则变成： Vout = （O+R3） x 2.5V/R3=2.5V也就是说当R2=0时，R3可以忽略。 当R2=0（相当于将R2两端短接），且忽略R3时，就可以由典型接法演变出直接输出2.5V的接法，如图5-5右边电路所示。还有另一种内存供电电路，它是使用W83301DR或W83301R系列芯片驱动场效应管给内存供电，这种芯片同时还能组成内存总线终结电路。图5-6所示为由W83301DR-O组成的内存供电电路及内存总线终结上拉电路。图5-7为由W83301DR-O组成的内存供电实际电路。Q1漏极的3.3V电压由芯片控制Q6、 Q7供给，Q
5、2漏极的电压从Q1源极取得。内存供电Vstr1与内存总线终结控制Vstr2的电压由Vset2和Vset3设置，它们之间的关系如表5-1所示。Vset2Vset3Vstr1Vstr20VOV2.5V1.25V5VOV2.63V1.325VVset2Vset3Vstr1Vstr2OV5V2.77V1.385V5V5V2.9V1.45V由表5-1可以知道，Vstr2Vstr1/2。对于内存无供电或供电不正常的故障，下面以图5-8所示的原理图来进行讲解首先观察C2电解电容有无爆浆的现象，如有则应更换电容。观察Q1场效应管有无烧焦痕迹，如有则更换场效应管。还可以用手触摸场效应管，感觉一下是不是特别烫手，
6、如是则应更换之。测量B点（Q1源极）有2.5V电压输出（SDRAM内存供电为3.3V），如果电压正常，但内存检测不通过，通常是C2电解电容失效或内存插槽接触不良所致，此时应更换C2或内存插槽。如果B点无电压，检测Q1的漏极是否有供给电压以及栅极是否有控制电压，如漏极、栅极电压正常，通常为Q1损坏，应更换之。如漏极无电压，则应检查3.3V供电线路。如栅极无电压，则是LM324芯片部分电路有问题。检测LM324的第12脚（IN+）是否有2.5V电压输入（SDRAM内存供电为3.3V），如无，则应检查提供基准电压的电路。如有基准电压，检测LM324的第4脚是否有12V电压，如有，则是LM324已损坏，如无，则应检查12V供电线路。检测流程图如图5-9所示。10 / 10
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