大电流便携式DCDC中MOSFET功耗的计算

《大电流便携式DCDC中MOSFET功耗的计算》由会员分享，可在线阅读，更多相关《大电流便携式DCDC中MOSFET功耗的计算（7页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、大电流便携式DC-DC中MOSFET功耗的计算鲁思慧众所周知,今天的携便式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。因近年来,内核CPU所需的电源电流每两年就翻一倍,即便携式内核CPU电源电流需求会高达40A之多，而电压在0.9v和1.75V之间。事实上,尽管电流需求在稳步增长，而留给电源的空间却并没有增加,这个现实已达到甚至超出了在热设计方面的极限。对于如此高电流的电源,通常将以分割为两个或多相，即使每一相提供15A到25A. 例如，一个40A电源变成了两个20A电源。虽然这种方式可使元件的选择更容易。但是，这种方法并没有额外增加板上或环境空间，这对于热设计方面的挑战基本

2、上没有多大帮助。为什么这么说呢?这是因为在设计高电流电源时，MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著，在这样的环境中，散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。而电源设计常常却要面临诸多不利因素的挑战, 那就是只是狭小的空间和静止的气流以及附近其它元件散发的热量等恶劣环境.而且，除了电源下面少量的印制板铜膜外，没有任何其它手段可以用来协助耗散功率。那末如何挑选MOSFET呢?回答是,在桃选MOSFET时,首先是要选择有足够的电流处理能力，并具有足够的散热通道的器件,最后还要从量化上考虑必要的热耗和保证足够的散热路径。据此,如何计算这些MOSFET的功率耗散，并确定它

3、们的工作温度,然后进一步阐明这些概念,从而分析出一个多相、同步整流、降压型CPU核电源MOSFET功耗计算方法就成了本文叙述的重点.计算MOSFET的耗散功率为了确定一个MOSFET 是否适合于特定应用,必须计算一下其功率耗散, MOSFET功率耗散(PD总)主要包含阻性损耗(PD阻性)和开关损耗(PD开关)两部分:即PD总= PD阻性+ PD开关 由于MOSFET的功率耗散很大程度上依赖于它的导通电阻(RDS(on)，计算RDS(on)似乎是一个很好的出发点。但是MOSFET的RDS(on)与它的结温 (Tj)有关。而Tj又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻()。这样，又似乎

4、很难找到一个着眼点。但由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，为此,我们可以采用一种迭代过程获得我们所需要的结果(见图1流程所示)。 迭代过程始于为每个MOSFET假定一个结温(Tj )，然后，计算每个MOSFET各自的功率耗散和允许的环境温度。当允许的环境气温达到或略高于期望的机壳内最高温度时，这个过程便结束了。 如果试图使这个计算所得的环境温度尽可能高，但通常这并不是一个好的设想,这是为什么呢?因为这样,就要求采用更昂贵的MOSFET,并在MOSFET下铺设更多的铜膜，或者要求采用一个更大、更快速的风扇产生气流等,所有这些都不是我们所期望的。 为此,从某种意义上讲，可先假定一个MOS

5、FET结温(Tj )，然后再计算环境温度，这是一种逆向的设计方法,因为毕竟是先有环境温度决定MOSFET的结温(Tj ),而不是相反。然而，从一个假定的结温开始计算要比从环境温度开始容易一些。对于开关MOSFET和同步整流器，我们可以选择一个最大允许的管芯结温(Tj(hot)作为迭代过程的出发点,多数MOSFET的数据手册只规定了+25下的最大RDS(on)，不过最近有些产品也提供了+125下的最大值。MOSFET的RDS(on)随着温度而增加，典型温度系数在0.35至0.5之间(见图2所示)。如果拿不准，可以用一个较为保守的温度系数和MOSFET的+25规格(或+125规格),在选定的Tj(

6、hot)下以最大RDS(on) 作近似估算： 即,RDS(on) hot = RDS(on) SPEC 1+0.005(Tj(hotTSPEC)其中，RDS(on)SPEC是计算所用的MOSFET导通电阻，TSPEC是规定RDS(on)SPEC时的温度.利用计算出的RDS(on)hot，可以确定同步整流器和开关MOSFET的功率消耗，具体做法如下所述。即,将进一步讨论如何计算各个MOSFET在给定的管芯温度下的功率消耗，以及完成迭代过程的后续步骤(整个过程详述见图1所示)。 同步整流器的功率消耗除最轻负载以外，各种情况下同步整流器MOSFET的漏、源电压在打开和关闭过程中都会被续流二极管钳位。

7、因此，同步整流器几乎没有开关损耗，它的功率消耗(PD同步整流)很容易计算。只需要考虑阻性损耗即可。最坏情况下的损耗发生在同步整流器工作在最大占空比时，也就是当输入电压达到最大时。利用同步整流器的RDS(on)hot和工作占空比，通过欧姆定律我们可以近似计算出它的功率消耗： 开关MOSFET的功率耗散开关MOSFET的阻性损耗(PD阻性)计算和同步整流器非常相似，也要利用它的占空比(但不同于前者)和RDS(on)hot： 开关MOSFET的开关损耗计算起来比较困难，因为它依赖于许多难以量化并且通常没有规格的因素，这些因素同时影响到打开和关闭过程。为此,我们可以首先用以下粗略的近似公式对某个MOS

8、FET进行评价，然后通过实验对其性能进行验证：其中Crss是MOSFET的反向传输电容(数据手册中的一个参数)，fsw为开关频率，Igatb是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(Vgs位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收源出电流。若基于从成本因素考虑将选择范围缩小到特定的某一代MOSFET(不同代MOSFET的成本差别很大)，我们就可以在这一代的器件中找到一个能够使功率耗散最小的器件。这个器件应该具有均衡的阻性和开关损耗,使用更小(更快)的器件所增加的阻性损耗将超过它在开关损耗方面的降低，而使用更大(而RDS(on)更低)的器件所增加的开关损耗将超过它对于阻性损耗的降低。如果V

9、in是变化的，需要在Vin(max)和Vin(min)下分别计算开关MOSFET的功率耗散。MOSFET功率耗散的最坏情况可能会出现在最低或最高输入电压下。该耗散功率是两种因素之和：在Vin(min)时达到最高的阻性耗散(占空比较高),以及在Vin(max)时达到最高的开关损耗(由于项的缘故)。一个好的选择应该在Vin的两种极端情况下具有大致相同的耗散，并且在整个Vin范围内保持均衡的阻性和开关损耗。如果损耗在Vin (min)时明显高出，则阻性损耗起主导作用。这种情况下，可以考虑用一个更大一点的开关MOSFET(或将一个以上的多个管子相并联)以降低RDS(on)。但如果在Vin(max)时损

10、耗显著高出，则应该考虑降低开关MOSFET的尺寸(如果是多管并联的话，或者去掉一个M0SFET)，以便使其开关速度更快一点。如果阻性和开关损耗已达平衡，但总功耗仍然过高，有多种办法可以解决： * 改变问题的定义。例如，重新定义输入电压范围。 * 改变开关频率以便降低开关损耗，有可能使用更大一点的(而RDS(on)更低)开关MOSFET。 * 增加栅极驱动电流，有可能降低开关损耗。MOSFET自身的内部栅极电阻最终限制了栅极驱动电流，实际上限制了这种方法的有效性。 * 采用一个改进技术的MOSFET，以便同时获得更快的开关速度、更低的RDS(on)和更低的栅极电阻。需要指正的是,脱离某个给定的条

11、件对MOSFET的尺寸作更精细的调整是不大可能的，因为器件的选择范围是有限的。而选择的底线是MOSFET在最坏情况下的功耗必须能够被耗散掉。关于热阻现按照图1所示，继续进行迭代过程的下一步，以便寻找合适的MOSFET来作为同步整流器和开关MOSFET。这一步是要计算每个MOSFET周围的环境气温，在这个温度下，MOSFET结温将达到我们的假定值.为此，首先需要确定每个MOSFET结到环境的热阻()。热阻的估算可能会比较困难。单一器件在一个简单的印刷板上的的测算相对容易一些，而要在一个系统内去预测实际电源的热性能是很困难的，那里有许多热源在争夺有限的散热通道。如果有多个MOSFET被并联使用，其

12、整体热阻的计算方法，和计算两个以上并联电阻的等效电阻一样。我们可以从MOSFET的规格开始。对于单一管芯、8引脚封装的MOSFET来讲，通常接近于62W。其他类型的封装，有些带有散热片或暴露的导热片，其热阻一般会在40W至50W(见表1所示)。可以用下面的公式计算MOSFET的管芯相对于环境的温升Tj(rise)：Tj(rise)=PD总 接下来，计算导致管芯达到预定Tj(hot) 时的环境温度Tambient： Tambient=Tj(hot)Tj(rise)如果计算出的低于机壳的最大额定环境温度(意味着机壳的最大额定环境温度将导致MOSFET的预定Tj(hot)被突破)，必须采用下列一条或

13、更多措施： * 升高预定的Tj(hot)，但不要超出数据手册规定的最大值。 * 选择更合适的MOSFET以降低MOSFET的功耗。* 通过增加气流或MOSFET周围的铜膜降低。再重算Tambient (采用速算表可以简化计算过程，经过多次反复方可选出一个可接受的设计)。而表1为MOSFET封装的典型热阻另一方面，如果计算出的Tambient高出机壳的最大额定环境温度很多，可以采取下述可选步骤中的任何一条或全部： * 降低预定的Tj(hot)。 * 减小专用于MOSFET散热的铜膜面积。 * 采用更廉价的MOSFET。这些步骤是可选的，因为在此情况下MOSFET不会因过热而损坏。不过，通过这些步

14、骤只要保证Tambient高出机壳最高温度一定裕量，我们可以降低线路板面积和成本。上述计算过程中最大的误差源来自于。应该仔细阅读数据手册中有关规格的所有注释。一般规范都假定器件安装在lin2的2oz铜膜上。铜膜耗散了大部分的功率，不同数量的铜膜差别很大。例如，带有lin2铜膜的DPak封装会达到50W。但是如果只将铜膜铺设在引脚的下面，将高出两倍(见表1)。如果将多个MOSFET并联使用，主要取决于它们所安装的铜膜面积。两个器件的等效可以是单个器件的一半，但必须同时加倍铜膜面积。也就是说，增加一个并联的MOSFET而不增加铜膜的话，可以使RDS(on)减半但不会改变很多。最后，规范通常都假定没

15、有任何其它器件向铜膜的散热区传递热量。但在高电流情况下，功率通路上的每个元件，甚至是印刷板线条都会产生热量。为了避免MOSFET过热，需仔细估算实际情况下的，并采取下列措施： * 仔细研究选定MOSFET现有的热性能方面的信息。 * 考察是否有足够的空间，以便设置更多的铜膜、散热器和其它器件。 * 确定是否有可能增加气流。 * 观察一下在假定的散热路径上，是否有其它显著散热的器件。 * 估计一下来自周围元件或空间的过剩热量或冷量。热管理是高功率便携式设计中难度较大的领域之一。这种难度迫使我们有必要采用上述选代过程。尽管该过程能够引领热性能设计者靠近最佳设计，但是还必须通过实验来最终确定设计流程是否足够精确。应计算MOSFET的热性能，为它们提供足够的耗散途径，然后在实验室中检验这些计算，这样有助于获得一个耐用而安全的热设计。 发布日期: 2003-11-13